JP2001326388A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JP2001326388A JP2001326388A JP2000140328A JP2000140328A JP2001326388A JP 2001326388 A JP2001326388 A JP 2001326388A JP 2000140328 A JP2000140328 A JP 2000140328A JP 2000140328 A JP2000140328 A JP 2000140328A JP 2001326388 A JP2001326388 A JP 2001326388A
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 サブストレート１２の表面に複数のＬＥＤ素
子１４が一体的に作り込まれ、ＬＥＤ素子１４のそれぞ
れが分離溝２２により互いに分離される。そして、各Ｌ
ＥＤ素子１４のバンプ電極２４が基板１６の対応する第
２電極３０に直接接続され、共通電極１８が第１電極２
８にワイヤ３２を介して接続される。 【効果】 組立工程を簡素化できるとともに、装置全体
を小型化できる。
子１４が一体的に作り込まれ、ＬＥＤ素子１４のそれぞ
れが分離溝２２により互いに分離される。そして、各Ｌ
ＥＤ素子１４のバンプ電極２４が基板１６の対応する第
２電極３０に直接接続され、共通電極１８が第１電極２
８にワイヤ３２を介して接続される。 【効果】 組立工程を簡素化できるとともに、装置全体
を小型化できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体発光装置に関
し、特にたとえば複数のＬＥＤ素子により文字や図形等
を表示するＬＥＤディスプレイ等に用いられる、半導体
発光装置に関する。
し、特にたとえば複数のＬＥＤ素子により文字や図形等
を表示するＬＥＤディスプレイ等に用いられる、半導体
発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８（Ａ）に示す従来の半導体発光装置
１では、図８（Ｂ）に示すような単体ＬＥＤ２をマトリ
クス配置することにより構成されていた。
１では、図８（Ｂ）に示すような単体ＬＥＤ２をマトリ
クス配置することにより構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、複数の
単体ＬＥＤ２を個別に形成し、その後、これらをマトリ
クス配置していたので、組立工程が煩雑であるという問
題があった。
単体ＬＥＤ２を個別に形成し、その後、これらをマトリ
クス配置していたので、組立工程が煩雑であるという問
題があった。
【０００４】また、複数の単体ＬＥＤ２を配列していた
ため、隣接する単体ＬＥＤ２どうしの間隔Ｌが大きくな
ってしまい、小型化の要請に応えることができなかっ
た。
ため、隣接する単体ＬＥＤ２どうしの間隔Ｌが大きくな
ってしまい、小型化の要請に応えることができなかっ
た。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、組
立工程を簡素化でき、しかも、小型化できる、半導体発
光装置を提供することである。
立工程を簡素化でき、しかも、小型化できる、半導体発
光装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、サブストレ
ート、サブストレートの表面に作り込まれて分離溝によ
り互いに分離された複数のＬＥＤ素子、ＬＥＤ素子のそ
れぞれの表面に形成されるバンプ電極、バンプ電極のそ
れぞれに個別に接続される複数の電極を有する基板、お
よびサブストレートの裏面に形成される共通電極を備え
る、半導体発光装置である。
ート、サブストレートの表面に作り込まれて分離溝によ
り互いに分離された複数のＬＥＤ素子、ＬＥＤ素子のそ
れぞれの表面に形成されるバンプ電極、バンプ電極のそ
れぞれに個別に接続される複数の電極を有する基板、お
よびサブストレートの裏面に形成される共通電極を備え
る、半導体発光装置である。
【０００７】
【作用】サブストレートの表面に複数のＬＥＤ素子が作
り込まれ、ＬＥＤ素子のそれぞれが分離溝により互いに
分離される。したがって、複数の単体ＬＥＤを個別に形
成する必要はなく、それらをマトリクス配置する必要も
ない。また、隣接するＬＥＤ素子どうしは、分離溝によ
り隔てられるため、分離溝の幅を狭くするだけでそれら
の間隔を小さくすることができる。さらに、各ＬＥＤ素
子のバンプ電極が基板の対応する電極に接続されるの
で、ボンディングのためのワイヤは不要である。
り込まれ、ＬＥＤ素子のそれぞれが分離溝により互いに
分離される。したがって、複数の単体ＬＥＤを個別に形
成する必要はなく、それらをマトリクス配置する必要も
ない。また、隣接するＬＥＤ素子どうしは、分離溝によ
り隔てられるため、分離溝の幅を狭くするだけでそれら
の間隔を小さくすることができる。さらに、各ＬＥＤ素
子のバンプ電極が基板の対応する電極に接続されるの
で、ボンディングのためのワイヤは不要である。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、複数のＬＥＤ素子を
サブストレートの表面に一体的に作り込むようにしてい
るので、組立工程を簡素化できる。
サブストレートの表面に一体的に作り込むようにしてい
るので、組立工程を簡素化できる。
【０００９】また、隣接するＬＥＤ素子どうしの間隔を
小さくできるので、装置全体を小型化できる。
小さくできるので、装置全体を小型化できる。
【００１０】さらに、ボンディングワイヤが邪魔になる
といった問題は生じないため、ドット数を容易に増やす
ことができる。
といった問題は生じないため、ドット数を容易に増やす
ことができる。
【００１１】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１２】
【実施例】図１に示すこの実施例の半導体発光装置１０
は、文字や図形等を表示するＬＥＤディスプレイ等に用
いられるものであり、サブストレート１２，サブストレ
ート１２の表面（図１における下面）に一体的に作り込
まれる複数（この実施例では１６個）のＬＥＤ素子１４
および絶縁基板１６を含む。
は、文字や図形等を表示するＬＥＤディスプレイ等に用
いられるものであり、サブストレート１２，サブストレ
ート１２の表面（図１における下面）に一体的に作り込
まれる複数（この実施例では１６個）のＬＥＤ素子１４
および絶縁基板１６を含む。
【００１３】サブストレート１２は、各ＬＥＤ素子１４
の形成工程において基板となるものであり、ＬＥＤ素子
１４の数に応じた大きさでウェハを切断することにより
形成される。そして、サブストレート１２の裏面（図１
における上面）には、各ＬＥＤ素子に電流を付与するた
めの共通電極１８が、後述する分離溝２２に対応する位
置に長手方向へ延びて形成される。
の形成工程において基板となるものであり、ＬＥＤ素子
１４の数に応じた大きさでウェハを切断することにより
形成される。そして、サブストレート１２の裏面（図１
における上面）には、各ＬＥＤ素子に電流を付与するた
めの共通電極１８が、後述する分離溝２２に対応する位
置に長手方向へ延びて形成される。
【００１４】各ＬＥＤ素子１４は、面発光型ＬＥＤであ
り、発光層２０において発生された光がサブストレート
１２の裏面から外部へ照射され得るように、各種の層が
積層されて構成される。そして、図２からよく分かるよ
うに、隣接するＬＥＤ素子１４間には、分離溝２２が形
成され、各ＬＥＤ素子１４の表面には、バンプ電極２４
が形成される。
り、発光層２０において発生された光がサブストレート
１２の裏面から外部へ照射され得るように、各種の層が
積層されて構成される。そして、図２からよく分かるよ
うに、隣接するＬＥＤ素子１４間には、分離溝２２が形
成され、各ＬＥＤ素子１４の表面には、バンプ電極２４
が形成される。
【００１５】分離溝２２は、ＬＥＤ素子１４どうしを電
気的に分離するものであり、少なくとも発光層２０を物
理的に分離し得る深さに形成される必要がある。また、
分離溝２２の内面は、ＬＥＤ素子１４の側面となるた
め、発光効率の低下を防止する等のために滑らかに形成
される必要がある。そこで、この実施例では、物理的手
法であるダイシングにより分離溝２２の深さを確保した
後、化学的手法であるエッチングによりその表面が滑ら
かに仕上げられる。ただし、時間的な条件等を満たすの
であれば、化学的手法（エッチング）のみが用いられて
もよい。
気的に分離するものであり、少なくとも発光層２０を物
理的に分離し得る深さに形成される必要がある。また、
分離溝２２の内面は、ＬＥＤ素子１４の側面となるた
め、発光効率の低下を防止する等のために滑らかに形成
される必要がある。そこで、この実施例では、物理的手
法であるダイシングにより分離溝２２の深さを確保した
後、化学的手法であるエッチングによりその表面が滑ら
かに仕上げられる。ただし、時間的な条件等を満たすの
であれば、化学的手法（エッチング）のみが用いられて
もよい。
【００１６】絶縁基板１６は、図３に示すように、板状
の本体２６を含み、本体２６の上面には、サブストレー
ト１２の共通電極１８に対応する第１電極２８と、各Ｌ
ＥＤ素子１４のバンプ電極２４に対応する複数の第２電
極３０とが形成される。
の本体２６を含み、本体２６の上面には、サブストレー
ト１２の共通電極１８に対応する第１電極２８と、各Ｌ
ＥＤ素子１４のバンプ電極２４に対応する複数の第２電
極３０とが形成される。
【００１７】そして、図１に示すように、各バンプ電極
２４と第２電極３０とが直接接続され、共通電極１８と
第１電極２８とがワイヤ３２により接続（ワイヤボンデ
ィング）される。
２４と第２電極３０とが直接接続され、共通電極１８と
第１電極２８とがワイヤ３２により接続（ワイヤボンデ
ィング）される。
【００１８】半導体発光装置１０（図１）を使用する際
には、各第２電極３０に図示しないスイッチが接続さ
れ、それらのスイッチのＯＮ／ＯＦＦにより、各ＬＥＤ
素子１４に対して電流が選択的に付与される。そして、
電流が付与されたＬＥＤ素子１４が発光されて、文字ま
たは図形等が表示される。
には、各第２電極３０に図示しないスイッチが接続さ
れ、それらのスイッチのＯＮ／ＯＦＦにより、各ＬＥＤ
素子１４に対して電流が選択的に付与される。そして、
電流が付与されたＬＥＤ素子１４が発光されて、文字ま
たは図形等が表示される。
【００１９】この実施例によれば、サブストレート１２
の表面に複数のＬＥＤ素子１４を一体的に作り込むよう
にしているので、複数の単体ＬＥＤをマトリクス配置す
る場合に比べて組立工程を大幅に簡素化できる。
の表面に複数のＬＥＤ素子１４を一体的に作り込むよう
にしているので、複数の単体ＬＥＤをマトリクス配置す
る場合に比べて組立工程を大幅に簡素化できる。
【００２０】また、ＬＥＤ素子１４のバンプ電極２４を
基板１６の第２電極３０に直接接続しているので（図１
（Ｂ））、ワイヤボンディングは不要であり、ドット数
が増加する場合にも容易に対応できる。
基板１６の第２電極３０に直接接続しているので（図１
（Ｂ））、ワイヤボンディングは不要であり、ドット数
が増加する場合にも容易に対応できる。
【００２１】そして、分離溝２２の幅を狭くすることに
より、ＬＥＤ素子１４どうしの間隔を小さくすることが
できるので、装置全体を小型化できる。
より、ＬＥＤ素子１４どうしの間隔を小さくすることが
できるので、装置全体を小型化できる。
【００２２】さらに、分離溝２２に対応する位置に共通
電極１８を形成しているので、発光層２０で発生した光
が共通電極１８により遮断されるのを防止できる。ただ
し、図４に示すように、ＬＥＤ素子１４を１行で配列す
る場合には、分離溝２２が長手方向へ連続しなくなるた
め、分離溝２２との位置的な関係を無視して共通電極１
８を形成してもよい。
電極１８を形成しているので、発光層２０で発生した光
が共通電極１８により遮断されるのを防止できる。ただ
し、図４に示すように、ＬＥＤ素子１４を１行で配列す
る場合には、分離溝２２が長手方向へ連続しなくなるた
め、分離溝２２との位置的な関係を無視して共通電極１
８を形成してもよい。
【００２３】なお、上述の実施例では、ＬＥＤ素子１４
を２行８列に配列した場合を示したが、その行数および
列数は、表示する文字等の数および大きさ等に応じて適
宜増減されてもよい。
を２行８列に配列した場合を示したが、その行数および
列数は、表示する文字等の数および大きさ等に応じて適
宜増減されてもよい。
【００２４】また、分離溝２２には、たとえば図５に示
すように、不透明合成樹脂等のような電気絶縁体からな
る遮光材３４を設けてもよい。遮光材３４を設けると、
一つのＬＥＤ素子１４で生じた光が他のＬＥＤ素子１４
に分散するのを防止できるので、表示される文字または
図形等の輪郭をより明瞭にすることができる。
すように、不透明合成樹脂等のような電気絶縁体からな
る遮光材３４を設けてもよい。遮光材３４を設けると、
一つのＬＥＤ素子１４で生じた光が他のＬＥＤ素子１４
に分散するのを防止できるので、表示される文字または
図形等の輪郭をより明瞭にすることができる。
【００２５】また、各ＬＥＤ素子１４の表面には、たと
えば図６に示すように、バンプ電極２４の半分程度を覆
うように樹脂層３６を形成してもよい。樹脂層３６を形
成すると、各バンプ電極２４を補強することができるの
で、バンプ電極２４の剥離を防止できる。
えば図６に示すように、バンプ電極２４の半分程度を覆
うように樹脂層３６を形成してもよい。樹脂層３６を形
成すると、各バンプ電極２４を補強することができるの
で、バンプ電極２４の剥離を防止できる。
【００２６】さらに、図７に示すように、遮光材３４お
よび樹脂層３６の両方を形成してもよい。
よび樹脂層３６の両方を形成してもよい。
【図１】この発明の一実施例を示す図解図である。
【図２】サブストレートおよびＬＥＤ素子を示す斜視図
である。
である。
【図３】図１実施例の組立工程を示す図解図である。
【図４】この発明の他の実施例を示す斜視図である。
【図５】この発明の他の実施例を示す図解図である。
【図６】この発明の他の実施例を示す図解図である。
【図７】この発明の他の実施例を示す図解図である。
【図８】従来技術を示す図解図である。
１０ …半導体発光装置 １２ …サブストレート １４ …ＬＥＤ素子 １６ …基板 １８ …共通電極 ２２ …分離溝 ２４ …バンプ電極 ２８ …第１電極 ３０ …第２電極 ３４ …遮光材 ３６ …樹脂層
Claims (4)
- 【請求項１】サブストレート、 前記サブストレートの表面に作り込まれて分離溝により
互いに分離された複数のＬＥＤ素子、 前記ＬＥＤ素子のそれぞれの表面に形成されるバンプ電
極、 前記バンプ電極のそれぞれに個別に接続される複数の電
極を有する基板、および前記サブストレートの裏面に形
成される共通電極を備える、半導体発光装置。 - 【請求項２】前記共通電極は前記分離溝に対応する位置
に形成される、請求項１記載の半導体発光装置。 - 【請求項３】前記分離溝内に電気絶縁体からなる遮光材
を設けた、請求項１または２記載の半導体発光装置。 - 【請求項４】前記ＬＥＤ素子の表面に前記バンプ電極を
補強する樹脂層を設けた、請求項１ないし３のいずれか
に記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000140328A JP2001326388A (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000140328A JP2001326388A (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001326388A true JP2001326388A (ja) | 2001-11-22 |
Family
ID=18647643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000140328A Pending JP2001326388A (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001326388A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006147876A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Sony Corp | 半導体発光装置、その製造方法、及び画像表示装置の製造方法 |
| JP2014236175A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2016100457A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
| JP2018014481A (ja) * | 2016-07-18 | 2018-01-25 | ルーメンス カンパニー リミテッド | マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置 |
| JP2018107421A (ja) * | 2016-12-23 | 2018-07-05 | ルーメンス カンパニー リミテッド | マイクロｌｅｄモジュール及びその製造方法 |
| CN109037263A (zh) * | 2017-06-09 | 2018-12-18 | 美商晶典有限公司 | 具有透光基材的微发光二极管显示模块及其制造方法 |
| KR101930307B1 (ko) * | 2011-08-30 | 2018-12-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광모듈 |
| WO2019053923A1 (ja) * | 2017-09-13 | 2019-03-21 | シャープ株式会社 | Ｌｅｄユニット、画像表示素子およびその製造方法 |
| CN110634839A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微发光二极管显示基板、装置及制备方法 |
| JP2022159981A (ja) * | 2021-04-05 | 2022-10-18 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
-
2000
- 2000-05-12 JP JP2000140328A patent/JP2001326388A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4617846B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2011-01-26 | ソニー株式会社 | 半導体発光装置、その製造方法、及び画像表示装置の製造方法 |
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| CN109479354A (zh) * | 2016-07-18 | 2019-03-15 | 株式会社流明斯 | 微led阵列显示装置 |
| US10607973B2 (en) | 2016-07-18 | 2020-03-31 | Lumens Co., Ltd. | Micro-LED array display devices with CMOS cells |
| JP2018014481A (ja) * | 2016-07-18 | 2018-01-25 | ルーメンス カンパニー リミテッド | マイクロｌｅｄアレイディスプレイ装置 |
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| CN111108613A (zh) * | 2017-09-13 | 2020-05-05 | 夏普株式会社 | Led单元、图像显示元件及其制造方法 |
| TWI677977B (zh) * | 2017-09-13 | 2019-11-21 | 日商夏普股份有限公司 | Led單元、影像顯示元件及其製造方法 |
| US11393963B2 (en) | 2017-09-13 | 2022-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | LED unit, image display element, and method of manufacturing the same |
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| JP7311809B2 (ja) | 2021-04-05 | 2023-07-20 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
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