CN109565538A - 发光模块、闪光模块和包括该闪光模块的终端 - Google Patents

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Abstract

实施例涉及发光模块、闪光模块和包括闪光模块的终端。根据实施例的发光模块包括：半导体层；荧光体层，设置在半导体层的一个表面上；多个发光芯片，包括多个电极，设置在半导体层的面向一个表面的表面上；第一分隔件，设置在多个发光芯片的一侧上；第二分隔件，设置在多个发光芯片的另一侧上来面对第一分隔件；以及不透明模塑部件，围绕多个发光芯片，使得荧光体层的上表面和多个电极的底表面暴露于外部，并且不透明模塑部件设置在第一和第二分隔件内侧。根据实施例的发光模块包括：半导体层；荧光体层，设置在半导体层的一个表面上；多个发光芯片，包括多个电极，设置在面向半导体层的一个表面的表面上；以及不透明模塑部件，围绕多个发光芯片，使得荧光体层的上表面和多个电极的底表面暴露于外部。

Description

发光模块、闪光模块和包括该闪光模块的终端
技术领域
实施例涉及发光模块、摄像头闪光灯和包括摄像头闪光灯的终端。
背景技术
包括诸如GaN和AlGaN等化合物的半导体器件具有许多优点，例如，具有宽且容易的带隙能量，并且可以不同地用作发光器件、受光器件和各种二极管。
特别地，使用III-Ⅴ族或II-Ⅵ族化合物半导体的半导体材料的诸如发光二极管或激光二极管的发光器件可以应用于诸如红色、蓝色和紫外线等的各种装置。通过使用荧光材料或组合颜色，可以高效地实现白光束。而且，与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，它具有诸如低功耗、速度、安全、环保等若干优点。
另外，当使用III-Ⅴ族或II-Ⅵ族化合物半导体的半导体材料制造诸如光电探测器或太阳能电池等的受光元件时，由于元件材料发展为吸收各种波长区域的光以产生光电流，因此可以使用从伽马射线到无线电波区域的各种波长范围内的光。
它还具有响应速度快、安全、环保、易于控制器件材料等优点，因此可以容易地用于电源控制或微波电路或通信模块。
因此，它可以扩展到光通信装置的传输模块、替代构成液晶显示装置(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光、替代荧光灯或白色灯泡的白色发光二极管发光器件、汽车前大灯、交通灯、及气体或火情传感器。
此外，应用可以扩展到高频应用电路、其他电源控制装置和通信模块。
近年来，具有摄像功能的便携式终端的数量一直增加。
在这样的便携式终端中，内置摄像头闪光灯以在用摄像头拍摄时提供需的光量。
在这方面，发光模块用作摄像头闪光灯的光源。作为这样的发光模块，诸如白色发光二极管(LED)等的半导体器件的使用已经增加。
近来，为了应对这种手机摄像头的技术发展趋势，已经开发出一种将手机的摄像头转换成诸如双摄像头的技术，这种技术也需要实现广角以对应于摄像头的视场(FOV)。
另一方面，根据相关技术，难以将摄像头闪光灯(Flash)的视角(FOV)实现为90度或更大。
然而，便携式终端的纤薄和趋势继续需要这种广视角的工业需求，并且在传统的摄像头闪光模块中，由于闪光灯透镜需要保持一定的厚度或更大的厚度，所以存在保持广角的同时不能满足纤薄的趋势需求的问题。
另外，根据相关技术，由于使用模具注入摄像头闪光灯的透镜，因此在透镜图案的端部形成圆形。由于对于内部产品通过屏蔽(screening)进行这种圆形加工，因此存在屏蔽和光学设计自由度受限的问题。
而且，根据相关技术，存在摄像头闪光灯透镜的易于刮划的问题。
例如，由于相关技术的摄像头闪光灯中暴露于外部的透镜部分的材料由塑料材料形成，因此存在透镜部分在制造或使用期间易于刮划的问题。
另外，在相关技术的摄像头闪光灯的发光模块中，由于在闪光操作中高发热，所以存在可靠性降低的问题。
另外，根据相关技术，重要的是即使实现广角，也应该在摄像头成像区域中实现均匀的光分布，况且难以实现广角，并且存在技术上的矛盾：不能在具有广角的同时实现均匀的光分布。
特别地，在传统的照明技术中，需要使用暖白色和冷白色发光模块的各种情感照明，但是在摄像头闪光灯技术领域中，不能实现情感照明。
此外，根据相关技术，随着将闪光灯透镜附接到单独的终端盖的工艺和发光模块封装的表面安装技术(SMT)工艺继续进行，SMT容差和附接透镜时的容差增加，存在芯片和闪光灯透镜的对准精度降低，从而不能实现均匀的光分布的问题。
此外，根据相关技术的摄像头闪光灯，存在发光模块和框架之间的耦接关系不稳健并且机械可靠性劣化的问题。
发明内容
技术问题
实施例的技术问题之一是提供纤薄闪光模块、摄像头闪光灯和包括摄像头闪光灯的终端，同时保持广角。
此外，实施例的技术问题之一是提供闪光模块、摄像头闪光灯和包括摄像头闪光灯的终端，其透镜图案的端部是尖的。
此外，实施例的技术问题之一是提供闪光模块、摄像头闪光灯和包括闪光模块的终端，其具有高耐划痕的透镜部分。
此外，实施例的技术问题之一是提供暖白色和冷白色集成发光模块、闪光模块、摄像头闪光灯和包括摄像头闪光灯的终端。
此外，实施例的技术问题之一是提供发光模块、闪光模块、摄像头闪光灯和包括摄像头闪光灯的终端，根据发光模块的闪光操作中的高热辐射效应具有优异的可靠性。
此外，实施例的技术问题之一是提供发光模块、闪光模块、摄像头闪光灯和包括摄像头闪光灯的终端，其可以在发光芯片和闪光灯透镜之间的高对准精度情况下实现均匀光分布。
实施例的另一个目的是提供发光模块、闪光模块、摄像头闪光灯和包括摄像头闪光灯的终端，其在发光模块和框架之间具有强耦合关系。
技术方案
根据本发明实施例的发光模块包括：多个发光芯片，包括半导体层、设置在半导体层的一个表面上的荧光体层、设置在半导体层的面向一个表面的表面上的多个电极；第一分隔件，设置在多个发光芯片的一侧上；第二分隔件，设置在多个发光芯片的另一侧上来面对第一分隔件；以及不透明模塑部件，围绕多个发光芯片，使得荧光体层的上表面和多个电极的底表面暴露于外部，并且不透明模塑部件设置在第一和第二分隔件内。
在一个实施例中，第一分隔件和第二分隔件围绕多个发光芯片，多个发光芯片可以包括具有不同色温(CCT)的第一发光芯片和第二发光芯片。
第一发光芯片可以包括：第一荧光体层，设置在第一半导体层的上表面上；第一n型电极和第一p型电极，设置在第一半导体层的底表面上，第一n型电极和第一p型电极的底表面中的至少一部分可以暴露于不透明模塑部件的底表面。
根据实施例的发光模块包括：第一发光芯片和第二发光芯片，第一发光芯片和第二发光芯片具有不同的色温(CCT)，彼此间隔开；以及不透明模塑部件，围绕第一发光芯片和第二发光芯片的侧面。
第一发光芯片和第二发光芯片可以是倒装型发光芯片，第一发光芯片的电极或第二发光芯片的电极可以暴露于不透明模塑部件的底表面。
其中，第一发光芯片包括：第一荧光体层，设置在第一半导体层的上表面上；第一n型电极和第一p型电极，设置在第一半导体层的底表面上，第一n型电极或p型电极的底表面的至少一部分可以暴露于不透明模塑部件的底表面。
实施例还可以包括彼此间隔开的第一分隔件和第二分隔件，第一发光芯片和第二发光芯片可以设置在第一分隔件和第二分隔件之间。
第二发光芯片可以包括：第二荧光体层，设置在第二半导体层的上表面；第二n型电极和第二p型电极，设置在第二半导体层的底表面上。
第一发光芯片的第一荧光体层的荧光体含量和第二发光芯片的第二荧光体层的含量可以彼此不同。
第二发光芯片还可以包括：n型焊盘电极，在第二半导体层中电连接第二n型电极和预定的n型半导体层；以及p型焊盘电极，设置在第二p型电极上。
实施例还可以包括扩散层，在第一发光芯片和第二发光芯片的上表面上。
扩散层可以设置在第一发光芯片和第二发光芯片上，并且可以不设置在第一和第二分隔件上。
根据实施例的闪光模块包括：多个发光芯片，所述多个发光芯片包括半导体层、设置在半导体层的一个表面上的荧光体层、设置在半导体层的面向一个表面的表面上的多个电极；发光模块，包括不透明模塑部件，所述不透明模塑部件围绕多个发光芯片，以使多个电极的顶表面和底表面暴露于外部；框架，设置在发光模块上；以及透镜单元，设置在框架上。
发光模块可以包括彼此间隔开的第一分隔件和第二分隔件，并且倒装型第一发光芯片和倒装型第二发光芯片设置在第一分隔件和第二分隔件之间。
倒装型第一发光芯片和倒装型第二发光芯片可以具有不同的色温(CCT)。
根据本发明实施例的闪光模块包括：间隔开的第一和第二分隔件；第一发光芯片和第二发光芯片，设置在第一分隔件和第二分隔件之间；发光模块，包括不透明模制部件，设置在分隔件之间；框架，设置在发光模块上；以及透镜部件，设置在框架上。
第一发光芯片和第二发光芯片可以是倒装型发光芯片。
倒装型第一发光芯片或倒装型第二发光芯片的一部分可以暴露于不透明模塑部件的底表面。
倒装型第一发光芯片可以包括：第一荧光体层，设置在第一半导体层的上表面上；第一n型电极和第一p型电极，设置在第一半导体层的底表面上。
第一n型电极和第一p型电极的底表面的至少一些可以暴露于不透明模塑部件的底表面。
此外，框架可以包括第一框架和第二框架，第一框架和第二框架的横截面相互间隔开，并且发光模块可以设置在第一框架和第二框架之间。
第一框架可包括：第一支撑部分；以及第一内突出部分，设置在第一支撑部分上。
第二框架可包括：第二支撑部分；以及第二内突出部分，设置在第二支撑部分上。
发光模块的第一分隔件和第二分隔件可以与第一支撑部分的内表面和第二支撑部分的内表面接触。
发光模块的第一分隔件和第二分隔件可以与第一内突出部分的底表面和第二内突出部分的底表面接触。
而且，第一框架可以包括：第三内突出部分，设置在第一内突出部分上；以及第一外突出部分，设置在第三内突出部分上。
第二框架可包括：第四内突出部分，设置在第二内突出部分上；以及第二外突出部分，设置在第四内突出部分上。
透镜部分可以与第三内突出部分和第四内突出部分接触。
透镜单元的上表面的高度可以与框架的上表面的高度相同。
此外，框架可以包括预定凹槽，其在穿过倒装型第一发光芯片和倒装型第二发光芯片的直线方向上的外侧上。
此外，实施例还可以包括扩散层134，其在倒装型第一发光芯片和倒装型第二发光芯片上。
扩散层可以设置在倒装型第一发光芯片和倒装型第二发光芯片上，并且可以不设置在第一和第二分隔件上。
根据一个实施例的闪光模块包括：多个发光芯片，所述多个发光芯片包括半导体层、设置在半导体层的一个表面上的荧光体层、设置在半导体层的面对一个表面的表面上的多个电极；模塑部件，围绕多个发光芯片以使发光芯片的底表面暴露于外部；框架，设置在发光模块上；以及透镜单元，设置在框架上。
透镜单元可以包括：光漫射单元，其中设置有预定图案；以及透镜支撑单元，设置为与光漫射单元的外部接触。
光漫射单元可以包括玻璃材料。
透镜单元的光漫射单元可以包括：图案单元，其中设置有图案；以及光输出单元，通过所述光输出单元发射从发光芯片发射的光。
光输出部分可包括玻璃材料。
模塑部件可以包括不透明的模塑部件。
发光模块可以包括：彼此间隔开的第一分隔件和第二分隔件；以及倒装型第一发光芯片和倒装型第二发光芯片，设置在第一分隔件和第二分隔件之间。
倒装型第一发光芯片和倒装型第二发光芯片可以具有不同的色温(CCT)。
倒装型第一发光芯片可以包括：第一荧光体层，设置在第一半导体层的上表面上；以及第一n型电极和第一p型电极，设置在第一半导体层的底表面上。
第一n型电极和第一p型电极的底表面中的至少一些可以暴露于不透明模塑部件的底表面。
此外，框架可以包括第一框架和第二框架，第一框架和第二框架的横截面相互间隔开，并且发光模块可以设置在第一框架和第二框架之间。
第一框架可以包括：第一支撑部分；以及第一内突出部分，设置在第一支撑部分上。
第二框架可包括：第二支撑部分；以及第二内突出部分，设置在第二支撑部分上。
发光模块的第一分隔件和第二分隔件可以与第一支撑部分的内表面和第二支撑部分的内表面接触。
透镜单元的上表面的高度可以与框架的上表面的高度相同。
根据实施例的闪光模块可以包括发光模块。
根据实施例的终端可以包括闪光模块或发光模块。
有益效果
实施例可以提供超薄发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，同时保持广角。
而且，实施例可以提供闪光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其中，透镜图案的端部具有尖锐的技术特征。
另外，实施例可以提供闪光模块、摄像头模块和包括闪光模块的终端，其具有高耐划痕的透镜部分。
另外，实施例可以提供暖白色和冷白色集成发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，能够在摄像头闪光灯技术领域中实现情感照明。
另外，实施例可以提供发光模块、摄像头模块和包括发光模块的终端，根据发光模块的闪光操作中的高热辐射效应具有优异的可靠性。
而且，实施例可以提供发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其可以在发光芯片和闪光灯透镜之间具有高对准精度的情况下实现均匀光分布。
另外，实施例可以提供发光模块、摄像头模块以及包括摄像头模块的终端，其中，发光模块与框架之间的耦合关系强，机械可靠性提高。
附图说明
图1是根据第一实施例的闪光模块的透视图；
图2是根据第一实施例的闪光模块的分解透视图；
图3是根据第一实施例的闪光模块的平面图；
图4a是根据第一实施例的闪光模块的截面图；
图4b是根据第一实施例的闪光模块中的透镜部分的放大截面图；
图5是根据第一实施例的闪光模块中的发光模块的截面图；
图6是根据第一实施例的闪光模块的仰视图；
图7a是根据第一实施例的闪光模块的仰视图的局部放大视图；
图7b是根据第一实施例的闪光模块的局部截面图；
图8至图15是示出根据第一实施例的发光模块和闪光模块的制造步骤的截面图；
图16是根据第二实施例的闪光模块的截面图；
图17是根据第三实施例的闪光模块的平面图；
图18是根据第三实施例的闪光模块的截面图；
图19a是根据第三实施例的闪光模块中的透镜部分的放大截面图；
图19b是根据第三实施例的闪光模块中的透镜部分的局部放大视图；
图20是根据第三实施例的闪光模块中的发光模块的截面图；
图21是根据第四实施例的闪光模块中的第二透镜部分的放大截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述可以具体实现以解决上述问题的实施例。
在描述实施例时，当描述为在每个元件“上或下”形成时，上部或下部(在......上或在......下)，其中两个元件彼此直接接触，或者一个或多个其他元件间接地形成在两个元件之间。
而且，当表达为“在......上或在......下”时，不仅可以包括向上的方向，还可以包括相对于一个元件向下的方向。
半导体器件可以包括诸如发光器件和受光器件等的各种电子器件。发光器件和受光器件可以包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。
根据实施例的半导体器件可以是发光器件。
发光器件通过电子和空穴的复合发光，并且光的波长由材料固有的能带隙决定。
因此，发射的光可以根据材料的组分而变化。
实施例的发光芯片可以是倒装型发光芯片，但是实施例不限于此。
(实施例1)
图1是根据第一实施例的闪光模块200的透视图，图2是根据第一实施例的闪光模块200的分解透视图。
参照图2，根据第一实施例的闪光模块200可以包括框架220、发光模块100和透镜单元230。
例如，根据第一实施例的闪光模块200包括：发光模块100；框架220，设置在发光模块100上；以及透镜单元230，设置在框架上。
本发明的实施例提供超薄发光模块、摄像头模块和包括超薄发光模块同时保持广角的终端。
首先将参考图4a和图4b描述能够保持广角的摄像头模块。
图4a是根据第一实施例的闪光模块200的截面图。第一实施例的闪光模块200包括：发光模块100，包括第一发光芯片121和第二发光芯片122；框架220；和透镜单元230。实施例的第一发光芯片121和第二发光芯片122可以是倒装型发光芯片，但是实施例不限于此。
图4b是根据第一实施例的闪光模块中的透镜部分230的放大截面图。
根据第一实施例的安装在闪光模块200上的透镜单元230包括多个光漫射图案P1和P2，以使第一发光芯片121和第二发光芯片122发射光，通过提高光的光漫射来实现视角(FOV)。
例如，当在发光模块中设置诸如第一发光芯片121和第二发光芯片122的两个发光芯片时，可以包括第一光漫射图案P1和第二光漫射图案P2，但是不限于此。
当存在四个发光芯片时，可以设置四个光漫射图案。
根据目前的广角摄像头技术，工业上所需的闪光模块的视角(FOV)处于这样的情况：随着双摄像头的不断发展，持续需要大约120°或更大的广角。此外，还必须同时实现广角的均匀的光分布的属性。
根据实施例，摄像头闪光灯的视角(FOV)可以实现为高达120°，并且可以实现为高达135°。
根据实施例，随着从第一发光芯片121和第二发光芯片122发射的光的分布与透镜部分230的光漫射图案之间的一致度更高，可以同时获得均匀的光分布。
例如，在实施例中，可以匹配透镜单元230的俯视图中的每个光漫射图案的中心和每个发光芯片的中心。
例如，在实施例中，通过控制透镜部件230的光漫射图案和发光芯片的对准容差达约25μm或更小，可以改善从发光芯片发射的光的方向性特性和透镜部件的光漫射图案的匹配度，从而除了实现广角视角(FOV)之外，还可以获得均匀的光分布。
接下来，参照图4a，将描述超薄发光模块和摄像头模块的技术方案。
在相关技术中，包括透镜部分的闪光模块的厚度约为2.5mm或更大，并且该厚度难以减小。
这是因为，在相关技术中，在封装基板上的发光模块的SMT操作之后，将透镜单独地附接到摄像头盖壳，从而限制了摄像头闪光模块的厚度。
此外，根据申请人最近未公开的内部技术，透镜部分在框架中形成注入结构。因此，即使摄像头闪光灯模块的厚度尽可能薄，但内部技术的极限也是约1.4mm。
根据本发明实施例的闪光模块200可以使闪光模块的厚度T超薄达到约1mm或更小，其超过技术极限。
这是因为可以在闪光模块200中减小发光模块的厚度T1，发光模块100设置在框架220内，并且透镜单元230设置在框架220内。
也就是说，根据实施例的闪光模块200的厚度可以是框架的厚度T3，并且闪光模块的厚度T可以细微地减小。
例如，闪光模块的厚度(T)可以减小到约0.85mm或更小。
另外，即使当闪光模块的厚度T在约0.65mm或更小时，实施例也可以实现超薄。
在实施例中，透镜部分230的厚度T2可以控制为框架220的厚度T3的约1/3或更小。
例如，透镜部分230的厚度T2可以控制在约0.30mm或更小。
实施例可以将透镜部分230的厚度T2控制在约0.20mm或更小。
另外，在实施例中，发光模块100的厚度T1可以控制为框架220的厚度的约1/3或更小。
特别地，由于发光模块100可以在发光模块100中没有电路板的情况下形成，所以可以减小发光模块100的厚度T1。
例如，发光模块100的厚度T1可以控制在约0.30mm或更小。
实施例可以将发光模块100的厚度T1控制为超薄达约0.25mm或更小。
因此，实施例可以提供超薄发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，同时保持广视角。
再次参照图3，图3是根据第一实施例的闪光模块200的平面图。
参照图3，框架220设置在穿过第一实施例中的发光模块100的第一发光芯片121和第二发光芯片122的直线方向I-I'的外侧，并且可以包括预定的凹槽(R)。
在实施例的发光模块100中，第一发光芯片121可以发射暖白光，第二发光芯片122可以发射冷白光。
因此，本发明的实施例可以提供能够在摄像头闪光灯技术领域中实现情感照明的暖白和冷白集成摄像头模块、以及包括摄像头模块的终端。
同时，在实施例中，通过包括在穿过第一发光芯片121和第二发光芯片122的直线方向I-I'的外侧上的凹槽R，例如，通过在与第一发光芯片122(发暖光芯片121)或第二发光芯片122(冷白色集成摄像头模块)相邻的一侧设置凹槽R可以识别第一发光芯片121或第二发光芯片122，每个发光芯片易于安装，并且当稍后使用该摄像头模块时，可以容易地控制每个发光芯片的操作。
在下文中，将参考图4a、图4b和图5更详细地描述根据第一实施例的闪光模块200的技术特征。
参照图4a，第一实施例的闪光模块200可以包括：框架220，设置在发光模块100上；以及透镜部分230，设置在框架220上。
例如，参照图5，在第一实施例的闪光模块200中，发光模块100包括：彼此间隔开的第一分隔件111和第二分隔件112；第一发光芯片121和第二发光芯片122，设置在第一分隔件111和第二分隔件112之间；第二发光芯片122，设置在第一分隔件111和第二分隔件112之间；以及不透明模塑部件132。
第一分隔件111和第二分隔件112可以由金属材料形成。
例如，第一分隔件111和第二分隔件112可以由铜(Cu)、铝(Al)等形成，但是不限于此。
第一分隔件111和第二分隔件112可以由诸如聚酰亚胺的非金属材料形成。
第一分隔件111和第二分隔件112可以以如下方式形成，即，第一发光芯片121和第二发光芯片122在没有单独的用于发光模块自身的电路板的情况下形成，并且具有用于形成不透明模塑部件132的主要功能。
为了形成这样的发光模块100，在预定支撑层190(参见图8)上形成第一分隔件111和第二分隔件112。发光模块100可以是通过设置第一发光芯片121和第二发光芯片122并注入不透明模塑部件132然后移除支撑层190来形成，但是不限于此。
不透明模塑部件132可以包括白色模塑，但不限于此。
例如，不透明模塑部件132可以是白色模塑组合物，其中诸如TiO2的氧化物分散在硅树脂中，但是不限于此。
在实施例中，不透明模塑部件132可以防止从第一发光芯片121和第二发光芯片122发射的光彼此混合，从而可以实现均匀的白色。
在实施例的闪光模块200中，第一发光芯片121或第二发光芯片122的一部分可以暴露于不透明模塑部件132的底部。
例如，第一发光芯片121包括：第一荧光体层121d，设置在第一半导体层121a的顶表面上；第一n型电极121b和第一p型电极121c，设置在第一半导体层121a的底表面上。
此时，第一n型电极121b和第一p型电极121c的每个底表面的一部分可以暴露于不透明模塑部件132的底表面。
第二发光芯片122包括：第二荧光体层122d，设置在第二半导体层122a的上表面上；以及第二n型电极122b和第二p型电极122c，设置在第二半导体层122a的底表面上。
此时，第二n型电极122b和第二p型电极122c的每个底表面的一部分可以暴露于不透明模塑部件132的底表面。
第一半导体层121a和第二半导体层122a可以由诸如半导体化合物(例如，III-V族、II-VI族等)的化合物半导体形成。
第一半导体层121a和第二半导体层122a可以是包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层的发光结构层，但是不限于此。
例如，当第一导电类型半导体层是n型半导体层时，可以掺杂n型掺杂剂组。当第二导电类型半导体层是p型半导体层时，可以掺杂p型掺杂剂组。
在相关技术中，包括透镜部分的闪光模块的厚度约为2.5mm或更大，并且该厚度难以减小。
这是因为，在相关技术中，在封装基板上的发光模块的SMT操作之后，将透镜单独地附接到摄像头盖壳，从而限制了摄像头闪光模块的厚度。
特别地，在相关技术中，发光模块在减小发光模块本身的厚度方面具有局限性，因为发光芯片被SMT在预定基板(例如，PCB)上。
另外，在相关技术中，由于发光模块除了闪光模块的框架的厚度之外还占据额外的厚度，因此在减小整个闪光模块的厚度方面存在技术限制。
然而，根据实施例的闪光模块200可以显著地克服这种技术限制并且将闪光模块的厚度T减小到约1mm或更小的厚度。
这是因为闪光模块200中的发光模块100的厚度T1减小，并且发光模块100设置在框架220内，并且可以设置透镜单元230。
在实施例中，发光模块100的厚度T1可以控制为框架220的厚度T3的约1/3或更小。
特别地，在实施例中，由于发光模块100可以在发光模块100自身中没有电路板的情况下形成，所以可以创新地减小发光模块的厚度T1。
例如，发光模块100的厚度T1可以控制在约0.30mm或更小。
实施例可以将发光模块100的厚度T1控制得非常薄，直到约0.25mm或更小。
因此，实施例可以提供非常纤薄的发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，同时保持广视角。
而且，在实施例中，框架220可以包括具有相互分离的横截面的第一框架220a和第二框架220b。
框架220可以包括具有相互分离的横截面的第一支撑部分222a和第二支撑部分222b。
框架220可以由树脂类的绝缘材料(例如，诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA))或陶瓷材料形成。
此外，框架220可以由包括硅、环氧树脂或塑料材料的热固性树脂或高耐热、高耐光材料形成。
上述硅可包括基于白色的树脂。
框架220可以由W-EMC、W-硅树脂、聚碳酸酯等形成。
此时，发光模块100可以设置在第一框架220a和第二框架220b之间。
预定的粘合材料可以形成在发光模块100的第一分隔件111和第一框架220a之间以及第二分隔件112和第二框架220b之间。
例如，白色硅可以应用在发光模块100的第一分隔件111和第一框架220a之间以及第二分隔件112和第二框架220b之间，但是不限于此。
因此，由于发光模块100设置在框架内，因此发光模块100自身的厚度不会导致整个闪光模块200的厚度增加。
可以使根据实施例的闪光模块200的厚度为框架220的厚度T3，以便可以细微地减小闪光模块的厚度T。
例如，闪光模块的厚度T可以减小到约0.85mm或更小。
另外，闪光模块的厚度T可以减小到约0.65mm或更小。
当然，如果框架220本身的厚度减小，则可以进一步减小闪光模块的厚度。
此外，本发明的目的是提供集成发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其考虑摄像头闪光灯技术领域中的情感照明。
图5，第一发光芯片121包括：第一荧光体层121d，设置在第一半导体层121a的顶表面上；以及第一n型电极121b和第一p型电极121c，设置在第一半导体层121a的底表面上。
第二发光芯片122包括：第二荧光体层122d，设置在第二半导体层122a的上表面上；以及第二n型电极122b和第二p型电极122c，设置在第二半导体层122a的底表面上。
此时，第一发光芯片121的色温(CCT)和第二发光芯片122的色温(CCT)可以彼此不同。
例如，第一发光芯片121可以发射暖白光，第二发光芯片122可以发射冷白光。
例如，第一发光芯片121可以发射约3,000K的暖白光，第二发光芯片122可以发出约5,000K冷白的冷白光。
例如，当实施例的第一发光芯片121是蓝色发光芯片时，可以通过增加第一荧光体121d中的荧光体的比例降低蓝光的相对比例来实现暖白。
当实施例的第二发光芯片122为蓝色发光芯片时，可以通过降低第二荧光体122d中的荧光体的比例增加蓝光的相对比例来实现冷白色，但不限于此。
实施例可以提供集成发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其可以通过摄像头闪光灯技术领域中发射暖白和冷白光来发射光。
在实施例中，第一荧光体121d或第二荧光体122d可以是黄色荧光体，但是不限于此。
例如，黄色荧光体可以是但不限于YAG。
另外，在实施例中，第一荧光体121d或第二荧光体122d可以是红色荧光体和绿色荧光体的复合荧光体。
例如，红色荧光体可以包括但不限于诸如(Ca,sr)S:Eu2+的化合物基荧光体或诸如CaAlSiN3:Eu2+荧光体的氮化物基荧光体。
绿色荧光体可以至少包括(Y,Gd,Lu,Tb)3(Al,Ga)5O12:Ce、(Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu、(Ca,Sr)3SiO5:Eu、(La,Ca)3Si6N11:Ce、α-SiAlON:Eu、β-SiAlON:Eu，但不限于此。
实施例中，荧光体层的水平宽度形成为大于发光芯片的外延半导体层的水平宽度，以使从发光芯片发射的光通过荧光体层发射以发射均匀白光。
例如，发光芯片的外延半导体层的水平宽度可以等于荧光体层的水平宽度。
实施例中，第一发光芯片121的第一荧光体层121d的水平宽度W2大于第一发光芯片121的第一半导体层121a的水平宽度W1。即使从发光芯片发射的光部分地穿过不透明模塑部件132，也可以通过穿过荧光体层发射光来实现均匀的白光发射。
例如，在实施例中，第一荧光体层121d的水平宽度W2约为第一发光芯片121的第一半导体层121a的水平宽度W1的10％至40％，即使一部分光穿过不透明模塑部分132，从发光芯片发射的光也可以通过荧光体层发射，从而可以实现均匀的白光发射。
例如，第一荧光体层121d可以突出到第一发光芯片121的第一半导体层121a的两个外侧，即，第一外侧和第二外侧。
从第一发光芯片121的第一半导体层121a的第一外表面突出的第一荧光体层121d的距离D大于第一发光芯片121的第一半导体层121b之间的距离D，可以是在第一荧光体层121a的水平宽度W1的约5％至20％的范围内，并且突出到与第一外侧相对的第二外侧的第一荧光体层121d的距离可以在第一半导体层121的第一半导体层121a的水平宽度W1的约5％至20％的范围内，可以在约5％的范围。
例如，在实施例中，从第一发光芯片121的第一半导体层121a的第一外表面突出的第一荧光体层121d的距离D小于第一发光芯片121之间的距离D，当第一半导体层121a的水平宽度W1小于5％时，从第一发光芯片121发射的光的一部分可以在不穿过荧光体层的情况下发射到外部。
从第一发光芯片121的第一半导体层121a的第一外表面突出的第一荧光体层121d的距离D大于第一发光芯片121与第一发光芯片121之间的距离D，如果半导体层121a的宽度W1大于10％，则发光芯片的尺寸可能不必要地大。
在实施例的闪光模块中，发光模块100可以包括第一扩散层134，在第一发光芯片121和第二发光芯片122上。
在实施例中，可以通过第一扩散层134的光漫射来提高光提取效率。
第一扩散层134可以通过将SiO2或TiO2与树脂混合来形成，但是不限于此。
此外，本发明的目的是提供发光模块、摄像头模块和包括发光模块的终端，包括发光模块的摄像头模块和终端根据发光模块的闪光操作中的高热辐射效应具有优异的可靠性。
此外，本发明的技术目的是提供摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其中发光模块和框架之间的耦合关系是稳健的并且机械可靠性提高。
根据实施例的用于解决该问题的闪光模块的第一框架220a可以包括第一支撑部分222a以及设置在第一支撑部分222a上的第一内突出部分223a，第二框架220b可以包括第二支撑部分222b以及设置在第二支撑部分222b上的第二内突出部分223b。
此时，发光模块100的第一分隔件111和第二分隔件112与第一支撑部分222a的内表面和第二支撑部分222b的内表面接触，因为模块100与框架220之间的耦合被加强以提高机械可靠性，并且热量通过第一分隔件111和第二分隔件112在框架220的方向上传递，可以提高热效率。
发光模块100的第一分隔件111和第二分隔件112连接到第一内突出部分223a的底表面和第二内突出部分223b的底表面，可以提高发光模块100与框架220之间的耦合效率，可以提高机械可靠性，并且可以通过第一和第二分隔件111和112提高热辐射效率。
第一分隔件111和第二分隔件112通过预定的金属或非金属粘合剂粘附到第一内突出部分223a的底表面和第二内突出部分223b的底表面，但是不限于此。
此外，本发明的技术目的是提供摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其可以通过提高发光芯片和闪光灯透镜的对准精度来实现均匀的光分布。
为了解决这样的问题，在实施例的闪光模块中，第一框架220a包括：第三内突出部分224a，设置在第一内突出部分223a上；第三内突出部分224b，设置在第三内突出部分224a上；以及第一外突出226a，设置在第一外突出226a上。
第二框架220b可包括：第四内突出224b，设置在第二内突出223b上；以及第二外突出226b，设置在第四内突出224b上。
此时，透镜单元230布置成与第三内突出224a和第四内突出224b接触，以提高发光芯片和闪光灯透镜的对准精度，从而实现均匀的光分布。
例如，根据实施例，从第一发光芯片121和第二发光芯片122发射的光的分布与透镜部分230的光漫射图案之间的一致性越高，则可以获得广FOV和均匀光分布。
在实施例中，可以匹配透镜单元230的俯视图中的每个光漫射图案的中心和每个发光芯片的中心。
例如，在实施例中，通过控制透镜部件230的光漫射图案和发光芯片的对准容差达约25μm或更小，可以改善从发光芯片发射的光的方向性特性和透镜部件的光漫射图案的匹配度，从而除了实现广角视角(FOV)之外，还可以获得均匀的光分布。
在一个实施例中，透镜部分230可以包括透镜支撑部分234和光漫射部分232。
透镜单元230可以由诸如丙烯酸塑料材料的塑料材料制成。透镜单元230的示例包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
这种PMMA的优点在于其透明性优于玻璃并且易于加工和形成。
透镜单元230可以用作诸如光提取透镜或光漫射透镜的透镜，并且是用于改变从发光芯片发射的光的方向性特性的构件，并且折射率不受特别限制，可以使用1.4或更大以及1.7或更小。
实施例的透镜部件230可以由诸如聚碳酸酯(PC)或环氧树脂(EP)的透明树脂材料、透明玻璃、蓝宝石、EMC或硅树脂形成，但是不限于此。
例如，透镜支撑部分234可以由诸如聚碳酸酯(PC)或环氧树脂(EP)的透明树脂形成，并且光漫射部分232可以由玻璃或蓝宝石形成，但是不限于此。
透镜单元230的上表面的高度可以等于或小于框架220的上表面的高度。
因此，由于闪光模块200的厚度在闪光模块200的整个厚度中不会由于透镜单元230本身而增加，因此可以实现非常纤薄的闪光模块。
另外，在实施例中，发光模块100和透镜单元230可以间隔开预定距离D。
例如，在实施例中，可以精确控制第一发光芯片121、第二发光芯片122和透镜单元230之间的光学间隙D，以获得纤薄的闪光模块。
例如，在实施例中，由于第一发光芯片121、第二发光芯片122和透镜单元230之间的光学间隙D被精确地控制在约0.2至0.5mm，因此可以以广视角实现纤薄闪光模块。
图7a是根据第一实施例的闪光模块的仰视图的部分(F)的放大视图。图7b是根据第一实施例的闪光模块的放大视图，沿着图7a中的线I-I'截取的发光模块的截面图。
参照图6，在第一实施例的闪光模块200中，第一发光芯片121或第二发光芯片122的一部分插入不透明模塑部件132中。
例如，第一发光芯片121的第一n型电极121b和第一p型电极121c的一些底表面可以暴露于不透明模塑部件132的底部。
第二发光芯片122的第二n型电极122b和第二p型电极122c的底表面的一部分可以暴露于不透明模塑部件132的底表面。
因此，由于发光模块100可以在发光模块100自身中没有电路板的情况下形成，所以可以创新地减小发光模块100的厚度T1。
例如，发光模块100的厚度T1可以控制在约0.30mm或更小。
实施例可以将发光模块100的厚度T1控制得非常薄，直到约0.25mm或更小。
因此，实施例可以提供非常纤薄的发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，同时保持广视角
图7a和图7b，实施例的第二发光芯片122包括n型焊盘电极122bn和p型焊盘电极122cp，可以提高载流子注入效率并改善与终端(未示出)的电源端子部分(未示出)的电气和机械接触性能。
例如，如图7b所示，第二发光芯片122可以包括第二半导体层122a，该第二半导体层122a是发光结构层(第一导电类型半导体层122a3、有源层122a2和第二导电类型半导体层122a1)。
第一导电类型半导体层122a3可以是n型半导体层，第二导电类型半导体层122a1可以是p型半导体层。
此时，在实施例的第二发光芯片122中，台面蚀刻区域M可以通过移除第二导电类型半导体层122a1和有源层122a2的一部分来形成，并且可以暴露第一导电类型半导体层122a3。
当形成台面蚀刻区域M时，可以移除第一导电类型半导体层122a3的上表面的一部分，但是不限于此。
在实施例中，第二n型电极122b和第二p型电极122c可以设置在第二半导体层122a上。
例如，第二n型电极122b和第二p型电极122c可以分别设置在第一导电类型半导体层122a3和第二导电类型半导体层122a1上。
此时，实施例的第二发光芯片122包括n型焊盘电极122bn和p型焊盘电极122cp，它们在第二n型电极122b和第二p型电极122c上。
n型焊盘电极122bn和p型焊盘电极122cp可以被分别布置为等于或低于第二n型电极122b和第二p型电极122c的高度。
例如，在实施例中，由于n型焊盘电极122bn电连接第二n型电极122b和n型半导体层122a3以及p型焊盘电极122bn设置在第二p型焊盘电极122cp上，实施例可以提高第二发光芯片122自身的载流子注入效率，并且可以改善与终端的RF端子单元(未示出)的电气和机械接触性能。
在下文中，将参考图8至图15描述根据第一实施例的发光模块和闪光模块的制造工艺。
实施例的技术问题之一是提供超薄发光模块和摄像头模块。
如图8所示，为了形成没有单独电路板的发光芯片，制备预定的支撑层190，并且布置彼此间隔开的第一和第二分隔件111和112。
支撑层190可以是泡绵胶带，但是不限于此，并且可以在完成发光模块之后移除。
泡绵胶带可以是粘附有聚酯膜的粘合剂，但不限于此。
第一分隔件111和第二分隔件112可以由金属材料形成。
例如，第一分隔件111和第二分隔件112可以由铜(Cu)、铝(Al)等形成，但是不限于此。
而且，第一分隔件111和第二分隔件112可以由诸如聚酰亚胺的非金属材料形成。
如图9所示，第一发光芯片121和第二发光芯片122可以在第一分隔件111和第二分隔件112之间彼此间隔开。
第一发光芯片121和第二发光芯片122可以是倒装型发光芯片，但不限于此。
例如，第一发光芯片121可以包括第一n型电极121b以及第一p型电极121c，它们设置在用作发光结构层的第一半导体层121a上。
第二发光芯片122可以包括第二n型电极122b以及第二p型电极122c，它们设置在用作发光结构层的第二半导体层122a上。
第一半导体层121a和第二半导体层122a可以由诸如半导体化合物(例如，III-V族，II-VI族等)的化合物半导体形成。
第一半导体层121a和第二半导体层122a可以是包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层的发光结构层，但是不限于此。
例如，当第一导电类型半导体层是n型半导体层时，可以掺杂n型掺杂剂组。当第二导电类型半导体层是p型半导体层时，可以掺杂p型掺杂剂组。
此时，第一n型电极121b和第一p型电极121c的底表面设置为与支撑层190接触，并且当在后续工艺中移除支撑层190时，电极121b和第一p型电极121c的底表面的一部分可以暴露于不透明模塑部件132的底表面。
第二n型电极122b和第二p型电极122c中的每一个的底部设置成与支撑层190接触。当在后续工艺中移除支撑层190时，电极122b和第二p型电极122c的底表面的一部分可以暴露于不透明模塑部件132的底表面。
因此，在实施例中，由于发光模块100可以在发光模块100自身中没有电路板的情况下形成，所以可以创新地减小发光模块的厚度T1。
例如，发光模块100的厚度T1可以控制在约0.30mm或更小。
实施例可以将发光模块100的厚度T1控制得非常薄，直到约0.25mm或更小。
因此，实施例可以提供非常纤薄的发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，同时保持广视角。
接下来，如图10所示，可以在第一半导体层121a和第二半导体层122a的上表面上形成第一荧光体层121d和第二荧光体层122d。
在实施例中，第一荧光体121d或第二荧光体122d可以是黄色荧光体，但是不限于此。
例如，黄色荧光体可以是但不限于YAG。
另外，在实施例中，第一荧光体121d或第二荧光体122d可以是红色荧光体和绿色荧光体的复合荧光体。
例如，红色荧光体可以包括但不限于诸如(Ca,sr)S:Eu2+的化合物基荧光体或诸如CaAlSiN3:Eu2+荧光体的氮化物基荧光体。
绿色荧光体可以至少包括(Y,Gd,Lu,Tb)3(Al,Ga)5O12:Ce、(Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu、(Ca,Sr)3SiO5:Eu、(La,Ca)3Si6N11:Ce、α-SiAlON:Eu、β-SiAlON:Eu，但不限于此。
本发明的实施例提供了集成发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其考虑到摄像头闪光灯技术领域中的情感照明。
在一个实施例中，第一发光芯片121的色温(CCT)和第二发光芯片122的色温可以彼此不同。
例如，第一发光芯片121可以发射暖白光，第二发光芯片122可以发射冷白光。
例如，第一发光芯片121可以发射约3,000K的暖白光，第二发光芯片122可以发射约5,000K冷白的冷白光。
例如，当实施例的第一发光芯片121是发蓝光芯片时，可以通过增加第一荧光体121d中的荧光体的比例降低蓝光的相对比例来实现暖白。
当实施例的第二发光芯片122为发蓝光芯片时，可以通过降低第二荧光体122d中的荧光体的比例增加蓝光的相对比例来实现冷白色，但不限于此。
实施例可以提供集成发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其可以通过摄像头闪光灯技术领域中发射暖白和冷白光来发射光。
实施例中，荧光体层的水平宽度大于的发光芯片的外延半导体层的水平宽度，以使从发光芯片发射的光通过荧光体层发射以发射均匀白光。
例如，在实施例中，由于第一发光芯片121的第一半导体层121a的水平宽度W1大于第一发光芯片121的第一荧光体层121d的水平宽度W2，因此即使光部分穿过不透明模塑部件132，从发光芯片发射的光也可以通过荧光体层发射，从而可以发射均匀的白光。
图11，可以在设置在第一分隔件111和第二分隔件112之间的第一发光芯片121和第二发光芯片122之间注入不透明模塑部件132。
不透明模塑部件132可以包括白色模塑，但不限于此。
例如，不透明模塑部件132可以是白色模塑组合物，其中诸如TiO2的氧化物分散在硅树脂中，但是不限于此。
因此，在实施例中，不透明模塑部件132可以防止从第一发光芯片121和第二发光芯片122发射的光混合，从而可以实现均匀的白色。
接下来，如图12所示，可以在第一发光芯片121和第二发光芯片122上形成第一扩散层134。
在实施例中，可以通过第一扩散层134的光漫射来提高光提取效率。
第一扩散层134可以通过将SiO2或TiO2与树脂混合来形成，但是不限于此。
接下来，如图13所示，可以使用预定刀片(B)分离发光模块来形成单个单元。
接下来，如图14所示，根据实施例移除支撑层190以制造发光模块100。
接下来，如图15所示，可以将发光模块100设置在第一框架220a和第二框架220b之间。
预定的粘合材料可以形成在发光模块100的第一分隔件111和第一框架220a之间以及第二分隔件112和第二框架220b之间。
例如，可以将白色硅涂覆在发光模块100的第一分隔件111和第一框架220a之间以及第二分隔件112和第二框架220b之间，但是不限于此。
因此，由于发光模块100设置在框架内，因此发光模块100自身的厚度不会导致整个闪光模块200的厚度增加。
可以使根据实施例的闪光模块200的厚度为框架220的厚度T3，以便可以细微地减小闪光模块的厚度T。
例如，闪光模块的厚度T可以减小到约0.85mm或更小。
另外，闪光模块的厚度T可以减小到约0.65mm或更小。
当然，如果框架220本身的厚度减小，则可以进一步减小闪光模块的厚度。
本发明的目的是提供发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其具有根据高热辐射效应的优异可靠性。
此外，本发明的技术目的是提供摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其中发光模块和框架之间的耦合关系是稳健的并且机械可靠性提高。
根据实施例的闪光模块的第一框架220a可以包括：第一支撑部分222a；以及第一内突出部分223a，设置在第一支撑部分222a上，第二框架220b可以包括：第二支撑部分222b；以及第二内突出部分223b，设置在第二支撑部分222b上。
此时，发光模块100的第一分隔件111和第二分隔件112与第一支撑部分222a的内表面和第二支撑部分222b的内表面接触，因为模块100与框架220之间的耦合被加强以提高机械可靠性，使得热量通过第一分隔件111和第二分隔件112在框架220的方向上传递，可以提高热效率。
发光模块100的第一分隔件111和第二分隔件112可以形成在第一内突出部分223a的底表面和第二内突出部分223b的底表面上，可以提高发光模块100与框架220之间的耦合效率，可以提高机械可靠性，并且可以通过第一和第二分隔件111和112提高热辐射效率。
第一分隔件111和第二分隔件112通过预定的金属或非金属材料粘附到第一内突出部分223a的底表面和第二内突出部分223b的底表面，但是不限于此。
此外，本发明的技术目的是提供摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其可以通过提高发光芯片和闪光灯透镜的对准精度来实现均匀的光分布。
为了解决这样的问题，在实施例的闪光模块中，第一框架220a包括：第三内突出部分224a，设置在第一内突出部分223a上；以及第一外突出226a，设置在第三内突出部分224a上。
第二框架220b可包括：第四内突出部分224b，设置在第二内突出部分223b上；以及第二外突出226b，设置在第四内突出224b上。
此时，透镜单元230布置成与第三内突出224a和第四内突出224b接触，以提高发光芯片和闪光灯透镜的对准精度，从而实现均匀的光分布。
例如，根据实施例，从第一发光芯片121和第二发光芯片122发射的光的分布与透镜部分230的光漫射图案之间的一致性越高，则可以获得广角FOV和均匀光分布。
在实施例中，可以匹配透镜单元230的俯视图中的每个光漫射图案的中心和每个发光芯片的中心。
例如，在实施例中，通过控制透镜部件230的光漫射图案和发光芯片的对准容差达约25μm或更小，可以改善从发光芯片发射的光的方向性特性、透镜部分的光漫射图案的匹配度以及光分布特性，并且除了实现广角视角(FOV)之外，还可以获得均匀的光分布。
在实施例中，透镜部分230可以包括透镜支撑部分234和光漫射部分232。
透镜单元230可以由诸如丙烯酸塑料材料的塑料材料制成。透镜单元230的示例包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
这种PMMA的优点在于其透明性优于玻璃并且易于加工和形成。
透镜单元230可以用作诸如光提取透镜或光漫射透镜的透镜，并且是用于改变从发光芯片发射的光的方向性特性的构件，并且折射率不受特别限制，可以使用1.4或更大以及1.7或更小。
实施例的透镜部分230可以由诸如聚碳酸酯(PC)或环氧树脂(EP)的透明树脂材料、透明玻璃、蓝宝石、EMC或硅树脂形成，但是不限于此。
例如，透镜支撑部分234可以由诸如聚碳酸酯(PC)或环氧树脂(EP)的透明树脂形成，并且光漫射部分232可以由玻璃或蓝宝石形成。
透镜单元230的上表面的高度可以等于或小于框架220的上表面的高度。
因此，由于闪光模块200的厚度在闪光模块200的整个厚度中不会由于透镜单元230本身而增加，因此可以实现非常纤薄的闪光模块。
另外，在实施例中，发光模块100和透镜单元230可以间隔开预定距离D。
例如，在实施例中，可以精确控制第一发光芯片121、第二发光芯片122和透镜单元230之间的光学间隙D，以获得纤薄的闪光模块。
例如，在实施例中，由于第一发光芯片121、第二发光芯片122和透镜单元230之间的光学间隙D被精确地控制在约0.2至0.5mm，因此可以以广视角实现超薄闪光模块。
(第二实施例)
图16是根据第二实施例的闪光模块的截面图202，其可以采用上述第一实施例的技术特征，并且下面将集中描述第二实施例的主要技术特征。
图16中所示的第二实施例的闪光模块中的第二扩散层134b设置在第一发光芯片121和第二发光芯片122的上表面上，并且第二扩散层134b不设置在第一分隔件111和第二分隔件112上，以便可以提高第一分隔件111、第二分隔件112和第一内突出部223a、第二内突出部223b之间的粘性。
根据上述实施例，可以提供超薄发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，同时保持广角。
另外，实施例可以提供暖白色和冷白色集成发光模块、摄像头模块以及包括摄像头模块的终端，能够在摄像头闪光灯技术领域中情感照明。
另外，实施例可以提供发光模块、摄像头模块和包括发光模块的终端，根据发光模块的闪光操作中的高热辐射效应具有优异的可靠性。
而且，实施例可以提供发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其可以以发光芯片和闪光灯透镜之间具有高对准精度实现均匀光分布。
另外，实施例可以提供一种发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其中发光模块与框架之间的耦合关系强，机械可靠性提高。
(第三实施例)
图17是根据第三实施例的闪光模块203的平面图。
参照图17，第三实施例的发光模块100可以包括第一发光芯片121和第二发光芯片122，并且实施例的框架220可以包括发光模块100，并且可以包括预定凹槽R，其在穿过第一发光芯片121和第二发光芯片122的直线方向I-I'的外侧上。
透镜部分230包括：光漫射部分232，其中设置有预定图案(参见图19a中的P1和P2)；以及透镜支撑部分234，设置成与光漫射部分232的外部接触。
第三实施例可以采用第一和第二实施例的技术特征。
例如，在第三实施例中，通过包括在穿过第一发光芯片121和第二发光芯片122的直线方向I-I'的外侧上的凹槽R，可以识别第一发光芯片121或第二发光芯片122并且容易地将每个发光芯片安装在具有暖白色和冷白色LED芯片的摄像头模块中，当稍后使用该摄像头模块时，可以容易地控制每个发光芯片的操作，并且也可以容易地诊断故障。
图18是根据第三实施例的闪光模块203中沿图17中的线I-I'截取的截面图。图19a是根据第三实施例的闪光模块中的透镜部分230的放大截面图，图19b是根据第三实施例的闪光模块中的透镜部分230的部分(Q)的放大视图。
参照图18，第三实施例的闪光模块200包括：发光模块100，包括第一发光芯片121、第二发光芯片122；框架220；和透镜单元230。
实施例的第一发光芯片121和第二发光芯片122可以是倒装型发光芯片，但是实施例不限于此。
实施例的技术问题之一是提供超薄发光模块、闪光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，同时保持广角。
此外，实施例的技术问题之一是提供终端、闪光模块、摄像头闪光灯和包括摄像头闪光灯的终端，其中透镜图案的端部是尖的。
此外，实施例的技术问题之一是提供闪光模块、摄像头闪光灯和包括闪光模块的终端，其具有高耐划痕的透镜部分。
参照图19a和图19b，将详细描述根据第三实施例的用于解决上述三个技术问题的闪光模块的技术方案的特征。
图18中所示的每个配置的特征可以采用第一和第二实施例的技术特征。
参照图19a，安装在根据第三实施例的闪光模块200上的透镜单元230包括多个光漫射图案P1和P2，可以增加从发光芯片122发射的光的光漫射，以实现广视角(FOV)。
例如，当在发光模块中设置诸如第一发光芯片121和第二发光芯片122的两个发光芯片时，可以包括第一光漫射图案P1和第二光漫射图案P2，但是不限于此。
当存在四个发光芯片时，可以设置四个光漫射图案
第一光漫射图案P1可以包括弯曲图案PR和凹凸图案PC，但是不限于此。
第二光漫射图案P2也可以包括弯曲图案PR和凹凸图案PC。
根据目前的广角摄像头技术，工业上所需的闪光模块的视角(FOV)处于这样的情况：随着双摄像头的不断发展，持续需要大约120°或更大的广角。此外，还必须同时实现广角的均匀光分布的属性。
根据实施例，摄像头闪光灯的视角(FOV)可以实现为高达120°，并且可以实现为高达135°。
根据实施例，随着从第一发光芯片121和第二发光芯片122发射的光的分布与透镜部分230的光漫射图案之间的一致度更高，可以同时获得均匀的光分布。
例如，在实施例中，可以匹配透镜单元230的俯视图中的光漫射图案P1和P2的中心和发光芯片121和122的中心。
例如，在实施例中，发光芯片121和122和透镜部分230的光漫射图案P1和P2的对准容差被控制为约25μm或更小，并且透镜单元的光漫射图案显著改善，能够通过改善光漫射特性以及实现宽角度视角(FOV)来获得均匀光分布。
例如，实施例可以将发光芯片121和122的对准容差从光漫射部分232的第一和第二光漫射图案P1和P2的弯曲图案PR的中心减小到约25μm或更小，当从发光芯片发射的光的方向性特性和透镜部分的光漫射图案的对应性得到显著改善，除了实施广角视角(FOV)之外，还可以获得光分布的均匀性，。
在根据第三实施例的摄像头闪光灯中，透镜单元230包括光漫射单元232和透镜支撑单元234，光漫射单元232具有设置在其上的预定光漫射图案P1和P2。
参照图19a，在第三实施例中，第一光漫射图案P1可以包括弯曲图案PR和凹凸图案PC，第二光漫射图案P2也可以包括弯曲图案PR和凹凸图案PC。
在实施例中，弯曲图案PR的曲率或半径可以为约0.3mm或更小。
例如，弯曲图案PR的曲率或半径可以为约0.0001mm至0.3mm。
当弯曲图案PR的曲率或半径超过0.3mm时，存在光会聚性可能差的问题，光分布可能不平滑或外观可能看起来不平滑的问题。
将弯曲图案PR的曲率或半径控制为约0.3mm或更小，以便可以执行屏蔽，使得看不到摄像头闪光灯的框架220内的发光芯片等，并且根据设计可以具有能够实现情感特征的技术效果。
透镜部分231的厚度T2可以被控制为超薄达约0.1mm至0.2mm，使得弯曲图案PR的曲率或半径可以减小并且可以控制为约0.2mm或更小。
例如，可以将弯曲图案PR的曲率或半径控制为约0.0001mm至0.2mm，从而实现均匀的光分布和优异的光会聚特性。
第一和第二光漫射图案P1和P2的弯曲图案PR的高度可以为约0.3mm或更小。
例如，弯曲图案PR的高度可以为约0.0001mm至0.3mm。
如果弯曲图案PR的高度超过0.3mm，则光会聚特性可能会差。
在实施例中，当弯曲图案PR的高度被控制为约0.3mm或更小(例如0.2mm或更小)时，可以实现优异的光收集特性和均匀的光分布。
在一个实施例中，光漫射部分232可以包括玻璃材料，并且支撑部分234可以是塑料材料。
例如，光漫射部分232可以由蓝宝石形成，并且支撑部分234可以由丙烯酸塑料材料制成。支撑部分234的示例包括但不限于聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
参照图19b，实施例的透镜部分230中的光漫射图案P1和P2中的凹凸图案PC的高度H可以是约0.1mm至0.2mm。
当光漫射部分232由玻璃材料(例如，蓝宝石)制成时，通过蚀刻等可以将凹凸图案PC的高度H精确地控制到约0.1mm至0.2mm。
因此，实施例可以显著减小透镜部分的厚度T2，从而提供超薄闪光模块。
另一方面，在相关技术中，当透镜部分的厚度形成为约0.2mm时，在冷却过程中出现透镜图案形状的变形，因此，存在透镜部分不能以0.2mm或更小形成的问题。
另一方面，根据实施例，可以提供一种闪光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其设置有厚度为约0.1mm至0.2mm的超薄透镜单元同时保持广角。
同样参照图19b，在实施例中，透镜部分230的光漫射图案P1和P2中的凹凸图案PC的间距P可以精确地控制到约0.1mm至0.2mm，图案的端部形成为非常尖锐，从而不会产生圆形。
因此，根据实施例，由于设置了具有非常精细间距的尖端的凹凸图案PC，因此可以在摄像头闪光灯的框架220内屏蔽发光芯片等，具有能够实现情感特征的技术效果。
参照图19a，实施例可以提供具有高抵抗性的透镜部分的闪光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端。由于透镜部分由玻璃材料形成，因此它对在工艺或使用期间可能发生的划痕(由于光漫射部分232的外表面暴露于外部)具有高抵抗性。
再次参照图18，将更详细地描述用于实现纤薄发光模块和闪光模块的技术方案。
在相关技术中，包括透镜部分的闪光模块的厚度约为2.5mm或更大，并且该厚度难以减小。
这是因为，在相关技术中，在封装基板上的发光模块的SMT操作之后，将透镜单独地附接到摄像头盖壳，从而限制了摄像头闪光模块的厚度。
此外，根据申请人最近未公开的内部技术，透镜部分在框架中形成注入模塑结构。因此，即使摄像头闪光灯模块的厚度尽可能薄，但内部技术的极限也是约1.4mm。
根据本发明实施例的闪光模块200可以使闪光模块的厚度T超薄达到约1mm或更小，其超过技术极限。
可以在闪光模块200中减小发光模块的厚度T1，发光模块100设置在框架220内，并且纤薄透镜单元230设置在框架220内部的上方。
也就是说，根据实施例的闪光模块200的厚度可以是框架的厚度T3，并且闪光模块的厚度T可以细微地减小。
例如，闪光模块的厚度(T)可以减小到约0.85mm或更小。
另外，即使当闪光模块的厚度T在约0.65mm或更小时，实施例也可以实现超薄。
这可以通过使上述透镜单元的厚度T2超薄来实现。
透镜部分230的厚度T2可以控制为实施例中框架220的厚度T3的约1/3或更小。
例如，透镜部分230的厚度T2可以控制在约0.20mm或更小。
透镜单元230的厚度T2可以控制在约0.10mm或更小。
另外，实施例中，发光模块100的厚度T1可以控制为框架220的厚度的约1/3或更小。
特别地，在实施例中，由于发光模块100可以在发光模块100自身中没有电路板的情况下形成，所以可以创新地减小发光模块的厚度T1。
例如，发光模块100的厚度T1可以控制在约0.30mm或更小。
实施例可以将发光模块100的厚度T1控制得非常薄，直到约0.25mm或更小。
因此，实施例可以提供非常纤薄的发光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，同时保持广视角。
另外，在实施例中，发光模块100和透镜单元230可以间隔开预定距离D1。
例如，在实施例中，可以精确控制第一发光芯片121、第二发光芯片122和透镜单元230之间的光学间隙D1，以提供纤薄的闪光模块。
例如，在实施例中，第一发光芯片121、第二发光芯片122和透镜单元230之间的光学间隙D1被精确地控制在约0.2至0.5mm，并具有广视角。
透镜单元230的上表面的高度可以等于或小于框架220的上表面的高度。
因此，由于闪光模块200的厚度在闪光模块200的整个厚度中不会由于透镜单元230本身而增加，因此可以实现非常纤薄的闪光模块。
图20是根据第三实施例的闪光模块中的发光模块的截面图。
在第三实施例中，由于荧光体层的水平宽度大于的发光芯片的外延半导体层的水平宽度，所以从发光芯片发射的光通过荧光体层发射以发射均匀白光，但不限于此。
例如，发光芯片的外延半导体层的水平宽度可以等于荧光体层的水平宽度。
实施例中，第一发光芯片121的第一荧光体层121d的水平宽度W2大于第一发光芯片121的第一半导体层121a的水平宽度W1，即使从发光芯片发射的光部分地穿过不透明模塑部件132，也可以通过穿过荧光体层发射光来实现均匀的白光发射。
例如，在实施例中，第一荧光体层121d的水平宽度W2约为第一发光芯片121的第一半导体层121a的水平宽度W1的10％至40％，即使一部分光穿过不透明模塑部分132，从发光芯片发射的光也可以通过荧光体层发射，从而可以实现均匀的白光发射。
例如，第一荧光体层121d可以突出到第一发光芯片121的第一半导体层121a的两个外侧，即，第一外侧和第二外侧。
从第一发光芯片121的第一半导体层121a的第一外表面突出的第一荧光体层121d的距离D2大于第一发光芯片121的第一半导体层121b和第一发光芯片121之间的距离D2，可以是在第一荧光体层121a的水平宽度W1的约5％至20％的范围内。突出到与第一外侧相对的第二外侧的第一荧光体层121d的距离可以在可以在第一半导体层121的第一半导体层121a的水平宽度W1的约5％至20％的范围内。
从第一发光芯片121的第一半导体层121a的第一外表面突出的第一荧光体层121d之间的距离D2大于第一发光芯片121与第一发光芯片121之间的距离D2，当第一半导体层121a的水平宽度W1小于5％时，从第一发光芯片121发射的光的一部分可以在不穿过荧光体层的情况下发射到外部。
从第一发光芯片121的第一半导体层121a的第一外表面突出的第一荧光体层121d的距离D2大于第一发光芯片121与第一发光芯片121之间的距离D2，如果半导体层121a的宽度W1大于10％，则发光芯片的尺寸可能不必要地大。
(第四实施例)
接下来，图21是根据第四实施例的闪光模块中的第二透镜部分231的放大截面图。
参照图21，第二透镜部分231的第二光漫射部分232包括图案部分232b和光输出单元232a，图案部分232b中设置有光漫射图案P1和P2，从发光单元122发射的光通过光输出单元232a发出。
第一光漫射图案P1可以包括弯曲图案PR和凹凸图案PC，但是不限于此。
第二光漫射图案P2也可以包括弯曲图案PR和凹凸图案PC。
此时，弯曲图案PR的曲率或半径可以为约0.3mm或更小。
例如，弯曲图案PR的曲率或半径可以为约0.0001mm至0.3mm。
当弯曲图案PR的曲率或半径超过0.3mm时，存在光会聚性可能差的问题，光分布可能不平滑或外观可能看起来不平滑。
将弯曲图案PR的曲率或半径控制为约0.3mm或更小，以便可以执行屏蔽，使得看不到摄像头闪光灯的框架220内的发光芯片等，并且根据设计可以具有能够实现情感特征的技术效果。
透镜部分231的厚度T2可以被控制为超薄达约0.1mm至0.2mm，使得弯曲图案PR的曲率或半径可以减小并且可以控制为约0.2mm或更小。
例如，可以将弯曲图案PR的曲率或半径控制为约0.0001mm至0.2mm，从而实现均匀的光分布和优异的光会聚特性。
第一和第二光漫射图案P1和P2的弯曲图案PR的高度可以为约0.3mm或更小。
例如，弯曲图案PR的高度可以为约0.0001mm至0.3mm。
如果弯曲图案PR的高度超过0.3mm，则光会聚特性可能会差。
在实施例中，当弯曲图案PR的高度被控制为约0.3mm或更小(例如0.2mm或更小)时，可以实现优异的光收集特性和均匀的光分布。
可以匹配透镜单元230的俯视图中的各个光漫射图案P1和P2的中心以及发光芯片121和122的中心。
例如，在实施例中，通过将透镜部件230的第一和第二光漫射图案P1和P2和发光芯片121和122的对准容差控制在约25μm或更小，通过显著改善光的方向角特性与透镜部分的光漫射图案之间的对应关系，除了实现广视角(FOV)之外，还可以获得光分布的均匀性。
例如，在实施例中，由于透镜部分232的第一和第二光漫射图案P1和P2的弯曲图案PR的中心和发光芯片121和122之间的对准容差约为25μm，因此通过显著改善从发光芯片发射的光的光方向性特性与透镜部分的光漫射图案的一致性，除了实现广角视角(FOV)之外，还可以获得光分布的均匀性。
在一个实施例中，光输出部分232a可以包括玻璃材料，并且图案部分232b可以由塑料材料形成。
例如，光输出部分232a可以由蓝宝石形成，并且图案部分232b可以由丙烯酸塑料材料制成。图案部分232b的示例包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，但不限于此。
图案单元232b可以通过使用UV照射的图案转移法的热工艺或压印工艺形成，但是不限于此。
根据实施例，由于在光输出部分232a在约260℃或更高的温度下回流之后压印图案部分232b，因此不会发生图案的变形，图案可以保持。
根据实施例，由于暴露于外部的第二光漫射部分232的光输出部分232a由玻璃材料形成，所以实施例可以提供一种摄像头模块，该摄像头模块具有对于在处理期间或使用期间可能发生的刮擦具有高抵抗力的透镜部分，以及提供包括摄像头模块的终端。
根据上述实施例，获得了以下技术效果。
实施例可以提供闪光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，在保持广角的同时具有超薄的技术效果。
而且，实施例可以提供闪光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，其中，透镜图案的端部具有尖锐的技术特征。
另外，实施例可以提供闪光模块、摄像头模块和包括闪光模块的终端，该闪光模块具有高耐划痕的透镜部分。
此外，实施例包括发光模块、闪光模块、摄像头模块，摄像头模块具有能够集成暖白和冷白的技术效果。
另外，实施例可以提供光模块、闪光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，根据发光模块的闪光操作中的高热辐射效应具有优异的可靠性。
另外，实施例可以提供发光模块、闪光模块、摄像头模块以及包括摄像头模块的终端，具有发光芯片和闪光灯透镜的高对准精度并且实现均匀光分布。
而且，实施例可以提供发光模块、闪光模块、摄像头模块和包括摄像头模块的终端，具有发光模块和框架之间的耦合关系稳健并且提高机械可靠性的技术效果。
实施例中描述的特征、结构、效果等包括在至少一个实施例中，并且不必限于仅一个实施例。
此外，实施例中示出的特征、结构、效果等可以由实施例所属领域的其他技术人员组合和修改。
因此，这些组合和修改的内容应被解释为包括在实施例的范围内。
虽然已经参考其实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。可以看出，分支的修改和应用是可能的。
例如，可以修改和实现实施例中具体示出的每个组件。
应该理解，在不脱离本发明的精神或基本特征的情况下，本发明可以以许多其他具体形式实施。
工业适用性
根据实施例的闪光模块可以用在终端中。
终端可以包括蜂窝电话、智能电话、平板电脑、笔记本电脑，个人数字助理(PDA)等，但不限于此。

Claims (10)

1.一种发光模块，包括：
多个发光芯片，具有半导体层、设置在半导体层的一个表面上的荧光体层、以及设置在半导体层的面向所述一个表面的表面上的多个电极；
第一分隔件，设置在所述多个发光芯片的一侧；
第二分隔件，设置在所述多个发光芯片的另一侧以面向第一分隔件；以及
不透明模塑部件，围绕所述多个发光芯片，并设置在第一分隔件和第二分隔件内，以使荧光体层的顶表面和所述多个电极的底表面暴露于外部。
2.根据权利要求1所述的发光模块，其中，第一分隔件和第二分隔件围绕所述多个发光芯片，并且所述多个发光芯片包括具有不同色温CCT的第一发光芯片和第二发光芯片。
3.一种发光模块，包括：
第一发光芯片和第二发光芯片，彼此间隔开，具有不同的色温CCT；以及
不透明模塑部件，围绕第一发光芯片和第二发光芯片的侧面，
其中，第一发光芯片和第二发光芯片是倒装型发光芯片，并且
第一发光芯片或第二发光芯片的电极暴露于不透明模塑部件的底表面。
4.根据权利要求3所述的发光模块，其中，第一发光芯片包括：
第一荧光体层，设置在第一半导体层的上表面上；
第一n型电极和第一p型电极，设置在第一半导体层的底表面上，
其中，第一n型电极和第一p型电极的底表面的至少一部分暴露于不透明模塑部件的底表面。
5.一种闪光模块，包括：
发光模块，包括多个发光芯片和围绕所述多个发光芯片的模塑部件，每个发光芯片包括半导体层、设置在半导体层的一个表面上的荧光体层、设置在半导体层的面向所述一个表面的表面上的多个电极；
框架，设置在发光模块上；以及
透镜部分，设置在框架上，
其中，透镜部分包括：光漫射部分，其中设置有预定图案；以及透镜支撑部分，设置为与光漫射部分的外侧接触，并且
其中，光漫射部分包括玻璃材料。
6.根据权利要求5所述的闪光模块，其中，所述透镜部分的光漫射部分包括：图案部分，其中设置有图案；以及光输出部分，通过所述光输出部分发射来自发光芯片的光。
7.根据权利要求5所述的闪光模块，其中，所述发光模块包括彼此间隔开的第一分隔件和第二分隔件以及设置在第一分隔件和第二分隔件之间的倒装型第一发光芯片和倒装型第二发光芯片，并且倒装型第一发光芯片和倒装型第二发光芯片具有不同的色温CCT。
8.一种闪光模块，包括：
发光模块，包括多个发光芯片以及围绕所述多个发光芯片使得底表面暴露至外部的不透明模塑部件，所述多个发光芯片具有半导体层、设置在半导体层的一个表面上的荧光体层、设置在半导体层的面对一个表面的表面上的多个电极；
框架，设置在发光模块上；以及
透镜单元，设置在框架上。
9.一种闪光模块，包括：
发光模块，包括彼此间隔开的第一分隔件和第二分隔件、设置在第一分隔件和第二分隔件之间的第一发光芯片和第二发光芯片、以及在第一分隔件和第二分隔件之间的不透明模塑部件；
框架，设置在发光模块上；以及
透镜单元，设置在框架上，
其中，第一发光芯片和第二发光芯片是倒装型发光芯片，
其中，倒装型的第一发光芯片或倒装型的第二发光芯片的一部分暴露于不透明模塑部件的底表面。
10.一种终端，包括根据权利要求5至9中任一项所述的闪光模块。
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