WO2016192939A1 - Anzeigevorrichtung mit einer mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer bildpunkte - Google Patents

Anzeigevorrichtung mit einer mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer bildpunkte Download PDF

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WO2016192939A1
WO2016192939A1 PCT/EP2016/060554 EP2016060554W WO2016192939A1 WO 2016192939 A1 WO2016192939 A1 WO 2016192939A1 EP 2016060554 W EP2016060554 W EP 2016060554W WO 2016192939 A1 WO2016192939 A1 WO 2016192939A1
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contacts
display device
semiconductor layer
contact structure
pixel
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PCT/EP2016/060554
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Alexander Pfeuffer
Dominik Scholz
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • a display device is indicated.
  • a display device is indicated.
  • the display device comprises a plurality of separately operable pixels, which a
  • Semiconductor layer sequence has, for example, a first one
  • the display device can be, for example, a light-emitting diode, in particular a thin-film light-emitting diode, which is free of light
  • the display device extends in a vertical direction between a first main plane and a second main plane, wherein the vertical direction may extend transversely or perpendicular to the first and / or second main plane.
  • the main levels may be, for example, the
  • Main extension levels on the top surface and the bottom surface of the display device act.
  • the display device is extended in the lateral direction, that is, for example at least in places, parallel to the main planes, and has a thickness in the vertical direction that is small opposite to a maximum extent of the display device in the lateral direction.
  • the semiconductor layer sequence contains
  • III-V compound semiconductor materials are for ultraviolet radiation generation
  • Al x In y Ga x - y P in particular for yellow to red radiation
  • Al x In y Ga x - y As infrared
  • spectral range are particularly suitable.
  • the active layer is disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
  • the first semiconductor layer may be a p-doped semiconductor layer and the second semiconductor layer may be an n-doped semiconductor layer.
  • Pixels preferably from a common
  • Pixel associated semiconductor layers ie a
  • the display device has a carrier.
  • the carrier may have a plurality of switches which are each assigned to the respective pixel for controlling at least one pixel.
  • Carrier can mechanically stabilize the semiconductor layer sequence, for example.
  • the first main plane is located, for example, on the side of the semiconductor layer sequence facing away from the carrier.
  • the second main plane is exemplified on the side facing away from the semiconductor layer sequence of the carrier.
  • the display device comprises a second contact structure for
  • the first contact structure is arranged, for example, between the semiconductor layer sequence and the carrier.
  • the first contact structure is in particular electrically conductively connected to the first semiconductor layer.
  • Contact structure is the first semiconductor layer from the second main level ago electrically contacted.
  • the first contact structure consists of a metallic layer or a metallic layer stack.
  • the first contact structure has an optical Mirror effect.
  • the first exists
  • a layer thickness of the first contact structure is between 50 nm and 500 nm.
  • TCO transparent conductive oxide
  • this consists of a material such as ITO, SnO, ZnO, or has such.
  • a layer thickness of such a layer is less than 100 nm.
  • a dielectric or a dielectric layer stack may be arranged between the transparent conductive oxide layer and the metallic layer or the metallic layer stack.
  • this or these consists of SiO 2 or has SiO 2.
  • a layer thickness thereof is between 100 nm and 1000 nm.
  • Dielectric or the dielectric layer stack may for example have recesses, in particular
  • the second contact structure is also, for example, between the carrier and the semiconductor layer sequence
  • the second contact structure is in particular electrically conductive with the second semiconductor layer
  • the second contact structure is the second Semiconductor layer from the second main level ago electrically contacted.
  • the first contact structure and / or the second contact structure or at least one sub-layer thereof are, for example, reflective, in particular with regard to the radiation generated during operation of the display device.
  • the first contacts each extend laterally uninterrupted along the first
  • the first contacts each define one pixel laterally.
  • the first contacts may be in this context
  • the first contacts are electrically connected to the respective switch.
  • the first contacts contact the first
  • Direction limits the lateral contour of each one of the first contacts each one pixel.
  • a lateral extent of a pixel is through a lateral extent of a respective first contact
  • the first contacts are assigned in each case in particular to a pixel for controlling the pixel,
  • Semiconductor layer sequence and the first contact structure at least one with respect to a respective pixel laterally adjacent recess on.
  • the at least one recess extends through the first contact structure, the first semiconductor layer and the active layer into the second semiconductor layer.
  • the at least one recess extends transversely or perpendicularly from the second main plane to the first main plane.
  • the at least one recess interrupts in particular the first contact structure.
  • Recess extends in a lateral direction, in particular in a region of an optical separation between the individual pixels in plan view of the display device.
  • the optical separation is in particular a lateral separation of the individual pixels, the
  • Display device can be perceived directly and / or measured by suitable magnification and / or at least indirectly, for example in the form of an elevated
  • Contact structure second contacts on. The second contacts extend from one of the first contact structure
  • the second contacts contact the second one
  • the second contacts can in particular be electrically in the form of each other be connected to a common electrode of the display device.
  • the second contacts are in particular of the first
  • the display device may have a separating structure that electrically separates the second contacts from the first contacts and / or the first semiconductor layer.
  • the separating structure limits the at least one recess laterally for this purpose.
  • the second contacts completely fill the at least one recess laterally delimited by the separating structure.
  • the second contacts cover the separation structure and the second
  • a contacting of the second semiconductor layer by means of the second contacts extends in particular in the region of the optical separation between the individual pixels in plan view of the display device.
  • the optical separation between the pixels can thus in particular with the
  • the separating structure consists for example of a partially or completely transparent dielectric, for example of silicon oxide and / or silicon nitride and / or aluminum oxide.
  • a reflection can take place directly dependent on the angle in the form of total reflection on the dielectric, or on the background radiation behind it with respect to a beam path of the radiation generated during operation
  • Metal layer of the second contact structure instead.
  • the second contact structure is for this purpose advantageously formed of a highly reflective material, such as silver.
  • Display device with a plurality of separately operable pixels a semiconductor layer sequence for generating electromagnetic radiation.
  • Semiconductor layer sequence comprises a first semiconductor layer, an active layer and a second semiconductor layer.
  • the display device further comprises a first one
  • Contact structure has separately operable first contacts, each extending laterally uninterrupted along the first semiconductor layer.
  • the first contacts each define a pixel laterally with their contour.
  • the semiconductor layer sequence and the first contact structure have at least one recess adjoining laterally with respect to a respective pixel, which extends into the second semiconductor layer through the first contact structure, the first semiconductor layer and the active layer.
  • the second contact structure has second contacts extending from one of the first contact structure
  • a ratio of radiating area of the display device to non-radiating surface can thus be kept particularly high, so that a high
  • interruption-free illumination of the respective pixels allows.
  • it can be a
  • the first and second contacts are respectively in direct contact with the first and second semiconductor layers.
  • Contacts contact the respective semiconductor layers electrically, in particular directly.
  • the first contacts and the first semiconductor layer adjoin each other laterally in a flat manner.
  • the second contacts extend through a respective recess into the second semiconductor layer.
  • at least one pixel is associated with a plurality of second contacts, which the
  • the plurality of second contacts are in particular adjacent to the at least one Pixel laterally.
  • Pixel occurs by energizing the
  • Edge region of the pixels can be assigned to a single pixel multiple redundant second contacts.
  • At least one of the second contacts is arranged laterally adjacent to a plurality of adjacent pixels and designed to contact the plurality of adjacent pixels.
  • the at least one second contact is assigned in each case to the plurality of adjacent pixels.
  • a plurality of pixels can thus be operated by means of a single contact.
  • a space requirement for contacting the pixels can be kept so low, so that to a high ratio of radiating surface of the
  • Display device is contributed to non-radiating surface.
  • the pixels are arranged laterally separated in a grid.
  • the pixels are arranged here, for example, in rows and transversely or perpendicularly arranged columns, the rows and columns are each separated by dividers.
  • the dividers of the lateral separation also run along the Lines and transversely or vertically arranged columns.
  • the lateral separation forms a grid, which
  • Lattice points or nodes of the grid encloses.
  • the pixels are in other words with respect to the grid in particular formed by the dividers
  • Pixels are arranged optically separated in plan view of the display device. At least one of the second contacts is disposed on a node of the grid.
  • a lateral separation of the pixels does not necessarily have to be along straight lines. On the contrary, the lateral separation can also result in pixels having at least partially curved or bent sides.
  • one of the second contacts is arranged on each node of the grid.
  • the respective second contact is thus in an optical separating web between the pixels
  • Display device can be kept uninterrupted and with maximum size.
  • the respective second contact can adjoin a plurality of pixels laterally, corresponding to a nodal point of the grating, for example, four pixels in a regular rectangular grid. This makes it possible to operate a particularly large number of adjacent pixels with only one respective second contact.
  • a second contact is arranged between two nodes adjacent to one column and / or one row in each case.
  • the respective second contact is arranged between two nodes adjacent to one column and / or one row in each case.
  • one of the second contacts is arranged on every second laterally successive node of the grid.
  • the display device so free of redundant second
  • At least one of the second contacts associated with a pixel is attached to a lateral edge region of the display device
  • the respective second concludes Contact so flush with the lateral edge of the
  • Display device has a substantially flat surface
  • a lateral is
  • respective pixel associated second contacts The lateral extent of the second contacts can vary both in shape and in size.
  • a second contact associated with a respective pixel is laterally adjacent, in particular, to the respective pixel. An operation of the respective pixel takes place by an energization via the pixel associated with the second contacts and the
  • a brightness of the individual pixels is influenced by a current flow through the respective associated first and second contacts.
  • the current flow through the contacts depends in particular on a cross-sectional area of the respective contacts.
  • a number may be one pixel
  • associated second contacts can be reduced compared to other pixels of the display device, so that by simultaneous enlargement of the pixel associated with the second contacts in comparison to the other pixels of the display device associated second contacts
  • At least one of the second contacts which is associated with a pixel, which at a lateral edge region of the display device
  • respective second contact is offset towards a lateral interior of the display device.
  • the respective second contact is offset laterally towards the interior of the display device such that the respective second contact is flush with the edge, or at least a lateral protrusion of the respective second contact with respect to the transition region around the
  • the respective second contact can in this case be arranged, for example, on the aforementioned grid with respect to one
  • Node of the grid may be laterally offset.
  • this contributes to a high level of process reliability in the production of the display device.
  • a lateral is
  • Extension of a respective second contact in the vertical direction vary.
  • the respective second contact and / or the respective recess may be conical or cone-shaped.
  • the lateral extent of the respective recess and / or of the respective second contact is increased towards the second main plane.
  • a lateral boundary of a pixel assigned to the respective second contact is then, for example
  • Pixel generated radiation is contributed.
  • At least one of the second contacts encloses a pixel laterally.
  • Radiation in the region of the pixel in particular with regard to a perceptible brightness of the pixel.
  • the second one is
  • Figure 1 shows a first embodiment of a
  • Figure 2 shows a second embodiment of
  • FIG. 1 A first exemplary embodiment of a display device 1 with a plurality of pixels 1a, 1b, 1c which can be operated separately from one another is shown in FIG.
  • the display device 1 extends in the lateral direction, for example beyond the section shown, as indicated by the dashed lines of the pixels la, lc.
  • the display device 1 comprises a
  • Semiconductor layer sequence 3 which is a first semiconductor layer 31, provided for generating radiation active
  • the display device 1 extends in vertical
  • the first main plane 10a may in particular be a radiation exit surface of the
  • the active layer 33 is between the first
  • Semiconductor layer 31 is in particular p-type, and the second semiconductor layer 35 is n-type.
  • first contact structure 51 Directly adjacent to the surface of the first semiconductor layer 31 extends a first contact structure 51, which enables electrical contacting of the first semiconductor layer 31.
  • the first contact structure 51 is interrupted by a plurality of vertically extending through the display device 1 recesses 7a, 7b.
  • the first contact structure 51 is subdivided into a plurality of first contacts 51a, 51b, 51c, which are electrically
  • a lateral extent of the first contacts 51a, 51b, 51c corresponds to one
  • the first contacts 51a, 51b, 51c contact the first one
  • Semiconductor layer 31 electrically from the second main plane 10b of the display device 1 ago and allow a
  • the first contacts 51a, 51b, 51c is assigned in each case to one of the picture elements 1a, 1b, 1c for the separate operation of the respective picture element 1a, 1b, 1c.
  • the recesses 7a, 7b are arranged in a region of a respective optical separating web 7x between the pixels 1a, 1b, 1c, in particular within the separating webs 7x.
  • the first contacts 51a, 51b, 51c associated with a respective pixel 1a, 1b, 1c are thus planar
  • the recesses 7a, 7b extend further in the vertical direction from the first contact structure 51 through the first semiconductor layer 31 and the active layer 33. As shown in FIG. 1, the recesses 7a, 7b can further extend into the second semiconductor layer 35.
  • the recesses 7a, 7b are laterally separated by an electrically insulating separation structure 53
  • the separating structure 53 also extends in the lateral direction on a side facing the second main plane 10b along the first contact structure 51.
  • a second contact structure 55 likewise extends in the lateral direction on a side facing the second main plane 10b along the separating structure 53.
  • the second contact structure 55 is, for example, by means of the
  • Separation structure 53 is electrically separated from the first contact structure 51.
  • the second contact structure 55 forms second contacts 55a, 55b, which extend into the recesses 7a, 7b towards the second semiconductor layer 35.
  • the second contacts 55a, 55b contact the second one
  • Semiconductor layer 35 electrically from the second main plane 10b of the display device 1 ago and allow a
  • the second contacts 55a, 55b may in particular be connected to one another electrically.
  • one of the second contacts 55a, 55b can in each case be associated with one of the picture elements 1a, 1b, 1c for operating the respective picture element 1a, 1b, 1c. Furthermore, in each case one of the second contacts 55a, 55b may in each case also be associated with more than one of the pixels 1a, 1b, 1c for operating the respective pixels 1a, 1b, 1c. Furthermore, in each case more than one of the second contacts 55a, 55b may each be associated with one and / or in each case more than one of the pixels 1a, 1b, 1c in order to operate the respective one
  • lateral sectional view of a separation of the second contact structure 55 by the separation structure 53 takes place in the paper plane, for example.
  • FIG. 1 A second embodiment of the display device 1 according to the first embodiment is shown in FIG.
  • the display device 1 additionally comprises a carrier 9.
  • Carrier 9 may, for example, a mechanical
  • the carrier 9 comprises a further one for this purpose
  • Separation structure 91 which electrically separates the first contact structure 51 and second contact structure 55 from each other.
  • the carrier further comprises separately operable switches 93a, 93b, 93c, each electrically connected to one of the first contacts 51a, 51b, 51c.
  • a third to tenth embodiment of the display device 1 are shown in a schematic plan view. For simplified representation, several vertical sectional planes are shown in the paper plane. In particular, an arrangement of the first contact structure 51 and second contact structure 55 is shown, wherein a number, shape, size and position of the first contacts 51a, 51b, 51c and the second contacts 55a, 55b in the following
  • the pixels 1a, 1b, 1c are arranged in a lattice-like manner separated from one another.
  • the pixels la, lb, lc correspond in their lateral extent substantially to the first contacts 51a, 51b, 51c.
  • the grid 100 is For example, a uniform grid, in particular a uniformly rectangular grid.
  • the grid comprises nodes 100x, in each of which a column and a row of the grid 100 intersect.
  • Lines and columns of the grid in particular form the optical separating webs 7x between the individual pixels 1a, 1b, 1c.
  • one of the second contacts 55a, 55b is arranged on the nodes 10000.
  • each pixel la, lb, lc is assigned four adjoining second contacts 55a, 55b, which provide redundant energization of the second semiconductor layer 35 (see FIG. 1) in the region of the respective pixel la, lb, lc enable.
  • the current flow is uniform with respect to the respective pixel la, lb, lc from all four sides, so that a uniform luminance distribution of the pixels la, lb, lc is made possible.
  • one of the second contacts 55a, 55b is also assigned to four adjacent pixels 1a, 1b, 1c, so that no redundant current is present despite redundant current supply of the second semiconductor layer 35 in the region of the respective pixels 1a, 1b, 1c
  • the first contacts 51a, 51b, 51c are, for example
  • the first contacts 51a, 51b, 51c can then also be referred to as a "contact mirror” or “mirror surface”. be designated.
  • the first contacts 51a, 51b, 51c are rectangular by way of example
  • the second contacts 55a, 55b are for example in
  • pixels 1a, 1b, 1c are likewise arranged in the form of lattices separated from one another. A lateral extent of the
  • Recesses 7a, 7b are dimensioned so large in the region of the first contacts 51a, 51b, 51c, that a lateral
  • the reduced lateral extent of the first contacts 55a, 55b is advantageously small in comparison to a contacting of the second semiconductor layer 35 arranged centrally with respect to the respective pixels 1a, 1b, 1c.
  • the first contacts 51a, 51b, 51c can be in this case
  • the fifth embodiment differs from the previous embodiments three and four by a number of the second contacts 55a, 55b.
  • each pixel la, lb, lc are only two second
  • Associated contacts 55a, 55b Deviating from this may distinguish a number of the second contacts 55a, 55b associated with each pixel 1a, 1b, 1c.
  • only one second contact 55a, 55b could be assigned to each pixel 1a, 1b, 1c.
  • a second contact 55a, 55b could be arranged only on a node of every second row and every second column.
  • the recesses 7a, 7b form, for example, a common recess which extends continuously into the
  • Semiconductor layer sequence 3 extends. By way of example, this recess is etched into the semiconductor layer sequence 3.
  • the second contacts 55a, 55b form in this recess, for example, a continuous second contact structure 55 which laterally surrounds the respective pixels 1a, 1b, 1c.
  • a lateral edge region 10c of the display device 1 is shown. Unlike the previous ones
  • Embodiments three to six are associated with pixels 1a, 1b, 1c adjoining the lateral edge region 10c, only two of the second contacts 55a, 55b, or associated with only one of the second contacts 55a, 55b in a lateral corner of the display device 1a. Due to a mechanical sensitivity of the second
  • the second contacts 55a, 55b are parallel to the lateral edge portion 10c
  • the second contacts 55a, 55b may also have a contiguous frame
  • Form display device 1 This allows a
  • Edge region 10c as well as a uniform energization and homogeneous brightness of the pixels la, lb, lc in
  • the ninth embodiment in contrast to the previous embodiments, seven and eight in the lateral edge portion 10 c of the display device 1 are the second contacts 55 a, 55 b toward an interior of the display device 1
  • Display device 1 arranged laterally offset.
  • Embodiment a shape and size of the lateral
  • Contacts 55a, 55b are in particular towards the edge region 10c enlarged in comparison to the second contacts 55a, 55b in the lateral interior of the display device 1.

Landscapes

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Abstract

Es wird eine Anzeigevorrichtung (1) mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte (1a, 1b, 1c) angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (3) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung umfasst. Die Halbleiterschichtenfolge (3) weist eine erste Halbleiterschicht (31), eine aktive Schicht (33) und eine zweite Halbleiterschicht (35) auf. Die Anzeigevorrichtung (1) umfasst ferner eine erste Kontaktstruktur (51) zur Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht (31) und eine zweite Kontaktstruktur (55) zur Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht (35). Die erste Kontaktstruktur (51) weist getrennt voneinander betreibbare erste Kontakte (51a, 51b, 5c) auf, die sich jeweils lateral unterbrechungsfrei entlang der ersten Halbleiterschicht (31) erstrecken. Die ersten Kontakte (51a, 51b, 51c) begrenzen jeweils mit ihrer Kontur einen Bildpunkt (1a, 1b, 1c) lateral. Die Halbleiterschichtenfolge (3) und die erste Kontaktstruktur (51) weisen mindestens eine bezüglich eines jeweiligen Bildpunkts (1a, 1b, 1c) lateral angrenzende Ausnehmung (7a, 7b) auf, die sich durch die erste Kontaktstruktur (51), die erste Halbleiterschicht (31) und die aktive Schicht (33) hindurch in die zweite Halbleiterschicht (35) hinein erstreckt. Die zweite Kontaktstruktur (55) weist zweite Kontakte (55a, 55b) auf, die sich von einer der ersten Kontaktstruktur (51) zugewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) durch die mindestens eine Ausnehmung (7a, 7b) erstrecken.

Description

Beschreibung
Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte
Es wird eine Anzeigevorrichtung angegeben.
Es ist eine Aufgabe, eine Anzeigevorrichtung anzugeben, die einen besonders zuverlässigen, effizienten Betrieb der
Anzeigevorrichtung erlaubt.
Es wird eine Anzeigevorrichtung angegeben. Insbesondere umfasst die Anzeigevorrichtung eine Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte, welche eine
Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von
elektromagnetischer Strahlung umfasst. Die
Halbleiterschichtenfolge weist zum Beispiel eine erste
Halbleiterschicht, eine aktive Schicht und eine zweite
Halbleiterschicht auf. Bei der Anzeigevorrichtung kann es sich beispielsweise um eine Leuchtdiode, insbesondere um eine Dünnfilm-Leuchtdiode handeln, welche frei von einem
Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge ist.
Die Anzeigevorrichtung erstreckt sich in einer vertikalen Richtung zwischen einer ersten Hauptebene und einer zweiten Hauptebene, wobei die vertikale Richtung quer oder senkrecht zur ersten und/oder zweiten Hauptebene verlaufen kann. Bei den Hauptebenen kann es sich beispielsweise um die
Haupterstreckungsebenen an der Deckfläche und der Bodenfläche der Anzeigevorrichtung handeln. Die Anzeigevorrichtung ist in lateraler Richtung, also zum Beispiel zumindest stellenweise parallel zu den Hauptebenen flächig ausgedehnt und weist in der vertikalen Richtung eine Dicke auf, die klein ist gegenüber einer maximalen Erstreckung der Anzeigevorrichtung in lateraler Richtung.
Beispielsweise enthält die Halbleiterschichtenfolge,
insbesondere die aktive Schicht, ein III-V-Verbindungs-
Halbleitermaterial . III-V-Verbindungs-Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im ultravioletten
(Alx Iny Gai-x-y N) über den sichtbaren (Alx Iny Gai-x-y N,
insbesondere für blaue bis grüne Strahlung, oder
Alx Iny Gai-x-y P, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung) bis in den infraroten (Alx Iny Gai-x-y As) Spektralbereich besonders geeignet. Hierbei gilt jeweils O ^ x ^ l, O ^ y ^ l und x + y < 1, insbesondere mit x ¥= 1 , y ¥= 1, x ^ O und/oder y + 0. Mit III-V-Verbindungs-Halbleitermaterialien,
insbesondere aus den genannten Materialsystemen, können weiterhin bei der Strahlungserzeugung hohe interne
Quanteneffizienzen erzielt werden.
Die aktive Schicht ist zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Die erste
Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht weisen zweckmäßigerweise voneinander verschiedene Leitungstypen auf. Insbesondere kann es sich bei der ersten Halbleiterschicht um eine p-dotierte Halbleiterschicht handeln und bei der zweiten Halbleiterschicht um eine n-dotierte Halbleiterschicht.
Bei der Herstellung der Anzeigevorrichtung gehen die
Bildpunkte vorzugsweise aus einer gemeinsamen
Halbleiterschichtenfolge hervor. Die einem jeweiligen
Bildpunkt zugeordneten Halbleiterschichten, also ein
lateraler Bereich der Halbleiterschichtenfolge, der den
Bildpunkt bildet, können bezüglich ihrer
Materialzusammensetzung und ihrer Schichtdicken abgesehen von herstellungsbedingten Schwankungen identisch zu
Halbleiterschichten sein, die einem weiteren Bildpunkt der Anzeigevorrichtung zugeordnet sind. Beispielsweise weist die Anzeigevorrichtung einen Träger auf. Der Träger kann beispielsweise eine Mehrzahl von Schaltern aufweisen, die jeweils zur Steuerung von zumindest einem Bildpunkt dem jeweiligen Bildpunkt zugeordnet sind. Der
Träger kann die Halbleiterschichtenfolge beispielsweise mechanisch stabilisieren.
Die erste Hauptebene befindet sich beispielhaft auf der dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge.
Entsprechend befindet sich die zweite Hauptebene beispielhaft auf der der Halbeiterschichtenfolge abgewandten Seite des Trägers .
In zumindest einer Ausführungsform umfasst die
Anzeigevorrichtung eine erste Kontaktstruktur zur
Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht. Ferner umfasst die Anzeigevorrichtung eine zweite Kontaktstruktur zur
Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht.
Die erste Kontaktstruktur ist beispielsweise zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Träger angeordnet. Die erste Kontaktstruktur ist insbesondere elektrisch leitend mit der ersten Halbleiterschicht verbunden. Mittels der ersten
Kontaktstruktur ist die erste Halbleiterschicht von der zweiten Hauptebene her elektrisch kontaktierbar .
Beispielsweise besteht die erste Kontaktstruktur aus einer metallischen Schicht oder einem metallischen Schichtenstapel. Bevorzugt besitz die erste Kontaktstruktur eine optische Spiegelwirkung. Beispielhaft besteht die erste
Kontaktstruktur aus einem Material wie AI, Ag, Au, oder Rh, oder weist ein solches Material auf. Insbesondere ist eine Schichtdicke der ersten Kontaktstruktur zwischen 50nm und 500nm.
Zusätzlich oder alternativ ist zwischen der
Halbleiterschichtenfolge und der metallischen Schicht bzw. dem metallischen Schichtenstapel eine transparente leitfähige Oxid (TCO) Schicht eingebracht. Beispielhaft besteht diese aus einem Material wie ITO, SnO, ZnO, oder weist ein solches auf. Insbesondere ist eine Schichtdicke einer solchen Schicht kleiner als lOOnm. Zusätzlich kann zwischen der transparenten leitfähigen Oxid Schicht und der metallischen Schicht bzw. dem metallischen Schichtenstapel ein Dielektrikum oder ein dieleketrischer Schichtenstapel angeordnet sein. Beispielhaft besteht diese bzw. dieser aus Si02 oder weist Si02 auf. Insbesondere ist eine Schichtdicke hiervon zwischen lOOnm und lOOOnm. Das
Dielektrikum bzw. der der dielektrische Schichtenstapel kann beispielsweise Ausnehmungen aufweisen, insbesondere
vereinzelt. Somit ist eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der transparenten leitfähigen Oxid Schicht und der metallischen Schicht bzw. dem metallischen Schichtenstapel gegeben .
Die zweite Kontaktstruktur ist beispielsweise ebenfalls zwischen dem Träger und der Halbleiterschichtenfolge
angeordnet. Die zweite Kontaktstruktur ist insbesondere elektrisch leitend mit der zweiten Halbleiterschicht
verbunden. Mittels der zweiten Kontaktstruktur ist die zweite Halbleiterschicht von der zweiten Hauptebene her elektrisch kontaktierbar .
Die erste Kontaktstruktur und/oder die zweite Kontaktstruktur oder zumindest eine Teilschicht davon sind beispielsweise reflektierend ausgebildet, insbesondere im Hinblick auf die im Betrieb der Anzeigevorrichtung erzeugte Strahlung.
In zumindest einer Ausführungsform weist die erste
Kontaktstruktur getrennt voneinander betreibbare erste
Kontakte auf. Die ersten Kontakte erstrecken sich jeweils lateral unterbrechungsfrei entlang der ersten
Halbleiterschicht. Mit ihrer Kontur begrenzen die ersten Kontakte jeweils einen Bildpunkt lateral.
Den ersten Kontakten kann in diesem Zusammenhang
beispielsweise jeweils ein Schalter zugeordnet sein zur
Steuerung von zumindest einem Bildpunkt. Insbesondere sind die ersten Kontakte elektrisch mit dem jeweiligen Schalter verbunden. Die ersten Kontakte kontaktieren die erste
Halbleiterschicht jeweils getrennt voneinander elektrisch. In einer Draufsicht der Anzeigevorrichtung in vertikaler
Richtung begrenzt die laterale Kontur jeweils eines der ersten Kontakte jeweils einen Bildpunkt. In anderen Worten ist eine laterale Erstreckung eines Bildpunkts durch eine laterale Erstreckung eines jeweiligen ersten Kontakts
gebildet. Die ersten Kontakte sind insbesondere jeweils einem Bildpunkt zur Steuerung des Bildpunkts zugeordnet,
insbesondere eineindeutig zugeordnet.
In zumindest einer Ausführungsform weisen die
Halbleiterschichtenfolge und die erste Kontaktstruktur mindestens eine bezüglich eines jeweiligen Bildpunkts lateral angrenzende Ausnehmung auf. Die mindestens eine Ausnehmung erstreckt sich durch die erste Kontaktstruktur, die erste Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch in die zweite Halbleiterschicht hinein.
Insbesondere erstreckt sich die mindestens eine Ausnehmung von der zweiten Hauptebene quer oder senkrecht hin zu der ersten Hauptebene. Die mindestens eine Ausnehmung unterbricht hierbei insbesondere die erste Kontaktstruktur.
Beispielsweise sind mittels der mindestens einen Ausnehmung jeweils lateral aufeinanderfolgende erste Kontakte
voneinander elektrisch getrennt. Die mindestens eine
Ausnehmung erstreckt sich in lateraler Richtung insbesondere in einem Bereich einer optischen Trennung zwischen den einzelnen Bildpunkten in Draufsicht der Anzeigevorrichtung. Bei der optischen Trennung handelt es sich insbesondere um eine laterale Trennung der einzelnen Bildpunkte, die
beispielsweise durch einen Betrachter in Draufsicht der
Anzeigevorrichtung direkt wahrgenommen werden kann und/oder durch geeignete Vergrößerung messbar ist und/oder zumindest indirekt beispielsweise in Form eines erhöhten
Schärfeeindrucks durch den Betrachter in Draufsicht
wahrgenommen werden kann. In zumindest einer Ausführungsform weist die zweite
Kontaktstruktur zweite Kontakte auf. Die zweiten Kontakte erstrecken sich von einer der ersten Kontaktstruktur
zugewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge durch die mindestens eine Ausnehmung.
Die zweiten Kontakte kontaktieren die zweite
Halbleiterschicht jeweils elektrisch. Dabei können die zweiten Kontakte insbesondere miteinander elektrisch in Form einer gemeinsamen Elektrode der Anzeigevorrichtung verbunden sein .
Die zweiten Kontakte sind insbesondere von der ersten
Halbleiterschicht elektrisch isoliert. In diesem Zusammenhang kann die Anzeigevorrichtung eine Trennstruktur aufweisen, die die zweiten Kontakte von den ersten Kontakten und/oder der ersten Halbleiterschicht elektrisch trennt. Beispielsweise begrenzt die Trennstruktur die mindestens eine Ausnehmung hierzu lateral. Beispielsweise füllen die zweiten Kontakte die durch die Trennstruktur lateral begrenzte mindestens eine Ausnehmung vollständig aus. Alternativ dazu bedecken die zweiten Kontakte die Trennstruktur und die zweite
Halbleiterschicht an einer Stirnfläche der mindestens einen Ausnehmung, füllen die jeweilige Ausnehmung also insbesondere nicht vollständig aus.
Eine Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht mittels der zweiten Kontakte erstreckt sich insbesondere in dem Bereich der optischen Trennung zwischen den einzelnen Bildpunkten in Draufsicht der Anzeigevorrichtung. Die optische Trennung zwischen den Bildpunkten kann also insbesondere mit der
Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht kombiniert werden. Beispielsweise kann die Trennstruktur in diesem
Zusammenhang reflektierend ausgebildet sein, insbesondere im Hinblick auf die im Betrieb der Anzeigevorrichtung erzeugte Strahlung. Die Trennstruktur besteht beispielsweise aus einem teilweise oder vollständig transparenten Dielektrikum, beispielsweise aus Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid und/oder Aluminiumoxid. Beispielsweise kann so eine Reflexion winkelabhängig in Form von Totalreflexion an dem Dielektrikum direkt stattfinden, oder an der bezüglich eines Strahlengangs der im Betrieb erzeugten Strahlung dahinter liegenden Metallschicht der zweiten Kontaktstruktur statt. Die zweite Kontaktstruktur ist hierzu in vorteilhafterweise aus einem hochreflektierendem Material ausgebildet, wie beispielsweise Silber .
In zumindest einer Ausführungsform umfasst die
Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte eine Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung. Die
Halbleiterschichtenfolge weist eine erste Halbleiterschicht, eine aktive Schicht und eine zweite Halbleiterschicht auf.
Die Anzeigevorrichtung umfasst ferner eine erste
Kontaktstruktur zur Kontaktierung der ersten
Halbleiterschicht und eine zweite Kontaktstruktur zur
Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht. Die erste
Kontaktstruktur weist getrennt voneinander betreibbare erste Kontakte auf, die sich jeweils lateral unterbrechungsfrei entlang der ersten Halbleiterschicht erstrecken. Die ersten Kontakte begrenzen jeweils mit ihrer Kontur einen Bildpunkt lateral .
Die Halbleiterschichtenfolge und die erste Kontaktstruktur weisen mindestens eine bezüglich eines jeweiligen Bildpunkts lateral angrenzende Ausnehmung auf, die sich durch die erste Kontaktstruktur, die erste Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch in die zweite Halbleiterschicht hinein erstreckt. Die zweite Kontaktstruktur weist zweite Kontakte auf, die sich von einer der ersten Kontaktstruktur
zugewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge durch die mindestens eine Ausnehmung erstrecken. Dies ermöglicht eine besonders vorteilhafte laterale
Flächenausnutzung der Anzeigevorrichtung, bei der ein
Trenngraben zwischen den einzelnen Bildpunkten der ersten Kontaktstruktur und der ersten Halbleiterschicht als
Durchgangs-Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht genutzt wird. Ein Verhältnis von strahlender Fläche der Anzeigevorrichtung zu nicht-strahlender Fläche kann so besonders hoch gehalten werden, so dass zu einer hohen
Effizienz der Anzeigevorrichtung beigetragen wird. Des
Weiteren wird durch Kontaktierung in einem lateralen
Randbereich bezüglich der einzelnen Bildpunkte ein
unterbrechungsfreies Leuchtbild der jeweiligen Bildpunkte ermöglicht. Insbesondere kann dabei eine
kontaktierungsbedingt dunkel wahrnehmbare Stelle innerhalb eines Bildpunkts vermieden werden. Ferner wird eine
redundante Kontaktierung der Bildpunkte ermöglicht, so dass zu einer Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung beigetragen wird . In zumindest einer Ausführungsform sind die ersten und zweiten Kontakte jeweils in direktem Kontakt zu den ersten und zweiten Halbleiterschichten. Die ersten und zweiten
Kontakte kontaktieren die jeweiligen Halbleiterschichten elektrisch insbesondere unmittelbar. Beispielsweise grenzen die ersten Kontakte und die erste Halbleiterschicht lateral flächig unmittelbar aneinander an. Beispielsweise erstrecken sich die zweiten Kontakte durch eine jeweilige Ausnehmung hindurch in die zweite Halbleiterschicht hinein. In zumindest einer Ausführungsform sind wenigstens einem Bildpunkt mehrere zweite Kontakte zugeordnet, die den
jeweiligen Bildpunkt redundant kontaktieren. Die mehreren zweiten Kontakte grenzen insbesondere an den wenigstens einen Bildpunkt lateral an. Ein Betrieb des wenigstens einen
Bildpunkts erfolgt durch Bestromung der
Halbleiterschichtenfolge über die mehreren, dem Bildpunkt zugeordneten zweiten Kontakte und den jeweiligen ersten
Kontakt.
Durch Anordnung der zweiten Kontakte in einem lateralen
Randbereich der Bildpunkte können einem einzigen Bildpunkt mehrere redundante zweite Kontakte zugeordnet sein. Ein
Ausfall eines der mehreren zweiten Kontakte kann so besonders einfach kompensiert werden. Dies trägt zu einer hohen
Ausbeute bei Herstellung der Anzeigevorrichtung sowie deren hohen Ausfallsicherheit bei. In zumindest einer Ausführungsform ist zumindest einer der zweiten Kontakte an mehrere benachbarte Bildpunkte lateral angrenzend angeordnet und zur Kontaktierung der mehreren benachbarten Bildpunkte ausgebildet. In anderen Worten ist der zumindest eine zweite Kontakt jeweils den mehreren benachbarten Bildpunkten zugeordnet. In vorteilhafter Weise können mittels eines einzigen Kontakts so mehrere Bildpunkte betrieben werden. Ein Flächenbedarf zur Kontaktierung der Bildpunkte kann so gering gehalten werden, so dass zu einem hohen Verhältnis von strahlender Fläche der
Anzeigevorrichtung zu nicht-strahlender Fläche beigetragen wird .
In zumindest einer Ausführungsform sind die Bildpunkte lateral gitterförmig getrennt angeordnet. Die Bildpunkte sind hierbei beispielsweise in Zeilen und quer oder senkrecht dazu angeordneten Spalten angeordnet, wobei die Zeilen und Spalten jeweils von Trennstegen getrennt werden. Die Trennstege der lateralen Trennung verlaufen dabei ebenfalls entlang der Zeilen und quer oder senkrecht dazu angeordneten Spalten. Die Laterale Trennung bildet dabei ein Gitter, welches
beispielsweise an Kreuzungspunkten der Trennstege
Gitterpunkte bzw. Knotenpunkte des Gitters umschließt. Die Bildpunkte sind in anderen Worten bezüglich des Gitters insbesondere in durch die Trennstege gebildeten
Zwischenräumen des Gitters angeordnet. Das heißt, die
Bildpunkte sind in Draufsicht der Anzeigevorrichtung optisch getrennt angeordnet. Wenigstens einer der zweiten Kontakte ist auf einem Knotenpunkt des Gitters angeordnet.
Beispielsweise können die Bildpunkte nach Art eines
regelmäßigen mehreckigen Gitters getrennt angeordnet sein. Eine laterale Trennung der Bildpunkte muss dabei nicht notwendigerweise entlang gerade verlaufender Linien erfolgen. Vielmehr können durch die laterale Trennung auch Bildpunkte mit zumindest bereichsweise gekrümmt oder geknickten Seiten entstehen. Beispielsweise können die Bildpunkte als
kreisförmige Punkte wahrgenommen werden. In vorteilhafter Weise ist eine Ansteuerung gitterförmig getrennt angeordneter Bildpunkte vereinfacht. Ferner kann eine Darstellung von Formen, Figuren oder Zeichen mittels der Anzeigevorrichtung präzise und flexibel erfolgen. In zumindest einer Ausführungsform ist auf jedem Knotenpunkt des Gitters einer der zweiten Kontakte angeordnet. In
vorteilhafter Weise ist der jeweilige zweite Kontakt somit in einem optischen Trennsteg zwischen den Bildpunkten
angeordnet, so dass eine strahlende Fläche der
Anzeigevorrichtung unterbrechungsfrei und mit maximaler Größe gehalten werden kann. Insbesondere kann der jeweilige zweite Kontakt bei Anordnung korrespondierend zu einem Knotenpunkt des Gitters lateral an mehrere Bildpunkte angrenzen, beispielsweise an vier Bildpunkte bei einem regelmäßigen rechteckigen Gitter. Dies ermöglicht es, eine besonders hohe Anzahl an benachbarten Bildpunkten mit dem lediglich einen jeweiligen zweiten Kontakt zu betreiben.
In zumindest einer Ausführungsform ist jeweils ein zweiter Kontakt zwischen zwei bezüglich jeweils einer Spalte und/oder bezüglich jeweils einer Zeile benachbarten Knotenpunkten angeordnet. Somit ist der jeweilige zweite Kontakt
beispielsweise jeweils zwei Bildpunkten zugeordnet.
In zumindest einer Ausführungsform ist auf jedem zweiten lateral aufeinanderfolgenden Knotenpunkt des Gitters einer der zweiten Kontakte angeordnet. In vorteilhafter Weise kann die Anzeigevorrichtung so frei von redundanten zweiten
Kontakten betrieben werden, so dass eine besonders hohe
Flächenausnutzung der Anzeigevorrichtung ermöglicht ist.
Abweichend hiervon ist es ebenfalls denkbar, dass auf jedem x. lateral aufeinanderfolgenden Knotenpunkt des Gitters einer der zweiten Kontakte angeordnet ist, wobei x eine beliebige natürliche Zahl sein kann. In anderen Worten können auch Bruchteile der Knotenpunkte, die von 1 und 0.5 verschieden sind, mit zweiten Kontakten belegt werden.
In zumindest einer Ausführungsform ist wenigstens einer der zweiten Kontakte, der einem Bildpunkt zugeordnet ist welcher an einen lateralen Randbereich der Anzeigevorrichtung
angrenzt, sich parallel entlang des Randbereichs erstreckend ausgebildet. Dies trägt zu einer gleichmäßigen Kontur der Anzeigevorrichtung und einer Prozesssicherheit bei
Herstellung der Anzeigevorrichtung bei. Beispielsweise können dabei mechanische Schwachstellen der Anzeigevorrichtung, insbesondere im Hinblick auf einen Vereinzelungsprozess , vermieden werden. Beispielhaft schließt der jeweilige zweite Kontakt derart bündig mit dem lateralen Randbereich der
Anzeigevorrichtung ab, dass in einem Übergangsbereich um den jeweiligen zweiten Kontakt entlang eines Randes der
Anzeigevorrichtung eine im Wesentlichen ebene Fläche
entsteht, in der sich die Struktur des jeweiligen zweiten Kontakts nicht abzeichnet. Abweichend hiervon ist der
jeweilige zweite Kontakt zumindest derart angeordnet, dass zumindest eine kantenfreie Fläche in besagtem
Übergangsbereich entsteht.
In zumindest einer Ausführungsform ist eine laterale
Erstreckung von einem Bildpunkt zugeordneten zweiten
Kontakten jeweils abhängig von einer Anzahl von dem
jeweiligen Bildpunkt zugeordneten zweiten Kontakten. Die laterale Erstreckung der zweiten Kontakte kann dabei sowohl in Form als auch in Größe variieren. Ein einem jeweiligen Bildpunkt zugeordneter zweiter Kontakt grenzt insbesondere an den jeweiligen Bildpunkt lateral an. Ein Betreiben des jeweiligen Bildpunkts erfolgt durch eine Bestromung über die dem Bildpunkt zugeordneten zweiten Kontakte sowie dem
jeweiligen ersten Kontakt.
Eine Anpassung der lateralen Erstreckung der zweiten Kontakte ermöglicht ein besonders gleichmäßiges Leuchtbild der
Anzeigevorrichtung. Beispielsweise wird eine Helligkeit der einzelnen Bildpunkte durch einen Stromfluss durch die jeweils zugeordneten ersten und zweiten Kontakte beeinflusst. Der Stromfluss durch die Kontakte hängt dabei insbesondere ab von einer Querschnittsfläche der jeweiligen Kontakte.
Beispielhaft kann eine Anzahl von einem Bildpunkt
zugeordneten zweiten Kontakten reduziert sein im Vergleich zu weiteren Bildpunkten der Anzeigevorrichtung, so dass durch gleichzeitige Vergrößerung der dem Bildpunkt zugeordneten zweiten Kontakte im Vergleich zu den weiteren Bildpunkten der Anzeigevorrichtung zugeordneten zweiten Kontakten ein
kumulierter Stromfluss zum Betreiben der Bildpunkte im
Wesentlichen gleich ist, und eine einheitliche Helligkeit der Bildpunkte erreicht wird.
In zumindest einer Ausführungsform weist wenigstens einer der zweiten Kontakte, der einem Bildpunkt zugeordnet ist, welcher an einen lateralen Randbereich der Anzeigevorrichtung
angrenzt, einen vorgegebenen Abstand auf, mit dem der
jeweilige zweite Kontakt hin zu einem lateralen Inneren der Anzeigevorrichtung versetzt angeordnet ist. Beispielsweise ist der jeweilige zweite Kontakt derart hin zu dem Inneren der Anzeigevorrichtung lateral versetzt angeordnet, dass der jeweilige zweite Kontakt bündig mit dem Rand abschließt, oder zumindest ein laterales Überstehen des jeweiligen zweiten Kontakts im Hinblick auf den Übergangsbereich um den
jeweiligen zweiten Kontakt entlang des Randes der
Anzeigevorrichtung verringert oder vermieden wird. Der jeweilige zweite Kontakt kann hierbei beispielsweise auf dem vorgenannten Gitter angeordnet sein, bezüglich eines
Knotenpunktes des Gitters jedoch lateral versetzt sein. In vorteilhafter Weise wird so zu einer hohen Prozesssicherheit bei Herstellung der Anzeigevorrichtung beigetragen.
In zumindest einer Ausführungsform ist eine laterale
Erstreckung wenigstens einer der zweiten Kontakte kreisförmig ausgebildet. In vorteilhafter Weise wird so eine besonders gleichmäßige Bestromung der dem wenigstens einen kreisförmig ausgebildeten zweiten Kontakt zugeordneten Bildpunkten ermöglicht . In zumindest einer Ausführungsform kann die laterale
Erstreckung eines jeweiligen zweiten Kontakts in vertikaler Richtung variieren. Insbesondere können der jeweilige zweite Kontakt und/oder die jeweilige Ausnehmung kegelförmig oder kegelartig ausgebildet sein. Beispielsweise ist die laterale Erstreckung der jeweiligen Ausnehmung und/oder des jeweiligen zweiten Kontakts hin zu der zweiten Hauptebene vergrößert. Eine laterale Begrenzung eines dem jeweiligen zweiten Kontakt zugeordneten Bildpunkts ist dann beispielsweise
trichterförmig, so dass zu einer besonders vorteilhaften Abstrahlcharakteristik von im Bereich des jeweiligen
Bildpunkts erzeugter Strahlung beigetragen wird.
In zumindest einer Ausführungsform umschließt wenigstens einer der zweiten Kontakte einen Bildpunkt lateral. In vorteilhafter Weise wird ein besonders gleichmäßiger
Stromfluss hin zu dem lateral umschlossenen Bildpunkt
ermöglicht. Dies trägt zu einer gleichmäßigen erzeugten
Strahlung im Bereich des Bildpunkts bei, insbesondere im Hinblick auf eine wahrnehmbare Helligkeit des Bildpunkts.
In zumindest einer Ausführungsform ist die zweite
Kontaktstruktur gitterförmig ausgebildet. In vorteilhafter Weise ermöglicht dies eine besonders einfache, redundante Kontaktierung sowie eine gleichmäßige Bestromung der
Bildpunkte .
Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der
Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
Es zeigen: Figur 1 ein erstes Ausführungsbeispiel einer
Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbaren
Bildpunkten in schematisch dargestellter lateraler Schnittansicht,
Figur 2 ein zweites Ausführungsbeispiel der
Anzeigevorrichtung gemäß Figur 1 in schematisch dargestellter lateraler
Schnittansicht, und
Figuren 3 bis 10 ein drittes bis zehntes
Ausführungsbeispiel der
Anzeigevorrichtung gemäß Figur 1 in schematisch dargestellter Draufsicht
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu
betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente und
insbesondere Schichtdicken zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß
dargestellt sein.
Ein erstes Ausführungsbeispiel einer Anzeigevorrichtung 1 mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbaren Bildpunkten la, lb, lc ist in Figur 1 gezeigt. Die Anzeigevorrichtung 1 erstreckt sich in lateraler Richtung beispielsweise über den dargestellten Ausschnitt hinaus, wie durch die gestrichelten Linien der Bildpunkte la, lc angedeutet. Die Anzeigevorrichtung 1 umfasst eine
Halbleiterschichtenfolge 3, die eine erste Halbleiterschicht 31, eine zur Erzeugung von Strahlung vorgesehene aktive
Schicht 33 sowie eine zweite Halbleiterschicht 35 aufweist. Die Anzeigevorrichtung 1 erstreckt sich in vertikaler
Richtung zwischen einer ersten Hauptebene 10a und einer zweiten Hauptebene 10b. Die erste Hauptebene 10a kann dabei insbesondere eine Strahlungsaustrittsfläche der
Anzeigevorrichtung 1 bilden.
Die aktive Schicht 33 ist dabei zwischen der ersten
Halbleiterschicht 31 und der zweiten Halbleiterschicht 35 angeordnet, wobei die beiden Halbleiterschichten 31, 35 unterschiedlichen Leitungstyps sind. Die erste
Halbleiterschicht 31 ist insbesondere p-leitend, und die zweite Halbleiterschicht 35 n-leitend ausgebildet.
Unmittelbar flächig angrenzend an die erste Halbleiterschicht 31 erstreckt sich eine erste Kontaktstruktur 51, die eine elektrische Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht 31 ermöglicht. Die erste Kontaktstruktur 51 ist dabei von einer Mehrzahl sich vertikal durch die Anzeigevorrichtung 1 erstreckender Ausnehmungen 7a, 7b unterbrochen. Insbesondere ist die erste Kontaktstruktur 51 in eine Mehrzahl von ersten Kontakten 51a, 51b, 51c unterteilt, die elektrisch
voneinander getrennt sind. Eine laterale Erstreckung der ersten Kontakte 51a, 51b, 51c korrespondiert zu einer
lateralen Erstreckung der Bildpunkte la, lb, lc. Die ersten Kontakte 51a, 51b, 51c kontaktieren die erste
Halbleiterschicht 31 elektrisch von der zweiten Hauptebene 10b der Anzeigevorrichtung 1 her und ermöglichen eine
Bestromung der Bildpunkte la, lb, lc getrennt voneinander. In anderen Worten ist jeweils einer der ersten Kontakte 51a, 51b, 51c jeweils einem der Bildpunkte la, lb, lc zugeordnet zum separaten Betreiben des jeweiligen Bildpunkts la, lb, lc. Die Ausnehmungen 7a, 7b sind dabei in einem Bereich eines jeweiligen optischen Trennstegs 7x zwischen den Bildpunkten la, lb, lc angeordnet, insbesondere innerhalb der Trennstege 7x. Die einem jeweiligen Bildpunkt la, lb, lc zugeordneten ersten Kontakte 51a, 51b, 51c sind somit flächig
unterbrechungsfrei ausgebildet.
Die Ausnehmungen 7a, 7b erstrecken sich in der vertikalen Richtung von der ersten Kontaktstruktur 51 weiter durch die erste Halbleiterschicht 31 sowie die aktive Schicht 33. Wie in Figur 1 dargestellt können sich die Ausnehmungen 7a, 7b ferner in die zweite Halbleiterschicht 35 hinein erstrecken. Die Ausnehmungen 7a, 7b sind dabei durch eine elektrisch isolierende Trennstruktur 53 lateral zu der
Halbleiterschichtenfolge 3 sowie der ersten Kontaktstruktur 51 begrenzt. Die Trennstruktur 53 erstreckt sich ferner in lateraler Richtung auf einer der zweiten Hauptebene 10b zugewandten Seite entlang der ersten Kontaktstruktur 51.
Eine zweite Kontaktstruktur 55 erstreckt sich ebenfalls in lateraler Richtung auf einer der zweiten Hauptebene 10b zugewandten Seite entlang der Trennstruktur 53. Die zweite Kontaktstruktur 55 ist dabei beispielsweise mittels der
Trennstruktur 53 elektrisch von der ersten Kontaktstruktur 51 getrennt. Die zweite Kontaktstruktur 55 bildet dabei zweite Kontakte 55a, 55b, welche sich in die Ausnehmungen 7a, 7b hin zu der zweiten Halbleiterschicht 35 erstrecken. Die zweiten Kontakte 55a, 55b kontaktieren die zweite
Halbleiterschicht 35 elektrisch von der zweiten Hauptebene 10b der Anzeigevorrichtung 1 her und ermöglichen eine
Bestromung der Bildpunkte la, lb, lc. Die zweiten Kontakte 55a, 55b können dabei insbesondere elektrisch miteinander verbunden sein. Beispielsweise bildet die zweite
Kontaktstruktur 55 dann eine gemeinsame Elektrode der
Bildpunkte la, lb, lc der Anzeigevorrichtung 1. Jeweils einer der zweiten Kontakte 55a, 55b kann dabei jeweils einem der Bildpunkte la, lb, lc zugeordnet sein zum Betreiben des jeweiligen Bildpunkts la, lb, lc. Des Weiteren kann jeweils einer der zweiten Kontakte 55a, 55b auch jeweils mehr als einem der Bildpunkte la, lb, lc zugeordnet sein zum Betreiben der jeweiligen Bildpunkte la, lb, lc. Ferner kann auch jeweils mehr als einer der zweiten Kontakte 55a, 55b jeweils einem und/oder jeweils mehr als einem der Bildpunkte la, lb, lc zugeordnet sein zum Betreiben des jeweiligen
Bildpunkts la, lb, lc beziehungsweise der jeweiligen
Bildpunkte la, lb, lc. Abweichend von der in Figur 1
dargestellten lateralen Schnittansicht erfolgt eine Trennung der zweiten Kontaktstruktur 55 durch die Trennstruktur 53 beispielhaft in der Papierebene. In weiteren lateralen
Schnitten der Anzeigevorrichtung 1 senkrecht zu der
Papierebene ist die zweite Kontaktstruktur 55 beispielsweise durchgehend verbunden. In anderen Worten existiert die in Figur 1 gezeigte laterale Trennung der zweiten
Kontaktstruktur 55 beispielsweise nur in einem Bereich der Papierebene, in einer Draufsicht ist diese Stelle aber keine Trennung, sondern nur eine lokale Aussparung, die zur
Durchführung des jeweiligen Kontakts 55a, 55b des jeweiligen Bildpunkts la, lb, lc in Richtung eines Trägers dient. Ein zweites Ausführungsbeispiel der Anzeigevorrichtung 1 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel ist in Figur 2 gezeigt. Im Gegensatz zu dem ersten Ausführungsbeispiel weist die Anzeigevorrichtung 1 zusätzlich einen Träger 9 auf. Der
Träger 9 kann beispielsweise einer mechanischen
Stabilisierung der Anzeigevorrichtung 1 dienen. Alternativ oder zusätzlich kann der Träger 9 einer elektrischen
Kontaktierung der Anzeigevorrichtung 1 dienen. Beispielsweise umfasst der Träger 9 hierzu eine weitere
Trennstruktur 91, die die erste Kontaktstruktur 51 und zweite Kontaktstruktur 55 voneinander elektrisch trennt. Der Träger umfasst ferner getrennt voneinander betreibbare Schalter 93a, 93b, 93c, die jeweils mit einem der ersten Kontakte 51a, 51b, 51c elektrisch verbunden sind.
Anhand der Figuren 3 bis 10 sind ein drittes bis zehntes Ausführungsbeispiel der Anzeigevorrichtung 1 gemäß einem der vorigen Ausführungsbeispiele in schematischer Draufsicht gezeigt. Zur vereinfachten Darstellung sind mehrere vertikale Schnittebenen in der Papierebene dargestellt. Insbesondere ist eine Anordnung der ersten Kontaktstruktur 51 und zweiten Kontaktstruktur 55 dargestellt, wobei sich eine Anzahl, Form, Größe sowie Position der ersten Kontakte 51a, 51b, 51c und der zweiten Kontakte 55a, 55b in den folgenden
Ausführungsbeispielen unterscheiden können.
In dem dritten Ausführungsbeispiel (vergleiche Figur 3) sind die Bildpunkte la, lb, lc gitterförmig getrennt voneinander angeordnet. Die Bildpunkte la, lb, lc korrespondieren in ihrer lateralen Erstreckung dabei im Wesentlichen zu den ersten Kontakten 51a, 51b, 51c. Bei dem Gitter 100 handelt es sich beispielhaft um ein gleichmäßiges Gitter, insbesondere ein gleichmäßig rechteckiges Gitter.
Das Gitter umfasst Knotenpunkte lOOx, in denen sich jeweils eine Spalte und eine Zeile des Gitters 100 kreuzen. Die
Zeilen und Spalten des Gitters bilden dabei insbesondere die optischen Trennstege 7x zwischen den einzelnen Bildpunkten la, lb, lc. Auf den Knotenpunkten lOOx ist jeweils einer der zweiten Kontakte 55a, 55b angeordnet. Zum Betreiben eines jeweiligen Bildpunkts la, lb, lc sind jedem Bildpunkt la, lb, lc vier angrenzende zweite Kontakte 55a, 55b zugeordnet, die eine redundante Bestromung der zweiten Halbleiterschicht 35 (vergleiche Figur 1) im Bereich des jeweiligen Bildpunkts la, lb, lc ermöglichen. Die Bestromung erfolgt bezüglich des jeweiligen Bildpunkts la, lb, lc von allen vier Seiten gleichmäßig, so dass eine gleichmäßige Leuchtdichteverteilung der Bildpunkte la, lb, lc ermöglicht wird.
Jeweils einer der zweiten Kontakte 55a, 55b ist dabei ferner vier angrenzenden Bildpunkten la, lb, lc zugeordnet, sodass trotz redundanter Bestromung der zweiten Halbleiterschicht 35 im Bereich der jeweiligen Bildpunkte la, lb, lc keine
zusätzlichen zweiten Kontakte 55a, 55b erforderlich sind. In vorteilhafter Weise wird ein lateraler Flächenbedarf der zweiten Kontakte 55a, 55b somit gering gehalten. Durch
Anordnung der zweiten Kontakte 55a, 55b im Bereich der optischen Trennstege 7x zwischen den Bildpunkten la, lb, lc wird ferner zu einer besonders hohen strahlenden Fläche der Anzeigevorrichtung 1 beigetragen.
Die ersten Kontakte 51a, 51b, 51c sind beispielsweise
reflektierend ausgebildet. Die ersten Kontakte 51a, 51b, 51c können dann auch als „Kontaktspiegel", oder „Spiegelfläche" bezeichnet werden. In diesem Ausführungsbeispiel sind die ersten Kontakte 51a, 51b, 51c beispielhaft rechteckig
ausgebildet . Die zweiten Kontakte 55a, 55b sind beispielsweise in
lateraler Erstreckung kreisförmig ausgebildet, sodass die zweite Halbleiterschicht 35 im Bereich der jeweils
angrenzenden Bildpunkte la, lb, lc gleichmäßig bestromt wird. In dem vierten Ausführungsbeispiel (vergleiche Figur 4) sind die Bildpunkte la, lb, lc ebenfalls gitterförmig getrennt voneinander angeordnet. Eine laterale Erstreckung der
Ausnehmungen 7a, 7b ist im Bereich der ersten Kontakte 51a, 51b, 51c derart groß dimensioniert, dass eine laterale
Erstreckung der ersten Kontakte 51a, 51b, 51c im Vergleich zu dem dritten Ausführungsbeispiel verringert ist. Dies
ermöglicht eine besonders große laterale Erstreckung der zweiten Kontakte 55a, 55b, so dass eine Stromdichte beim Betreiben der zweiten Kontakte 55a, 55b gering gehalten werden kann. Ein Verlust strahlender Fläche durch die
verringerte laterale Erstreckung der ersten Kontakte 55a, 55b ist dabei in vorteilhafter Weise gering im Vergleich zu einer mittig in Bezug auf die jeweiligen Bildpunkte la, lb, lc angeordneten Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 35. Die ersten Kontakte 51a, 51b, 51c können in diesem
Zusammenhang Aussparungen an ihrem lateralen Randbereich aufweisen, insbesondere kreissegmentförmige Aussparungen.
Das fünfte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von den vorigen Ausführungsbeispielen drei und vier durch eine Anzahl der zweiten Kontakte 55a, 55b. In diesem Ausführungsbeispiel sind jedem Bildpunkt la, lb, lc lediglich zwei zweite
Kontakte 55a, 55b zugeordnet. Abweichend hiervon kann sich eine Anzahl der einem jedem Bildpunkt la, lb, lc zugeordneten zweiten Kontakte 55a, 55b weiter unterscheiden.
Beispielsweise könnte jedem Bildpunkt la, lb, lc lediglich ein zweiter Kontakt 55a, 55b zugeordnet sein. Hierzu könnte beispielsweise lediglich auf einem Knotenpunkt jeder zweiten Zeile und jeder zweiten Spalte ein zweiter Kontakt 55a, 55b angeordnet sein. Vorteilhafterweise entfallen bei den
jeweiligen ersten Kontakten 51a, 51b, 51c, die den nicht mit zweiten Kontakten 55a, 55b belegten Knotenpunkten lOOx zugeordnet sind, die kreissegmentförmigen Aussparungen
(vergleiche viertes Ausführungsbeispiel) , so dass die einem jeweiligen Bildpunkt la, lb, lc zugeordnete Emissionsfläche maximiert wird. In dem sechsten Ausführungsbeispiel (vergleiche Figur 6) bilden die Ausnehmungen 7a, 7b beispielsweise eine gemeinsame Ausnehmung, die sich durchgehend in die
Halbleiterschichtenfolge 3 erstreckt. Beispielhaft ist diese Ausnehmung in die Halbleiterschichtenfolge 3 hineingeätzt. Die zweiten Kontakte 55a, 55b bilden in dieser Ausnehmung beispielsweise eine durchgehende zweite Kontaktstruktur 55, die die jeweiligen Bildpunkte la, lb, lc lateral umschließt.
In dem siebten Ausführungsbeispiel (vergleiche Figur 7) ist ein lateraler Randbereich 10c der Anzeigevorrichtung 1 dargestellt. Im Gegensatz zu den vorigen
Ausführungsbeispielen drei bis sechs sind den Bildpunkten la, lb, lc, die an den lateralen Randbereich 10c angrenzen, lediglich zwei der zweiten Kontakte 55a, 55b zugeordnet, beziehungsweise in einem lateralen Eck der Anzeigevorrichtung la lediglich einer der zweiten Kontakte 55a, 55b zugeordnet. Aufgrund einer mechanischen Empfindlichkeit der zweiten
Kontakte 55a, 55b ermöglicht diese Anordnung ein vereinfachtes Durchtrennen der Anzeigevorrichtung 1 im
Randbereich 10c mit reduziertem Ausfallrisiko.
In dem achten Ausführungsbeispiel (vergleiche Figur 8) sind im Gegensatz zu dem siebten Ausführungsbeispiel im lateralen Randbereich 10c der Anzeigevorrichtung 1 die zweiten Kontakte 55a, 55b parallel zu dem lateralen Randbereich 10c
ausgebildet. Beispielsweise können die zweiten Kontakte 55a, 55b auch einen zusammenhängenden Rahmen der
Anzeigevorrichtung 1 bilden. Dies ermöglicht ein
vereinfachtes Durchtrennen der Anzeigevorrichtung 1 im
Randbereich 10c, sowie eine gleichmäßige Bestromung sowie homogene Helligkeit auch der Bildpunkte la, lb, lc im
lateralen Randbereich 10c.
In dem neunten Ausführungsbeispiel (vergleiche Figur 9) sind im Gegensatz zu den vorigen Ausführungsbeispielen sieben und acht im lateralen Randbereich 10c der Anzeigevorrichtung 1 die zweiten Kontakte 55a, 55b hin zu einem Inneren der
Anzeigevorrichtung 1 lateral versetzt angeordnet. In
vorteilhafter Weise kann so unter Aufrechterhaltung einer möglichst homogenen Bestromung der jeweiligen Bildpunkte la, lb, lc eine Ausfallsicherheit bei einem Trennprozess erhöht werden, beispielsweise indem die zweiten Kontakte 55a, 55b von der Trennkante entfernt werden.
In dem zehnten Ausführungsbeispiel (vergleiche Figur 10) unterscheidet sich im Gegensatz zu dem siebten
Ausführungsbeispiel eine Form und Größe der lateralen
Erstreckung der zweiten Kontakte 55a, 55b, welche den an den lateralen Randbereich 10c angrenzenden Bildpunkten la, lb, lc zugeordnet sind. Eine laterale Erstreckung der zweiten
Kontakte 55a, 55b ist insbesondere hin zu dem Randbereich 10c vergrößert im Vergleich zu den zweiten Kontakten 55a, 55b im lateralen Inneren der Anzeigevorrichtung 1. In vorteilhafter Weise ist eine Stromdichte der zweiten Kontakte 55a, 55b sowie ein kumulierter Strom, der der zweiten
Halbleiterschicht 35 in einem jeweiligen Bereich
korrespondierend zu einem jeweiligen Bildpunkt la, lb, lc zugeführt wird, somit homogen.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Es wird die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE
102015108532.1 beansprucht, deren Offenbarungshalt hiermit ausdrücklich durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugs zeichenliste :
1 Anzeigevorrichtung la, lb, lc Bildpunkt
10a erste Hauptebene
10b zweite Hauptebene
10c Randbereich
3 Halbleiterschichtenfolge
31 erste Halbleiterschicht 33 aktive Schicht
35 zweite Halbleiterschicht
51 erste Kontaktstruktur
51a, 51b, 51c erste Kontakte
53 Trennstruktur
55 zweite Kontaktstruktur
55a, 55b zweite Kontakte
7a, 7b Ausnehmung
7x Trennsteg
9 Träger
91 Trennstruktur
93a, 93b, 93c Schalter
100 Gitter
lOOx Knotenpunkt

Claims

Patentansprüche
1. Anzeigevorrichtung (1) mit einer Mehrzahl getrennt
voneinander betreibbaren Bildpunkten (la, lb, lc) , umfassend :
- eine Halbleiterschichtenfolge (3) zur Erzeugung von
elektromagnetischer Strahlung mit einer ersten
Halbleiterschicht (31), einer aktiven Schicht (33) und einer zweiten Halbleiterschicht (35) ,
- eine erste Kontaktstruktur (51) zur Kontaktierung der
ersten Halbleiterschicht (31) und eine zweite
Kontaktstruktur (55) zur Kontaktierung der zweiten
Halbleiterschicht (35) , wobei
- die erste Kontaktstruktur (51) getrennt voneinander
betreibbare erste Kontakte (51a, 51b, 51c) aufweist, die sich jeweils lateral unterbrechungsfrei entlang der ersten Halbleiterschicht (31) erstrecken und jeweils mit ihrer Kontur einen Bildpunkt (la, lb, lc) lateral begrenzen,
- die Halbleiterschichtenfolge (3) und die erste
Kontaktstruktur (51) mindestens eine bezüglich eines jeweiligen Bildpunkts (la, lb, lc) lateral angrenzende Ausnehmung (7a, 7b) aufweisen, die sich durch die erste Kontaktstruktur (51), die erste Halbleiterschicht (31) und die aktive Schicht (33) hindurch in die zweite
Halbleiterschicht (35) hinein erstreckt, und
- die zweite Kontaktstruktur (55) zweite Kontakte (55a, 55b) aufweist, die sich von einer der ersten Kontaktstruktur (51) zugewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) durch die mindestens eine Ausnehmung (7a, 7b)
erstrecken .
2. Anzeigevorrichtung (1) nach Anspruch 1, bei der die ersten und zweiten Kontakte (51a, 51b, 51c, 55a, 55b) jeweils in direktem Kontakt zu den ersten und zweiten
Halbleiterschichten (31, 35) sind.
3. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorstehenden
Ansprüche, bei der wenigstens einem Bildpunkt (la, lb, lc) mehrere zweite Kontakte (55a, 55b) zugeordnet sind, die den jeweiligen Bildpunkt (la, lb, lc) redundant kontaktieren.
4. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorstehenden
Ansprüche, bei der zumindest einer der zweiten Kontakte (55a, 55b) an mehrere benachbarte Bildpunkte (la, lb, lc) lateral angrenzend angeordnet ist und zur Kontaktierung der mehreren benachbarten Bildpunkte (la, lb, lc) ausgebildet ist.
5. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorstehenden
Ansprüche, bei der die Bildpunkte (la, lb, lc) lateral gitterförmig getrennt angeordnet sind, wobei wenigstens einer der zweiten Kontakte (55a, 55b) auf einem Knotenpunkt (lOOx) des Gitters (100) angeordnet ist.
6. Anzeigevorrichtung (1) nach Anspruch 5, bei der auf jedem Knotenpunkt (lOOx) des Gitters (100) einer der zweiten Kontakte (55a, 55b) angeordnet ist.
7. Anzeigevorrichtung (1) nach Anspruch 5, bei der auf jedem zweiten lateral aufeinanderfolgenden Knotenpunkt (lOOx) des Gitters (100) einer der zweiten Kontakte (55a, 55b) angeordnet ist.
8. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorstehenden
Ansprüche, bei der wenigstens einer der zweiten Kontakte (55a, 55b), der einem Bildpunkt (la, lb, lc) zugeordnet ist welcher an einen lateralen Randbereich (10c) der
Anzeigevorrichtung (1) angrenzt, sich parallel entlang des Randbereichs (10c) erstreckend ausgebildet ist.
9. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorstehenden
Ansprüche, bei der eine laterale Erstreckung von einem
Bildpunkt (la, lb, lc) zugeordneten zweiten Kontakten (55a, 55b) jeweils abhängig ist von einer Anzahl von dem jeweiligen Bildpunkt (la, lb, lc) zugeordneten zweiten Kontakten (55a, 55b) .
10. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorstehenden
Ansprüche, bei der wenigstens einer der zweiten Kontakte (55a, 55b), der einem Bildpunkt (la, lb, lc) zugeordnet ist welcher an einen lateralen Randbereich (10c) der
Anzeigevorrichtung (1) angrenzt, einen vorgegebenen Abstand aufweist, mit dem der jeweilige zweite Kontakt (55a, 55b) hin zu einem lateralen Inneren der Anzeigevorrichtung (1) versetzt angeordnet ist.
11. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorstehenden
Ansprüche, bei der eine laterale Erstreckung wenigstens einer der zweiten Kontakte (55a, 55b) kreisförmig ausgebildet ist.
12. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorstehenden
Ansprüche, bei der wenigstens einer der zweiten Kontakte (55a, 55b) einen Bildpunkt (la, lb, lc) lateral umschließt.
13. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der vorstehenden
Ansprüche, bei der die zweite Kontaktstruktur (55)
gitterförmig ausgebildet ist.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018099794A1 (de) * 2016-11-29 2018-06-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung mit einer mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer bildpunkte
CN110121781A (zh) * 2017-11-08 2019-08-13 首尔伟傲世有限公司 包括多个像素的显示用发光二极管单元及具有该显示用发光二极管单元的显示装置
US10388694B2 (en) 2016-01-11 2019-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, lighting apparatus and car headlight
JP2019204823A (ja) * 2018-05-21 2019-11-28 シャープ株式会社 マイクロ発光素子、画像表示素子およびその形成方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015108545A1 (de) * 2015-05-29 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102015119353B4 (de) 2015-11-10 2024-01-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102016106831A1 (de) 2016-04-13 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102017102247A1 (de) 2017-02-06 2018-08-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren hierfür
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US10892296B2 (en) * 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
DE102018106970A1 (de) 2018-03-23 2019-09-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
CN110676280A (zh) * 2018-05-30 2020-01-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 显示面板及显示面板制作方法
DE102019107030A1 (de) * 2019-03-19 2020-09-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einer vielzahl von bildelementen und trennelementen und verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung
KR102469704B1 (ko) * 2020-04-23 2022-11-22 주식회사 썬다이오드코리아 경사진 측면을 가지는 마이크로 디스플레이의 화소

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010014032A1 (en) * 2008-07-07 2010-02-04 Glo Ab A nanostructured LED
US20140014894A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-16 Invensas Corporation High performance light emitting diode with vias
DE102012112302A1 (de) * 2012-12-14 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008034560B4 (de) 2008-07-24 2022-10-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
US8441007B2 (en) * 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
TWI429107B (zh) * 2009-05-14 2014-03-01 Toyoda Gosei Kk 半導體發光元件、其製造方法、燈、照明裝置、電子機器及機械裝置
DE102009023849B4 (de) * 2009-06-04 2022-10-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und optoelektronischer Halbleiterchip
KR100986570B1 (ko) * 2009-08-31 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102011056888A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
JP2014045175A (ja) * 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
DE102012110775A1 (de) * 2012-11-09 2014-05-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102013102667A1 (de) 2013-03-15 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung
JP2015012048A (ja) * 2013-06-27 2015-01-19 三菱電機株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP2015156431A (ja) * 2014-02-20 2015-08-27 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010014032A1 (en) * 2008-07-07 2010-02-04 Glo Ab A nanostructured LED
US20140014894A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-16 Invensas Corporation High performance light emitting diode with vias
DE102012112302A1 (de) * 2012-12-14 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HERRNSDORF JOHANNES ET AL: "Active-Matrix GaN Micro Light-Emitting Diode Display With Unprecedented Brightness", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, IEEE SERVICE CENTER, PISACATAWAY, NJ, US, vol. 62, no. 6, 10 April 2015 (2015-04-10) - 1 June 2015 (2015-06-01), pages 1918 - 1925, XP011581749, ISSN: 0018-9383, [retrieved on 20150518], DOI: 10.1109/TED.2015.2416915 *
ZHAO JUN LIU ET AL: "Investigation of Forward Voltage Uniformity in Monolithic Light-Emitting Diode Arrays", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, IEEE SERVICE CENTER, PISCATAWAY, NJ, US, vol. 25, no. 13, 1 July 2013 (2013-07-01), pages 1290 - 1293, XP011515647, ISSN: 1041-1135, DOI: 10.1109/LPT.2013.2263223 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10388694B2 (en) 2016-01-11 2019-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, lighting apparatus and car headlight
WO2018099794A1 (de) * 2016-11-29 2018-06-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung mit einer mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer bildpunkte
US11121124B2 (en) 2016-11-29 2021-09-14 Osram Oled Gmbh Display device with a plurality of separately operable pixels formed in a grid
CN110121781A (zh) * 2017-11-08 2019-08-13 首尔伟傲世有限公司 包括多个像素的显示用发光二极管单元及具有该显示用发光二极管单元的显示装置
JP2021511528A (ja) * 2017-11-08 2021-05-06 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 複数のピクセルを含むディスプレイ用発光ダイオードユニット及びそれを有する表示装置
JP7222993B2 (ja) 2017-11-08 2023-02-24 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 複数のピクセルを含むディスプレイ用発光ダイオードユニット及びそれを有する表示装置
US11764253B2 (en) 2017-11-08 2023-09-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode unit for display comprising plurality of pixels and display device having same
CN110121781B (zh) * 2017-11-08 2024-02-23 首尔伟傲世有限公司 包括多个像素的显示用发光二极管单元及具有该显示用发光二极管单元的显示装置
US12009385B2 (en) 2017-11-08 2024-06-11 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode unit for display comprising plurality of pixels and display device having same
JP2019204823A (ja) * 2018-05-21 2019-11-28 シャープ株式会社 マイクロ発光素子、画像表示素子およびその形成方法
JP7105612B2 (ja) 2018-05-21 2022-07-25 シャープ株式会社 画像表示素子およびその形成方法

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Publication number Publication date
DE102015108532A1 (de) 2016-12-01
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KR20180013904A (ko) 2018-02-07

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