JP2005166706A - 発光素子アレイ - Google Patents

Abstract

【課題】ワイヤボンディング工程を容易に行うことができ、歩留まりも向上する。
【解決手段】ＬＥＤアレイのｐ側電極数の増加を防ぐ構造とすることにより高密度加工を容易にする。ＬＥＤアレイの各島の第１導電型半導層のｎ側コンタクト電極に接続するように１つのｐ型電極パッド（ｎ側電極パッド）を形成した。また各島の第１導電型半導層のｎ側コンタクト電極を発光部間に設け、そのｎ側コンタクト電極に１つのｎ側電極パッド（ｎ側電極パッド）を形成した。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子アレイに関する。

発光素子アレイは複数の発光素子を等間隔又は任意の間隔に配置することにより構成されるものである。その発光素子としては発光ダイオード（LED：Light Emitting Diode）を採用したものがＬＥＤアレイである。ＬＥＤアレイは、例えば電子写真方式の光プリンタの露光光源として使用される。

図２(a) は一般的なＬＥＤアレイの平面図であり、図２(b) はその断面図である。図２(a) 、(b) に示すように従来ＬＥＤアレイはｎ型のＧａＡｓ基板２１上にＧａＡｓＰ層２２を有し、この表面にＺｎ等のｐ型不純物の選択拡散によって形成されたアレイ状の発光部２３を有する。各発光部２３のそれぞれ電極（ｐ側電極）２４はそれぞれの発光部２３に電気的に接続されるように絶縁膜２５を挟んでｐ型ＧａＡｓ層２２上に設けられている。これらの電極２４はそれぞれワイヤボンド電極部（以下、電極パッドという）２６に電気的に接続されるように設けられている。

特開平９−２８３７９５号公報

しかしながら、この様なＬＥＤアレイは図２(a) に示すように、個々の発光部２３に１対１で電極パッド２６が形成されているために、近年のように発光部２３の高密度化が要求されるにつれて電極パッド数も増加させる必要がある。これにより電極パッドエリア２６が混み合い電極パッド２６の形成が困難になる。

又、これに伴いボンディングワイヤも混み合い、ワイヤボンディングの歩留まりも低下し、コストアップの原因ともなる。

更に、この様なＬＥＤアレイは裏面にｎ側電極２７を形成しているが、ｎ側電極をＬＥＤアレイ表面に形成する方式にあっては更に電極パッドが混み合うことななる。

上記の様な課題を解決するために本発明は、
高抵抗又は第１導電型の基板と、該基板の上に相互に電気的に絶縁された島状の複数の第２導電型の半導体層と、該半導体層の表面に複数の第１導電型の不純物拡散領域を有する発光素子アレイにおいて、
該第１導電型の不純物拡散領域は該第２導電型の半導体層中に複数設けられ、該第２導電型の半導体層の残余の部分に該第２導電型の半導体層と接続をとるコンタクト部を有し、該第１導電型の不純物拡散領域の一方と他の半導体層の第１導電型の不純物拡散領域の一方とを接続し、その一部が該半導体層の列を境とする一方の側に設けられた電極パッドを形成する第１の配線層と、前記コンタクト部と接続し、その一部が該半導体層の列を境とする他方の側に設けられた電極パッドを形成する第２の配線層とを有するものである。

本発明は、以上の様な構成を有するので、ｎ側の電極パッドとｐ側の電極パッドが発光素子アレイの長手方向の両端に分かれ、電極パッドの密度が減少するので、ワイヤボンディング工程を容易に行うことができ、ワイヤボンディング歩留まりも向上する。

〈第１の実施形態〉
図１は本発明の第１の実施形態を説明するためのＬＥＤアレイの平面図、図３はそのＡ１−Ａ２断面図である。

図１及び図３において、ＬＥＤアレイ１０は、基板１１上にエッチング溝３１により選択的に島状に形成された複数の所定の導電型例えばｎ型からなるｎ型半導体層１２と、この各ｎ型半導体層１２中に形成された２つの発光部１３ａ、１３ｂと、この発光部１３の間に設けられたｎ側コンタクト電極１４とからなるＬＥＤ素子を複数有する。ｎ側コンタクト電極１４にはｎ側電極パッド１５が接続されている。これらＬＥＤ素子は、ＬＥＤ素子の一のｎ型半導体層１２に形成された発光部１３とこれに隣接する他のｎ型半導体層１２に形成された発光部１３に接続されたｐ側電極パッド１６とを有する。

基板１１は、高抵抗基板からなり、例えばノンドープのＧａＡｓ基板などから形成される。又、ｎ型半導体層１２と逆導電型の半導体基板でも良い。本実施例の場合ｐ型半導体基板を用いることができる。

島状に形成されたｎ型半導体層１２は、基板１１上に形成された例えばｎ型ＡｌＧａＡｓ化合物エピタキシャル層から構成され、図３に示す基板１１に届く深さのエッチング溝３１によりパターニングされ周囲のｎ型半導体層１２と電気的に分離されている。そして、その平面形状はコの字形状をしている。

発光部１３ａ、１３ｂはＺｎ等のｐ型不純物を拡散して形成し、コの字形状に形成されたｎ型半導体層１２の両端に配置される。

ｎ側コンタクト電極１４は金属層例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ層から構成される。

図３に示すように、これらｎ型半導体層１２上には第１層間絶縁膜３３例えばＳｉＮ層が５００Å〜３０００Åの厚さで形成される。

ｎ側電極パッド１５はコンタクト電極１４に接続されており、例えばＡｌ又はＡｕ層で例えば１．５〜２．５μｍの厚さに形成される。ｎ側電極パッドはｎ型半導体層１２の列を境とする一方の側、即ち図中上方向に一列に整列して配置される。

図１に示すように一組のｐ側電極パッド１６の内の左側の電極パッドＡは、隣接する一組のｎ型半導体層１２における左側のｎ型半導体層１２の左側の発光部１３ａと右側のｎ型半導体層１２の左側の発光部１３ａ同士を接続する。同様に右側の電極パッドＢは各ｎ型半導体層１２に設けられたそれぞれ右側の発光部１３ｂ同士を接続する。ｐ側電極パッド１６はｎ側電極パッド１５同様にＡｌ又はＡｕ層で例えば１．５〜２．５μｍの厚さに形成される。ｐ側電極パッド１６はｎ型半導体層１２の列を境とする他方の側即ち、図中下方向に一列に配置される。

この第１の実施形態においては、直線状に形成されたｎ型半導体層１２の列の上側に８つのｎ側電極パッド１５が配置され、下側に８つのｐ側電極パッド１６が配置されている。この様にｎ側電極パッド１５とｐ側電極パッド１６を上下に同数配置させることができるので、電極パッドの片側だけ混み合うことがなくなる。

図４から図１４は本発明の第１の実施形態にかかるＬＥＤアレイ１０の各製造工程を説明するための図であり、図４から図１０はそれぞれ(a) は部分平面図(b) におけるＡ１−Ａ２断面図である。

図４(a) に示す様に、まず、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ型半導体層１２をエピタキシャル成長により形成する。

次に、図５(a) に示す様に、ｎ型半導体層１２上に絶縁層から構成される拡散マスク層５１を５００Å〜３０００Å形成する。拡散マスク層５１として用いる絶縁層は例えばＡｌ_２Ｏ_３層を用いる。

次に、図６(a) に示す様に、拡散マスク層５１に周知のフォトリソ工程及びエッチング工程を経て開口部６１を形成する。この開口部６１が図１における発光部１３と対応する。

次に、図７に示すように、拡散マスク層５１及び開口部６１上全面に拡散源層７１を形成する。拡散源層７１は、ＺｎO層を５００Å〜３０００Åの厚さとなるようにスパッタ法により形成する。この拡散源層７１は、ｐ型不純物であるＺｎを多量に含んだ層であり、ここからｎ型半導体層１２中にｐ型不純物が拡散される。

次に、図８に示す様に、拡散源層７１上にアニールキャップ層８１を形成する。アニールキャップ層８１は例えば５００Å〜３０００Åに形成された絶縁層であるＳＩＮにより形成することができる。このアニールキャップ層８１は、拡散源層７１からｐ型不純物が空気中に逃げるのを防止することにより、ｐ型不純物をｎ型半導体層１２中に高濃度に拡散することを可能とするためのものである。

次に、図９に示す様に、熱処理を行うことにより、ｐ型不純物であるＺｎをｎ型半導体層１２中に拡散することにより発光部１３を形成する。この熱処理は例えば窒素雰囲気中で大気圧により６５０℃で約１時間行われる。これにより深さ約１μｍの拡散層からなる発光部１３が形成される。

次に、図１０に示す様に、拡散源層７１及びアニールキャップ層８１を除去する。

次に、図１１に示す様に、拡散マスク層５１における、発光部１３の周囲のみを公知のフォトリソ工程及びエッチング工程を用いて帯状に剥離する。これにより、ｎ型半導体層１２表面が帯状に露出する。

次に、図１２に示す様に、公知のフォトリソ工程及びエッチング工程を用いて、ｎ型半導体層１２が両端に発光部１３を持つコの字形状となる様に分離溝３１を形成する。ｎ型半導体層１２のエッチングには例えば燐酸過水やクエン酸系エッチャントを用いることができる。その後拡散マスク５１を全面除去する。

次に、図１３に示す様に、表面全面に絶縁層を形成し、ｐ側コンタクト孔及びｎ側コンタクト孔を形成する。ｐ側コンタクト孔は発光部１３の領域に、ｎ側コンタクト孔は図１におけるｎ側コンタクト電極１４の領域にそれぞれ設ける。絶縁層としては例えばＳｉＮ層がＣＶＤ法により５００Å〜３０００Åの厚さで設けられる。この絶縁層は以降第１層間絶縁膜３３となる。

次に、図１４に示す様に、ｎ側コンタクト領域上にｎ側コンタクト電極１４を形成する。ｎ側コンタクト電極１４は、貴金属であるＡｕ又はＡｕ合金により形成されるため、リフトオフ法によりｎ側コンタクト領域上のみに金属層が残留する様に形成する。その後、コンタクト抵抗を低下させるためシンターを行う。

次に、図１に示す様にこれらの上に電極パッド層１５及び１６を形成する。電極パッドをＡｕ層あるいはＡｕ合金層の様な貴金属層で形成する場合は、リフトオフ法により形成する。この場合、まずｎ側電極パッド１５とｐ側電極パッドＡとなる金属層を蒸着し、リフトオフにより同時にパターニングする。その後、更に第２層間絶縁膜を形成し、コンタクト領域を開孔し、ｐ側電極パッドＢとなる金属層を蒸着し、リフトオフによりパターニングする。

以上の工程によりＬＥＤアレイを製造することができる。

この様なＬＥＤアレイを駆動するためには、以下のように行う。

まず、第１図におけるｐ側電極パッドの内右側のｐ側電極パッドＢを開放状態とし、左側のｐ側電極パッドＡとｎ側電極パッド１５の間に順方向バイアスを印加すると奇数番号の発光部１３の１，３，５，７，９，１１，１３，１５番目が発光する。この状態でｎ側電極パッドの所定の電極パッドの接続を開放すると選択的に奇数番号の発光部１３の発光を阻止できる。従って、ｐ側電極パッドＡのみを全て接続した状態でｎ側電極パッド１５を選択的に接続することで奇数番号の発光部１３ａのうち所定の番号の発光部の発光を選択することができる。尚、ｐ側電極パッドＡの接続状態を選択することにより選択的に発光部１３を発光させることも不可能ではないが同時に２つの発光部が制御されるので、制御の仕方が複雑になる。

同様にｐ側電極パッドの内左側のｐ側電極パッドＡを開放状態とし右側のｐ側電極パッドＢとｎ側電極パッド１５の間に順方向バイアスを印加すると偶数番号の発光部１３の２，４，６，８，１０，１２，１４，１６番目が発光する。ここで、上記と同様にｎ側電極パッド１５を選択的に接続することで選択的に偶数番号の発光部の発光を制御することができる。

そして、全ての発光部を制御するためには順次ｐ側電極パッドのパッドＡとパッドＢの開放、接続を繰り返しながら選択的にｎ側電極パッド１５の接続を選択することにより時分割で全ての発光素子１〜１６の制御を行うことができる。

即ち、本実施形態ではｐ側電極パッドをスイッチ電極パッドとし、ｎ側電極パッドをデータ電極パッドとして用いることができる。

〈第２の実施形態〉
図１５は本発明の第２の実施形態を説明するためのＬＥＤアレイの平面図である。
本実施形態と第１の実施形態は、ｐ側電極パッド１６の配線同士が交差しないように配置した点で異なる他は、同一の構成からなる。

図１５に示すように、一組のｐ側電極パッド１６の内の左側の電極パッドＡは、隣接する一組のｎ型半導体層１２における左側のｎ型半導体層の左側の発光部１３ａと右側のｎ型半導体層の右側の発光部１３ｂとを接続する。同様に右側の電極パッドＢは左側のｎ型半導体層の右側の発光部１３ａと右側のｎ型半導体層の左側の発光部１３ｂとを接続する。この様に、ｐ側電極パッドの左側のｐ側電極パッドＡがｐ側電極パッドＢを外側から囲むように配置することにより（言い換えれば、内側に配置したｐ側電極パッドＢが隣接するｎ型半導体層１２に設けられた発光部１３の近接した位置に配置されたもの同士を接続し、外側に配置したｐ側電極パッドＡが隣接する半導体層１２に設けられた発光部１３の遠い位置に配置されたもの同士を接続することにより）、ｐ側電極パッド同士の交差がなくなり、配線断切れがなくなると共に配線層を多層にする必要がなくなるので、配線層及び層間絶縁膜形成のプロセスを減らすことができ、コスト低減及び歩留まり向上を寄与することができる。

この様なＬＥＤアレイを駆動するためには、以下のように行う。

まず、ｐ側電極パッドの内右側のＰ側電極パッドＢを開放状態とし、左側のｐ側電極パッドＡとｎ側電極パッドの全てとの間に順方向バイアスを印加すると発光部１，４，５，８，９，１２，１３，１６が発光する。この状態でｎ側電極パッドの所定の番号を開放すると選択的に発光部の発光を阻止できる。従って、ｐ側電極パッドＡのみを接続した状態でｎ側電極パッドの接続状態を変えることで選択的に発光部の発光を選択することができる。尚、ｐ側電極パッドＡの接続状態を選択的に変えると同時に２つの発光部が制御されるので、第１の実施形態と同様に制御の仕方が複雑になる。

同様にｐ側電極パッドの内左側のｐ側電極パッドＡを開放状態とし右側のｐ側電極パッドＢとｎ側電極パッドの全てとの間に順方向バイアスを印加すると発光部２，３，６，７，１０，１１，１４，１５が発光する。ここで、上記と同様にｎ側電極パッドの接続状態を変えることで選択的に発光部の発光を制御することができる。

そして、全ての発光部を制御するためには順次ｐ側電極パッドのパッドＡとパッドＢの開放、接続を繰り返しながら選択的にｎ側電極パッドの接続を選択することにより時分割で全ての発光素子１〜１６の制御を行うことができる。

尚、上記実施形態では左側のｐ側電極パッドＡを外側、右側のｐ側電極パッドＢを内側とする例を説明したが、
左側のｐ側電極パッドＡを内側、右側のｐ側電極パッドＢを外側としても良い。この場合は、ＬＥＤアレイの駆動制御を上記とＡ、Ｂを反対に制御すればよい。

〈第３の実施形態〉
図１６は本発明の第３の実施形態を説明するためのＬＥＤアレイの平面図である。
本実施形態と第２の実施形態は、外側のｐ側電極パッド１６（ｐ側電極パッドＡ）を共通化した点が異なる他は、同一の構成からなる。

図１６に示すように、一組のｐ側電極パッド１６の内の外側のｐ側電極パッドＡは、第２の実施形態のｐ側電極パッドＡと同様に発光部１３の１、４，５，８，９，１２，１３，１６番目と接続する。この外側のｐ側電極パッドＡは１つのみ用意し、上記発光部１３とは共通に配線層で接続する。

ｐ側電極パッド１６の内側の電極パッドＢは、第２の実施形態と同様の位置に同数位置し、それぞれ２つずつの発光部である、発光部２及び３、発光部６及び７、発光部１０及び１１、発光部１４及び１５を接続する各々の電極パッドに分かれている。

本実施形態は第２の実施形態と同様にｐ側電極パッドＡがｐ側電極パッドＢを外側から囲むように配値することにより、ｐ側電極パッド同士の交差がなくなり、配線断切れがなくなると共に配線層を多層にする必要がなくなるので、配線層及び層間絶縁膜形成のプロセスを減らすことができ、コスト低減及び歩留まり向上を寄与することができるという効果に加え、ｐ側電極パッドＡの数を減らすことができ、それによりワイヤボンディング数も減少することができ、歩留まりを向上させることができるという効果が得られる。
この様なＬＥＤアレイは、第２の実施形態と同様に駆動することができる。

〈第１の実施形態〜第３の実施形態の第１の変形例〉
図１７は本発明の第１から第３の実施形態の第１の変形例を説明するためのＬＥＤアレイの部分平面図である。本変形例は第１の実施形態に対し左側発光部１３ａと右側発光部１３ｂが発光部１３の並び方向から直角にずれて形成されている点が異なる。又、これに伴い、ｎ型半導体領域１２も上下がずれた形状に変形している。

この様に形成する理由を説明する。

まず、ＬＥＤアレイを用いた電子写真プリンタ（ＬＥＤプリンタ）は通常以下の様な構成からなる。

即ち、ＬＥＤアレイを電子写真プリンタにおける露光装置の光源として利用した際に、このＬＥＤアレイに対向して感光ドラムが配置される。印刷時には、この感光ドラムが回転した状態で直線状に配列したＬＥＤアレイの発光部を選択的に点灯させ、感光ドラムの回転に伴い順次感光ドラム上の露光位置を変えて静電潜像による２次元画像を形成する。

この様なＬＥＤプリンタにおいて、例えば横方向の直線を形成したい場合に、第１の実施形態におけるような発光部１３が直線状に並んだアレイ状の発光素子を同時に発光させて直線を形成する様駆動すればよい。しかしながら、第１の実施形態のＬＥＤアレイは発光部１３が完全に直線に並んでおり、しかもこのＬＥＤアレイは奇数と偶数の発光部１３が時分割で駆動するため、感光ドラムの回転が速い場合には発光部１３に対向した状態で移動する感光ドラム上に完全な直線を形成することはできず、若干千鳥状の凸凹を持つ線となってしまう。

これに対し、発光部１３を本変形例の様にずらして形成することにより、発光部１３ａと発光部１３ｂとを前述の様に時分割で駆動して発光タイミングに時間差が発生しても、発光部１３ａが発光した後、発光部１３ｂが発光するタイミングで感光ドラム上の発光部１３ａによる静電潜像が移動してくる様に調整することにより、完全な直線を形成することが可能となる。

〈本発明の第１の実施形態〜第３の実施形態の第２の変形例〉
図１８は本発明の第１の実施形態〜３の実施形態の第２の変形例を説明するためのＬＥＤアレイの部分平面図である。

本変形例は第１の変形例と同様な構成であるが発光部１３を平行移動させて上下にずらしたのではなく、図１に示す第１の実施形態のｎ型半導体層１２をコの字形状のまま回転し角度を形成することにより上下にずらしたことを特徴とするものである。

これにより、第１の変形例と同様の効果が得られる他、ｎ側コンタクト電極１４を直線状に形成できるので、ｎ側電極パッド１５との接続が容易となる。

〈第４の実施形態〉
図１９は本発明の第４の実施形態を説明するためＬＥＤアレイの平面図である。
本実施形態は第２の実施形態に対し、ｎ型半導体層１２の形状をコの字形状ではなく矩形状とし、ｎ側コンタクト電極１４を発光部１３ａと１３ｂの中間に位置させたことが異なる他は同一である。

本実施の形態は、第２の実施形態で得られる効果に加え、発光部１３間にコンタクト電極１４を設けたので、発光ばらつきが小さくなり均一な発光パターンが得られるという効果が得られる。

〈第５の実施形態〉
図２０は本発明の第５の実施形態を説明するためＬＥＤアレイの平面図である。
本実施形態は第４の実施形態に対し、ｎ側コンタクト電極１４を直線状ではなくＴ字形状とした点が異なる他は同一である。

本実施の形態は、第４の実施形態で得られる効果に加え、発光部１３の２辺に低抵抗のコンタクト電極１４が隣接するので、発光強度が向上する他に更に発光ばらつきが小さくなり均一な発光パターンが得られるという効果が得られる。

〈第６の実施形態〉
図２１は本発明の第６の実施形態を説明するためＬＥＤアレイの平面図である。
本実施形態は第５の実施形態に対し、ｎ側コンタクト電極１４をＴ字形状ではなくＥ字形状とした点が異なる他は同一である。

本実施の形態は、第５の実施形態で得られる効果に加え、発光部１３の３辺に低抵抗のコンタクト電極１４が隣接するので、発光強度が向上する他に更に発光ばらつきが小さくなり均一な発光パターンが得られるという効果が得られる。

〈第４〜第６の実施形態の変形例〉
図２２〜図２４はそれぞれ第４〜第６の実施形態の変形例である。これら変形例は、前述の第１〜第２の変形例と同様に、発光部１３ａと発光部１３ｂをずらして形成したことを特徴とする。

図２２は第４の実施形態の変形例であって、発光部１３のみずらしてある。

図２３及び図２６は第５の実施形態の変形例であって、第１の実施形態〜第３の実施形態の変形例と同様にｎ型半導体層１２の形状も変形したある。ここにおいて重要な構成は図２２においてはｎ側コンタクト電極１４が発光部１３の２辺に隣接することであり、図２３においてはｎ側コンタクト電極１４が発光部１３の３辺を囲むことである。

発光部をこれら変形例の様に形成したことで、前述の前述の第１〜第３の変形例と同様な効果を有する。

第１の実施形態のLEDアレイの全体上面図。 従来のLEDアレイの上面図と断面図。 図１におけるA１−A２断面図。 本発明の第１の実施形態にかかるＬＥＤアレイ製造工程図。 本発明の第１の実施形態にかかるＬＥＤアレイ製造工程図。 本発明の第１の実施形態にかかるＬＥＤアレイ製造工程図。 本発明の第１の実施形態にかかるＬＥＤアレイ製造工程図。 本発明の第１の実施形態にかかるＬＥＤアレイ製造工程図。 本発明の第１の実施形態にかかるＬＥＤアレイ製造工程図。 本発明の第１の実施形態にかかるＬＥＤアレイ製造工程図。 本発明の第１の実施形態にかかるＬＥＤアレイ製造工程図。 本発明の第１の実施形態にかかるＬＥＤアレイ製造工程図。 本発明の第１の実施形態にかかるＬＥＤアレイ製造工程図。 本発明の第１の実施形態にかかるＬＥＤアレイ製造工程図。 本発明第２の実施形態にかかるＬＥＤアレイ平面図。 本発明第３の実施形態にかかるＬＥＤアレイ平面図。 本発明の第１の実施形態〜第３の実施形態の第１の変形例にかかるＬＥＤアレイの部分平面図。 本発明の第１の実施形態〜第３の実施形態の第２の変形例にかかるＬＥＤアレイの部分平面図。 本発明の第４の実施形態にかかるＬＥＤアレイ平面図。 本発明の第５の実施形態にかかるＬＥＤアレイ平面図。 本発明の第６の実施形態にかかるＬＥＤアレイ平面図。 本発明の第４の実施形態の変形例にかかるＬＥＤアレイの部分平面図。 本発明の第５の実施形態の変形例にかかるＬＥＤアレイの部分平面図。 本発明の第６の実施形態の変形例にかかるＬＥＤアレイの部分平面図。

符号の説明

１１ 基板、１２ ｎ型半導体層、１３ 発光部、１４ ｎ側コンタクト電極、１５ ｎ側電極パッド、
１６ ｐ側電極パッド、３１ エッチング部、３２ 能動素子領域、３３ 第１層間絶縁層、
５１ 拡散マスク層、６１ 開口部、７１ 拡散源層、８１ アニールキャップ層。

Claims (9)

1. 高抵抗又は第１導電型の基板と、該基板の上に相互に電気的に絶縁された島状の複数の第２導電型の半導体層と、該半導体層の表面に複数の第１導電型の不純物拡散領域を有する発光素子アレイにおいて、
   該第１導電型の不純物拡散領域は該第２導電型の半導体層中に複数設けられ、該第２導電型の半導体層の残余の部分に該第２導電型の半導体層と接続をとるコンタクト部を有し、
   該第１導電型の不純物拡散領域の一方と他の半導体層の第１導電型の不純物拡散領域の一方とを接続し、その一部が該半導体層の列を境とする一方の側に設けられた電極パッドを形成する第１の配線層と、
   前記コンタクト部と接続し、その一部が該半導体層の列を境とする他方の側に設けられた電極パッドを形成する第２の配線層とを有する発光素子アレイ。
2. 請求項1記載の発光素子アレイにおいて、前記第１導電型の不純物拡散領域は、前記半導体層の端部に設けられ、前記コンタクト部は該不純物拡散層の間に設けられたことを特徴とする発光素子アレイ。
3. 請求項1記載の発光素子アレイにおいて、前記第１導電型の不純物拡散領域は、前記半導体層の端部に設けられ、前記コンタクト部は該不純物拡散層の中央に設けられたことを特徴とする発光素子アレイ。
4. 請求項1記載の発光素子アレイにおいて、前記半導体層は矩形状であることを特徴とする発光素子アレイ。
5. 請求項1記載の発光素子アレイにおいて、前記半導体層はコの字状であることを特徴とする発光素子アレイ。
6. 請求項1記載の発光素子アレイにおいて、前記第１の配線層は内側に配置した第１の配線層と、外側に配置した第１の配線層とからなり、内側に配置した第１の配線層が隣接する一組の半導体層に設けられた不純物拡散領域部の近接した位置に配置されたもの同士を接続し、外側に配置した第１の配線層が該一組の半導体層に設けられた不純物拡散領域の遠い位置に配置されたもの同士を接続することを特徴とする半導体素子アレイ。
7. 請求項６記載の発光素子アレイにおいて、前記外側に配置した第１の配線層は、他の外側に配置した他の配線層と共通接続されていることを特徴とする発光素子アレイ。
8. 第１導電型コンタクト電極の形状が２つの発光部の複数の辺を覆うように構成される請求項１記載の発光素子アレイ。
9. 同一の島状の半導体領域形成された複数の不純物拡散領域が上下にずらして配置されることを特徴とする請求項１記載の発光素子アレイ。

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