DE112022003241T5 - Laserkomponente und Laserbauteil - Google Patents

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Ams Osram International GmbH
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Abstract

Es wird eine Laserkomponente (20) angegeben, die Laserkomponente (20) umfassend mindestens eine erste Laserdiode (21), und mindestens eine zweite Laserdiode (22), wobei die erste Laserdiode (21) und die zweite Laserdiode (22) jeweils eine aktive Zone (23) in einer Halbleiterschicht (24) aufweisen, sich die aktiven Zonen (23) jeweils parallel zur Haupterstreckungsebene der jeweiligen Laserdiode (21, 22) erstrecken, die Halbleiterschichten (24) jeweils eine erste Seite (25) und eine der ersten Seite (25) abgewandte zweite Seite (26) aufweisen, wobei sich die erste Seite (25) und die zweite Seite (26) jeweils parallel zur Haupterstreckungsebene der jeweiligen Laserdiode (21, 22) erstrecken, die zweite Laserdiode (22) in einer vertikalen Richtung (z), die senkrecht zu den Haupterstreckungsebenen der Laserdioden (21, 22) verläuft, auf der ersten Laserdiode (21) angeordnet ist, die erste Laserdiode (21) in ihrer Haupterstreckungsebene eine größere Ausdehnung aufweist als die zweite Laserdiode (22) in ihrer Haupterstreckungsebene, und in einem Kontaktbereich (27) der ersten Laserdiode (21), welcher an der Seite der ersten Laserdiode (21) angeordnet ist, die der zweiten Laserdiode (22) zugewandt ist, mindestens ein elektrischer Kontakt (28) angeordnet ist. Außerdem wird ein Laserbauteil (38) angegeben.

Description

  • Es werden eine Laserkomponente und ein Laserbauteil angegeben.
  • Laser werden für eine Vielzahl von Anwendungen wie Projektionssysteme, Abstandsmessungen oder Spektroskopie verwendet. Dabei ist es häufig nötig mehrere Laser oder Laserchips zu verwenden. Für mobile oder besonders kleine Anwendungen besteht zusätzlich die Anforderung einer kompakten und gleichzeitig präzisen Anordnung der Laser.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Laserkomponente mit einem kompakten Aufbau anzugeben. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Laserbauteil mit einem kompakten Aufbau anzugeben.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, umfasst die Laserkomponente mindestens eine erste Laserdiode und mindestens eine zweite Laserdiode. Die erste Laserdiode kann einen Aufbau aufweisen, welcher verschieden vom Aufbau der zweiten Laserdiode ist. Die erste Laserdiode hat eine Haupterstreckungsebene. Die zweite Laserdiode hat eine Haupterstreckungsebene. Die Haupterstreckungsebene der ersten Laserdiode verläuft parallel zur Haupterstreckungsebene der zweiten Laserdiode. Bei der ersten Laserdiode und der zweiten Laserdiode kann es sich jeweils um einen Laserchip, insbesondere einen Halbleiterlaserchip, handeln. Die erste Laserdiode und die zweite Laserdiode sind jeweils dazu ausgelegt im Betrieb Laserstrahlung zu erzeugen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, weisen die erste Laserdiode und die zweite Laserdiode jeweils eine aktive Zone in einer Halbleiterschicht auf. Das bedeutet, die erste Laserdiode weist eine Halbleiterschicht auf, in welcher eine aktive Zone angeordnet ist. Die zweite Laserdiode weist ebenfalls eine Halbleiterschicht auf, in welcher eine aktive Zone angeordnet ist. Die Halbleiterschichten können jeweils einen n-dotierten Bereich und einen p-dotierten Bereich aufweisen, wobei die aktive Zone zwischen dem n-dotierten Bereich und dem p-dotierten Bereich angeordnet ist. Dabei sind die p-dotierten Bereiche jeweils mit mindestens einem p-Dotierstoff dotiert und die n-dotierten Bereiche sind jeweils mit mindestens einem n-Dotierstoff dotiert. Die aktiven Bereiche sind jeweils dazu ausgelegt im Betrieb der jeweiligen Laserdiode Laserstrahlung zu erzeugen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, erstrecken sich die aktiven Zonen jeweils parallel zur Haupterstreckungsebene der jeweiligen Laserdiode. Das bedeutet, die aktive Zone der ersten Laserdiode erstreckt sich parallel zur Haupterstreckungsebene der ersten Laserdiode. In einer Ebene, welche parallel zur Haupterstreckungsebene der ersten Laserdiode verläuft, kann die aktive Zone der ersten Laserdiode die Form eines Rechtecks oder Streifens aufweisen. Bei der ersten Laserdiode kann es sich um eine kantenemittierende Laserdiode handeln. Die aktive Zone der zweiten Laserdiode erstreckt sich parallel zur Haupterstreckungsebene der zweiten Laserdiode. In einer Ebene, welche parallel zur Haupterstreckungsebene der zweiten Laserdiode verläuft, kann die aktive Zone der zweiten Laserdiode die Form eines Rechtecks oder Streifens aufweisen. Bei der zweiten Laserdiode kann es sich um eine kantenemittierende Laserdiode handeln.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, weisen die Halbleiterschichten jeweils eine erste Seite und eine der ersten Seite abgewandte zweite Seite auf, wobei sich die erste Seite und die zweite Seite jeweils parallel zur Haupterstreckungsebene der jeweiligen Laserdiode erstrecken. Das bedeutet, die Halbleiterschicht der ersten Laserdiode weist eine erste Seite und eine der ersten Seite abgewandte zweite Seite auf, wobei sich die erste Seite und die zweite Seite jeweils parallel zur Haupterstreckungsebene der ersten Laserdiode erstrecken. Die erste Seite und die zweite Seite der Halbleiterschicht der ersten Laserdiode sind somit an gegenüberliegenden Seiten der Halbleiterschicht angeordnet. Die Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode weist eine erste Seite und eine der ersten Seite abgewandte zweite Seite auf, wobei sich die erste Seite und die zweite Seite jeweils parallel zur Haupterstreckungsebene der zweiten Laserdiode erstrecken. Die erste Seite und die zweite Seite der Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode sind somit an gegenüberliegenden Seiten der Halbleiterschicht angeordnet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, ist die zweite Laserdiode in einer vertikalen Richtung, die senkrecht zu den Haupterstreckungsebenen der Laserdioden verläuft, auf der ersten Laserdiode angeordnet. Die vertikale Richtung verläuft senkrecht zur Haupterstreckungsebene der ersten Laserdiode und senkrecht zur Haupterstreckungsebene der zweiten Laserdiode. Somit sind die erste Laserdiode und die zweite Laserdiode in der vertikalen Richtung übereinander angeordnet. Die zweite Laserdiode kann vollständig auf der ersten Laserdiode angeordnet sein. Das kann bedeuten, dass zweite Laserdiode die erste Laserdiode in einer Ebene, welche parallel zur Haupterstreckungsebene der ersten Laserdiode verläuft, nicht überragt. Die erste Laserdiode kann an mindestens einer Seite bündig mit der zweiten Laserdiode abschließen. Die zweite Laserdiode kann in direktem Kontakt mit der ersten Laserdiode sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, weist die erste Laserdiode in ihrer Haupterstreckungsebene eine größere Ausdehnung auf als die zweite Laserdiode in ihrer Haupterstreckungsebene. Das kann bedeuten, dass die Fläche, über welche sich die erste Laserdiode in ihrer Haupterstreckungsebene erstreckt, größer ist als die Fläche, über welche sich die zweite Laserdiode in ihrer Haupterstreckungsebene erstreckt. Die erste Laserdiode kann in ihrer Haupterstreckungsebene die Form eines Rechtecks aufweisen. Die zweite Laserdiode kann in ihrer Haupterstreckungsebene die Form eines Rechtecks aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, ist in einem Kontaktbereich der ersten Laserdiode, welcher an der Seite der ersten Laserdiode angeordnet ist, die der zweiten Laserdiode zugewandt ist, mindestens ein elektrischer Kontakt angeordnet. Der elektrische Kontakt kann ein elektrisch leitfähiges Material aufweisen. Der Kontaktbereich kann an einer Oberseite der ersten Laserdiode angeordnet sein. Der elektrische Kontakt kann mit der ersten Laserdiode verbunden werden. Zwischen dem elektrischen Kontakt und der ersten Laserdiode kann eine elektrisch leitende Verbindung bestehen, insbesondere zwischen dem elektrischen Kontakt und der aktiven Zone der ersten Laserdiode. Die erste Laserdiode kann dazu eingerichtet sein, über den elektrischen Kontakt mit Energie versorgt zu werden. Die Laserkomponente kann frei von einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen dem elektrischen Kontakt und der aktiven Zone der zweiten Laserdiode sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, umfasst die Laserkomponente mindestens eine erste Laserdiode und mindestens eine zweite Laserdiode, wobei die erste Laserdiode und die zweite Laserdiode jeweils eine aktive Zone in einer Halbleiterschicht aufweisen, sich die aktiven Zonen jeweils parallel zur Haupterstreckungsebene der jeweiligen Laserdiode erstrecken, die Halbleiterschichten jeweils eine erste Seite und eine der ersten Seite abgewandte zweite Seite aufweisen, wobei sich die erste Seite und die zweite Seite jeweils parallel zur Haupterstreckungsebene der jeweiligen Laserdiode erstrecken, die zweite Laserdiode in einer vertikalen Richtung, die senkrecht zu den Haupterstreckungsebenen der Laserdioden verläuft, auf der ersten Laserdiode angeordnet ist, die erste Laserdiode in ihrer Haupterstreckungsebene eine größere Ausdehnung aufweist als die zweite Laserdiode in ihrer Haupterstreckungsebene, und in einem Kontaktbereich der ersten Laserdiode, welcher an der Seite der ersten Laserdiode angeordnet ist, die der zweiten Laserdiode zugewandt ist, mindestens ein elektrischer Kontakt angeordnet ist.
  • Der hier beschriebenen Laserkomponente liegt unter anderem die Idee zugrunde, dass ein kompakter Aufbau ermöglicht wird. Dies wird beispielsweise dadurch erreicht, dass die erste Laserdiode und die zweiten Laserdiode übereinander angeordnet sind. Des Weiteren weist die erste Laserdiode eine größere Erstreckung als die zweite Laserdiode auf, so dass an der Oberseite der ersten Laserdiode der Kontaktbereich angeordnet ist. Der Kontaktbereich kann zur elektrischen Kontaktierung sowohl der ersten Laserdiode als auch der zweiten Laserdiode genutzt werden. Der Kontaktbereich kann für die elektrische Kontaktierung sowohl der ersten Laserdiode als auch der zweiten Laserdiode unabhängig voneinander verwendet werden. Dies trägt ebenfalls zu einem kompakten Aufbau der Laserkomponente bei. Da die Laserkomponente insgesamt mindestens zwei Laserdioden aufweist, nämlich die erste Laserdiode und die zweite Laserdiode, ist es möglich, dass die Laserkomponente im Betrieb Laserstrahlung mindestens zwei verschiedener Wellenlängen emittiert.
  • Des Weiteren kann der Aufbau der Laserkomponente mit einer hohen Präzision erreicht werden. So können die erste Laserdiode und die zweite Laserdiode in direktem Kontakt miteinander sein. Das bedeutet, zwischen der ersten Laserdiode und der zweiten Laserdiode ist kein Träger oder keine andere den Abstand zwischen den zwei Laserdioden vergrößernde Komponente angeordnet. Dieser Aufbau der Laserkomponente ermöglicht es, dass die erste Laserdiode und die zweite Laserdiode mit einer hohen Präzision relativ zueinander angeordnet werden können. Daher sind auch die Bereiche, an denen im Betrieb die Laserstrahlung aus den zwei Laserdioden austritt, mit einer hohen Präzision relativ zueinander angeordnet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, weist die Laserkomponente eine dritte Laserdiode auf. Die dritte Laserdiode weist eine aktive Zone in einer Halbleiterschicht auf. Die aktive Zone der dritten Laserkomponente erstreckt sich parallel zur Haupterstreckungsebene der dritten Laserdiode. Die dritte Laserdiode kann in vertikaler Richtung auf der zweiten Laserdiode angeordnet sein. Somit kann die zweite Laserdiode in vertikaler Richtung zwischen der ersten Laserdiode und der dritten Laserdiode angeordnet sein. Mit einer dritten Laserdiode ist es vorteilhafterweise möglich, dass die Laserkomponente im Betrieb Laserstrahlung mit drei verschiedenen Wellenlängen emittiert. So kann die Wellenlänge der von der dritten Laserdiode im Betrieb emittierten Laserstrahlung verschieden von den Wellenlängen der von der ersten Laserdiode und der zweiten Laserdiode emittierten Laserstrahlung sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, weist die Laserkomponente eine vierte Laserdiode auf. Die vierte Laserdiode weist eine aktive Zone in einer Halbleiterschicht auf. Die aktive Zone der vierten Laserkomponente erstreckt sich parallel zur Haupterstreckungsebene der vierten Laserdiode. Die vierte Laserdiode kann in vertikaler Richtung auf der dritten Laserdiode angeordnet sein. Dabei kann die dritte Laserdiode neben der ersten Laserdiode angeordnet sein. Somit ist die vierte Laserdiode neben der zweiten Laserdiode angeordnet. Mit einer dritten und einer vierten Laserdiode ist es vorteilhafterweise möglich, dass die Laserkomponente im Betrieb Laserstrahlung mit vier verschiedenen Wellenlängen emittiert. So kann die Wellenlänge der von der vierten Laserdiode im Betrieb emittierten Laserstrahlung verschieden von den Wellenlängen der von den anderen drei Laserdioden emittierten Laserstrahlung sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, weist die Laserkomponente insgesamt mehr als drei Laserdioden auf. Dies ermöglicht, dass die Laserkomponente im Betrieb Laserstrahlung verschiedener Wellenlängen emittiert, wobei die Laserkomponente insgesamt einen kompakten Aufbau aufweisen kann. Die verschiedenen Laserdioden der Laserkomponente können übereinander und/oder nebeneinander angeordnet sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, sind beide aktiven Zonen jeweils näher an der zweiten Seite als an der ersten Seite der jeweiligen Halbleiterschicht angeordnet und die zweite Seite der Halbleiterschicht der ersten Laserdiode ist der zweiten Seite der Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode zugewandt. Das bedeutet, die aktive Zone der ersten Laserdiode ist näher an der zweiten Seite der Halbleiterschicht der ersten Laserdiode als an der ersten Seite der Halbleiterschicht der ersten Laserdiode angeordnet. Die aktive Zone der zweiten Laserdiode ist näher an der zweiten Seite der Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode als an der ersten Seite der Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode angeordnet. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass die Halbleiterschichten jeweils auf einem Substrat epitaktisch aufgewachsen werden. In einen Bereich, welcher dem Substrat abgewandt ist, werden die n-Dotierstoffe und die p-Dotierstoffe eingebracht. Somit wird jeweils zwischen dem p-dotierten Bereich und dem n-dotierten Bereich die aktive Zone gebildet. Dabei ist der dem Substrat zugewandte Bereich der Halbleiterschicht weniger oder gar nicht dotiert. Anschließend wird das Substrat entfernt. Somit verbleibt eine Halbleiterschicht, bei der an der ersten Seite das Substrat entfernt wurde und bei der der n-dotierte Bereich, der p-dotierte Bereich und die aktive Zone näher an der zweiten Seite angeordnet sind als an der ersten Seite.
  • Dass die zweite Seite der Halbleiterschicht der ersten Laserdiode der zweiten Seite der Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode zugewandt ist, kann bedeuten, dass die zweite Seite der Halbleiterschicht der ersten Laserdiode näher an der zweiten Laserdiode angeordnet ist als die erste Seite der Halbleiterschicht der ersten Laserdiode. Außerdem ist die zweite Seite der Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode näher an der ersten Laserdiode angeordnet als die erste Seite der Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode. Somit ist sowohl die zweite Seite der Halbleiterschicht der ersten Laserdiode als auch die zweite Seite der Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode einer Verbindungsebene zwischen der ersten Laserdiode und der zweiten Laserdiode zugewandt. Dieser Aufbau ermöglicht zum einen, dass die Fläche, aus welcher im Betrieb der ersten Laserdiode Laserstrahlung emittiert wird und die Fläche, aus welcher im Betrieb der zweiten Laserdiode Laserstrahlung emittiert wird, nahe beieinander liegen. Dies wird dadurch erreicht, dass für beide Halbleiterschichten die aktive Zone näher an der zweiten Seite angeordnet ist als an der ersten Seite und dass die beiden zweiten Seiten einander zugewandt sind. Des Weiteren ermöglicht dieser Aufbau, dass im Kontaktbereich ein weiterer elektrischer Kontakt angeordnet ist, über welchen die zweite Laserdiode an der zweiten Seite der Halbleiterschicht elektrisch kontaktiert werden kann. Dazu kann eine elektrisch leitfähige Verbindung zwischen den zwei Halbleiterschichten angeordnet sein um die Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode elektrisch mit dem weiteren elektrischen Kontakt zu verbinden. Dies führt insgesamt zu einem kompakten Aufbau der Laserkomponente.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, weisen die Halbleiterschichten an ihrer zweiten Seite einen p-dotierten Bereich auf oder die Halbleiterschichten weisen an ihrer zweiten Seite einen n-dotierten Bereich auf und in beiden Fällen ist die zweite Seite der Halbleiterschicht der ersten Laserdiode der zweiten Seite der Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode zugewandt. Weisen die Halbleiterschichten an ihrer zweiten Seite einen p-dotierten Bereich auf, so weisen die Halbleiterschichten ebenfalls einen n-dotierten Bereich auf, welcher beabstandet zur zweiten Seite angrenzend an den p-dotierten Bereich angeordnet ist. Weisen die Halbleiterschichten an ihrer zweiten Seite einen n-dotierten Bereich auf, so weisen die Halbleiterschichten ebenfalls einen p-dotierten Bereich auf, welcher beabstandet zur zweiten Seite angrenzend an den n-dotierten Bereich angeordnet ist. Dieser Aufbau ermöglicht wie oben beschrieben einen kompakten Aufbau der Laserkomponente.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, ist der Kontaktbereich frei von der zweiten Laserdiode. Das kann bedeuten, dass die zweite Laserdiode den Kontaktbereich nicht bedeckt. Somit ist die zweite Laserdiode nicht auf dem Kontaktbereich angeordnet. Dies ermöglicht vorteilhafterweise, dass elektrische Verbindungen von dem Kontaktbereich weggeführt werden, beispielsweise zu einem Träger. Bei den elektrischen Verbindungen kann es sich um Bonddrähte handeln.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, ist der elektrische Kontakt über eine elektrisch leitfähige Verbindung mit der zweiten Seite der Halbleiterschicht der ersten Laserdiode verbunden. Hierfür kann die erste Laserdiode eine elektrisch leitfähige Kontaktschicht aufweisen, welche elektrisch leitfähig mit der zweiten Seite der Halbleiterschicht und mit dem elektrischen Kontakt verbunden ist. Die Kontaktschicht kann sich über die gesamte Ausdehnung der ersten Laserdiode parallel zu ihrer Haupterstreckungsebene erstrecken. Somit kann vorteilhafterweise der Bereich der Halbleiterschicht der ersten Laserdiode, welcher an die zweite Seite angrenzt, also beispielsweise der p-dotierte Bereich, elektrisch über den elektrischen Kontakt kontaktiert werden. Der Bereich der Halbleiterschicht, welcher an der Seite der aktiven Zone angeordnet ist, welche der zweiten Seite abgewandt ist, also beispielsweise der n-dotierte Bereich, kann entweder an der ersten Seite der Halbleiterschicht oder ebenfalls an der zweiten Seite der Halbleiterschicht elektrisch kontaktiert werden. Die elektrischen Kontaktierungen des p-dotierten Bereichs und des n-dotierten Bereichs sind elektrisch voneinander isoliert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, ist im Kontaktbereich ein weiterer elektrischer Kontakt angeordnet, welcher über eine elektrisch leitfähige Verbindung mit der zweiten Seite der Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode verbunden ist. Hierfür kann die zweite Laserdiode eine elektrisch leitfähige Kontaktschicht aufweisen, welche elektrisch leitfähig mit der zweiten Seite der Halbleiterschicht und mit dem weiteren elektrischen Kontakt verbunden ist. Die Kontaktschicht kann sich über die gesamte Ausdehnung der zweiten Laserdiode parallel zu ihrer Haupterstreckungsebene erstrecken. Somit kann vorteilhafterweise der Bereich der Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode, welcher an die zweite Seite angrenzt, also beispielsweise der p-dotierte Bereich, elektrisch über den weiteren elektrischen Kontakt kontaktiert werden. Der Bereich der Halbleiterschicht, welcher an der Seite der aktiven Zone angeordnet ist, welche der zweiten Seite abgewandt ist, also beispielsweise der n-dotierte Bereich, kann entweder an der ersten Seite der Halbleiterschicht oder ebenfalls an der zweiten Seite der Halbleiterschicht elektrisch kontaktiert werden. Die elektrischen Kontaktierungen des p-dotierten Bereichs und des n-dotierten Bereichs sind elektrisch voneinander isoliert. Der weitere elektrische Kontakt kann mit der zweiten Laserdiode verbunden werden. Zwischen dem weiteren elektrischen Kontakt und der zweiten Laserdiode kann eine elektrisch leitende Verbindung bestehen, insbesondere zwischen dem weiteren elektrischen Kontakt und der aktiven Zone der zweiten Laserdiode. Die zweite Laserdiode kann dazu eingerichtet sein, über den weiteren elektrischen Kontakt mit Energie versorgt zu werden. Die Laserkomponente kann frei von einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen dem weiteren elektrischen Kontakt und der aktiven Zone der ersten Laserdiode sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, weisen die erste Laserdiode und die zweite Laserdiode jeweils in ihrer Halbleiterschicht eine weitere aktive Zone auf, wobei sich in der ersten Laserdiode und in der zweiten Laserdiode jeweils die weitere aktive Zone parallel zur aktiven Zone erstreckt. Das bedeutet, die erste Laserdiode weist die aktive Zone und eine weitere aktive Zone auf, wobei sich die weitere aktive Zone parallel zur aktiven Zone erstreckt. Die aktive Zone und die weitere aktive Zone können die gleiche Größe und den gleichen Aufbau aufweisen. Weiter ist es möglich, dass die erste Laserdiode die aktive Zone und mindestens zwei weitere aktive Zonen aufweist. Die aktive Zone und die weiteren aktiven Zonen können parallel zueinander angeordnet sein. Weiter können sich die aktive Zone und die weiteren aktiven Zonen parallel zueinander erstrecken. Für die aktive Zone und die weiteren aktiven Zonen können die Bereiche, aus denen die erzeugte Laserstrahlung aus der ersten Laserdiode austritt, an der selben Seite der ersten Laserdiode angeordnet sein. Weiter weist die zweite Laserdiode die aktive Zone und eine weitere aktive Zone auf, wobei sich die weitere aktive Zone parallel zur aktiven Zone erstreckt. Die aktive Zone und die weitere aktive Zone können die gleiche Größe und den gleichen Aufbau aufweisen. Weiter ist es möglich, dass die zweite Laserdiode die aktive Zone und mindestens zwei weitere aktive Zonen aufweist. Die aktive Zone und die weiteren aktiven Zonen können parallel zueinander angeordnet sein. Weiter können sich die aktive Zone und die weiteren aktiven Zonen parallel zueinander erstrecken. Für die aktive Zone und die weiteren aktiven Zonen können die Bereiche, aus denen die erzeugte Laserstrahlung aus der zweiten Laserdiode austritt, an der selben Seite der zweiten Laserdiode angeordnet sein. Die Laserkomponente kann somit insgesamt eine Vielzahl von aktiven Bereichen und damit eine Vielzahl von Bereichen aufweisen, aus denen im Betrieb Laserstrahlung emittiert wird. Die aktiven Zonen und die weiteren aktiven Zonen können jeweils separat mit Energie versorgt werden. Dies kann bedeuten, dass jede aktive Zone und jede weitere aktive Zone mit einem eigenen elektrischen Kontakt oder weiteren elektrischen Kontakt verbunden ist. Dabei sind vorteilhafterweise die Bereiche, aus welchen im Betrieb Laserstrahlung emittiert wird, kompakt beieinander angeordnet. Außerdem können die Bereiche, aus welchen im Betrieb Laserstrahlung emittiert wird, präzise relativ zueinander positioniert werden, einerseits durch das Anordnen mehrerer aktiver Zonen innerhalb einer Laserdiode, was ein präzises Positionieren ermöglicht, und andererseits durch das Anordnen der zweiten Laserdiode auf der ersten Laserdiode, wobei die zwei zweiten Seiten einander zugewandt sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, weist die erste Laserdiode an ihrer der zweiten Laserdiode zugewandten Seite eine elektrisch isolierende Schicht auf und die zweite Laserdiode weist an ihrer der ersten Laserdiode zugewandten Seite eine weitere elektrisch isolierende Schicht auf. Die elektrisch isolierenden Schichten weisen jeweils ein elektrisch isolierendes Material auf. Die elektrisch isolierenden Schichten ermöglichen vorteilhafterweise, dass der elektrische Kontakt elektrisch isoliert vom weiteren elektrischen Kontakt ist. Dies ermöglicht es, die erste Laserdiode unabhängig von der zweiten Laserdiode elektrisch zu kontaktieren. Außerdem ist durch die elektrisch isolierenden Schichten die Kontaktschicht der ersten Laserdiode elektrisch von der Kontaktschicht der zweiten Laserdiode isoliert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, weisen die elektrisch isolierende Schicht und die weitere elektrisch isolierende Schicht jeweils eine Durchkontaktierung auf, welche sich in vertikaler Richtung erstreckt und zumindest teilweise mit einem elektrisch leitfähigen Material gefüllt ist. Bei den Durchkontaktierungen kann es sich um Ausnehmungen handeln, welche mit dem elektrisch leitfähigen Material zumindest teilweise gefüllt sind. Das elektrisch leitfähige Material der Durchkontaktierung der ersten Laserdiode kann in direktem Kontakt mit dem elektrischen Kontakt und mit der Kontaktschicht der ersten Laserdiode sein. Das elektrisch leitfähige Material der Durchkontaktierung der zweiten Laserdiode kann in direktem Kontakt mit dem weiteren elektrischen Kontakt und mit der Kontaktschicht der zweiten Laserdiode sein. Dies ermöglicht, dass die Halbleiterschicht der ersten Laserdiode über den elektrischen Kontakt elektrisch kontaktierbar ist und dass die Halbleiterschicht der zweiten Laserdiode über den weiteren elektrischen Kontakt elektrisch kontaktierbar ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, weist die erste Laserdiode einen ersten Spiegel und einen zweiten Spiegel auf, wobei der erste Spiegel einen Abstand zum zweiten Spiegel aufweist und wobei der Abstand kleiner als die Erstreckung der ersten Laserdiode parallel zu einer Verbindungsachse zwischen dem ersten Spiegel und dem zweiten Spiegel ist. Die Verbindungsachse zwischen dem ersten Spiegel und dem zweiten Spiegel kann parallel zur Haupterstreckungsebene der ersten Laserdiode verlaufen. Entlang dieser Verbindungsachse weist die erste Laserdiode eine Erstreckung auf, welche größer ist als der Abstand zwischen dem ersten Spiegel und dem zweiten Spiegel entlang dieser Verbindungsachse. Der erste Spiegel kann an einer Außenseite der ersten Laserdiode angeordnet sein. Der zweite Spiegel kann vollständig in der ersten Laserdiode angeordnet sein. Der zweite Spiegel kann eine größere Reflektivität als der erste Spiegel aufweisen, insbesondere für die Wellenlänge der Laserstrahlung, welche im Betrieb in der aktiven Zone erzeugt wird. Der zweite Spiegel kann derart gebildet werden, dass vor dem Aufbringen des zweiten Spiegels ein Bereich der Halbleiterschicht durch Ätzen entfernt wird. Somit kann die aktive Zone, welche zur Erzeugung von Laserstrahlung genutzt wird, vollständig unterhalb der zweiten Laserdiode angeordnet sein. Das bedeutet, dass die aktive Zone, welche zur Erzeugung von Laserstrahlung genutzt wird, ausschließlich in dem Teil der ersten Laserdiode angeordnet ist, der von der zweiten Laserdiode bedeckt ist. Die unterhalb des Kontaktbereichs angeordnete Halbleiterschicht wird nicht zur Erzeugung von Laserstrahlung genutzt. Somit kann der Kontaktbereich zur elektrischen Kontaktierung genutzt werden.
  • Da der zweite Spiegel vollständig innerhalb der ersten Laserdiode angeordnet sein kann, kann die Länge des aktiven Bereichs unterschiedlich gewählt werden. Der aktive Bereich muss nicht unbedingt die Länge der gesamten Ausdehnung der ersten Laserdiode haben, sondern kann auch kürzer sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, ist die erste Laserdiode dazu ausgelegt im Betrieb Laserstrahlung einer ersten Wellenlänge an einer Seite zu emittieren, die quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene der ersten Laserdiode verläuft, und die zweite Laserdiode ist dazu ausgelegt im Betrieb Laserstrahlung einer zweiten Wellenlänge an einer Seite zu emittieren, die quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene der zweiten Laserdiode verläuft. Die Seite, an welcher an der ersten Laserdiode im Betrieb Laserstrahlung emittiert wird und die Seite, an welcher von der zweiten Laserdiode im Betrieb Laserstrahlung emittiert wird, können an der gleichen Seite der Laserkomponente angeordnet sein. Somit können die erste Laserdiode und die zweite Laserdiode dazu ausgelegt sein im Betrieb in die gleiche Richtung Laserstrahlung zu emittieren. Weist die Laserkomponente mehr als zwei Laserdioden auf, so können alle Laserdioden der Laserkomponente dazu ausgelegt sein im Betrieb in die gleiche Richtung Laserstrahlung zu emittieren. Die erste Wellenlänge und die zweite Wellenlänge können gleich sein. Mit dem hier beschriebenen Aufbau wird eine kompakte Anordnung der Bereiche erreicht, aus welchen Laserstrahlung emittiert wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, ist die erste Wellenlänge verschieden von der zweiten Wellenlänge. Somit kann die Laserkomponente vorteilhafterweise Laserstrahlung verschiedener Wellenlängen oder Farben emittieren. Weist die Laserkomponente eine dritte Laserdiode auf, so kann die dritte Laserdiode dazu ausgelegt sein im Betrieb Laserstrahlung einer dritten Wellenlänge zu emittieren. Die dritte Wellenlänge kann verschieden von der ersten Wellenlänge und der zweiten Wellenlänge sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, beträgt die Differenz zwischen der ersten Wellenlänge und der zweiten Wellenlänge höchstens 5 nm. Das bedeutet, dass sich die erste Wellenlänge und die zweite Wellenlänge um höchstens 5 nm unterscheiden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserkomponente, sind die erste Wellenlänge und die zweite Wellenlänge identisch.
  • Es wird ferner ein Laserbauteil angegeben. Das Laserbauteil umfasst die hier beschriebene Laserkomponente. Somit sind sämtliche für die Laserkomponente offenbarte Merkmale auch für das Laserbauteil offenbart.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Laserbauteils, umfasst das Laserbauteil die Laserkomponente und einen Träger, wobei die Laserkomponente auf dem Träger angeordnet ist. Bei dem Träger kann es sich um ein Montageelement (englisch auch „submount“) handeln oder der Träger kann ein Montageelement aufweisen. Der Träger weist eine Haupterstreckungsebene auf, welche parallel zur Haupterstreckungsebene der ersten Laserdiode und zur Haupterstreckungsebene der zweiten Laserdiode verläuft. Der Träger kann mindestens eine Ausnehmung aufweisen, in welcher elektrisch leitfähiges Material angeordnet ist. Das bedeutet, der Träger kann mindestens eine Durchkontaktierung aufweisen. Somit kann der Träger an der der Laserkomponente abgewandten Seite mindestens einen elektrischen Kontakt aufweisen. Damit kann der Träger oberflächenmontierbar sein. Der Träger kann Aluminiumnitrid aufweisen. Da die Laserkomponente einen kompakten Aufbau aufweist, weist auch das Laserbauteil insgesamt einen kompakten Aufbau auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Laserbauteils, weist der Träger einen integrierten Schaltkreis auf und die Seite des Trägers, welche der Laserkomponente abgewandt ist, bildet eine Unterseite des Laserbauteils. Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um einen Anschlussträger, eine Leiterplatte, eine bedruckte Leiterplatte oder um einen Wafer handeln. Der Träger kann ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus bestehen. Beispielsweise kann der Träger mit Silizium gebildet sein, auf das und/oder in das elektrisch leitende Strukturen wie Leiterbahnen und/oder Kontaktstellen auf- und/oder eingebracht sind. Die erste Laserdiode und die zweite Laserdiode können elektrisch mit dem integrierten Schaltkreis verbunden sein. Der integrierte Schaltkreis kann dazu ausgelegt sein die erste Laserdiode und die zweite Laserdiode elektrisch anzusteuern. An der Seite des Trägers, die der Laserkomponente abgewandt ist, ist keine weitere Komponente des Laserbauteils angeordnet. Somit bildet der Träger eine Bodenplatte des Laserbauteils. Das bedeutet, dass der Träger mit dem integrierten Schaltkreis vorteilhafterweise gleichzeitig die Ansteuerung der zwei Laserdioden ermöglicht und die Bodenplatte des Laserbauteils bildet. Somit wird keine weitere Bodenplatte für das Laserbauteil benötigt. Daher kann das Laserbauteil einen kompakten Aufbau aufweisen. Außerdem werden durch das Vermeiden einer weiteren Bodenplatte Ungenauigkeiten bei der Justage oder Montage vermieden, so dass die Laserkomponente präzise auf dem Träger positioniert werden kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Laserbauteils, weist das Laserbauteil eine Verkapselung auf, die die Laserkomponente umgibt. Die Verkapselung kann auf dem Träger angeordnet sein. Die Verkapselung kann Seitenwände aufweisen, welche auf dem Träger angeordnet sind und die Laserkomponente umgeben. Die Seitenwände können sich quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers erstrecken. Die Seitenwände können zumindest stellenweise transluzent sein. Die Seitenwände können zumindest stellenweise transluzent für von der Laserkomponente im Betrieb emittierte Laserstrahlung sein. Auf der dem Träger abgewandten Seite der Laserkomponente kann eine Abdeckung auf den Seitenwänden angeordnet sein. Die Abdeckung kann beabstandet zur Laserkomponente angeordnet sein. Die Abdeckung kann zumindest stellenweise transluzent sein. Die Abdeckung kann zumindest stellenweise transluzent für von der Laserkomponente im Betrieb emittierte Laserstrahlung sein. Die Laserkomponente ist vom Träger und der Verkapselung vollständig umgeben. Das bedeutet, dass die Laserkomponente nicht in direktem Kontakt mit der Umgebung außerhalb der Verkapselung und des Trägers ist. Somit ist die Laserkomponente vor äußeren Umwelteinflüssen geschützt. Dies erhöht die Lebensdauer des Laserbauteils.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Laserbauteils, beträgt eine Leckrate von Luft zur Laserkomponente höchstens 5 * 10-8 mbar * Liter/Sekunde. Das kann bedeuten, dass die Leckrate von Luft durch die Verkapselung, den Träger und die Verbindung zwischen der Verkapselung und dem Träger höchstens 5 * 10-8 mbar * Liter/Sekunde beträgt. Somit ist das Laserbauteil hermetisch dicht. Dabei bilden der Träger und die Verkapselung eine hermetisch dichte Anordnung, in welcher die Laserkomponente angeordnet ist. Mit anderen Worten bilden der Träger und die Verkapselung eine hermetisch dichte Kavität, in welcher die Laserkomponente angeordnet ist. Somit ist die Laserkomponente vor äußeren Umwelteinflüssen geschützt. Dies erhöht die Lebensdauer des Laserbauteils.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Laserbauteils, ist der elektrische Kontakt elektrisch mit zumindest einem Bereich des Trägers verbunden. Der elektrische Kontakt der ersten Laserdiode kann elektrisch mit einem elektrischen Kontakt des integrierten Schaltkreises des Trägers verbunden sein. Somit kann die erste Laserdiode elektrisch über den Träger angesteuert werden. Auch der weitere elektrische Kontakt kann elektrisch mit zumindest einem Bereich des Trägers verbunden sein. So kann der weitere elektrische Kontakt der zweiten Laserdiode elektrisch mit einem elektrischen Kontakt des integrierten Schaltkreises des Trägers verbunden sein. So kann auch die zweite Laserdiode elektrisch über den Träger angesteuert werden.
  • Es wird ein weiteres Laserbauteil angegeben. Das weitere Laserbauteil weist mindestens eine Laserdiode auf, welche auf einem Träger angeordnet ist. Der Träger weist einen integrierten Schaltkreis auf und die Seite des Trägers, welche der Laserdiode abgewandt ist, bildet eine Unterseite des weiteren Laserbauteils. Somit bildet der Träger eine Bodenplatte des weiteren Laserbauteils. Außerdem weist das weitere Laserbauteil eine Verkapselung auf dem Träger auf, welche die Laserdiode umgibt. Die Komponenten des weiteren Laserbauteils können die im Zusammenhang mit dem Laserbauteil beschriebenen Eigenschaften aufweisen. Anstatt der Laserdiode kann das weitere Laserbauteil eine hier beschriebene Laserkomponente aufweisen.
  • Im Folgenden werden die hier beschriebene Laserkomponente und das hier beschriebene Laserbauteil in Verbindung mit Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
    • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Laserkomponente gemäß einem Ausführungsbeispiel.
    • 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine zweite Laserdiode gemäß einem Ausführungsbeispiel.
    • Die 3 und 4 zeigen schematische Querschnitte durch ein Laserbauteil gemäß einem Ausführungsbeispiel.
    • Die 5 und 6 zeigen Draufsichten auf eine Laserkomponente gemäß einem Ausführungsbeispiel.
    • 7 zeigt eine Draufsicht auf eine zweite Laserdiode gemäß einem Ausführungsbeispiel.
    • 8 zeigt eine Draufsicht auf eine Laserkomponente gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
    • 9 zeigt eine Draufsicht auf eine zweite Laserdiode gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • Mit den 10 und 11 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Laserbauteils beschrieben.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
  • In 1 ist ein schematischer Querschnitt durch eine Laserkomponente 20 gemäß einem Ausführungsbeispiel gezeigt. Die Laserkomponente 20 umfasst eine erste Laserdiode 21 und eine zweite Laserdiode 22. Die zweite Laserdiode 22 ist in einer vertikalen Richtung z, die senkrecht zu den Haupterstreckungsebenen der zwei Laserdioden 21, 22 verläuft, auf der ersten Laserdiode 21 angeordnet. Die erste Laserdiode 21 kann auf einem Träger 39 angeordnet sein. Dabei ist der Träger 39 nicht notwendigerweise Teil der Laserkomponente 20. Die erste Laserdiode 21 ist in vertikaler Richtung z somit zwischen dem Träger 39 und der zweiten Laserdiode 22 angeordnet.
  • Die erste Laserdiode 21 und die zweite Laserdiode 22 weisen jeweils eine Halbleiterschicht 24 auf, wobei in jeder Halbleiterschicht 24 eine aktive Zone 23 angeordnet ist. Die aktiven Zonen 23 erstrecken sich jeweils parallel zur Haupterstreckungsebene der jeweiligen Laserdiode 21, 22. Die Halbleiterschichten 24 weisen jeweils eine erste Seite 25 und eine der ersten Seite 25 abgewandte zweite Seite 26 auf. Die erste Seite 25 und die zweite Seite 26 erstrecken sich jeweils parallel zur Haupterstreckungsebene der jeweiligen Laserdiode 21, 22. Die Halbleiterschichten 24 weisen weiter jeweils einen p-dotierten Bereich 29 und einen n-dotierten Bereich 30 auf. Dabei ist die aktive Zone 23 jeweils in vertikaler Richtung z zwischen dem p-dotierten Bereich 29 und dem n-dotierten Bereich 30 angeordnet.
  • Die Halbleiterschichten 24 können jeweils auf einem Substrat 56 oder einer Trägerschicht 56 angeordnet sein. Dabei ist jeweils der n-dotierte Bereich 30 dem Substrat 56 oder der Trägerschicht 56 zugewandt. Die Trägerschicht 56 kann ein Metall aufweisen.
  • Die beiden aktiven Zonen 23 sind jeweils näher an der zweiten Seite 26 als an der ersten Seite 25 der jeweiligen Halbleiterschicht 24 angeordnet. Außerdem ist bei beiden Halbleiterschichten 24 der p-dotierte Bereich 29 an der zweiten Seite 26 angeordnet. Somit ist für beide Halbleiterschichten 24 der p-dotierte Bereich 29 näher an der zweiten Seite 26 angeordnet als der n-dotierte Bereich 30.
  • Die zweite Seite 26 der Halbleiterschicht 24 der ersten Laserdiode 21 ist der zweiten Seite 26 der Halbleiterschicht 24 der zweiten Laserdiode 22 zugewandt. Somit sind die beiden n-dotierten Bereiche 30 weiter voneinander entfernt als die beiden p-dotierten Bereiche 29.
  • Die erste Laserdiode 21 weist einen ersten Spiegel 36 und einen zweiten Spiegel 37 auf. Die aktive Zone 23 ist zwischen dem ersten Spiegel 36 und den zweiten Spiegel 37 angeordnet. Somit wird mit dem ersten Spiegel 36 und dem zweiten Spiegel 37 der Resonator der ersten Laserdiode 21 gebildet. Der erste Spiegel 36 weist einen Abstand zum zweiten Spiegel 37 auf, wobei der Abstand kleiner als die Erstreckung der ersten Laserdiode 21 parallel zu einer Verbindungsachse zwischen dem ersten Spiegel 36 und dem zweiten Spiegel 37 ist. Somit erstreckt sich die aktive Zone 23 nicht über die gesamte Ausdehnung der ersten Laserdiode 21 parallel zur Haupterstreckungsrichtung der aktiven Zone 23. Die aktive Zone 23 der ersten Laserdiode 21 ist lediglich in dem Bereich angeordnet, über welchem die zweite Laserdiode 22 angeordnet ist.
  • Die zweite Laserdiode 22 weist ebenfalls einen ersten Spiegel 36 und einen zweiten Spiegel 37 auf. Die aktive Zone 23 ist zwischen dem ersten Spiegel 36 und den zweiten Spiegel 37 angeordnet. Somit wird mit dem ersten Spiegel 36 und dem zweiten Spiegel 37 der Resonator der zweiten Laserdiode 22 gebildet. Der erste Spiegel 36 und der zweite Spiegel 37 der zweiten Laserdiode 22 grenzen jeweils an eine Außenseite der zweiten Laserdiode 22 an. Somit erstreckt sich die aktive Zone 23 der zweiten Laserdiode 22 über die gesamte Ausdehnung der zweiten Laserdiode 22 parallel zur Haupterstreckungsrichtung der aktiven Zone 23.
  • Die erste Laserdiode 21 ist dazu ausgelegt im Betrieb Laserstrahlung einer ersten Wellenlänge an einer Seite zu emittieren, die senkrecht zur Haupterstreckungsebene der ersten Laserdiode 21 verläuft. Die im Betrieb der ersten Laserdiode 21 erzeugte Laserstrahlung kann aus dem zweiten Spiegel 37 aus der ersten Laserdiode 21 austreten. Somit handelt es sich bei dem zweiten Spiegel 37 um einen Austrittsspiegel. Die Ausbreitungsrichtung der austretenden Laserstrahlung verläuft senkrecht zur vertikalen Richtung z, was in 1 mit einem Pfeil dargestellt ist.
  • Die zweite Laserdiode 22 ist dazu ausgelegt im Betrieb Laserstrahlung einer zweiten Wellenlänge an einer Seite zu emittieren, die senkrecht zur Haupterstreckungsebene der zweiten Laserdiode 22 verläuft. Die im Betrieb der zweiten Laserdiode 22 erzeugte Laserstrahlung kann aus dem zweiten Spiegel 37 aus der zweiten Laserdiode 22 austreten. Somit handelt es sich bei dem zweiten Spiegel 37 um einen Austrittsspiegel. Die Ausbreitungsrichtung der austretenden Laserstrahlung verläuft senkrecht zur vertikalen Richtung z, was in 1 mit einem Pfeil dargestellt ist.
  • Die erste Wellenlänge kann verschieden von der zweiten Wellenlänge sein, sodass die Laserkomponente 20 dazu ausgelegt ist Laserstrahlung verschiedener Wellenlängen zu emittieren.
  • Die erste Laserdiode 21 weist in ihrer Haupterstreckungsebene eine größere Ausdehnung auf als die zweite Laserdiode 22 in ihrer Haupterstreckungsebene. Somit verbleibt an der Seite der ersten Laserdiode 21, welche der zweiten Laserdiode 22 zugewandt ist, ein Kontaktbereich 27, der frei von der zweiten Laserdiode 22 ist. Im Kontaktbereich 27 ist ein elektrischer Kontakt 28 angeordnet.
  • Der elektrische Kontakt 28 ist über eine elektrisch leitfähige Verbindung mit der zweiten Seite 26 der Halbleiterschicht 24 der ersten Laserdiode 21 verbunden. Dafür weist die erste Laserdiode 21 an ihrer der zweiten Laserdiode 22 zugewandten Seite eine elektrisch isolierende Schicht 33 auf. Die elektrisch isolierende Schicht 33 weist eine Durchkontaktierung 35 auf, welche sich in der vertikalen Richtung z erstreckt und welche mit einem elektrisch leitfähigen Material gefüllt ist. Die Durchkontaktierung 35 ist angrenzend an den elektrischen Kontakt 28 angeordnet. In vertikaler Richtung z ist die Durchkontaktierung 35 unterhalb des elektrischen Kontakts 28 angeordnet. Parallel zur elektrisch isolierenden Schicht 33 erstreckt sich eine elektrisch leitfähige Kontaktschicht 42 der ersten Laserdiode 21. Die Kontaktschicht 42 ist in direktem Kontakt mit dem elektrisch leitfähigen Material in der Durchkontaktierung 35. Die Kontaktschicht 42 erstreckt sich über die gesamte Ausdehnung der ersten Laserdiode 21 in ihrer Haupterstreckungsebene. In vertikaler Richtung z ist die Kontaktschicht 42 unterhalb der elektrisch isolierenden Schicht 33 angeordnet. Außerdem ist die Kontaktschicht 42 in vertikaler Richtung z auf der Halbleiterschicht 24 angeordnet. An der zweiten Seite 26 der Halbleiterschicht 24 ist die Kontaktschicht 42 in direktem Kontakt mit der Halbleiterschicht 24 und somit mit dem p-dotierten Bereich 29. Das bedeutet, dass der p-dotierte Bereich 29 elektrisch leitfähig mit dem elektrischen Kontakt 28 verbunden ist. An der ersten Seite 25 der Halbleiterschicht 24 ist eine weitere Kontaktschicht 43 angeordnet. Die weitere Kontaktschicht 43 ist ebenfalls elektrisch leitfähig. Somit ist der n-dotierte Bereich 30 der Halbleiterschicht 24 über die weitere Kontaktschicht 43 elektrisch kontaktiert. Die weitere Kontaktschicht 43 kann in direktem Kontakt mit einem elektrischen Kontakt des Trägers 39 sein.
  • Im Kontaktbereich 27 ist ein weiterer elektrischer Kontakt 31 angeordnet. Der weitere elektrische Kontakt 31 ist über eine elektrisch leitfähige Verbindung mit der zweiten Seite 26 der Halbleiterschicht 24 der zweiten Laserdiode 22 verbunden. Die zweite Laserdiode 22 weist mindestens zwei Verbindungsbereiche 44 auf. Die Verbindungsbereiche 44 sind zumindest stellenweise elektrisch leitfähig. Die Verbindungsbereiche 44 weisen jeweils drei übereinanderliegende Schichten auf, welche elektrisch leitfähig sind. Außerdem weist die zweite Laserdiode 22 an ihrer der ersten Laserdiode 21 zugewandten Seite eine weitere elektrisch isolierende Schicht 34 auf. Die Verbindungsbereiche 44 sind in vertikaler Richtung z unterhalb der weiteren elektrisch isolierenden Schicht 34 angeordnet. Der in 1 auf der linken Seite dargestellte Verbindungsbereich 44 ist elektrisch leitfähig mit dem weiteren elektrischen Kontakt 31 verbunden. Dies erfolgt über einen elektrisch leitfähigen Kontaktsteg 51, welcher nicht im gezeigten Querschnitt liegt. Die weitere elektrisch isolierende Schicht 34 weist eine Durchkontaktierung 35 auf, welche sich in der vertikalen Richtung z erstreckt und welche mit einem elektrisch leitfähigen Material gefüllt ist. Die Durchkontaktierung 35 ist angrenzend an einen der Verbindungsbereiche 44 angeordnet. In vertikaler Richtung z ist die Durchkontaktierung 35 oberhalb des Verbindungsbereichs 44 angeordnet. Dabei handelt es sich um den Verbindungsbereich 44, welcher in 1 links dargestellt ist. Parallel zur weiteren elektrisch isolierenden Schicht 34 erstreckt sich eine elektrisch leitfähige Kontaktschicht 42 der zweiten Laserdiode 22. Die Kontaktschicht 42 ist in direktem Kontakt mit dem elektrisch leitfähigen Material in der Durchkontaktierung 35. Die Kontaktschicht 42 erstreckt sich über die gesamte Ausdehnung der zweiten Laserdiode 22 in ihrer Haupterstreckungsebene. In vertikaler Richtung z ist die Kontaktschicht 42 oberhalb der elektrisch isolierenden Schicht 33 angeordnet. Außerdem ist die Kontaktschicht 42 in vertikaler Richtung z unterhalb der Halbleiterschicht 24 angeordnet. An der zweiten Seite 26 der Halbleiterschicht 24 ist die Kontaktschicht 42 in direktem Kontakt mit der Halbleiterschicht 24 und somit mit dem p-dotierten Bereich 29. Das bedeutet, dass der p-dotierte Bereich 29 elektrisch leitfähig mit dem weiteren elektrischen Kontakt 31 verbunden ist.
  • An der ersten Seite 25 der Halbleiterschicht 24 kann eine weitere Kontaktschicht 43 angeordnet sein, was in 1 nicht gezeigt ist. Die weitere Kontaktschicht 43 ist ebenfalls elektrisch leitfähig. Somit kann der n-dotierte Bereich 30 der Halbleiterschicht 24 über die weitere Kontaktschicht 43 elektrisch kontaktiert werden. Die weitere Kontaktschicht 43 kann über einen Bonddraht 55 elektrisch mit einem Bereich des Trägers 39 oder einem Bereich des Kontaktbereichs 27 verbunden werden.
  • In 2 ist ein schematischer Querschnitt durch die zweite Laserdiode 22 gemäß einem Ausführungsbeispiel gezeigt. Dabei ist die zweite Laserdioden 22 auf einem Träger 39 angeordnet, welcher nicht Bestandteil der zweiten Laserdiode 22 ist. Die zweite Laserdiode 22 weist den in 1 gezeigten Aufbau auf mit dem einzigen Unterschied, dass die Durchkontaktierung 35 oberhalb des rechten Verbindungsbereichs 44 angeordnet ist statt oberhalb des linken Verbindungsbereichs 44.
  • In 3 ist ein schematischer Querschnitt durch ein Laserbauteil 38 gemäß einem Ausführungsbeispiel gezeigt. Das Laserbauteil 38 umfasst die Laserkomponente 20 und einen Träger 39. Die Laserkomponente 20 ist auf dem Träger 39 angeordnet. Dafür ist die Laserkomponente 20 auf einem Montageelement 45 angeordnet und das Montageelement 45 ist auf dem Träger 39 angeordnet. Die Laserkomponente 20 weist die erste Laserdiode 21, die zweite Laserdiode 22 und eine dritte Laserdiode 48 auf. Dabei ist die zweite Laserdiode 22 in vertikaler Richtung z auf der ersten Laserdiode 21 angeordnet. Die dritte Laserdiode 48 ist auf dem Montageelement 45 neben der ersten Laserdiode 21 angeordnet. Die dritte Laserdiode 48 kann dazu ausgelegt sein Laserstrahlung einer dritten Wellenlänge zu emittieren. Die dritte Wellenlänge kann verschieden von der ersten Wellenlänge und der zweiten Wellenlänge sein.
  • Der Träger 39 weist einen integrierten Schaltkreis auf. Das Montageelement 45 kann Durchkontaktierungen aufweisen. Somit können der elektrische Kontakt 28 und der weitere elektrische Kontakt 31 über das Montageelement 45 elektrisch mit dem Träger 39 verbunden sein. Es ist weiter möglich, dass das Montageelement 45 elektrisch leitfähige Schichten aufweist, welche mit den Durchkontaktierungen verbunden sind. Das Montageelement 45 kann Aluminiumnitrid, Silizium oder Siliziumcarbid aufweisen. Weiter kann das Montageelement 45 ebenfalls einen integrierten Schaltkreis aufweisen. In diesem Fall sind der integrierte Schaltkreis des Montageelements 45 und der integrierte Schaltkreis des Trägers 39 elektrisch miteinander verbunden.
  • Die Seite des Trägers 39, welche der Laserkomponente 20 abgewandt ist, bildet eine Unterseite 40 des Laserbauteils 38.
  • Das Laserbauteil 38 weist weiter eine Verkapselung 41 auf, welche auf dem Träger 39 angeordnet ist und die Laserkomponente 20 umgibt. Die Verkapselung 41 weist Seitenwände 46 auf, welche auf dem Träger 39 angeordnet sind und die Laserkomponente 20 umgeben. An der Seite der Laserkomponente 20, welche dem Träger 39 abgewandt ist, ist eine Abdeckung 47 auf den Seitenwänden 46 angeordnet. Eine Leckrate in diese Anordnung aus dem Träger 39 und der Verkapselung 41 beträgt höchstens 5 * 10-8 mbar * Liter/Sekunde. Somit beträgt eine Leckrate von Luft zur Laserkomponente 20 höchstens 5 * 10-8 mbar * Liter/Sekunde.
  • In 4 ist ein anderer Querschnitt durch das Laserbauteil 38 aus 3 gezeigt. Die Ebene, in welchem der Querschnitt aus 3 angeordnet ist, schließt einen Winkel von 90° mit der Ebene ein, in welchem der Querschnitt aus 4 angeordnet ist. Somit ist in 4 eine Sicht auf eine andere Seite des Laserbauteils 38 gezeigt als in 3.
  • Der elektrische Kontakt 28, welcher im Kontaktbereich 27 angeordnet ist, ist über einen Bonddraht 55 elektrisch mit dem Träger 39 verbunden. Auch der weitere elektrische Kontakt 31 kann über ein Bonddraht 55 mit dem Träger 39 elektrisch verbunden sein. Ein elektrischer Kontakt, welcher an der Seite des Montageelements 45 angeordnet ist, welche dem Träger 39 abgewandt ist, ist über einen Bonddraht 55 elektrisch mit dem Träger 39 verbunden. Dieser elektrische Kontakt des Montageelements 45 kann elektrisch mit dem n-dotierten Bereich 30 der ersten Laserdiode 21 verbunden sein.
  • Auf dem Träger 39 und innerhalb der Verkapselung 41 ist ein optisches Element 49 neben der Laserkomponente 20 angeordnet. Das optische Element 49 kann zur Strahlformung oder Strahllenkung von Laserstrahlung dienen, die von der Laserkomponente 20 emittiert wird. So kann aus dem optischen Element 49 Laserstrahlung in vertikaler Richtung z austreten oder in eine Richtung, welche senkrecht zur vertikalen Richtung z verläuft. Dies ist in 4 durch Pfeile dargestellt.
  • In 5 ist eine Draufsicht auf die Laserkomponente 20 gemäß einem Ausführungsbeispiel gezeigt. Die äußere Begrenzungslinie gibt dabei die Form der ersten Laserdiode 21 an. Mit gestrichelten Linien sind die Form der zweiten Laserdiode 22 und der Kontaktbereich 27 dargestellt. Die erste Laserdiode 21 weist in diesem Ausführungsbeispiel die aktive Zone 23 und eine weitere aktive Zone 32 auf. Die weitere aktive Zone 32 erstreckt sich parallel zur aktiven Zone 23. Die weitere aktive Zone 32 kann den gleichen Aufbau wie die aktive Zone 23 aufweisen. Die aktive Zone 23 und die weitere aktive Zone 32 sind beabstandet zueinander angeordnet. Auch die weitere aktive Zone 32 ist zwischen einem ersten Spiegel 36 und einem zweiten Spiegel 37 angeordnet. Auch die zweite Laserdiode 22 kann in gleicher Weise eine weitere aktive Zone 32 aufweisen.
  • In 6 ist eine weitere Draufsicht auf die Laserkomponente 20 gemäß einem Ausführungsbeispiel gezeigt. Dabei sind andere Bereiche der Laserkomponente 20 als in 5 gezeigt. Die äußere Begrenzungslinie gibt dabei die Form der ersten Laserdiode 21 an. Schraffiert ist die Form der zweiten Laserdiode 22 dargestellt. Außerdem sind die aktive Zone 23 und die weitere aktive Zone 32 der ersten Laserdiode 21 mit den ersten Spiegeln 36 und den zweiten Spiegeln 37 gezeigt.
  • Oberhalb der ersten Laserdiode 21 sind die Verbindungsbereiche 44 der zweiten Laserdiode 22 angeordnet. Die Verbindungsbereiche 44 sind beabstandet zueinander angeordnet. Die Verbindungsbereiche 44 erstrecken sich stellenweise in einer Richtung, welche in der Draufsicht senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung der aktiven Zonen 23 verläuft. Ein erster Verbindungsbereich 50 ist oberhalb der Seite der ersten Laserdiode 21 angeordnet, wo die zweiten Spiegel 37 angeordnet sind. Über einen Kontaktsteg 51 ist der erste Verbindungsbereich 50 elektrisch mit dem weiteren elektrischen Kontakt 31 verbunden. In diesem Ausführungsbeispiel weist die Laserkomponente 20 insgesamt zwei weitere elektrische Kontakte 31 auf. Diese sind an der entgegengesetzten Seite im Vergleich zum ersten Verbindungsbereich 50 angeordnet. Somit erstreckt sich der Kontaktsteg 51 über die gesamte Erstreckung der ersten Laserdiode 21. Ein zweiter Verbindungsbereich 52 ist beabstandet zum ersten Verbindungsbereich 50 und näher an den ersten Spiegeln 36 angeordnet als der erste Verbindungsbereich 50. Der zweite Verbindungsbereich 52 ist ebenfalls über einen Kontaktsteg 51 mit dem anderen der zwei weiteren elektrischen Kontakte 31 elektrisch verbunden. Ein dritter Verbindungsbereich 53 ist beabstandet zum zweiten Verbindungsbereich 52 und näher an den ersten Spiegeln 36 angeordnet als der zweite Verbindungsbereich 52. Außerdem ist neben dem dritten Verbindungsbereich 53 ein vierter Verbindungsbereich 54 angeordnet. Der vierte Verbindungsbereich 54 in zwei separate Teile aufgeteilt. Der vierte Verbindungsbereich 54 ist beabstandet zum dritten Verbindungsbereich 53 angeordnet. Der dritte Verbindungsbereich 53 und der vierte Verbindungsbereich 54 sind nicht elektrisch mit dem weiteren elektrischen Kontakt 31 und auch nicht mit der Halbleiterschicht 24 verbunden. Der dritte Verbindungsbereich 53 und der vierte Verbindungsbereich 54 dienen somit zur Wärmeableitung für die zweite Laserdiode 22.
  • Benachbart zu den ersten Spiegeln 36 sind oberhalb der Halbleiterschicht 24 zwei Durchkontaktierungen 35 in der elektrisch isolierenden Schicht 33 angeordnet. Das elektrisch leitfähige Material in jeder der Durchkontaktierungen 35 ist mit jeweils einem der zwei elektrischen Kontakte 28 elektrisch verbunden. Die zwei elektrischen Kontakte 28 und die zwei weiteren elektrischen Kontakte 31 sind im Kontaktbereich 27 angeordnet.
  • In 7 ist eine Draufsicht auf einen Querschnitt durch die zweite Laserdiode 22 gemäß einem Ausführungsbeispiel gezeigt. Die zweite Laserdiode 22 weist die aktive Zone 23 und eine weitere aktive Zone 32 auf, welche parallel zur aktiven Zone 23 angeordnet ist. Dabei sind der erste Verbindungsbereich 50, der zweite Verbindungsbereich 52 und der dritte Verbindungsbereich 53 gezeigt, welche wie in 6 nebeneinander angeordnet sind. Außerdem ist neben dem dritten Verbindungsbereich 53 der vierte Verbindungsbereich 54 angeordnet. Der erste Verbindungsbereich 50 ist elektrisch leitfähig mit dem elektrisch leitfähigen Material in einer Durchkontaktierung 35 in der weiteren elektrisch isolierenden Schicht 34 verbunden. Auch der zweite Verbindungsbereich 52 ist elektrisch leitfähige mit dem elektrisch leitfähige Material in einer weiteren Durchkontaktierung 35 in der weiteren elektrisch isolierenden Schicht 34 verbunden. Der dritte Verbindungsbereich 53 und der vierte Verbindungsbereich 54 sind nicht elektrisch mit dem weiteren elektrischen Kontakt 31 und auch nicht mit der Halbleiterschicht 24 verbunden. Der dritte Verbindungsbereich 53 und der vierte Verbindungsbereich 54 dienen somit zur Wärmeableitung für die zweite Laserdiode 22. Der vierte Verbindungsbereich 54 weist in einem Bereich zwischen der aktiven Zone 23 und der weiteren aktiven Zone 32 eine Unterbrechung auf. Somit ist der vierte Verbindungsbereich 54 in zwei separate Teile aufgeteilt. Dadurch werden elektrische Kurzschlüsse in darunterliegenden Bereichen vermieden.
  • In 8 ist eine Draufsicht auf die Laserkomponente 20 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel gezeigt. Die Laserkomponente 20 ist ähnlich wie 6 dargestellt. Die äußere Begrenzungslinie gibt dabei die Form der ersten Laserdiode 21 an. Schraffiert ist die Form der zweiten Laserdiode 22 dargestellt. Außerdem sind die aktive Zone 23 und die weitere aktive Zone 32 der ersten Laserdiode 21 mit den ersten Spiegeln 36 und den zweiten Spiegeln 37 gezeigt.
  • Die erste Laserdiode 21 weist Durchkontaktierungen 35 durch die Halbleiterschicht 24 auf. Die Durchkontaktierungen 35 durch die Halbleiterschicht 24 sind elektrisch leitfähig mit dem n-dotierten Bereich 30 der ersten Laserdiode 21 verbunden. Die Durchkontaktierungen 35 durch die Halbleiterschicht 24 sind unterhalb einer Fläche angeordnet, welche frei von der zweiten Laserdiode 22 ist und bei welcher es sich nicht um den Kontaktbereich 27 handelt. An der der zweiten Laserdiode 22 zugewandten Seite der ersten Laserdiode 21 sind zwei Kontaktstege 51 angeordnet, welche jeweils einige der Durchkontaktierungen 35 durch die Halbleiterschicht 24 elektrisch mit einem elektrischen Kontakt 28 verbinden. Der elektrische Kontakt 28 ist im Kontaktbereich 27 angeordnet. Im Kontaktbereich 27 ist außerdem ein elektrischer Kontakt 28 angeordnet, welcher über eine Durchkontaktierung 35 elektrisch mit dem p-dotierten Bereich 29 oberhalb der aktiven Zone 23 der ersten Laserdiode 21 verbunden ist. Außerdem ist im Kontaktbereich 27 ein elektrischer Kontakt 28 angeordnet, welcher über eine Durchkontaktierung 35 elektrisch mit dem p-dotierten Bereich 29 oberhalb der weiteren aktiven Zone 32 der ersten Laserdiode 21 verbunden ist.
  • Die zweite Laserdiode 22 weist zwei erste Verbindungsbereiche 50, zwei zweite Verbindungsbereiche 52, zwei dritte Verbindungsbereiche 53, zwei vierte Verbindungbereiche 54 und einen fünften Verbindungsbereich 57 auf. Einer der dritten Verbindungsbereiche 53 ist elektrisch leitfähig mit dem p-dotierten Bereich 29 unterhalb der aktiven Zone 23 der zweiten Laserdiode 22 verbunden. Dieser dritte Verbindungsbereich 53 ist elektrisch mit einem weiteren elektrischen Kontakt 31 im Kontaktbereich 27 verbunden. Der andere der dritten Verbindungsbereiche 53 ist elektrisch leitfähig mit dem p-dotierten Bereich 29 unterhalb der weiteren aktiven Zone 32 der zweiten Laserdiode 22 verbunden. Dieser dritte Verbindungsbereich 53 ist elektrisch mit einem weiteren elektrischen Kontakt 31 im Kontaktbereich 27 verbunden. Der fünfte Verbindungsbereich 57 ist elektrisch leitfähig mit dem n-dotierten Bereich 30 der zweiten Laserdiode 22 verbunden. Der fünfte Verbindungsbereich 57 ist elektrisch mit einem weiteren elektrischen Kontakt 31 im Kontaktbereich 27 verbunden. Somit sind insgesamt drei elektrische Kontakte 28 und drei weitere elektrische Kontakte 31 im Kontaktbereich 27 angeordnet.
  • In 9 ist eine Draufsicht auf einen Querschnitt durch die zweite Laserdiode 22 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel gezeigt. Bei der zweiten Laserdiode 22 kann es sich um die zweite Laserdioden 22 des Ausführungsbeispiels der Laserkomponente 20 aus 8 handeln. Dabei ist die zweite Laserdiode 22 ähnlich wie in 7 dargestellt. Der fünfte Verbindungsbereich 57 ist beabstandet zu den anderen Verbindungsbereichen 50, 52, 53, 54 angeordnet. Dabei erstreckt sich der fünfte Verbindungsbereich 57 parallel zur Haupterstreckungsrichtung der aktiven Zone 23 und der Haupterstreckungsrichtung der weiteren aktiven Zone 32. Der fünfte Verbindungsbereich 57 ist jeweils zwischen den zwei ersten Verbindungsbereichen 50, zwischen den zwei zweiten Verbindungsbereichen 52, zwischen den zwei dritten Verbindungsbereichen 53 und zwischen den zwei vierten Verbindungsbereichen 54 angeordnet. Oberhalb der dritten Verbindungsbereiche 53 ist jeweils eine Durchkontaktierung 35 angeordnet. Über diese Durchkontaktierungen 35 sind die dritten Verbindungsbereiche 53 elektrisch leitfähig mit dem p-dotierten Bereich 29 der zweiten Laserdiode 22 verbunden. Oberhalb des fünften Verbindungsbereichs 57 sind Durchkontaktierungen 35 angeordnet, über welche der fünfte Verbindungsbereich 57 elektrisch leitfähig mit dem n-dotierten Bereich 30 der zweiten Laserdiode 22 verbunden sind. Die dritten Verbindungsbereiche 53 und der fünfte Verbindungsbereich 57 dienen somit zur elektrischen Kontaktierung, zur mechanischen Verbindung der zweiten Laserdiode 22 mit der ersten Laserdiode 21 und zur Wärmeableitung. Die übrigen Verbindungsbereiche 50, 52, 54 dienen zur mechanischen Verbindung der zweiten Laserdiode 22 mit der ersten Laserdiode 21 und zur Wärmeableitung.
  • In 10 ist eine Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel des Laserbauteils 38 gezeigt. Das Laserbauteil 38 weist die Laserkomponente 20 und das optische Element 49 auf. In der Draufsicht in 10 ist die Fläche dargestellt, auf welcher die Laserkomponente 20 und das optische Element 49 montiert sind. Die Laserkomponente 20, das optische Element 49 und Seitenwände 46 einer Verkapselung 41 sind auf dem Träger 39 angeordnet. Außerdem ist auf dem Träger 39 eine Isolationsschicht 58 angeordnet, welche die Laserkomponente 20 und das optische Element 49 rahmenartig umgibt. Die Isolationsschicht 58 ist innerhalb der Seitenwände 46 und unterhalb der Seitenwände 46 angeordnet. Zwischen der Isolationsschicht 58 und dem Träger 39 sind Verbindungsschichten 59 angeordnet. Die Verbindungsschichten 59 sind elektrisch leitfähig. Beispielhaft sind in 10 drei Verbindungsschichten 59 dargestellt. Die Verbindungsschichten 59 erstrecken sich auf dem Träger 39 unterhalb der Isolationsschicht 58 durch aus der Verkapselung 41 heraus. In einem Anschlussbereich 60 auf dem Träger 39 neben der Verkapselung 41 liegen die Verbindungsschichten 59 zur elektrischen Kontaktierung frei. Die Verbindungsschichten 59 können elektrisch mit der ersten Laserdiode 21 und der zweiten Laserdiode 22 verbunden sein. Somit können die erste Laserdiode 21 und die zweite Laserdiode 22 elektrisch über die Verbindungsschichten 59 kontaktiert werden. Vorteilhafterweise liegen dabei die Verbindungsschichten 59 teilweise außerhalb der Verkapselung und 40. Durch die Durchführung der Verbindungsschichten 59 zwischen den Seitenwänden 46 und dem Träger 39 kann die Laserkomponente 20 weiter hermetisch dicht eingeschlossen sein. Die Isolationsschicht 58 verhindert einen Kurzschluss über die Seitenwände 46.
  • In 11 ist ein schematischer Querschnitt durch das in 10 gezeigte Ausführungsbeispiel des Laserbauteils 38 gezeigt. Auf dem Träger 39 sind die erste Laserdiode 21 und die zweite Laserdioden 22 auf dem Montageelement 45 angeordnet. Neben der ersten Laserdiode 21 und der zweiten Laserdiode 22 ist das optische Element 49 auf dem Träger 39 angeordnet. Seitenwände 46 auf dem Träger 39 und die Abdeckung 47 auf den Seitenwänden 46 bilden die Verkapselung 41. Auf dem Träger 39 sind die Verbindungsschichten 59 angeordnet und zwischen den Seitenwänden 46 und den Verbindungsschichten 59 ist die Isolationsschicht 58 angeordnet. Die Verbindungsschichten 59 können im Anschlussbereich 60 außerhalb der Verkapselung 41 elektrisch kontaktiert werden.
  • Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Merkmale und Ausführungsbeispiele können gemäß weiteren Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen explizit beschrieben sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2021 120 778.9 , deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
  • Bezugszeichenliste
    • 20
    Laserkomponente
    21
    erste Laserdiode
    22
    zweite Laserdiode
    23
    aktive Zone
    24
    Halbleiterschicht
    25
    erste Seite
    26
    zweite Seite
    27
    Kontaktbereich
    28
    elektrischer Kontakt
    29
    p-dotierter Bereich
    30
    n-dotierter Bereich
    31
    weiterer elektrischer Kontakt
    32
    weitere aktive Zone
    33
    elektrisch isolierende Schicht
    34
    weitere elektrisch isolierende Schicht
    35
    Durchkontaktierung
    36
    erster Spiegel
    37
    zweiter Spiegel
    38
    Laserbauteil
    39
    Träger
    40
    Unterseite
    41
    Verkapselung
    42
    Kontaktschicht
    43
    weitere Kontaktschicht
    44
    Verbindungsbereich
    45
    Montageelement
    46
    Seitenwand
    47
    Abdeckung
    48
    dritte Laserdiode
    49
    optisches Element
    50
    erster Verbindungsbereich
    51
    Kontaktsteg
    52
    zweiter Verbindungsbereich
    53
    dritter Verbindungsbereich
    54
    vierter Verbindungsbereich
    55
    Bonddraht
    56
    Substrat oder Trägerschicht
    57
    fünfter Verbindungsbereich
    58
    Isolationsschicht
    59
    Verbindungsschicht
    60
    Anschlussbereich
    z
    vertikale Richtung
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 1020211207789 [0077]

Claims (20)

  1. Laserkomponente (20) umfassend: - mindestens eine erste Laserdiode (21), und - mindestens eine zweite Laserdiode (22), wobei - die erste Laserdiode (21) und die zweite Laserdiode (22) jeweils eine aktive Zone (23) in einer Halbleiterschicht (24) aufweisen, - sich die aktiven Zonen (23) jeweils parallel zur Haupterstreckungsebene der jeweiligen Laserdiode (21, 22) erstrecken, - die Halbleiterschichten (24) jeweils eine erste Seite (25) und eine der ersten Seite (25) abgewandte zweite Seite (26) aufweisen, wobei sich die erste Seite (25) und die zweite Seite (26) jeweils parallel zur Haupterstreckungsebene der jeweiligen Laserdiode (21, 22) erstrecken, - die zweite Laserdiode (22) in einer vertikalen Richtung (z), die senkrecht zu den Haupterstreckungsebenen der Laserdioden (21, 22) verläuft, auf der ersten Laserdiode (21) angeordnet ist, - die erste Laserdiode (21) in ihrer Haupterstreckungsebene eine größere Ausdehnung aufweist als die zweite Laserdiode (22) in ihrer Haupterstreckungsebene, und - in einem Kontaktbereich (27) der ersten Laserdiode (21), welcher an der Seite der ersten Laserdiode (21) angeordnet ist, die der zweiten Laserdiode (22) zugewandt ist, mindestens ein elektrischer Kontakt (28) angeordnet ist.
  2. Laserkomponente (20) gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei beide aktiven Zonen (23) jeweils näher an der zweiten Seite (26) als an der ersten Seite (25) der jeweiligen Halbleiterschicht (24) angeordnet sind und wobei die zweite Seite (26) der Halbleiterschicht (24) der ersten Laserdiode (21) der zweiten Seite (26) der Halbleiterschicht (24) der zweiten Laserdiode (22) zugewandt ist.
  3. Laserkomponente (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Halbleiterschichten (24) an ihrer zweiten Seite (26) einen p-dotierten Bereich (29) aufweisen oder die Halbleiterschichten (24) an ihrer zweiten Seite (26) einen n-dotierten Bereich (30) aufweisen und wobei in beiden Fällen die zweite Seite (26) der Halbleiterschicht (24) der ersten Laserdiode (21) der zweiten Seite (26) der Halbleiterschicht (24) der zweiten Laserdiode (22) zugewandt ist.
  4. Laserkomponente (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Kontaktbereich (27) frei von der zweiten Laserdiode (22) ist.
  5. Laserkomponente (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei der elektrische Kontakt (28) über eine elektrisch leitfähige Verbindung mit der zweiten Seite (26) der Halbleiterschicht (24) der ersten Laserdiode (21) verbunden ist.
  6. Laserkomponente (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei im Kontaktbereich (27) ein weiterer elektrischer Kontakt (31) angeordnet ist, welcher über eine elektrisch leitfähige Verbindung mit der zweiten Seite (26) der Halbleiterschicht (24) der zweiten Laserdiode (22) verbunden ist.
  7. Laserkomponente (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die erste Laserdiode (21) und die zweite Laserdiode (22) jeweils in ihrer Halbleiterschicht (24) eine weitere aktive Zone (32) aufweisen, wobei sich in der ersten Laserdiode (21) und in der zweiten Laserdiode (22) jeweils die weitere aktive Zone (32) parallel zur aktiven Zone (23) erstreckt.
  8. Laserkomponente (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die erste Laserdiode (21) an ihrer der zweiten Laserdiode (22) zugewandten Seite eine elektrisch isolierende Schicht (33) aufweist und die zweite Laserdiode (22) an ihrer der ersten Laserdiode (21) zugewandten Seite eine weitere elektrisch isolierende Schicht (34) aufweist.
  9. Laserkomponente (20) gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei die elektrisch isolierende Schicht (33) und die weitere elektrisch isolierende Schicht (34) jeweils eine Durchkontaktierung (35) aufweisen, welche sich in vertikaler Richtung (z) erstreckt und zumindest teilweise mit einem elektrisch leitfähigen Material gefüllt ist.
  10. Laserkomponente (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die erste Laserdiode (21) einen ersten Spiegel (36) und einen zweiten Spiegel (37) aufweist, wobei der erste Spiegel (36) einen Abstand zum zweiten Spiegel (37) aufweist und wobei der Abstand kleiner als die Erstreckung der ersten Laserdiode (21) parallel zu einer Verbindungsachse zwischen dem ersten Spiegel (36) und dem zweiten Spiegel (37) ist.
  11. Laserkomponente (20) gemäß Anspruch 10, wobei der zweite Spiegel (37) vollständig in der ersten Laserdiode (21) angeordnet ist.
  12. Laserkomponente (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die erste Laserdiode (21) dazu ausgelegt ist im Betrieb Laserstrahlung einer ersten Wellenlänge an einer Seite zu emittieren, die quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene der ersten Laserdiode (21) verläuft, und die zweite Laserdiode (22) dazu ausgelegt ist im Betrieb Laserstrahlung einer zweiten Wellenlänge an einer Seite zu emittieren, die quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene der zweiten Laserdiode (22) verläuft.
  13. Laserkomponente (20) gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei die erste Wellenlänge verschieden von der zweiten Wellenlänge ist.
  14. Laserkomponente (20) gemäß Anspruch 13, wobei die Differenz zwischen der ersten Wellenlänge und der zweiten Wellenlänge höchstens 5 nm beträgt.
  15. Laserkomponente (20) gemäß Anspruch 12, wobei die erste Wellenlänge und die zweite Wellenlänge identisch sind.
  16. Laserbauteil (38) umfassend die Laserkomponente (20) gemäß einem der vorherigen Ansprüche und einen Träger (39), wobei die Laserkomponente (20) auf dem Träger (39) angeordnet ist.
  17. Laserbauteil (38) gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei der Träger (39) einen integrierten Schaltkreis aufweist und die Seite des Trägers (39), welche der Laserkomponente (20) abgewandt ist, eine Unterseite (40) des Laserbauteils (38) bildet.
  18. Laserbauteil (38) gemäß einem der Ansprüche 16 oder 17, wobei das Laserbauteil (38) eine Verkapselung (41) aufweist, die die Laserkomponente (20) umgibt.
  19. Laserbauteil (38) gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei eine Leckrate von Luft zur Laserkomponente (20) höchstens 5 * 10-8 mbar * Liter/Sekunde beträgt.
  20. Laserbauteil (38) gemäß einem der Ansprüche 16 bis 19, wobei der elektrische Kontakt (28) elektrisch mit zumindest einem Bereich des Trägers (39) verbunden ist.
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