CN205350927U - 一种闪光灯 - Google Patents
一种闪光灯 Download PDFInfo
- Publication number
- CN205350927U CN205350927U CN201521138888.1U CN201521138888U CN205350927U CN 205350927 U CN205350927 U CN 205350927U CN 201521138888 U CN201521138888 U CN 201521138888U CN 205350927 U CN205350927 U CN 205350927U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led chip
- flash lamp
- white
- purple
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种闪光灯,所述闪光灯包括LED光源和与所述LED光源匹配的透镜和底板,所述透镜设于所述LED光源上方;所述LED由至少两颗LED芯片集成,所述至少两颗LED芯片共用一个透镜,且至少两颗LED芯片包括白光LED芯片和至少一颗紫光LED芯片;隔离墙固设于底板上位于白光LED芯片和紫光LED芯片之间。由于白光LED芯片与紫光LED芯片使用过程中互不影响,避免了紫光LED芯片使用过程中激发荧光粉或荧光薄膜,产生白光,影响荧光效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电子应用领域,尤其涉及一种手机闪光灯。
背景技术
随着LED应用的发展,紫光LED芯片的市场需求越来越大,发光波长覆盖210-400nm的紫光LED芯片,具有传统紫外光源无法比拟的优势。紫光LED芯片不仅可以用在照明领域,同时在生物医疗、防伪鉴定、空气,水质净化、生化检测、高密度信息储存等方面都可替代传统含有毒有害物质的紫外汞灯,在目前的LED背景下,紫光市场前景非常广阔。相比于传统紫外汞灯,氮化物紫光LED芯片(LightEmittingDiode,发光二极管)芯片具有节能环保、寿命长、体积小、紧凑性好等多方面优势。因此紫光LED芯片越来越多的被用在闪光灯中,其中波长360nm-420nm的紫光LED芯片被用于检验动物尿液,婴儿尿迹,酒店客房及浴室的卫生检查,验钞,珠宝鉴定,渗透探伤等;这些应用正是由于紫外波段的荧光效应,才能得以实现。
如果将现有的白光LED芯片与紫光LED芯片集成在一起,由于白光LED芯片的荧光粉会被紫外光激发,从而产生白光,影响紫光LED芯片的荧光效应。增加白光LED芯片与紫光LED芯片之间的距离,可以使这种影响减小,但是这样底板的面积就会变大,不适用于手机等对闪光灯面积有要求的应用。
发明内容
为了克服以上缺点,本发明提供了一种闪光灯的设计及其实现方法,其在底板上增加隔离墙或将底板做成碗杯状,使紫光LED芯片发出的光不会传播到荧光粉胶层,避免荧光粉被UV光激发,产生白光,影响紫光LED芯片的荧光效应。
本发明提供的技术方案如下:
一种闪光灯,包括LED光源和与所述LED光源匹配的透镜、底板和隔离墙,所述透镜设于所述LED光源上方;
所述LED光源由至少两颗LED芯片集成,且所述至少两颗LED芯片共用一个所述透镜,所述至少两颗LED芯片中包括一颗白光LED芯片和至少一颗紫光LED芯片;
所述隔离墙固设于所述底板上位于所述白光LED芯片和所述紫光LED芯片之间。
在本技术方案中,我们将白光LED芯片和至少一颗紫光LED芯片集成在一起得到闪光灯。这里,我们之所以设置至少一个紫光LED芯片,原因在于,我们可以设置不同波段的紫光LED芯片,在需要实现不同功能的时候,切换到相应的紫光LED芯片让其发光。
进一步优选地,所述LED光源中的所述至少有两颗LED芯片于同一底板上共同封装;
所述隔离墙为反射胶墙,所述反射胶墙于所述白光LED芯片和所述紫光LED芯片之间固设于所述底板表面;
或,
所述隔离墙为金属反射墙,所述金属反射墙与所述底板一体成型或所述底板单独成型、固设在所述底板表面。
在本技术方案中,为了避免在紫光LED芯片发光的时候激发蓝光LED芯片表面的荧光薄膜,我们在白光LED芯片和紫光LED芯片之间设置该隔离墙,这样,紫光LED芯片在发光的时候朝向白光LED芯片的紫光会被该隔离墙反射回来,保证白光LED芯片表面的荧光薄膜不被激光从而发光。
另外,在本技术方案中,上述隔离墙可以为反射胶墙也可以是金属反射墙;该隔离墙可以是一体成型在底板上的,也可以是单独成型设置在底板上的。事实上,我们对隔离墙的材料不做具体限定,只要能够将朝向白光LED芯片的紫光反射回来都包括在本实用新型内容中。
进一步优选地,所述隔离墙为由高反胶形成的反射胶墙;
或,
所述隔离墙为由高反射金属Al或Ag或Pt或Au形成的金属反射墙,所述金属反射墙的厚度范围为10-200um、高度范围为100-200um或所述金属反射墙的厚度大于等于所述白光LED芯片的厚度。
进一步优选地,所述底板上于所述紫光LED芯片的外侧包括一碗杯状的挡板,所述紫光LED芯片且所述挡板的垂直高度大于所述白光LED芯片的厚度;所述挡板固设于所述底板表面或所述挡板与所述底板一体成型,且所述紫光LED芯片于所述底板表面设于所述碗杯状挡板内部。
在本技术方案中,我们还在紫光LED芯片异于隔离墙的其他三个方向上设置挡板,以将朝各个方向发散的紫光反射回来。
在其他的技术方案中,我们也可以在白光LED芯片的其他三个方向上设置同样的挡板。
进一步优选地,在所述LED光源中,每两颗LED芯片之间的距离范围为0.1mm-1mm。
进一步优选地,所述紫光LED芯片波长范围为360nm-420nm;
所述白光LED芯片中包括蓝光LED芯片/紫光LED芯片和荧光薄膜。
进一步优选地,所述白光LED芯片和所述至少一颗紫光LED芯片均为垂直结构芯片。
在本发明中,相比于传统的闪光灯设计,本发明提供的闪光灯设计具有如下优势:
第一,在传统闪光灯的基础上增加了紫光LED芯片的验钞,珠宝鉴定,渗透探伤等功能;第二,面积下,适用于对面积要求小的应用中;第三,在使用过程中,紫外光线不会照射到白光LED芯片表面的荧光薄膜上,有效避免了白光LED芯片表面的荧光粉被紫光激发产生白光,影响紫光LED芯片的荧光效果。第四,结构简单,便于大规模生产,提高了生产效率。
附图说明
图1为本发明中闪光灯的结构示意图;
图2为本发明中闪光灯的胶墙结构及实现示意图;
图3为本发明中闪光灯的金属墙结构及实现示意图;
图4为本发明中闪光灯的碗杯结构及实现示意图;
附图标记:
1-底板,2-隔离墙,3-蓝光LED芯片,4-紫光LED芯片,5-荧光薄膜。
具体实施方式
现在结合附图来描述本发明的实施例。
如图1所示为本实用新型提供的闪光灯的结构示意图,从图中可以看出,在本实用新型提供的闪光灯中包括:底板1、隔离墙2、至少一颗紫光LED芯片(图示中只画出了一颗)4、蓝光LED芯片3以及荧光薄膜5。其中,荧光薄膜5设于蓝光LED芯片3表面,隔离墙2于底板1设于紫光LED芯片和蓝光LED芯片中间。
实施例1:
如图2所示(包括图2(a)和图2(b),其中图2(a)为俯视结构示意图,图2(b)为侧面结构示意图),在本实施例中,底板1的长为3.1mm(毫米)、宽为2.1mm的;隔离墙2的高为0.22mm,形状为上窄下宽(从上到下渐变),最上端的宽度为0.04mm、最下端的宽度为0.10mm,且该隔离墙2具体为由高反胶形成的反射胶墙。具体来说,该反射胶墙由点胶机将高反胶滴注到底板上经过烘烤成型的梯形胶柱。
本实施例中闪光灯的制备过程为:
首先,将白光LED芯片3和紫光LED芯片4采用共晶或银胶工艺固晶在底板1上,过回流炉或烘烤。完成上述工艺后,使用焊线机对两个LED芯片进行焊线工艺操作,其中,紫光LED芯片4焊2根金线,白光LED芯片3焊1根金线。完成上述操作后,转入压平面胶工艺。平面胶选用耐紫外光胶水,同时具高折射率。平面胶厚度要高于胶墙高度至少为0.23mm。完成压膜后,产品置于温度约150℃烤箱中烘烤约2h,至胶水交联固化反应完全。最后,将整块陶瓷底板切割得到图2中所示高反射胶型紫外白光二合一闪光灯。
实施例2:
如图3所示(包括图3(a)和图3(b),其中图3(a)为俯视结构示意图,图3(b)为侧面结构示意图),在本实施例中,底板1的长为3.1mm(毫米)、宽为2.1mm的;隔离墙2的高为0.22mm,形状为上窄下宽(从上到下渐变),最上端的宽度为0.04mm、最下端的宽度为0.10mm,且该隔离墙2具体为表面镀有高反射率金属的金属反射墙与底板1一体成型,具体来说,该高反射率金属可以为Al(铝)或Ag(银)或Pt(铂)或Au(金)。
本实施例中闪光灯的制备过程为:
首先,将白光LED芯片3和紫光LED芯片4采用共晶或银胶工艺固晶在底板1上,过回流炉或烘烤。完成上述工艺后,使用焊线机对两颗LED芯片进行焊线工艺操作,其中白光LED芯片3焊1根金线,紫光LED芯片4焊1根金线。完成上述操作后,转入压平面胶工艺。平面胶选用耐紫外光胶水,同时具高折射率。平面胶厚度要高于镀金属墙高度至少为0.23mm。完成压膜后,产品置于温度约150℃烤箱中烘烤约2h,至胶水交联固化反应完全。最后,将整块陶瓷底板切割得到图2中所示高反射胶型紫外白光二合一闪光灯。
实施例3:
如图4所示(包括图4(a)和图4(b),其中图4(a)为俯视结构示意图,图4(b)为侧面结构示意图),在本实施例中,底板1的长为4.33mm(毫米)、宽为2.75mm的;隔离墙2的高为0.22mm,形状为上窄下宽(从上到下渐变),最上端的宽度为0.10mm、最下端的宽度为0.16mm。
另外,在本实施方式中,在底板1上于白光LED芯片和紫光LED芯片周围包括一个碗杯状挡板,隔离墙2、挡板与底板一体成型,都为陶瓷材料,且在隔离墙2和碗杯状挡板表面镀有高反射性金属,如Al、Ag、Pt、Au等。
本实施例中闪光灯的制备过程为:
首先,将白光LED芯片3和紫光LED芯片4采用共晶或银胶工艺固晶在底板1上,过回流炉或烘烤。完成上述工艺后,使用焊线机对两颗LED芯片进行焊线工艺操作,其中白光LED芯片3焊1根金线,紫光LED芯片4焊1根金线。完成上述操作后,转入压平面胶工艺。平面胶选用耐紫外光胶水,同时具高折射率。平面胶高度同碗壁高度一致。完成压膜后,产品置于温度约150℃烤箱中烘烤约2h,至胶水交联固化反应完全。最后,将整块陶瓷底板切割得到图2中所示高反射胶型紫外白光二合一闪光灯。
以上所述,仅为本发明中的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉该技术的人在本发明中可以轻易想到更改隔离厚度和高度,可变换或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (7)
1.一种闪光灯,其特征在于,所述闪光灯包括LED光源和与所述LED光源匹配的透镜、底板和隔离墙,所述透镜设于所述LED光源上方;
所述LED光源由至少两颗LED芯片集成,且所述至少两颗LED芯片共用一个所述透镜,所述至少两颗LED芯片中包括一颗白光LED芯片和至少一颗紫光LED芯片;
所述隔离墙固设于所述底板上位于所述白光LED芯片和所述紫光LED芯片之间。
2.根据权利要求1所述的闪光灯,其特征在于:
所述LED光源中的所述至少有两颗LED芯片于同一底板上共同封装;
所述隔离墙为反射胶墙,所述反射胶墙于所述白光LED芯片和所述紫光LED芯片之间固设于所述底板表面;
或,
所述隔离墙为金属反射墙,所述金属反射墙与所述底板一体成型或所述底板单独成型、固设在所述底板表面。
3.根据权利要求2所述的闪光灯,其特征在于:
所述隔离墙为由高反胶形成的反射胶墙;
或,
所述隔离墙为由高反射金属Al或Ag或Pt或Au形成的金属反射墙,所述金属反射墙的厚度范围为10-200um、高度范围为100-200um或所述金属反射墙的厚度大于等于所述白光LED芯片的厚度。
4.根据权利要求1或2或3所述的闪光灯,其特征在于:
所述底板上于所述紫光LED芯片的外侧包括一碗杯状的挡板,所述紫光LED芯片且所述挡板的垂直高度大于所述白光LED芯片的厚度;所述挡板固设于所述底板表面或所述挡板与所述底板一体成型,且所述紫光LED芯片于所述底板表面设于所述碗杯状挡板内部。
5.根据权利要求4所述的闪光灯,其特征在于:
在所述LED光源中,每两颗LED芯片之间的距离范围为0.1mm-1mm。
6.根据权利要求1或2或3或5所述的闪光灯,其特征在于:
所述紫光LED芯片波长范围为360nm-420nm;
所述白光LED芯片中包括蓝光LED芯片/紫光LED芯片和荧光薄膜。
7.根据权利要求6所述的闪光灯,其特征在于,所述白光LED芯片和所述至少一颗紫光LED芯片均为垂直结构芯片。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201521138888.1U CN205350927U (zh) | 2015-12-31 | 2015-12-31 | 一种闪光灯 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201521138888.1U CN205350927U (zh) | 2015-12-31 | 2015-12-31 | 一种闪光灯 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN205350927U true CN205350927U (zh) | 2016-06-29 |
Family
ID=56172776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201521138888.1U Active CN205350927U (zh) | 2015-12-31 | 2015-12-31 | 一种闪光灯 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN205350927U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109565538A (zh) * | 2016-08-09 | 2019-04-02 | Lg伊诺特有限公司 | 发光模块、闪光模块和包括该闪光模块的终端 |
-
2015
- 2015-12-31 CN CN201521138888.1U patent/CN205350927U/zh active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109565538A (zh) * | 2016-08-09 | 2019-04-02 | Lg伊诺特有限公司 | 发光模块、闪光模块和包括该闪光模块的终端 |
US11300854B2 (en) | 2016-08-09 | 2022-04-12 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting module, flash module, and terminal including same |
CN115113457A (zh) * | 2016-08-09 | 2022-09-27 | 苏州立琻半导体有限公司 | 发光模块、闪光模块和包括该闪光模块的终端 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI239659B (en) | Light emitting apparatus | |
JP6698676B2 (ja) | 屋内用光源および照明装置 | |
CN110137164B (zh) | 一种实现低蓝光危害的类太阳光谱白光的方法及白光led | |
CN101075655B (zh) | 白光面光源发光装置 | |
TWI614453B (zh) | 包含發光磷光體之固態線性照明配置 | |
CN101872829A (zh) | 高发光效率的白光led及其封装方法 | |
TWI469383B (zh) | A light emitting device and a manufacturing method thereof | |
US8851731B2 (en) | Light-diffusion LED lamp | |
CN103325928A (zh) | 照明装置 | |
CN102254903B (zh) | 发光二极管封装、发光二极管模块及发光二极管灯 | |
CN103178188A (zh) | 白光led的封装工艺 | |
JPWO2019004119A1 (ja) | 発光装置および照明装置 | |
CN104810356A (zh) | 一种led灯丝 | |
CN205350927U (zh) | 一种闪光灯 | |
CN103258940A (zh) | 一种全固态白光发光二极管的封装方法 | |
WO2014026486A1 (zh) | 白光led发光装置 | |
KR101557945B1 (ko) | 형광체 구조물 제조 방법 및 형광체 구조물 | |
CN101355132B (zh) | 一种改善光斑的白光led的封装方法 | |
CN104091860B (zh) | Led封装光源及其生产工艺 | |
CN107221531A (zh) | 一种uvled灯的封装结构及uvled灯 | |
CN203500873U (zh) | 一种全角度发光直条灯丝 | |
CN102052578A (zh) | 发光装置 | |
CN102244155A (zh) | 一种集成led光源曲面封装方法 | |
TWI412163B (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
CN201228951Y (zh) | 低衰减高光效led照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 330096 No. 699, Aixi Hubei Road, Nanchang High-tech Development Zone, Jiangxi Province Patentee after: Jingneng optoelectronics Co.,Ltd. Address before: 330096 No. 699, Aixi Hubei Road, Nanchang High-tech Development Zone, Jiangxi Province Patentee before: LATTICE POWER (JIANGXI) Corp. |
|
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |