TWI677117B - 元件基板 - Google Patents
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Abstract
一種元件基板，其包括接收基板、微型發光元件、第一導線及第二導線。微型發光元件設置於接收基板上。微型發光元件包括第一型半導體層及第二型半導體層。第一型半導體層設置於接收基板上且具有遠離於接收基板的第一導線連接面。第二型半導體層設置於部份第一型半導體層上且具有遠離於接收基板的第二導線連接面。第一導線位於第一導線連接面上。第二導線位於第二導線連接面上。第一導線垂直投影於微型發光元件上的投影範圍及第二導線垂直投影於微型發光元件上的投影範圍至少部分重疊。
Description
本發明是有關於一種元件基板，且特別是有關於一種發光元件基板。
發光二極體（light emitting diode；LED）具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的主要照明光源。
因此，如何進一步提升發光二極體的發光效率，實已成目前亟欲解決的課題。
本發明提供一種元件基板，具有較佳的光取出效率（Light extraction efficiency）。
本發明提供一種元件基板，具有較佳的發光效率。
本發明提供一種元件基板，具有對稱性較佳的光場。
本發明提供一種元件基板。元件基板包括接收基板、微型發光元件、第一導線以及第二導線。微型發光元件設置於接收基板上。微型發光元件包括第一型半導體層以及第二型半導體層。第一型半導體層設置於接收基板上。第一型半導體層具有遠離於接收基板的第一導線連接面。第二型半導體層設置於第一型半導體層上。第二型半導體層具有遠離於該接收基板的第二導線連接面。第一導線位於第一導線連接面上。第二導線位於第二導線連接面上。第一導線垂直投影於微型發光元件上的投影範圍以及第二導線垂直投影於微型發光元件上的投影範圍至少部分重疊。
基於上述，微型發光元件所發出的光可以從至少三個側面射出。換句話說，元件基板具有較佳的光取出效率，而可以具有較佳的發光效率。另外，微型發光元件具有遠離缺角的第一側面，且第一導線與第二導線不覆蓋第一側面。因此，元件基板的光場的對稱性可以較佳。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。如本領域技術人員將認識到的，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例，而不脫離本發明的精神或範圍。
在附圖中，為了清楚起見，放大了各元件等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在“另一元件上”、或“連接到另一元件”、“重疊於另一元件”時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或 “直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電連接。
應當理解，儘管術語“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的“第一元件”、“部件”、“區域”、“層”、或“部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式“一”、“一個”和“該”旨在包括複數形式，包括“至少一”或“至少一個”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，術語“及/或”包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語“包括”及/或“包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外，諸如“下”或“底部”和“上”或“頂部”的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的“下”側的元件將被定向在其他元件的“上”側。因此，示例性術語“下”可以包括“下”和“上”的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件“下方”或“下方”的元件將被定向為在其它元件 “上方”。因此，示例性術語“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“約”、“實質上”、或“近似”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。
除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。
圖1A至圖1D是本發明的第一實施例的一種元件基板的部分製作方法的部分剖面示意圖。圖1E至圖1G是本發明的第一實施例的一種元件基板的部分製作方法的部分立體示意圖。圖1H是本發明的第一實施例的一種元件基板的部分上視示意圖。具體而言，圖1E可以是圖1A的立體示意圖，圖1F可以是圖1B的立體示意圖，圖1G可以是圖1D的立體示意圖，且圖1H可以是圖1D的上視示意圖。且為求清楚表示，如圖1A至圖1H中可能省略繪示了部分的模層。舉例而言，圖1G及圖1H中省略繪示了如圖1A至圖1D中的第一電極124、第二電極125及/或圖案化絕緣層130。
請參照圖1A及圖1E，提供接收基板110。接收基板110可以包括基底（未繪示於本實施例，但如圖3B或圖4B的基底111）以及位於基底上的元件層（未繪示於本實施例，但如圖3B或圖4B的元件層112），但本發明不限於此。
請參照圖1A及圖1E，提供微型發光元件120。微型發光元件120包括第一型半導體層121、發光區122以及第二型半導體層123。發光區122位於第一型半導體層121以及第二型半導體層123之間。第一型半導體層121具有第一導線連接面121a。第二型半導體層123具有第二導線連接面123a。
在本實施例中，第一型半導體層121為N型（N-type）半導體層，且第二型半導體層123為P型（P-type）半導體層，但本發明不限於此。在其他未繪示的實施例中，第一型半導體層121可以為P型半導體層，且第二型半導體層123為N型半導體層。N型（N-type）半導體層的材料例如是具有IVA族元素（如：矽）摻雜的N型氮化鎵（n-GaN），P型半導體層的材料例如是具有IIA族元素（如：鎂）摻雜的P型氮化鎵（p-GaN），但本發明不限於此。發光區122例如具有多層量子井（Multiple Quantum Well；MQW）結構。多重量子井結構包括以重複的方式交替設置的多個量子阱層（quantum well）和多個量子阻障層（quantum barrier）。進一步來說，發光區122的材料例如是包括交替堆疊的多層氮化銦鎵以及多層氮化鎵（InGaN/GaN），藉由設計發光區122中銦或鎵的比例，可使發光區122發出不同的發光波長範圍。第一型半導體層121、發光區122及第二型半導體層123例如可以有機金屬氣相沉積法（Metal-organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD）形成。值得注意的是，關於上述的第一型半導體層121、發光區122或第二型半導體層123的材質或形成方式僅為舉例，本發明並不以此為限。舉例來說，發光區122也可以為第一型半導體層121及第二型半導體層123所構成的發光介面（light emitting interface）。
在本實施例中，微型發光元件120可以更包括第一電極124，但本發明不限於此。第一電極124位於第一型半導體層121的第一導線連接面121a上。第一電極124電性連接至第一型半導體層121。基於導電性的考量，第一電極124一般是使用金屬材料，但本發明不限於此。
在本實施例中，微型發光元件120可以更包括第二電極125，但本發明不限於此。第二電極125位於第二型半導體層123的第二導線連接面123a上。第二電極125電性連接至第二型半導體層123。基於導電性的考量，第二電極125一般是使用金屬材料，但本發明不限於此。
在本實施例中，第一型半導體層121具有缺角121b。第一型半導體層121的缺角121b例如可以藉由載台蝕刻（mesa etching）製程而形成，但本發明不限於此。
在本實施例中，微型發光元件120具有頂面120a、底面120b、第一側面120c、第二側面120d、第三側面120e以及第四側面120f。頂面120a與底面120b彼此相對。第一側面120c與第二側面120d彼此相對。第三側面120e與第四側面120f彼此相對。第三側面120e與第四側面120f分別連接第一側面120c與第二側面120d的相對兩端。第一側面120c、第二側面120d、第三側面120e以及第四側面120f分別連接頂面120a與底面120b的不同的四個面。頂面120a基本上位於第二型半導體層123上及/或位於第二電極125上。底面120b基本上位於第一型半導體層121上。換言之，底面120b基本上可為第一型半導體層121與接收基板110接觸的表面，其也可被稱為第一型半導體層121的下表面。第二側面120d可以是自頂面120a延伸至底面120b的折面或曲面。也就是說，第二側面120d的一內凹處構成缺角121b，且第一側面120c遠離缺角121b。換句話說，第三側面120e與第四側面120f也可以具有類似階梯狀的形狀。
在本實施例中，部分的頂面120a可以為第二導線連接面123a，部分的第二側面120d可以為第一導線連接面121a，但本發明不限於此。
在本實施例中，第一型半導體層121的第一導線連接面121a與第二型半導體層123的第二導線連接面123a基本上面向實質上相同的方向。也就是說，在本實施例的微型發光元件120可以為水平式（lateral）的微型發光元件。
請繼續參照圖1A及圖1E，將微型發光元件120設置於接收基板110上。舉例而言，微型發光元件120是以其第一型半導體層121朝向接收基板110的方式配置於接收基板110上。
在一些未繪示的實施例中，微型發光元件120與接收基板110之間可以具有其他的膜層，但本發明不限於此。舉例而言，微型發光元件120與接收基板110之間可以具有黏著層（未繪示）。微型發光元件120與接收基板110之間可以藉由黏著層（未繪示）而彼此相接合。又舉例而言，微型發光元件120與接收基板110之間可以具有反射層（未繪示）。於上發光型（top emission type）的元件基板中，反射層（未繪示）可以提升實施例之元件基板的發光亮度。
請參照圖1B及圖1F，至少於第一導線連接面121a上形成第一導線140。舉例而言，第一導線140例如是將銀漿以網印的方式所形成，但本發明不加以限制。在其他實施例中，第一導線140也可以是先以物理氣相沉積（physical vapor deposition；PVD）等類似的方法形成導電層後，再以微影（photolithography）及蝕刻製程所形成。
在本實施例中，第一導線140可以位於第一電極124上，且第一電極124位於第一導線140與第一導線連接面121a之間。第一導線140不覆蓋第一側面120c。換言之，第一導線140較遠離第一側面120c，但較鄰近第二側面120d。第一導線140可以藉由第一電極124電性連接至第一型半導體層121的第一導線連接面121a。
在本實施例中，第一導線140可以覆蓋部分的第二側面120d、部分的第三側面120e或部分的第四側面120f其中至少一個側面，且延伸至接收基板110上。本發明之實施例，以第一導線140可以至少覆蓋部分的第二側面120d，且延伸至接收基板110上為範例，但本發明不限於此。
在一些實施例中，第一導線140可以電性連接至接收基板110，但本發明不限於此。
請參照圖1C，於微型發光元件120上形成圖案化絕緣層130。圖案化絕緣層130至少覆蓋部分的第一導線140及部分的第一型半導體層121。舉例而言，例如藉由化學氣相沈積法（chemical vapor deposition；PECVD）形成一絕緣材料層，絕緣材料層例如包含氮化矽層及/或氧化矽層或其它適宜的絕緣材料，並可以藉由蝕刻製程將絕緣材料層圖案化，以形成圖案化絕緣層130，但本發明不限於此。
在本實施例中，圖案化絕緣層130可以更覆蓋微型發光元件120的第一側面120c、頂面120a及/或第二側面120d，但本發明不限於此。若圖案化絕緣層130覆蓋於第二電極125上，則圖案化絕緣層130至少具有對應第二電極125的接觸孔（例如：第二接觸孔130a），以使後續形成或配置的電子元件可以藉由接觸孔（例如：第二接觸孔130a）電性連接至第二電極125。
在本實施例中，圖案化絕緣層130可為單層結構，但本發明並不限於此。在其他實施例中，圖案化絕緣層130也可為多層結構。圖案化絕緣層130之絕緣材料可為常用或適宜的絕緣材料。
在其他未繪示的實施例中，圖案化絕緣層130可以更覆蓋微型發光元件120的第三側面120e（繪示於圖1F）及/或第四側面120f（繪示於圖1F），但本發明不限於此。
請參照圖1D、圖1G及圖1H，至少於部份第二導線連接面123a與部份圖案化絕緣層130上形成第二導線150。如圖1H所示，在微型發光元件120垂直投影於接收基板110上的投影範圍內，第一導線140垂直投影於接收基板110上的投影範圍與第二導線150垂直投影於接收基板110上的投影範圍至少部分重疊。舉例而言，第二導線150例如是將銀漿以網印的方式所形成，但本發明不加以限制。在其他實施例中，第二導線150也可以是先以物理氣相沉積等類似的方法形成導電層後，再以微影及蝕刻製程所形成。圖案化絕緣層130至少位於第一導線140與第二導線150之間，以使第一導線140與第二導線150彼此分離。
在本實施例中，第二導線150可以位於第二電極125上，且第二電極125位於第二導線150與第二導線連接面123a之間。第二導線150不覆蓋第一側面120c。換言之，第二導線150較遠離第一側面120c，但較鄰近第二側面120d。第二導線150可以藉由第二電極125電性連接至第二型半導體層123的第二導線連接面123a。
在本實施例中，第二導線150可以覆蓋部分的第二側面120d、部分的第三側面120e或部分的第四側面120f其中至少一個側面，且延伸至接收基板110上，但本發明不限於此。換言之，第二導線150與第一導線140皆不覆蓋第一側面120c，且前述二者較佳地朝著實質上相同的方向延伸，但不限於此。於其它實施例中，第二導線150與第一導線140皆不覆蓋第一側面120c，且前述二者較佳地朝著不同的方向延伸。本發明之實施例，以第二導線150可以至少覆蓋部分的第二側面120d，且延伸至接收基板110上為範例，但本發明不限於此。
在一些實施例中，第二導線150可以電性連接至接收基板110，但本發明不限於此。
經過上述製程後即可大致上完成本實施例之元件基板100的製作。元件基板100包括接收基板110、微型發光元件120、第一導線140以及第二導線150。微型發光元件120設置於接收基板110上。微型發光元件120包括第一型半導體層121以及第二型半導體層123。第一型半導體層121設置於接收基板110上。第一型半導體層121具有遠離於接收基板110（例如：接收基板110內表面）的第一導線連接面121a。第二型半導體層123設置於部份第一型半導體層121上。第二型半導體層123具有遠離於接收基板110（例如：接收基板110內表面）的第二導線連接面123a。第一導線140位於第一導線連接面121a上。第二導線150位於第二導線連接面123a上。微型發光元件120垂直投影於接收基板110上的投影範圍，與第一導線140垂直投影於接收基板110上的投影範圍以及第二導線150垂直投影於接收基板110上的投影範圍至少部分重疊。因此，位於微型發光元件120上之第二導線150垂直投影於接收基板110上的投影範圍與第一導線140垂直投影於接收基板110上的投影範圍至少部分重疊。換言之，對於位在位於微型發光元件120上之第二導線150與第一導線140而言，第二導線150的延伸路徑較長於第一導線140的延伸路徑。
在本實施例中，微型發光元件120可更包括第一電極124以及第二電極125。第一電極124設置於第一導線140與第一導線連接面121a之間。第二電極125設置於第二導線150與第二導線連接面123a之間。然本發明並不以此為限，於另一變化實施例中第一導線140與第一導線連接面121a之間可不具有第一電極124，第二導線150與第二導線連接面123a之間可不具有第二電極125。於後續實施例或比較例中，微型發光元件皆具有第一電極與第二電極，然本發明並不以此為限。
在本實施例中，微型發光元件120具有第一側面120c、第二側面120d、第三側面120e以及第四側面120f。第一側面120c遠離缺角121b。第二側面120d相對於第一側面120c。部分的第二側面120d為第一導線連接面121a。第一導線140與該第二導線150至少覆蓋部分的第二側面120d。第一導線140與第二導線150皆不覆蓋第一側面120c。第三側面120e與第四側面120f分別連接第一側面120c與第二側面120d。
在本實施例中，微型發光元件120的第一型半導體層121具有缺角121b。第一導線連接面121a可位於缺角121b中。
在本實施例中，第一導線140與第二導線150覆蓋部分的第三側面120e與部分的第四側面120f，但本發明不限於此。
在本實施例中，元件基板100可更包括圖案化絕緣層130。圖案化絕緣層130至少位於第一導線140與第二導線150之間。
在本實施例中，圖案化絕緣層130包括接觸孔（例如：第二接觸孔130a）。第二導線150藉由接觸孔（例如：第二接觸孔130a）與第二型半導體層123電性連接。
一般而言，元件基板100整體的發光效率稱為元件的外部量子效率（external quantum efficiency；EQE），其為元件基板100的內部量子效率（internal quantum efficiency；IQE）與元件基板100的光取出效率（light extraction efficiency）的乘積。元件基板100的內部量子效率可以為元件基板100的電光轉換效率，主要與元件基板100中的發光元件（如：微型發光元件120）本身的特性如第一型半導體層121、第二型半導體層123及/或發光區122的能帶、缺陷、摻雜濃度及/或磊晶等相關。而元件基板100的光取出效率指的則是發光元件（如：微型發光元件120）內部於電光轉換後所產生的光子，在經過元件基板100內的元件的吸收、折射及/或反射後實際上在元件基板100外部可量測到的光子數目。換言之，元件基板100的光取出效率與元件基板100的元件配置方式及/或出光面積（light extraction area）等特性可能有關。
基於上述，在本實施例的元件基板100中，微型發光元件120垂直投影於接收基板110上的投影範圍，與第一導線140垂直投影於接收基板110上的投影範圍以及第二導線150垂直投影於接收基板110上的投影範圍至少部分重疊。因此，微型發光元件120所發出的光可以從至少三個側面（如：第一側面120c、至少部分的第三側面120e以及至少部分的第四側面120f）射出。換言之，微型發光元件120的發光面積較大於第一導線140以及第二導線150垂直投影於微型發光元件120上的重疊範圍，意即微型發光元件120之出光方向（例如：光強度較強或出光面積較大）不位於第一導線140以及第二導線150之間。因此，元件基板100可具有較佳的光取出效率，而可以具有較佳的發光效率。另外，微型發光元件120具有遠離缺角121b的第一側面120c，且第一導線140與第二導線150不覆蓋第一側面120c。因此，元件基板100的光場的對稱性可以較佳。
圖2是本發明的第二實施例的一種元件基板的部分剖面示意圖。在本實施例的元件基板200與第一實施例的元件基板100相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或形成方式，並省略描述。
在本實施例中，元件基板200包括第一圖案化絕緣層231以及第二圖案化絕緣層232。第一圖案化絕緣層231包括第一接觸孔231a。第二圖案化絕緣層232包括第二接觸孔232a。第一導線140藉由第一接觸孔231a與第一型半導體層121電性連接。第二導線150藉由第二接觸孔232a與第二型半導體層123電性連接。第二圖案化絕緣層232至少位於第一導線140與第二導線150之間。
在本實施例中，第一圖案化絕緣層231可以於形成於第一導線140之前。第二圖案化絕緣層232可以於形成於第一導線140之後，且形成於第二導線150之前。第一圖案化絕緣層231及/或第二圖案化絕緣層232的形成方式或材質可以實質上相同或不同於前述的圖案化絕緣層130，故於此不加以贅述。
圖3A是本發明的第三實施例的一種元件基板的部分上視示意圖。圖3B是本發明的第三實施例的一種元件基板的部分剖面示意圖。具體而言，圖3B可以是圖3A中A-A’剖線上的剖面示意圖。
在本實施例中，接收基板110可以包括基底111以及位於基底111上的元件層112。
基底111的材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是其他適宜的材質，但本發明不限於此。
元件層112可以包括主動元件T、對應的導線（如：掃描線、資料線、或其他合適的訊號線）、用於電性連接至其他電子元件（如：微型發光元件120）的連接墊、被動元件（未繪示）、或其它適宜的元件、或前述元件至少一者。舉例而言，主動元件T可以包括源極S、汲極D、閘極G以及通道CH。掃描線（未繪示）可以電性連接至閘極G。資料線（未繪示）可以電性連接至源極S。汲極D可以電性連接至連接墊113。連接墊113可用於接收主動元件T所傳遞的對應電壓。在本實施例中，主動元件T例如為電晶體。
在本實施例中，元件基板300可以包括多個微型發光元件120、320、361、362、371、372，且微型發光元件120、320、361、362、371、372可以藉由對應的第一導線140、341或對應的第二導線150、351、352的其中之一，以電性連接至接收基板110的對應主動元件T。
舉例而言，元件基板300可以包括微型發光元件120（於本實施例中可以被稱為第一微型發光元件120）及第二微型發光元件320。舉例而言，第二微型發光元件320包括另一第一型半導體層321、另一發光區322以及另一第二型半導體層323。發光區322位於第一型半導體層321以及第二型半導體層323之間。第一型半導體層321具有第三導線連接面321a。第二型半導體層323具有第四導線連接面323a。在本實施例中，第二微型發光元件320是以其第一型半導體層321朝向接收基板110的方式配置於接收基板110上。換句話說，第三導線連接面321a遠離於接收基板110，且第四導線連接面遠離323a於接收基板110。
在本實施例中，第一微型發光元件120的發光顏色與第二微型發光元件320的發光顏色可以相同或相似。也就是說，第二微型發光元件320的結構、材質、形狀或形成方式基本上相同或相似於第一微型發光元件120結構、材質、形狀或形成方式，但本發明不限於此。於其它實施例中，第一微型發光元件120的發光顏色不同第二微型發光元件320的發光顏色。也就是說，第二微型發光元件320的結構、材質、形狀或形成方式基本上不同於第一微型發光元件120結構、材質、形狀或形成方式。
在本實施例中，第一微型發光元件120的第二型半導體層123與第二微型發光元件320的第二型半導體層323可藉由同一個第二導線150電性連接至接收基板110的對應主動元件T。舉例而言，基本上具有相同發光顏色的第一微型發光元件120及第二微型發光元件320可以構成一個子畫素SP1。因此，若第一微型發光元件120及第二微型發光元件320的其中之一損壞、失效或效能低落，仍可藉由第一微型發光元件120及第二微型發光元件320的其中另一發出基本上相同顏色的光線，而可以提升元件基板300的顯示品質。
在本實施例中，第一微型發光元件120與第二微型發光元件320為鏡像排列。舉例而言，第一微型發光元件120與第二微型發光元件320可以實質上沿第一方向300a排列。第一微型發光元件120的第一側面120c與第二側面120d位於第一方向300a上。第二微型發光元件320的第一側面320c與第二側面320d位於第一方向300a上。第一微型發光元件120的第二側面120d與第二微型發光元件320的第二側面320d相鄰。第一微型發光元件120的第一側面120c與第二微型發光元件320的第一側面320c相互遠離。換言之，第一微型發光元件120的第二側面120d與第二微型發光元件320的第二側面320d皆位於第一微型發光元件120的第一側面120c與第二微型發光元件320的第一側面320c之間。
在本實施例中，元件基板300例如可以更包括第三微型發光元件361、第四微型發光元件362、第五微型發光元件371以及第六微型發光元件372。第三微型發光元件361與第四微型發光元件362的發光顏色可以相同或相似。第三微型發光元件361與第四微型發光元件362可以藉由同一個第二導線351電性連接至接收基板110的對應主動元件（未繪示）。換句話說，基本上具有相同發光顏色的第三微型發光元件361及第四微型發光元件362可以構成另一子畫素SP2。第五微型發光元件371與第六微型發光元件372的發光顏色可以相同或相似。第五微型發光元件371與第六微型發光元件372可以藉由同一個第二導線352電性連接至接收基板110的對應主動元件（未繪示）。換句話說，基本上具有相同發光顏色的第五微型發光元件371及第六微型發光元件372可以構成又一子畫素SP3。子畫素SP1、另一子畫素SP2以及又一子畫素SP3可以沿第二方向300b排列，且第二方向300b不同於第一方向300a。
在本實施例中，子畫素SP1、另一子畫素SP2以及又一子畫素SP3之間可以藉由對應的第一導線140、341而彼此電性連接。換句話說，第一導線140、341可以用以傳遞共通訊號。舉例而言，第一微型發光元件120、第三微型發光元件361及第五微型發光元件371藉由第一導線140而彼此電性連接，第二微型發光元件320、第四微型發光元件362及第六微型發光元件372藉由第一導線341而彼此電性連接。
在本實施例中，子畫素SP1、另一子畫素SP2以及又一子畫素SP3彼此之間的發光顏色可以不同。舉例而言，子畫素SP1的發光顏色可以是紅色，另一子畫素SP2的發光顏色可以是綠色，又一子畫素SP3的發光顏色可以是藍色，但本發明不限於此。
第一導線140的延伸方向不同於第二導線150的延伸方向。在本實施例中，第一導線140的延伸方向可以交錯（例如：實質上垂直）於第二導線150的延伸方向，但本發明不限於此。舉例而言，第一導線140基本上可以沿第一方向300a延伸，且第二導線150基本上可以沿第二方向300b延伸。
圖4A是本發明的第四實施例的一種元件基板的部分上視示意圖。圖4B是本發明的第四實施例的一種元件基板的部分剖面示意圖。具體而言，圖4B可以是圖4A中B-B’剖線上的剖面示意圖。本實施例的元件基板400與第三實施例的元件基板300相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或形成方式，並省略描述。
在本實施例中，第一微型發光元件120的第一型半導體層121與第二微型發光元件320的第一型半導體層121藉由同一個第一導線140電性連接至接收基板110的對應主動元件T。第三微型發光元件361與第四微型發光元件362可以藉由同一個第一導線441電性連接至接收基板110的對應主動元件（未繪示）。第五微型發光元件371與第六微型發光元件372可以藉由同一個第一導線442電性連接至接收基板110的對應主動元件（未繪示）。子畫素SP1、另一子畫素SP2以及又一子畫素SP3之間可以藉由對應的第二導線150、450而彼此電性連接。換句話說，第二導線150、450可以用以傳遞共通訊號。第一導線140基本上可以沿第二方向300b延伸，且第二導線150、450基本上可以沿第一方向300a延伸。
圖5A是本發明的第五實施例的一種元件基板的部分上視示意圖。圖5B是本發明的第五實施例的一種元件基板的部分剖面示意圖。具體而言，圖4B可以是圖4A中C-C’剖線上的剖面示意圖。本實施例的元件基板500與第三實施例的元件基板300相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或形成方式，並省略描述。
元件層112可以包括第一主動元件T1、第二主動元件T2、被動元件（未繪示）、對應的導線（如：掃描線、資料線或其他類似的訊號線）或用於電性連接至其他電子元件（如：微型發光元件120）的連接墊。
第一主動元件T1及/或第二主動元件T2可以實質上相同或不同於前述實施例的主動元件T（繪示於圖3B或圖4B）。舉例而言，第一主動元件T1可以包括源極S1、汲極D1、閘極G1以及通道CH1，第二主動元件T2可以包括源極S2、汲極D2、閘極G2以及通道CH2。一掃描線（未繪示）可以電性連接至閘極G1，另一掃描線（未繪示）可以電性連接至閘極G2。一資料線（未繪示）可以電性連接至源極S1，另一資料線（未繪示）可以電性連接至源極S2。汲極D1可以電性連接至一連接墊113a，汲極D2可以電性連接至另一連接墊113b。連接墊113a可用於接收第一主動元件T1所傳遞的對應電壓，連接墊113b可用於接收第二主動元件T2所傳遞的對應電壓。
在本實施例中，元件基板500可以包括多個微型發光元件120、520、361、562、371、572。微型發光元件120、520、361、562、371、572可以藉由對應的第一導線140、541或對應的第二導線150、551、552、553、554、555的其中之一，以電性連接至接收基板110的對應主動元件。
舉例而言，元件基板500可以包括微型發光元件120（於本實施例中可以被稱為第一微型發光元件120）及第二微型發光元件520。舉例而言，第二微型發光元件520包括另一第一型半導體層521、另一發光區522以及另一第二型半導體層523。發光區522位於第一型半導體層521以及第二型半導體層523之間。第一型半導體層521具有第三導線連接面521a。第二型半導體層523具有第四導線連接面523a。在本實施例中，第二微型發光元件520是以其第一型半導體層521朝向接收基板110的方式配置於接收基板110上。換句話說，第三導線連接面521a遠離於接收基板110，且第四導線連接面遠離523a於接收基板110。
在本實施例中，第一微型發光元件120的發光顏色與第二微型發光元件520的發光顏色可以相同或相似。也就是說，第二微型發光元件520的結構、材質、形狀或形成方式基本上相同或相似於第一微型發光元件120結構、材質、形狀或形成方式，但本發明不限於此。在其他實施例中，第一微型發光元件120的發光顏色與第二微型發光元件520的發光顏色可以不同。
在本實施例中，第一微型發光元件120的第二型半導體層123可以藉由一第二導線150電性連接至接收基板110的對應的第一主動元件T1，第二微型發光元件520的第二型半導體層523可以藉由另一第二導線553電性連接至接收基板110的對應的第二主動元件T2。
在本實施例中，第一微型發光元件120的第二側面120d與第二微型發光元件520的另一第二側面520d彼此面向相同的方向。舉例而言，第一微型發光元件120與第二微型發光元件520可以沿第一方向300a排列。第一微型發光元件120的第一側面120c與第二側面120d位於第一方向300a上。第二微型發光元件520的第一側面520c與第二側面520d位於第一方向300a上。第一微型發光元件120的第二側面120d與第二微型發光元件520的第一側面520c相鄰。第一微型發光元件120的第一側面120c與第二微型發光元件520的第二側面520d相互遠離。換言之，第二微型發光元件520的第一側面520c位於第一微型發光元件120的第二側面120d與第二微型發光元件520的第二側面520d之間。
在本實施例中，元件基板500例如可以更包括第三微型發光元件361、第四微型發光元件562、第五微型發光元件371以及第六微型發光元件572。第三微型發光元件361可以藉由第二導線551電性連接至接收基板110的對應主動元件（未繪示），第四微型發光元件562可以藉由第二導線554電性連接至接收基板110的對應主動元件（未繪示），第五微型發光元件371可以藉由第二導線552電性連接至接收基板110的對應主動元件（未繪示），第六微型發光元件572可以藉由第二導線555電性連接至接收基板110的對應主動元件（未繪示）。
在本實施例中，第一微型發光元件120、第三微型發光元件361及第五微型發光元件371可以藉由第一導線140而彼此電性連接，第二微型發光元件520、第四微型發光元件562及第六微型發光元件572可以藉由第一導線541而彼此電性連接。換句話說，第一導線140、541可以用以傳遞共通訊號。
圖6A是本發明的第六實施例的一種元件基板的部分上視示意圖。圖6B是本發明的第六實施例的一種元件基板的部分剖面示意圖。具體而言，圖6B可以是圖4A中D-D’剖線上的剖面示意圖。本實施例的元件基板600與第五實施例的元件基板500相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或形成方式，並省略描述。
在本實施例中，第一微型發光元件120的第一型半導體層121可以藉由一第一導線140電性連接至接收基板110的對應的第一主動元件T1，第二微型發光元件520的第一型半導體層521可以藉由另一第一導線643電性連接至接收基板110的對應的第二主動元件T2。
在本實施例中，元件基板600例如可以更包括第三微型發光元件361、第四微型發光元件562、第五微型發光元件371以及第六微型發光元件572。第三微型發光元件361可以藉由第一導線641電性連接至接收基板110的對應主動元件（未繪示），第四微型發光元件562可以藉由第一導線644電性連接至接收基板110的對應主動元件（未繪示），第五微型發光元件371可以藉由第一導線642電性連接至接收基板110的對應主動元件（未繪示），第六微型發光元件572可以藉由第一導線645電性連接至接收基板110的對應主動元件（未繪示）。
在本實施例中，第一微型發光元件120、第三微型發光元件361及第五微型發光元件371可以藉由第二導線150而彼此電性連接，第二微型發光元件520、第四微型發光元件562及第六微型發光元件572可以藉由第二導線650而彼此電性連接。換句話說，第二導線150、650可以用以傳遞共通訊號。
在下列的比較例與第一實施例中，例如可以是以本領域常用的光學模擬軟體對不同的元件基板進行照度及光場進行模擬。
圖7A是本發明的第一比較例的部分元件基板於上視狀態下的光場模擬示意圖。圖7B是本發明的第一比較例的部分元件基板於上視狀態下的不同角度的不同視角下的光場比較圖。圖7C是本發明的第一比較例的元件基板的部分上視示意圖。圖8A是本發明的第二比較例的部分元件基板於上視狀態下的光場模擬示意圖。圖8B是本發明的第二比較例的部分元件基板於上視狀態下的不同角度的不同視角下的光場比較圖。圖8C是本發明的第二比較例的元件基板的部分上視示意圖。圖9A是本發明的第一實施例的部分元件基板（如：如1H所示的元件基板100）於上視狀態下的光場模擬示意圖。圖9B是本發明的第一實施例的部分元件基板於上視狀態下的不同角度的不同視角下的光場比較圖。
第一實施例第一比較例可以是在如7C所示的上視狀態下，對第一比較例的元件基板700的其中一個微型發光元件120的光場進行模擬。第二比較例可以是在如8C所示的上視狀態下，對第二比較例的元件基板800的其中一個微型發光元件120的光場進行模擬。第一實施例中可以是對本發明第一實施例的一種元件基板100，在如1H所示的上視狀態下，對其中一個微型發光元件120進行照度及光場進行模擬。並且，第一比較例的元件基板700的微型發光元件120的上視出光區域面積、第二比較例的元件基板800的微型發光元件120的上視出光區域面積與第一實施例的元件基板（如：如1H所示的元件基板100）的微型發光元件120的上視出光區域面積基本上相同。
[第一比較例與第一實施例之間的比較]
請參照圖7C，在第一比較例的元件基板700中，於微型發光元件120垂直投影於接收基板110上的投影範圍內，第一導線740垂直投影於微型發光元件120的投影範圍與第二導線750垂直投影於微型發光元件120上的投影範圍不重疊。換言之，第一比較例的元件基板700之微型發光元件120之出光方向（例如：光強度較強或出光面積較大）位於第一導線740以及第二導線750之間。
請同時參照圖7A與圖9A。圖7A是本發明的第一比較例的部分元件基板700於上視狀態下的照度模擬示意圖。圖9A是本發明的第一實施例的部分元件基板100於上視狀態下的照度模擬示意圖。於圖7A與圖9A中，不同的灰度（Gray scale）代表不同的照度，其中白色代表照度最大處，黑色代表照度最小處。
如圖7A與圖9A所示，相較圖7A，圖9A的光場具有較佳的對稱性。
具體而言，如圖7B與圖9B所示，其中圖7B為圖7A於不同角度（如：於圖7A中所繪示之約0°、約45°、約90°及約135°）下的不同視角下的光場比較圖，圖9B為圖9A於不同角度（如：於圖9A中所繪示之約0°、約45°、約90°及約135°）下的不同視角下的光場比較圖。在圖7B與圖9B中，橫軸為視角的角度，且縱軸為相對照度。
如圖7B與圖9B所示，相較圖7B，圖9B的光場顯然具有較佳的對稱性。也就是說，相較於比較例的元件基板700，本發明的元件基板的光場顯然具有較佳的對稱性。
[第二比較例與第一實施例之間的比較]
請參照圖8C，在第二比較例的元件基板800中，於微型發光元件120垂直投影於接收基板110上的投影範圍內，第一導線840垂直投影於接收基板110上的投影範圍不重疊於第二導線850垂直投影於接收基板110上的投影範圍。換言之，第二比較例的元件基板800之微型發光元件120之出光方向（例如：光強度較強或出光面積較大）位於第一導線840以及第二導線850之間。圖8C的元件基板800中，與第一實施例的差別在於第二導線850是透過導電膠（舉例而言，異方性導電膜）連接對向基板訊號，因此圖8C的第二導線850不覆蓋微型發光元件120的側面。
請同時參照圖8A與圖9A。圖8A是本發明的第二比較例的部分元件基板800於上視狀態下的照度模擬示意圖。圖9A是本發明的第一實施例的部分元件基板100於上視狀態下的照度模擬示意圖。於圖8A與圖9A中，不同的灰度（Gray scale）代表不同的照度，其中白色代表照度最大處，黑色代表照度最小處。
如圖8A與圖9A所示，相較圖8A，圖9A的光場具有較佳的對稱性。
具體而言，如圖8B與圖9B所示，其中圖8B為圖8A於不同角度（如：於圖7A中所繪示之約0°、約45°、約90°及約135°）下的不同視角下的光場比較圖，圖9B為圖9A於不同角度（如：於圖9A中所繪示之約0°、約45°、約90°及約135°）下的不同視角下的光場比較圖。在圖8B與圖9B中，橫軸為視角的角度，且縱軸為相對照度。
如圖8B與圖9B所示，相較圖8B，圖9B的光場顯然具有較佳的對稱性。也就是說，相較於比較例的元件基板800，本發明的元件基板的光場顯然具有較佳的對稱性。
前述實施例之微型發光元件（如：微型發光元件120）之尺寸例如小於100微米，較佳地，小於50微米，但大於0微米。微型發光元件可例如是有機發光元件或無機發光元件，較佳地，可為無機發光元件，但不限於此。微型發光元件之結構可為P-N二極體、P-I-N二極體、或其它合適的結構。微型發光元件之類型可以是水平式微型發光元件或者是覆晶式微型發光元件。微型發光元件可為有機材料（例如：有機高分子發光材料、有機小分子發光材料、有機配合物發光材料、或其它合適的材料、或前述材料之組合）、無機材料（例如：鈣鈦礦材料、稀土離子發光材料、稀土螢光材料、半導體發光材料、或其它合適的材料、或前述材料之組合）、或其它合適的材料、或前述材料之組合。
前述實施例中，主動元件（如：主動元件T、第一主動元件T1或第二主動元件T2）可採用薄膜電晶體（TFT），例如底閘型電晶體、頂閘型電晶體、立體型電晶體、或其它合適類型的電晶體。底閘型的電晶體之閘極（如：閘極G、G1、G2）位於通道（如：通道CH、CH1、CH2）之下方，頂閘型電晶體之閘極位於通道之上方，而立體型電晶體之通道延伸非位於一平面。通道（如：通道CH、CH1、CH2）可為單層或多層結構，且其材料包含非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、多晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料、奈米碳管/桿、鈣鈦礦材料、或其它合適的材料或前述之組合。
此外，可將前述實施例之主動元件（如：主動元件T、第一主動元件T1或第二主動元件T2）、另一主動元件（未繪示）與電容（未繪示）簡稱為二個主動元件與一個電容（可表示為2T1C）。於其他實施例中，每個子畫素（例如：子畫素SP1、SP2、SP3）的主動元件與電容之個數可依設計變更，而可例如被簡稱為三個主動元件和一個或兩個電容（可表示為3T1C/2C）、四個主動元件和一個或兩個電容（可表示為4T1C/2C）、五個主動元件和一個或兩個電容（可表示為5T1C/2C）、六個主動元件和一個或兩個電容（可表示為6T1C/2C）、或是其他適合的電路配置。
綜上所述，本發明的元件基板中，微型發光元件垂直投影於接收基板上的投影範圍，與第一導線垂直投影於接收基板上的投影範圍以及第二導線垂直投影於接收基板上的投影範圍至少部分重疊。因此，微型發光元件所發出的光可以從至少三個側面射出。換句話說，元件基板具有較佳的光取出效率，而可以具有較佳的發光效率。另外，微型發光元件具有遠離缺角的第一側面，且第一導線與第二導線不覆蓋第一側面。因此，元件基板的光場的對稱性可以較佳。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300、400、500、600、700‧‧‧元件基板
110‧‧‧接收基板
111‧‧‧基底
112‧‧‧元件層
T‧‧‧主動元件
T1‧‧‧第一主動元件
T2‧‧‧第二主動元件
S、S1、S2‧‧‧源極
D、D1、D2‧‧‧汲極
G、G1、G2‧‧‧閘極
CH、CH1、CH2‧‧‧通道
113、113a、113b‧‧‧連接墊
120‧‧‧微型發光元件
120a‧‧‧頂面
120b‧‧‧底面
120c、520c‧‧‧第一側面
120d、520d‧‧‧第二側面
120e‧‧‧第三側面
120f‧‧‧第四側面
121、321‧‧‧第一型半導體層
121a‧‧‧第一導線連接面
121b‧‧‧缺角
321a‧‧‧第三導線連接面
122、322‧‧‧發光區
123、323‧‧‧第二型半導體層
123a‧‧‧第二導線連接面
323a‧‧‧第四導線連接面
124‧‧‧第一電極
125‧‧‧第二電極
130‧‧‧圖案化絕緣層
130a‧‧‧第二接觸孔
231‧‧‧第一圖案化絕緣層
231a‧‧‧第一接觸孔
232‧‧‧第二圖案化絕緣層
232a‧‧‧第二接觸孔
140、341、541、641、642、643、644、645、740、840‧‧‧第一導線
150、351、352、450、551、552、553、554、555、650、750、850‧‧‧第二導線
320、520‧‧‧第二微型發光元件
321‧‧‧第一型半導體層
321a‧‧‧第一導線連接面
322‧‧‧發光區
323‧‧‧第二型半導體層
323a‧‧‧第二導線連接面
361‧‧‧第三微型發光元件
362、562‧‧‧第四微型發光元件
371‧‧‧第五微型發光元件
372、572‧‧‧第六微型發光元件
SP1、SP2、SP3‧‧‧子畫素
300a‧‧‧第一方向
300b‧‧‧第二方向
圖1A至圖1D是本發明的第一實施例的一種元件基板的部分製作方法的部分剖面示意圖。 圖1E至圖1G是本發明的第一實施例的一種元件基板的部分製作方法的部分立體示意圖。 圖1H是本發明的第一實施例的一種元件基板的部分上視示意圖。 圖2是本發明的第二實施例的一種元件基板的部分剖面示意圖。 圖3A是本發明的第三實施例的一種元件基板的部分上視示意圖。 圖3B是本發明的第三實施例的一種元件基板的部分剖面示意圖。 圖4A是本發明的第四實施例的一種元件基板的部分上視示意圖。 圖4B是本發明的第四實施例的一種元件基板的部分剖面示意圖。 圖5A是本發明的第五實施例的一種元件基板的部分上視示意圖。 圖5B是本發明的第五實施例的一種元件基板的部分剖面示意圖。 圖6A是本發明的第六實施例的一種元件基板的部分上視示意圖。 圖6B是本發明的第六實施例的一種元件基板的部分剖面示意圖。 圖7A是本發明的第一比較例的部分元件基板於上視狀態下的光場模擬示意圖。 圖7B是本發明的第一比較例的部分元件基板於上視狀態下的不同角度的不同視角下的光場模擬比較圖。 圖7C是本發明的第一比較例的元件基板的部分上視示意圖。 圖8A是本發明的第二比較例的部分元件基板於上視狀態下的光場模擬示意圖。 圖8B是本發明的第二比較例的部分元件基板於上視狀態下的不同角度的不同視角下的光場模擬比較圖。 圖8C是本發明的第二比較例的元件基板的部分上視示意圖。 圖9A是本發明的第一實施例的部分元件基板於上視狀態下的光場模擬示意圖。 圖9B是本發明的第一實施例的部分元件基板於上視狀態下的不同角度的不同視角下的光場模擬比較圖。
Claims (12)
- 一種元件基板，包括：一接收基板；一微型發光元件，設置於該接收基板上，且該微型發光元件包括：一第一型半導體層，設置於該接收基板上，且具有遠離於該接收基板的一第一導線連接面，其中該第一型半導體層具有一缺角，且該第一導線連接面位於該缺角中；以及一第二型半導體層，設置於部份該第一型半導體層上，且具有遠離於該接收基板的一第二導線連接面；一第一導線，位於該第一導線連接面上；以及一第二導線，位於該第二導線連接面上，其中該第一導線垂直投影於該微型發光元上的投影範圍以及該第二導線垂直投影於該微型發光元上的投影範圍至少部分重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述的元件基板，其中該微型發光元件更包括：一第一電極，設置於該第一導線與該第一導線連接面之間；以及一第二電極，設置於該第二導線與該第二導線連接面之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的元件基板，更包括：一圖案化絕緣層，至少位於該第一導線與該第二導線之間。
- 如申請專利範圍第3項所述的元件基板，其中該圖案化絕緣層包括一第一接觸孔與一第二接觸孔，其中該第一導線藉由該第一接觸孔與該第一型半導體層電性連接，該第二導線藉由該第二接觸孔與該第二型半導體層電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的元件基板，其中該微型發光元件具有：一第一側面，遠離該缺角；一第二側面，相對於該第一側面，且部分的該第二側面為該第一導線連接面，其中該第一導線與該第二導線至少覆蓋部分的該第二側面且該第一導線與該第二導線不覆蓋該第一側面；以及一第三側面與一第四側面，分別連接該第一側面與該第二側面的相對兩端。
- 如申請專利範圍第5項所述的元件基板，其中該第一導線與該第二導線覆蓋部分之該第三側面與該第四側面。
- 如申請專利範圍第5項所述的元件基板，更包括：一第二微型發光元件，該第二微型發光元件包括：一另一第一型半導體層，設置於該接收基板上，且具有遠離於該接收基板的一第三導線連接面；以及一另一第二型半導體層，設置於部份該另一第一型半導體層上，且具有遠離於該接收基板的一第四導線連接面。
- 如申請專利範圍第7項所述的元件基板，其中該另一第一型半導體層具有另一缺角，且該第二微型發光元件具有：一另一第一側面，遠離該缺角；以及一另一第二側面，相對於該另一第一側面，且部分的該另一第二側面為該第三導線連接面，其中該第三導線與該第四導線至少覆蓋部分的該另一第二側面且該第三導線與該第四導線不覆蓋該另一第一側面。
- 如申請專利範圍第8項所述的元件基板，更包括一主動元件設置於該接收基板，其中該第一微型發光元件與該第二微型發光元件係沿一第一方向排列，該第一側面與該第二側面係位於該第一方向上，且該第一微型發光元件與該第二微型發光元件為鏡像排列，且該第一微型發光元件與該第二微型發光元件與該主動元件電性連接。
- 如申請專利範圍第9項所述的元件基板，其中該第一導線連接該第三導線連接面，該第一導線與該主動元件電性連接，且該第二導線係用以傳遞一共通訊號。
- 如申請專利範圍第9項所述的元件基板，其中該第二導線連接該第四導線連接面，該第二導線與該主動元件電性連接，且該第一導線係用以傳遞一共通訊號。
- 如申請專利範圍第8項所述的元件基板，更包括一第一主動元件與一第二主動元件設置於該接收基板，其中該第一微型發光元件與該第二微型發光元件係沿一第一方向排列，且該第一側面與該第二側面係位於該第一方向上，且該第一微型發光元件的該第二側面與該第二微型發光元件該另一第一側面相鄰，且與該第二微型發光元件的該另一第二側面相互遠離，且該第一微型發光元件與該第一主動元件電性連接、該第二微型發光元件與該第二主動元件電性連接。
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