CN107924969B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

根据一个实施例的发光器件包括：衬底；被布置在衬底上以彼此间隔开的多个发光单体；以及被构造成将相邻的发光单体电互连的连接线，其中多个发光单体中的每一个发光单体包括：发光结构，发光结构包括布置在衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；以及第一电极和第二电极，第一电极和第二电极被构造成分别电连接到第一半导体层和第二半导体层，其中多个发光单体包括：第一电力单体，该第一电力单体被构造成经由第一电极接收第一电力；和第二电力单体，该第二电力单体被构造成经由第二电极接收第二电力，并且其中第一电力单体中的第一电极具有与第二电力单体中的第二电极的第二平面形状不同的第一平面形状。

Description

发光器件
技术领域
实施例涉及一种发光器件。
背景技术
基于氮化镓(GaN)等的分子束外延生长和金属有机化学气相沉积的发展，已经开发能够实现高亮度白光的发光器件，诸如红色、绿色和蓝色发光二极管(LED)。
这样的LED具有优异的环境友好性，因为它们不包括通常用于例如白炽灯和荧光灯的照明装置中的诸如汞(Hg)的对环境有害的材料，并且还具有其它优点，例如，使用寿命长和功耗低。因此，现有的光源正在被LED取代。LED的核心竞争力因素是通过高效率和高输出的芯片以及封装技术实现高亮度。
这种发光器件需要具有均匀的照度和高可靠性。
发明内容
技术问题
实施例提供一种具有增大的可靠性和优异的发光均匀性的发光器件。
技术解决方案
为了实现上述目的，实施例可以提供一种发光器件，该发光器件包括：衬底；多个发光单体，多个发光单体被布置在衬底上使得彼此间隔开；以及连接线，该连接线被构造成电互连相邻的发光单体，其中该发光单体中的每一个发光单体包括：发光结构，该发光结构包括被布置在衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；以及第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别被电连接到第一半导体层和第二半导体层，其中发光单体包括第一电力单体，该第一电力单体被构造成经由第一电极接收第一电力；和第二电力单体，该第二电力单体被构造成经由第二电极接收第二电力，并且其中第一电力单体中的第一电极具有与第二电力单体中的第二电极的第二平面形状不同的第一平面形状。
例如，发光器件可以进一步包括第一绝缘层，该第一绝缘层被布置在连接线和相邻的发光单体之间以使连接线和相邻的发光单体彼此电绝缘。
例如，发光器件可以进一步包括：第一结合焊盘，该第一结合焊盘被电连接到第一电极；第二结合焊盘，该第二结合焊盘被电连接到第二电极；以及第二绝缘层，该第二绝缘层被布置在第一结合焊盘和第二电极之间以使第一结合焊盘和第二电极彼此电绝缘。
例如，第一电极可以通过多个第一通孔被连接到第一结合焊盘，多个第一通孔穿过第二绝缘层、第二半导体层和有源层，并且第二电极可以通过多个第二通孔连接到第二结合焊盘，多个第二通孔穿过第二绝缘层。
例如，第一平面形状可以包括第一通孔的平面排列形式、第一通孔的数目、第一通孔中的每一个第一通孔的平面形状、在第一通孔之间的距离或者第一通孔中的每一个第一通孔的平面尺寸中的至少一个，并且第二平面形状可以包括第二通孔的平面排列形式、第二通孔的数目、第二通孔中的每一个第二通孔的平面形状、第二通孔之间的距离或者第二通孔中的每一个第二通孔的平面尺寸中的至少一个。
例如，第一平面形状中的第一通孔的数目和第二平面形状中的第二通孔的数目可以彼此不同，或者可以相同。
例如，第一平面形状中的第一通孔可以被排列在第一方向或第二方向中的至少一个方向上，第一方向或第二方向与发光结构的厚度方向交叉。第一通孔可以以恒定距离被排列。
例如，第二平面形状中的第二通孔可以被排列在第一方向或第二方向中的至少一个方向上，第一方向或第二方向与发光结构的厚度方向交叉。第二通孔可以以恒定距离被排列。
例如，除了第一电力单体之外的发光单体中的每一个发光单体还可以包括接触孔，该接触孔被构造成暴露发光结构中的第一半导体层，并且连接线可以被电连接到相邻的发光单体中的一个发光单体的第二半导体层，并且连接线通过相邻的发光单体中的剩余发光单体的接触孔被电连接到第一半导体层。
例如，接触孔可以包括多个接触孔，这些接触孔彼此平行地布置并且在与发光结构的厚度方向交叉的方向上彼此间隔开。
例如，连接线可以包括连接本体，该连接本体通过第一绝缘层与相邻的发光单体中的一个发光单体的发光结构的横向部分电间隔开，并且连接本体被电连接到相邻的发光单体中的一个发光单体的第二电极；以及多个连接支路，多个连接支路从连接本体延伸使得通过在相邻的发光单体中的剩余发光单体中包括的接触孔被电连接到第一半导体层。
例如，连接支路可以包括多个第一连接支路，多个第一连接支路在与厚度方向交叉的第一方向上从连接本体延伸，并且多个第一连接支路被布置成使得在与第一方向和厚度方向中的每一个方向交叉的第二方向上彼此间隔开。
可替选地，例如，连接支路可以包括：第二连接支路，该第二连接支路从连接本体延伸使得在与厚度方向交叉的第二方向上被布置；和第三连接支路，该第三连接支路从第二连接支路延伸使得在与厚度方向和第二方向中的每一个方向交叉的第一方向上被布置。
例如，连接支路中的每一个连接支路可以具有条状平面形状。
例如，第二通孔可以在第一方向上被排列在连接支路之间。
例如，连接支路可以被布置成使得在厚度方向上与第二结合焊盘重叠，或者可以被布置成使得在厚度方向上不与第二结合焊盘重叠。
例如，连接支路可以被布置在第二电力单体的边缘上。
另一个实施例提供一种发光器件，该发光器件包括衬底；多个发光单体，多个发光单体被布置在衬底上从而彼此间隔开；以及连接线，该连接线被构造成电互连相邻的发光单体，其中发光单体中的每一个发光单体包括：发光结构，该发光结构包括被布置在衬底上的n型半导体层、有源层和p型半导体层；以及n型电极和p型电极，n型电极和p 型电极分别被电连接到n型半导体层和p型半导体层，其中发光单体包括：负电力单体，该负电力单体被构造成经由被连接到n型电极的n 型结合焊盘接收负电压；和正电力单体，该正电力单体被构造成经由被连接到p型电极的p型结合焊盘接收正电压，其中正电力单体进一步包括接触孔，该接触孔穿过p型半导体层和有源层以暴露n型半导体层，其中连接线通过接触孔被电连接到n型半导体层，并且其中接触孔被布置成使得在发光结构的厚度方向上不与p型结合焊盘重叠。
本发明的效果
根据实施例的发光器件具有优异的发光均匀性和增大的可靠性。
附图说明
图1图示根据一个实施例的发光器件的平面图。
图2图示沿着图1中所图示的线A-A'截取的横截面图。
图3图示沿着图1中所图示的线B-B'截取的横截面图。
图4a图示根据一个实施例的在图2中图示的部分“F1”的放大横截面图，并且图4b图示根据另一实施例的在图2中图示的部分“F1”的放大横截面图。
图5图示根据另一实施例的发光器件的平面图。
图6图示在图1和图5中图示的发光器件中包括的第n连接线的一个实施例的平面图。
图7图示在图1和图5中图示的发光器件中包括的第n连接线的另一个实施例的平面图。
图8图示沿着图1中所图示的线C-C'截取的横截面图。
图9图示沿着图5中所图示的线D-D'截取的横截面图。
图10图示在图1和5中所图示的发光器件的电路图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述实施例，以便于具体地描述本公开并且帮助理解本公开。然而，这里公开的实施例可以被改变成各种其它形式，并且本公开的范围不应被解释为限于这些实施例。提供这里公开的实施例以便于向本领域普通技术人员更全面地描述本公开。
在对实施例的描述中，当元件被称为在另一元件“上”或“下”形成时，其能够直接在另一元件“上”或“下”或者在它们之间间接地形成有中间元件。还将理解，可以相对于附图描述在元件“上”或“下”。
另外，在下面的描述中使用的诸如“第一”、“第二”、“在…上/上部 /上方”和“在…下/下部/下方”的相对术语可以用于区分任何一个物质或元件与另一种物质或元件，而不要求或包含这些物质或元件之间的任何物理或逻辑关系或顺序。
虽然为了方便起见将使用笛卡尔坐标系描述根据实施例的发光器件100A和100B，但是当然可以使用其它坐标系描述它们。在笛卡尔坐标系的情况下，尽管x轴、y轴和z轴彼此正交，但实施例不限于此。也就是说，x轴、y轴和z轴可以彼此交叉。
图1图示根据实施例的发光器件100A的平面图，图2图示沿着图 1中所图示的线A-A'截取的横截面图，图3图示沿着图1中图示的线 B-B'截取的横截面图，图4a图示在图2中所图示的部分“F1”的一个实施例的放大横截面图，并且图4b图示在图2中图示的部分“F1”的另一个实施例F2的放大横截面图。
参考图1至图4b，发光器件100A可以包括衬底110、发光结构 120、第一电极132A或132B、第二电极130、第一绝缘层(或钝化层) 142和第二绝缘层(或钝化层)144、第一结合焊盘152和第二结合焊盘156A、连接焊盘154以及第一至第N连接线160-1至160-N(这里， N是2或更大的正整数)。
为了帮助理解，在图1中，第一结合焊盘152和第二结合焊盘156A 以及连接焊盘154被图示为透明的，并且为了示出发光结构120、第一电极132A或132B以及第二电极130被布置的状态，在图1中省略第一绝缘层142和第二绝缘层144的图示。
衬底110可以由适合于生长半导体材料例如载体晶片的材料形成。另外，衬底110可以由具有优异的导热性的材料形成，并且可以是导电衬底或绝缘衬底。另外，衬底110可以由具有透光性的材料形成，并且可以具有足够的机械强度以在不引起发光器件100A的整个氮化物发光结构120的弯曲的情况下经由刻划工艺和破碎工艺被容易地分离为单独的芯片。例如，衬底110可以是包括蓝宝石(Al2O3)、GaN、 SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、GaAs或Ge中的至少一种的材料。衬底110的上表面可以具有凸凹图案形状，并且例如可以包括图案化蓝宝石衬底(PSS)112。
另外，尽管未被图示，但是可以进一步在衬底110和发光结构120 之间布置缓冲层。缓冲层可以使用III-V族化合物半导体形成。缓冲层用于减小衬底110和发光结构120之间的晶格常数的差异。例如，缓冲层可以包括AlN或者可以包括未掺杂的氮化物，但不限于此。取决于衬底110的种类和发光结构120的种类，可以省略缓冲层。
在下文中，为了便于描述，假定发光单体(或发光区域)的数目 M为九，但是实施例不限于此。即使当发光单体的数目大于或小于9 时，也可以同样地应用本实施例。这里，M是1或更大的正整数，并且可以是N+1。
多个发光单体可以被布置在衬底110上使得彼此间隔开。如在图 1中所图示，多个发光单体P1至P9可以在与发光结构120的厚度方向 (例如，x轴)交叉的方向(例如，y轴和z轴)上彼此间隔开。
首先，将多个发光区域P1至P9依次称为第一发光区域至第九发光区域。即，第一结合焊盘152可以位于第一发光区域P1中，并且第二结合焊盘156A可以位于第九发光区域P9中，但是实施例不限于此。当第一半导体层122是n型半导体层时，第一结合焊盘152可以是n型结合焊盘。当第二半导体层126是p型半导体层时，第二结合焊盘 156A可以是p型结合焊盘。
第一至第九发光单体分别被布置在衬底110的第一至第九发光区域中。即，第一发光单体被布置在衬底110的第一发光区域P1中，第二发光单体被布置在衬底110的第二发光区域P2中，第三发光单体被布置在衬底110的第三发光区域P3中，第四发光单体被布置在衬底110 的第四发光区域P4中，第五发光单体被布置在衬底110的第五发光区域P5中，第六发光单体被布置在衬底110的第六发光区域P6中，第七发光单体被布置在衬底110的第七发光区域P7中，第八发光单体被布置在衬底110的第八发光区域P8中，并且第九发光单体被布置在衬底110的第九发光区域P9中。这样，第m发光单体(1≤m≤M)被布置在衬底110的第m发光区域Pm中。以下，为了方便描述，第m个发光单体由“Pm”指定。
第一至第M发光单体P1至PM中的每一个发光单体可以包括被布置在衬底110、第一电极132A或132B以及第二电极130上的发光结构120。发光结构120，组成一个发光单体，可以通过边界区域S与另一个发光单体的发光结构120分离。边界区域S可以是位于第一至第M发光单体(P1至PM)中的每一个发光单体的外围的区域，并且可以是衬底110。
第一至第M发光单体P1至PM可以具有相同的面积，但不限于此。例如，根据另一实施例，第一发光单体P1至第M发光单体PM可以具有分别不同的面积。根据又一实施例，第一发光单体P1至第M发光单体PM中的一些发光单体可以具有相同的面积，并且其它发光单体可以具有不同的面积。
发光单体P1至PM中的每一个发光单体的发光结构120可以包括顺序地布置在衬底110上的第一半导体层122、有源层124和第二半导体层126。
第一半导体层122可以被布置在衬底110和有源层124之间，可以包括半导体化合物，可以由例如III-V族或II-VI族化合物半导体形成，并且可以是掺杂有第一导电掺杂剂。例如，第一半导体层122可以包括具有AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成方程的半导体材料，并且例如可以包括InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和 AlGaInP中的任何一种或多种。当第一半导体层122是n型半导体层时，第一导电掺杂剂可以包括诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂。第一半导体层122可以形成为单层或多层，但不限于此。
有源层124可以被布置在第一半导体层122和第二半导体层126 之间，并且可以具有单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱结构(MOW)结构、量子点结构和量子线结构中的任一种。有源层124 可以具有阱层和势垒层的成对结构，例如，使用III-V族化合物半导体的InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、 GaAs(InGaAs)/AlGaAs和GaP(InGaP)/AlGaP，但不限于此。阱层可以由具有比势垒层的能带隙小的能带隙的材料形成。
第二半导体层126可以被布置在有源层124上，并且可以包括化合物半导体。第二半导体层126可以由例如III-V族或II-VI族化合物半导体形成，并且例如可以包括具有InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1， 0≤x+y≤1)的半导体材料，或AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和 AlGaInP中的一种或多种。
第二半导体层126可以是第二导电型半导体层。当第二半导体层 126是p型半导体层时，第二导电掺杂剂可以是诸如Mg、Zn、Ca、Sr 或Ba的p型掺杂剂。第二半导体层126可以形成为单层或多层，但不限于此。
第一半导体层122可以是n型半导体层，并且第二半导体层126 可以是p型半导体层，或者第一半导体层122可以是p型半导体层并且第二半导体层126可以是n型半导体层。因此，发光结构120可以包括 n-p结、p-n结、n-p-n结或者p-n-p结结构中的至少一种。
在以下描述中，假设第一半导体层122是n型半导体层并且第二半导体层126是p型半导体层，但是实施例不限于此。也就是说，即使当第一半导体层122是p型半导体层并且第二半导体层126是n型半导体层时也可以应用本实施例。
在发光单体P1至PM中的每一个发光单体中，第一电极132A或 132B可以被布置在第一半导体层122上，并且可以被电连接到第一半导体层122。当第一半导体层122是n型半导体层时，第一电极132A 或132B可以是n型电极。例如，参考图2，在第一发光单体P1中，第一电极132A可以被布置在第一半导体层122上，并且参考图4a和图 4b，在第三发光单体P3中，第一电极132A或132B可以被布置在第一半导体层122上。为了将第一电极132A或132B布置在第一半导体层 122上，发光结构120的第一半导体层122的一部分可以被暴露。也就是说，可以形成接触孔(或台面蚀刻部分)CH以通过台面蚀刻第二半导体层126、有源层124和第一半导体层122的一部分暴露第一半导体层122的一部分。此时，第一半导体层122的暴露表面可以位于比有源层124的下表面低的位置。
可替选地，在每个发光单体P2至PM中，代替在第一半导体层122 上单独地设置第一电极132A或132B，第i发光单体Pi(2≤i≤M)的第一电极132A或132B可以与第i-1连接线160-i-1一体地形成。例如，如图4b中所图示，第三发光单体P3的第一电极132B可以与第二连接线160-2单独地形成，并且如图4a中所图示，第三发光单体P3的第一电极132A可以与第一连接线160-2一体地形成。
在发光单体P2至PM中的每一个发光单体中，第二电极130可以被布置在第二半导体层126上，并且可以被电连接至第二半导体层126。当第二半导体层126是p型半导体层时，第二电极130可以是p型电极。例如，参考图2，在第一发光单体P1、第二发光单体P2和第三发光单体P3中的每一个发光单体中，第二电极130被布置在第二半导体层126 上。
可替选地，在发光单体P1至PM-1中的每一个发光单体中，代替在第二半导体层126上单独地设置第二电极130，不同于图示，第j发光单体Pi(1≤j≤M-1)的第二电极130可以与第j连接线160-j一体地形成。
在发光单体P1至PM中的每一个发光单体中，第一电极132A或 132B以及第二电极130中的每一个电极可以具有这样的结构，其中粘合层(未被图示)、反射层(未被图示)、势垒层(未被图示)或结合层(未被图示)中的至少一个被顺序地堆叠。第一电极132A或132B的粘合层可以包括用于与第一半导体层122欧姆接触的材料，第二电极 130的粘合层可以包括用于与第二半导体层126欧姆接触的材料。例如，粘合剂层可以使用Cr、Rd或Ti中的至少一种材料以单层或多层形成。
阻挡层可以被布置在粘合层上，并且可以使用包括Ni、Cr、Ti或 Pt中的至少一种的材料以单层或多层形成。例如，阻挡层可以由Cr和 Pt的合金形成。
另外，被置于阻挡层和粘合剂层之间的反射层可以由Ag等形成。结合层可以被布置在阻挡层上，并且可以包括Au。
同时，第一结合焊盘152可以是接收第一电力(例如，(-)电压) 的焊盘，并且可以是用于结合导线(未被图示)的焊盘。参考图1和图 2，第一结合焊盘152可以经由第一电极132A与第一发光单体P1至第 M发光单体PM当中的一个发光单体(例如，P1)的第一半导体层122 电接触。在下文中，将第一至第M发光单体当中的接收第一电力的发光单体称为“第一电力单体”(或“负电力单体”)。
另外，第二结合焊盘156A可以是接收第二电力(例如(+)电压) 的焊盘，并且可以是用于结合导线(未被图示)的焊盘。参考图1和图 3，第二结合焊盘156A可以经由第二电极130与第一发光单体P1至第 M发光单体PM当中的另一个发光单体(例如，P9)的第二半导体层 126电接触。第一至第M发光单体当中的接收第二电力的发光单体被称为“第二电力单体”(或“正电力单体”)。
在图1至3的情况下，第一和第二电力单体中的每一个电力单体都被示出为是单一的，但是实施例不限于此。也就是说，当第二至第八发光单体中的任何一个发光单体具有与P1相同的结构时，该发光单体可以成为第一电力单体，并且当任何其它发光单体具有与P9相同的结构时，该发光单体可能变成第二电力单体。
另外，连接焊盘154可以是在第一发光单体至第M发光单体当中的除了第一电力单体P1和第二电力单体P9之外的发光单体中包括的焊盘。连接焊盘154可以被布置在对应的发光单体的发光结构120上，并且在一些情况下可以省略。当第二发光单体P2至第八发光单体P8 中的至少一个发光单体用作第一电力单体时，连接焊盘154可以以与第一结合焊盘152相同的方式被布置成使得被电连接到第一半导体层 122。可替选地，当第二发光单体P2至第八发光单体P8中的至少一个发光单体用作第二电力单体时，连接焊盘154可以被布置成使得以与第二结合焊盘156A相同的方式电连接到第二半导体层126。
另外，虽然未被图示，但是可以在第二电极130和第二半导体层 126之间进一步布置导电层。每个导电层减少全反射并且具有良好的光透射率，并且因此可以增大从有源层124已经放出并且已经穿过第二半导体层126的光的提取效率。每个导电层可以使用对于每个光波长具有高透射率的透明氧化物基材料，例如，铟锡氧化物(ITO)、锡氧化物 (TO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、 RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au或Ni/IrOX/Au/ITO中的至少一种被形成为单层或多层。
同时，第一至第N连接线160-1至160-N彼此用于多个发光单体P1至PM。也就是说，第一至第N连接线160-1至160-N用于电互连相邻的发光单体。具体而言，第n连接线160-n(在此，1≤n≤N)位于第n发光区域Pn、第n+1发光区域P(n+1)以及在区域Pn和P(n+ 1)两者之间的边界区域S上，并且用于电互连彼此相邻的第n发光单体Pn的第二电极130和第n+1发光单体P(n+1)的第一电极132A 或者132B。
例如，参考图2，第一连接线160-1(n＝1)可以电互连彼此相邻的第一发光单体P1的第二电极130和第二发光单体P2的第一电极 132A，并且为此，可以位于第一发光区域P1、第二发光区域P2以及区域P1和P2之间的边界区域S上。
第一至第N连接线160-1至160-N可以将第一至第M发光单体 P1至PM串联地互连，使得作为第一结合焊盘152位于其中的第一电力单体的第一发光单体P1是起点，并且作为第二结合焊盘156A位于其中的第二电力单体的第M发光区域PM是终点。然而，实施例不限于此，第一发光单体P1至第M发光单体PM中的至少一些发光单体可以通过连接线彼此并联地电连接。
第一至第N连接线160-1至160-N中的每一个可以由与第一电极 132A或132B和第二电极130中的每一个电极相同或不同的材料形成。当第一至第N连接线160-1至160-N由与第一电极132A或132B和第二电极130相同的材料形成时，连接线可以与第一电极132A或132B 或第二电极130一体形成。图2、图3和图4a图示第一电极132A和对应的连接线(例如，160-2)彼此一体地形成的情况，并且图4b图示第一电极132B和对应的连接线(例如，160-2)彼此分离的情况。第一至第N连接线160-1至160-N中的每一个连接线可以包括Cr、Rd、Au、Ni、Ti或Pt中的至少一种，但不限于此。
同时，第一绝缘层142被布置在第一至第N连接线160-1至160-N 与相邻的发光单体之间，相邻的发光单体通过连接线彼此连接，并且第一绝缘层142将相邻的发光单体和连接线彼此电绝缘。即，第一绝缘层 142被布置在第n连接线160-n与通过线160-n彼此连接的相邻的第n 发光单体Pn和第n+1发光单体P(n+1)之间，以使第n连接线160-n 和第n发光单体Pn彼此电绝缘并且使第n连接线160-n和第n+1发光单体P(n+1)彼此电绝缘。例如，参考图2，第一绝缘层142被布置在通过第二连接线160-2彼此连接的相邻的第二发光单体P2和第三发光单体P3之间，以使第二连接线160-2与第二发光单体P2和第三发光单体P3中的每一个发光单体电绝缘。
另外，第二绝缘层144被布置成使得覆盖边界区域S、连接线160-1 至160-N、第一绝缘层142、发光结构120、第一电极132A或132B以及第二电极130。此时，第二绝缘层144，如图2中所图示，可以被布置成使得暴露第一电力单体P1中的第一电极132A，并且如图3中所图示，可以被布置成使得暴露第二电力单体P9中的第二电极130。
第二绝缘层144可以在第一电力单体P1中使第一结合焊盘152和第二电极130彼此电绝缘，并且可以在第二电力单体P9中使第二结合焊盘156A和第一电极132B或第八连接线160-8A彼此电绝缘。
第一绝缘层142和第二绝缘层144中的每一个绝缘层可以由透光绝缘材料，例如，SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或者Al2O3形成，并且可以形成为分布式布拉格反射器(DBR)，但是实施例不限于此。
根据实施例，在第一电力单体P1中，第一电极132A可以通过多个第一通孔TH1电连接到第一结合焊盘152。第一通孔TH1通过穿过第二绝缘层144、第二半导体层126和有源层124形成以便暴露第一电极132A。
另外，在第二电力单体P9中，第二电极130可以通过多个第二通孔TH21被电连接到第二结合焊盘156A。第二通孔TH21通过穿过第二绝缘层144形成以便暴露第二电极130。
同时，第一电力单体P1中的第一电极132A的平面形状(在下文中称为“第一平面形状”)可以与第二电力单体P9中的第二电极130的平面形状(在下文中被称为“第二平面形状”)相同或不同。
这里，第一平面形状可以包括第一通孔TH1的平面排列形式、第一通孔TH1的数目、第一通孔TH1中的每一个第一通孔的平面形状、第一通孔TH1之间的距离或第一通孔TH1中的每一个第一通孔的尺寸中的至少一个。另外，第二平面形状可以包括第二通孔TH21的平面排列形式、第二通孔TH21的数目、第二通孔TH21中的每一个第二通孔的平面形状、第二通孔TH21之间的距离以及第二通孔TH21中的每一个第二通孔的平面尺寸中的至少一个。
当在上述第一平面形状中包括的特征中的至少一个特征与在第二平面形状中包括的特征的至少一个特征不同时，能够说第一平面形状和第二平面形状彼此不同。例如，即使第一通孔TH1和第二通孔TH21 在第一和第二平面形状中包括的特征当中具有相同数目、平面形状和平面排列形式，当第一通孔TH1和第二通孔TH21在它们之间具有不同的尺寸或距离时，也能够说第一平面形状和第二平面形状彼此不同。
例如，第一平面形状中的第一通孔TH1的数目和第二平面形状中的第二通孔TH21的数目可以彼此不同。例如，如图1中所图示，第一通孔TH1的数目可以是六个，而第二通孔TH21的数目可以是三个，但是实施例不限于此。
可替选地，第一平面形状中的第一通孔TH1的数目和第二平面形状中的第二通孔TH21的数目可以是相同的。
另外，在第一平面形状中，多个第一通孔TH1可以被排列在第一方向或第二方向中的至少一个方向上，第一方向或第二方向与发光结构 120的厚度方向(例如，x轴)交叉。这里，第一方向和第二方向可以分别意指与x轴正交的y轴和z轴。例如，如图1中所图示，第一平面形状可以被构造使得三个第一通孔TH1沿着y轴被排列，并且两个第一通孔TH1沿着z轴被排列。
另外，如在图1中所图示，在第一方向上排列的第一通孔TH1的数目和在第二方向上排列的第一通孔TH1的数目可以彼此不同。不同于图1的图示，在第一方向上排列的第一通孔TH1的数目和在第二方向上排列的第一通孔TH1的数目可以相同。也就是说，根据另一个实施例，三个或更多第一通孔TH1可以沿着y轴和z轴中的每一个被排列。
另外，在第一平面形状中，多个第一通孔TH1可以以相同的距离或以不同的距离被排列。
另外，在第二平面形状中，多个第二通孔TH21可以在第一方向或第二方向中的至少一个方向上被排列。例如，如在图1中所图示，第二通孔TH21可以仅沿着作为第一方向的y轴被排列，但是实施例不限于此。也就是说，根据另一实施例，类似于其中布置第一通孔TH1的平面形状，第二通孔TH21可以在第一方向和第二方向两者上被排列。
另外，多个第二通孔TH21可以以相同的距离或以不同的距离被排列。
另外，在图1的情况下第一通孔TH1和第二通孔TH21中的每一个被图示为具有圆形的平面形状，但是实施例不限于此。例如，第一通孔TH1和第二通孔TH21中的每一个可以具有椭圆形形状或多边形形状。
如上所述，当根据本实施例的发光器件100A的第一平面形状和第二平面形状彼此不同，而不是相同时，发光器件100A的发光均匀性可以被增大。也就是说，如图1中所图示，第二电力单体P9中的多个第二通孔TH21排列成单行，然而第一电力单体P1中的多个第一通孔TH1 在第一方向和第二方向上被布置成多行，这可以改进发光器件100A的发光均匀性。
图5图示根据另一实施例的发光器件100B的平面图。
除了第二电力单体P9的形状之外，图5中图示的发光器件100B 基本上与图1中图示的发光器件100A相同，并且因此，将会省略重复的描述并且仅在下面描述与其的不同。
另外，接触孔CH是暴露发光结构120的第一半导体层的孔。在发光结构120中，可以通过台面蚀刻第二半导体层126、有源层124和第一半导体层122的一部分形成接触孔(或台面蚀刻部分)CH以暴露第一半导体层122。
第一至第N连接线160-1至160-N中的每一个连接线可以被电连接到相邻的发光单体中的一个发光单体的第二半导体层126，并且可以通过接触孔CH被电连接到相邻的发光单体中的另一个发光单体的第一半导体层122。也就是说，第n连接线160-n可以经由第二电极130 被电连接到作为相邻的发光单体Pn和P(n+1)中的一个发光单体的第n发光单体Pn的第二半导体层126，并且可以被电连接到通过作为相邻的发光单体Pn和P(n+1)中的另一个发光单体的第n+1发光单体 P(n+1)的接触孔CH被暴露的第一半导体层122。
在图1至图5的情况下，排除第一电力单体P1的多个发光单体 P2至P9中的每一个发光单体被图示为在其中具有两个接触孔CH，但是实施例不限于此。也就是说，根据另一实施例，第二发光单体P2至第九发光单体P9中的每一个发光单体可以具有一个接触孔或者三个或更多接触孔CH。
另外，多个接触孔CH可以彼此平行地布置使得在与作为发光结构120的厚度方向的x轴交叉的方向(例如，z轴)上彼此间隔开。
图6图示在图1和图5中所图示的发光器件100A和100B中包括的第n连接线160-n的一个实施例160A的平面图，并且图7图示在图 1和5中所图示的发光器件100A和100B中包括的第n连接线160-n 的另一个实施例160B的平面图。
在图1和图5中图示的第一至第七连接线160-1至160-7和图1 中所图示的第八连接线160-8A可以具有在图6中图示的平面形状，并且在图5中图示的第八连接线160-8B可以具有在图7中图示的平面形状，但是实施例不限于此。也就是说，要注意的是，图1和图5中所图示的第一至第七连接线160-1至160-7和图1中图示的第八连接线 160-8A可以具有图7中所图示的平面形状。
参考图6和图7，连接线160A和160B中的每一个连接线可以包括连接本体162和多个连接支路164-11和164-12或者164-2、164-31 和164-32。
第n连接本体162通过第一绝缘层142与相邻的发光单体Pn和P (n+1)中的一个发光单体Pn的发光结构120的横向部分电间隔开，并且被电连接到相邻的发光单体Pn和P(n+1)中的一个发光单体Pn 的第二电极130。
另外，多个连接支路164-11和164-12或164-2、164-31和164-32 从连接本体162延伸并且通过在相邻的发光单体Pn和P(n+1)中的另一个发光单体P(n+1)中包括的多个接触孔CH被电连接到第一半导体层122。
根据一个实施例，如图6中所图示，多个连接支路可以包括第一连接支路164-11和164-12。第一连接支路164-11和164-12可以在与厚度方向(例如，x轴)交叉的第一方向上(例如，沿着y轴)从连接本体162延伸，并且可以被布置为使得在与第一方向和厚度方向两者交叉的第二方向(例如，z轴)上彼此间隔开。此时，第一连接支路164-11 和164-12可以从连接本体162的中点在第一方向上延伸。例如，第1-1 连接支路164-11可以从上点Z1在第一方向上延伸，上点Z1在从连接体162的最上端沿着整个z轴长度ZT的距离的三分之一处，并且第1-2 连接支路164-12可以从下点Z2在第一方向中延伸，下点Z2在从连接本体162的最下端沿着整个z轴长度ZT的距离的三分之一处。虽然在本实施例中将上点Z1和下点Z2中的每一个已经被描述为沿着整个z 轴长度ZT的距离的三分之一的点，但是其可以在沿着整个z轴长度ZT 的距离的四分之一至三分之一的点的范围内，但不限于此。当第一连接支路164-11和164-12从连接本体162的中间部分突出时，可以改进电流扩散。
可替选地，根据另一个实施例，如图7中所图示，多个连接支路可以包括第二连接支路164-2以及第三连接支路164-31和164-32。第二连接支路164-2可以从连接本体162延伸使得在与厚度方向交叉的第二方向上(例如，沿着z轴)和第一方向上(例如，沿着y轴)被布置。另外，第三连接支路164-31和164-32可以从第二连接支路164-2延伸使得在与厚度方向和第二方向两者交叉的第一方向上(例如，沿着y 轴)被布置。
另外，多个连接支路164-11、164-12、164-31和164-32中的每一个连接支路可以具有条状平面形状，如图6和图7中所图示。此时，如图1中所图示，在第二电力单体P9中包括的多个第二通孔TH21可以在连接支路164-11和164-12之间的第一方向上(例如，沿着y轴)被排列。另外，如图5中所图示，在第二电力单体P9中包括的多个第二通孔TH21可以在连接支路164-31和164-32之间的第一方向上(例如，沿着y轴)和第二方向上(例如，沿着z轴)被排列。
图8图示沿着图1中所图示的线C-C'截取的横截面图，并且图9 图示沿着图5中所图示的线D-D'截取的横截面图。
参考图8，能够理解，多个连接支路160-8A；164-11和164-12被布置成使得在厚度方向上(例如，沿着x轴)与第二结合焊盘156A重叠。
另一方面，参考图9，能够理解的是，多个连接支路160-8B：164-31 和164-32可以在厚度方向上不与第二结合焊盘156B重叠，而是可以布置成绕过第二结合焊盘156B。例如，如在图9中所图示，连接支路160-31 和164-32可以被布置在第二电力单体P9的边缘上，但是实施例不限于此。也就是说，只要连接支路不沿着作为发光结构120的厚度方向的x 轴与第二结合焊盘156B重叠，则本实施例不限于连接支路被布置在第二电力单体P9中的特定位置。
如图1和图8中所图示，当连接支路160-8A：164-11和164-12 被布置成使得在厚度方向上彼此重叠时，部分“K1”和部分“K2”可以在用于形成接触孔CH的台面蚀刻期间并且在用于形成第一电极132B的金属沉积期间不可避免地具有阶梯结构。由于这种阶梯结构，第一绝缘层142和第二绝缘层144可能由于外部机械力或电动力的冲击而破碎或破裂，从而在通过第一绝缘层142和第二绝缘层144彼此电分离的部分中引起短路或电流泄漏，这可能劣化发光器件100A的可靠性。
另一方面，如图5和图9中所图示，当连接支路160-8B：164-31 和164-32被布置成使得不沿着作为厚度方向的x轴与第二结合焊盘156B重叠时，如图8中所图示，部分“K1”和“K2”不具有阶梯结构并且从而防止上述问题，这可以增大发光器件100B的可靠性。此外，当连接支路164-31和164-32被布置在第二电力单体P9的边缘上时，可以增大其中第二通孔TH22可以被布置的区域。
图10图示图1和图5中所图示的发光器件100A和100B的电路图。
参考图1、5和10，发光器件100A和100B可以包括公共单(-) 端子，例如，一个第一结合焊盘152，和公共单(+)端子，例如，一个第二结合焊盘156A或156B，但是实施例不限于此。
根据另一个实施例，第二发光单体P2的阴极和第八发光单体P8 的阴极之间的任何一点可以用作第一结合焊盘152与第二结合焊盘 156A或156B之间的(-)端子。例如，可以将作为第六发光单体P6 的阴极的第二节点N2或者作为第三发光单体P3的阴极的第三节点N3 可以用作(-)端子。当第二节点N2被用作(-)端子时，第六发光单体P6可以具有与第一电力单体P1相同的第一平面形状，并且第六发光单体P6的连接焊盘154可以以与第一结合焊盘152相同的方式被电连接到第六发光单体P6的第一半导体层122。
根据又一个实施例，第八发光单体P8的阳极和第二发光单体P2 的阳极之间的任何一点可以用作第一结合焊盘152和第二结合焊盘 156A或者156B之间的(+)端子。例如，作为发光单体P8的阳极的第一节点N1、作为第五发光单体P5的阳极的第二节点N2或者作为第二发光单体P2的阳极的第三节点N3可以被用作(+)端子。当第三节点N3被用作(+)端子时，第二发光单体P2可以具有与第二电力单体 P9相同的第二平面形状，并且第二发光单体P2的连接焊盘154可以以与第二结合焊盘156A或156B相同的方式电连接到第二发光单体P2的第二半导体层126。
在图2、图3、图8和图9中图示的发光器件100A和100B的第一至第M发光单体P1至PM中的每一个发光单体在上面已经被描述为具有水平结合结构，但是实施例不限于此。也就是说，要注意的是，本实施例也可以应用于其中第一至第M发光单体中的每一个发光单体具有竖直结合或倒装芯片结合结构的情况。
根据实施例的多个发光器件封装件件可以被布置在基板上以形成阵列，并且诸如导光板、棱镜片和扩散片的光学构件可以被布置在发光器件封装件的光学路径上。发光器件封装件、基板和光学构件可以用作背光单元。
另外，可以实现包括根据实施例的包括发光器件封装件的显示装置、指示器装置和照明装置。
这里，显示装置可以包括底盖、被布置在底盖上的反射器、被构造成发射光的发光模块、被布置在反射器的前面以向前引导从发光模块发射的光的导光板、包括被布置在导光板的前面的棱镜片的光学片、被布置在光学片的前面的显示面板、连接到显示面板使得将图像信号供应到显示面板的图像信号输出电路以及被布置在显示面板的前面的滤色器。这里，底盖、反射器、发光模块、导光板和光学片可以组成背光单元。
另外，照明装置可以包括：光源模块，其具有基板和根据实施例的发光器件封装件；散热器，其被构造成从光源模块散发热量；以及电源单元，其被构造成处理或转换从外部提供的电信号以将该电信号供应到光源模块。例如，照明装置可以包括灯、前照灯或路灯。
前照灯可以包括：发光模块，其包括被布置在基板上的发光器件封装件；反射器，其将从发光模块发射的光在给定方向，例如，在向前方向上反射；透镜，其使由反射器反射的光向前折射，以及遮光罩，该遮光罩阻挡或反射已经由反射器反射并且直射到透镜的光中的一些光，从而实现由设计师期望的光分布图案。
尽管上面已经描述实施例，但是上面的描述仅作为示例给出，并且不意图限制本公开，并且对于本领域技术人员来说显而易见的是，在上面没有例示的各种修改和应用可以在不脱离实施例的基本特征的情况下被设计。例如，可以以各种方式修改实施例中描述的相应的组成器件。另外，与这些修改和变化相关联的不同应该被解释为包括在由所附权利要求限定的本公开的范围内。
[发明的模式]
在上面描述的“具体实施方式”中已经充分描述用于实现实施例的模式。
[工业适用性]
根据实施例的发光器件封装件可以被应用于显示装置、指示器装置和照明装置。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
衬底；
多个发光单体，所述多个发光单体被布置在所述衬底上从而彼此间隔开；以及
连接线，所述连接线被构造成将相邻的发光单体电互连，
其中所述发光单体中的每一个发光单体包括：
发光结构，所述发光结构包括被布置在所述衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；以及
第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别被构造成被电连接到所述第一半导体层和所述第二半导体层，
其中，所述发光器件还包括第二结合焊盘，所述第二结合焊盘被构造成电连接到所述第二电极，
其中，所述多个发光单体包括：
第一电力单体，所述第一电力单体被构造成经由所述第一电极接收第一电力；和
第二电力单体，所述第二电力单体被构造成经由所述第二电极接收第二电力，
其中，所述第一电力单体中的所述第一电极具有与所述第二电力单体中的所述第二电极的第二平面形状不同的第一平面形状，
其中，除了所述第一电力单体之外的所述发光单体中的每一个发光单体还包括多个接触孔，所述多个接触孔被构造成暴露所述发光结构中的所述第一半导体层，
其中，所述连接线包括：
连接本体，所述连接本体被构造成电连接到所述相邻的发光单体中的一个发光单体的所述第二电极；和
多个连接支路，所述多个连接支路从所述连接本体延伸，以便通过在所述相邻的发光单体中的剩余一个发光单体中包括的所述多个接触孔被电连接到所述第一半导体层，
其中，与除了所述第二电力单体之外的所述发光单体中的每一个发光单体连接的所述连接支路包括多个第一连接支路，所述多个第一连接支路在与所述发光结构的厚度方向交叉的第一方向上从所述连接本体延伸，并且所述多个第一连接支路被布置成在与所述第一方向和所述厚度方向中的每一个方向交叉的第二方向上彼此间隔开，
其中，与所述第二电力单体连接的所述连接支路包括：
第二连接支路，所述第二连接支路从所述连接本体延伸以便在所述第一方向和所述第二方向上布置；和
第三连接支路，所述第三连接支路从所述第二连接支路延伸以便在所述第一方向上布置，并且
其中，所述第三连接支路在平面图中被布置在所述第二电力单体的边缘上，使得所述第三连接支路被布置成在所述厚度方向上不与所述第二结合焊盘重叠。
2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述连接线和相邻的发光单体之间，以使所述连接线和所述相邻的发光单体彼此电绝缘。
3.根据权利要求2所述的发光器件，进一步包括：
第一结合焊盘，所述第一结合焊盘被电连接到所述第一电极；以及
第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述第一结合焊盘和所述第二电极之间，以使所述第一结合焊盘和所述第二电极彼此电绝缘。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第一电极通过多个第一通孔被连接到所述第一结合焊盘，所述多个第一通孔穿过所述第二绝缘层、所述第二半导体层和所述有源层，并且
其中所述第二电极通过多个第二通孔被连接到所述第二结合焊盘，所述多个第二通孔穿过所述第二绝缘层。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一平面形状包括以下方面中的至少一个：所述第一通孔的平面排列形式、所述第一通孔的数目、所述第一通孔中的每一个第一通孔的平面形状、在所述第一通孔之间的距离或者所述第一通孔中的每一个第一通孔的平面尺寸，并且
其中所述第二平面形状包括以下方面中的至少一个：所述第二通孔的平面排列形式、所述第二通孔的数目、所述第二通孔中的每一个第二通孔的平面形状、所述第二通孔之间的距离或者所述第二通孔中的每一个第二通孔的平面尺寸。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一平面形状中的所述第一通孔的数目和所述第二平面形状中的所述第二通孔的数目彼此不同。
7.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一平面形状中的所述第一通孔的数目和所述第二平面形状中的所述第二通孔的数目是相同的。
8.根据权利要求5或6所述的发光器件，其中所述第一平面形状中的所述第一通孔被排列在第一方向或第二方向中的至少一个方向上，所述第一方向或所述第二方向与所述发光结构的所述厚度方向交叉，并且
其中所述第一通孔被以恒定距离排列。
9.根据权利要求5或6所述的发光器件，其中所述第二平面形状中的所述第二通孔被排列在第一方向或第二方向中的至少一个方向上，所述第一方向或所述第二方向与所述发光结构的所述厚度方向交叉，并且
其中所述第二通孔被以恒定距离排列。
10.根据权利要求5至7中的任一项所述的发光器件，其中，所述连接线被构造成电连接到所述相邻的发光单体中的一个发光单体的所述第二半导体层，并且所述连接线被构造成通过所述相邻的发光单体中的剩余发光单体的所述接触孔被电连接到所述第一半导体层。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述多个接触孔被彼此平行地布置并且在与所述发光结构的所述厚度方向交叉的方向上彼此间隔开。
12.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述连接本体被构造成通过所述第一绝缘层与所述相邻的发光单体中的一个发光单体的所述发光结构的横向部分电间隔开，并且所述连接本体被构造成电连接到所述相邻的发光单体中的所述一个发光单体的所述第二电极。
13.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述连接支路中的每一个连接支路具有条状平面形状。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述第二通孔在所述方向上被排列在所述连接支路之间。
15.一种发光器件，包括：
衬底；
多个发光单体，所述多个发光单体被布置在所述衬底上从而彼此间隔开；以及
连接线，所述连接线被构造成将相邻的发光单体电互连，
其中所述发光单体中的每一个发光单体包括：
发光结构，所述发光结构包括被布置在所述衬底上的n型半导体层、有源层和p型半导体层；以及
n型电极和p型电极，所述n型电极和所述p型电极被构造成分别电连接到所述n型半导体层和所述p型半导体层，
其中，所述发光器件还包括被构造成电连接到所述p型电极的p型结合焊盘，
其中，所述多个发光单体包括：
负电力单体，所述负电力单体被构造成经由连接到所述n型电极的n型结合焊盘接收负电压；和
正电力单体，所述正电力单体被构造成经由连接到所述p型电极的所述p型结合焊盘接收正电压，
其中，除了所述负电力单体之外的所述发光单体中的每一个发光单体还包括多个接触孔，所述多个接触孔穿过所述p型半导体层和所述有源层以暴露所述n型半导体层，
其中，所述连接线被构造成通过所述多个接触孔被电连接到所述n型半导体层，
其中，所述连接线包括：连接本体，所述连接本体被构造成通过第一绝缘层与所述相邻的发光单体中的一个发光单体的所述发光结构的横向部分电间隔开，并且所述连接本体被构造成电连接到所述相邻的发光单体中的所述一个发光单体的所述p型电极；和多个连接支路，所述多个连接支路从所述连接本体延伸，以便通过在所述相邻的发光单体中的剩余一个发光单体中包括的所述多个接触孔被电连接到所述n型半导体层，
其中，与除了所述正电力单体之外的所述发光单体中的每一个发光单体连接的所述连接支路包括多个第一连接支路，所述多个第一连接支路在与所述发光结构的厚度方向交叉的第一方向上从所述连接本体延伸，并且所述多个第一连接支路被布置成在与所述第一方向和所述厚度方向中的每一个方向交叉的第二方向上彼此间隔开，
其中，与所述正电力单体连接的所述连接支路包括：
第二连接支路，所述第二连接支路从所述连接本体延伸以便在所述第一方向和所述第二方向上布置；和
第三连接支路，所述第三连接支路从所述第二连接支路延伸以便在所述第一方向上布置，并且
其中，所述第三连接支路在平面图中被布置在所述正电力单体的边缘上，使得与所述接触孔连接的所述第三连接支路被布置成在所述发光结构的所述厚度方向上不与所述p型结合焊盘重叠。
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