JP2003008056A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
発光ダイオードアレイInfo
- Publication number
- JP2003008056A JP2003008056A JP2001184750A JP2001184750A JP2003008056A JP 2003008056 A JP2003008056 A JP 2003008056A JP 2001184750 A JP2001184750 A JP 2001184750A JP 2001184750 A JP2001184750 A JP 2001184750A JP 2003008056 A JP2003008056 A JP 2003008056A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ohmic contact
- light emitting
- emitting diode
- contact layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディングワイヤの密度を高くすることな
く発光部の密度を高くすることができ、しかも高出力が
得られる発光ダイオードアレイを提供する。 【解決手段】 ｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２
２の厚さを従来の５００ｎｍから２００ｎｍ以下と薄く
し、かつｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２２と基
板２１との間にＤＢＲ層１２を設けたので、発光領域で
発生した光をＤＢＲ層１２で反射させることができ、光
出力が向上する。
く発光部の密度を高くすることができ、しかも高出力が
得られる発光ダイオードアレイを提供する。 【解決手段】 ｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２
２の厚さを従来の５００ｎｍから２００ｎｍ以下と薄く
し、かつｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２２と基
板２１との間にＤＢＲ層１２を設けたので、発光領域で
発生した光をＤＢＲ層１２で反射させることができ、光
出力が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真方式のプ
リンタの光源に用いられる発光ダイオードアレイに関す
る。
リンタの光源に用いられる発光ダイオードアレイに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子写真方式のプリンタの光源として
は、主にレーザ方式と発光ダイオードアレイ方式とが挙
げられる。特に発光ダイオードアレイ方式は、レーザ方
式のように光路長を長くとる必要がないため、プリンタ
を小型化することができ、大サイズの印刷が容易である
という特長を有する。
は、主にレーザ方式と発光ダイオードアレイ方式とが挙
げられる。特に発光ダイオードアレイ方式は、レーザ方
式のように光路長を長くとる必要がないため、プリンタ
を小型化することができ、大サイズの印刷が容易である
という特長を有する。
【０００３】近年、プリンタのカラー化が進んでおり、
より高精度で高出力の発光ダイオードアレイが求められ
るようになっている。特に高精細度のプリンタには１２
００ｄｐｉが要求されるようになっているが、精細度が
１２００ｄｐｉのプリンタの光源はワイヤボンディング
の密度が非常に高くなるため、ワイヤ同士が接触しやす
くなる等生産性に問題が生じる。
より高精度で高出力の発光ダイオードアレイが求められ
るようになっている。特に高精細度のプリンタには１２
００ｄｐｉが要求されるようになっているが、精細度が
１２００ｄｐｉのプリンタの光源はワイヤボンディング
の密度が非常に高くなるため、ワイヤ同士が接触しやす
くなる等生産性に問題が生じる。
【０００４】そこで、図４に示すような回路構成が提案
されている。
されている。
【０００５】図４は発光ダイオードアレイの回路図であ
る。
る。
【０００６】同図に示す回路構成では、発光ダイオード
アレイのチップ内の発光ダイオードはｍ個のブロックに
分割されており、ブロック内の発光ダイオードのアノー
ドは共通接続されている。また、各ブロックのｉ番目の
発光ダイオードのカソード同士は共通電極Ｃｉで接続さ
れている。
アレイのチップ内の発光ダイオードはｍ個のブロックに
分割されており、ブロック内の発光ダイオードのアノー
ドは共通接続されている。また、各ブロックのｉ番目の
発光ダイオードのカソード同士は共通電極Ｃｉで接続さ
れている。
【０００７】共通カソードをオンにして残りの共通カソ
ードをオフにした状態でアノードに信号を送る。この動
作を共通カソードＣ１〜Ｃｎまで順次行うことにより、
全ドットの発光情報を送ることができる。
ードをオフにした状態でアノードに信号を送る。この動
作を共通カソードＣ１〜Ｃｎまで順次行うことにより、
全ドットの発光情報を送ることができる。
【０００８】このような構成により、ワイヤボンディン
グの密度を大幅に低減できる。
グの密度を大幅に低減できる。
【０００９】図５は図４に示した発光ダイオードアレイ
の上面図であり、図６は図５の６−６線断面図であり、
図７は図５の７−７線断面図である。
の上面図であり、図６は図５の６−６線断面図であり、
図７は図５の７−７線断面図である。
【００１０】図５に示すように発光ダイオードアレイの
チップ上に複数の発光部４１が長手方向に一列に配列さ
れている。
チップ上に複数の発光部４１が長手方向に一列に配列さ
れている。
【００１１】図６及び図７より断面構造は、ｎ型（又は
半絶縁性）のＧａＡｓ基板５１上に、ｐ型ＧａＡｓオー
ミックコンタクト層５２、ｐ型ＧａＡｌＡｓ層５３、ｎ
型ＧａＡｌＡｓ層５４、ｎ型ＧａＡｓオーミックコンタ
クト層５５を順次積層したダブルヘテロ構造となってい
る。
半絶縁性）のＧａＡｓ基板５１上に、ｐ型ＧａＡｓオー
ミックコンタクト層５２、ｐ型ＧａＡｌＡｓ層５３、ｎ
型ＧａＡｌＡｓ層５４、ｎ型ＧａＡｓオーミックコンタ
クト層５５を順次積層したダブルヘテロ構造となってい
る。
【００１２】最上層であるｎ型ＧａＡｓオーミックコン
タクト層５５は、光を遮断する性質があるため、発光部
４１に位置するｎ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層５
５は除去されている。
タクト層５５は、光を遮断する性質があるため、発光部
４１に位置するｎ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層５
５は除去されている。
【００１３】発光ダイオード間は、ｐ型ＧａＡｓオーミ
ックコンタクト層５２まで到達するメサ溝６５により物
理的に分割（電気的に絶縁）されている。
ックコンタクト層５２まで到達するメサ溝６５により物
理的に分割（電気的に絶縁）されている。
【００１４】各ブロック間の発光ダイオードのアノード
を電気的に絶縁するためのｐ型ＧａＡｓオーミックコン
タクト層５２より深いメサ溝６６が形成されている。
を電気的に絶縁するためのｐ型ＧａＡｓオーミックコン
タクト層５２より深いメサ溝６６が形成されている。
【００１５】結晶（エピタキシャル層）の上面は、Ｓｉ
Ｏ2膜５７、５８により覆われている。カソード電極６
２は、ｎ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層５５の上
に、アノード電極６３はｐ型ＧａＡｓオーミックコンタ
クト層５２の上にそれぞれ金属を蒸着し合金化すること
により設けられている。
Ｏ2膜５７、５８により覆われている。カソード電極６
２は、ｎ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層５５の上
に、アノード電極６３はｐ型ＧａＡｓオーミックコンタ
クト層５２の上にそれぞれ金属を蒸着し合金化すること
により設けられている。
【００１６】各ブロックの共通カソード６４同士は多層
配線により接続されている。
配線により接続されている。
【００１７】アノード電極６３とワイヤボンディングパ
ッド６９との間、共通カソード６４とワイヤボンディン
グパッド６８との間はスルーホール６７を通して電気的
に接続されている。
ッド６９との間、共通カソード６４とワイヤボンディン
グパッド６８との間はスルーホール６７を通して電気的
に接続されている。
【００１８】アノード電極６３とカソード電極６２との
間に順方向にバイアス電圧を印加すると、アノード電極
６３からカソード電極６２の方向に電流が流れ、ｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓ層５３とｎ型ＧａＡｌＡｓ層５４との境界で
発光し、発光部４１から光が放出される。
間に順方向にバイアス電圧を印加すると、アノード電極
６３からカソード電極６２の方向に電流が流れ、ｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓ層５３とｎ型ＧａＡｌＡｓ層５４との境界で
発光し、発光部４１から光が放出される。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、プリ
ンタには高速化、低消費電力化が要求されており、その
部品である発光ダイオードアレイに対しても高出力化が
要求されている。高出力化の方法としては発光層の下に
ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層を設ける方
法がある。ＤＢＲ層は通常２種類の屈折率の異なる層が
複数ペアからなっており、発光層で発光した光で本来な
ら基板に吸収されてしまうような光をＤＢＲ層で反射さ
せることにより光出力を向上させることができる。
ンタには高速化、低消費電力化が要求されており、その
部品である発光ダイオードアレイに対しても高出力化が
要求されている。高出力化の方法としては発光層の下に
ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層を設ける方
法がある。ＤＢＲ層は通常２種類の屈折率の異なる層が
複数ペアからなっており、発光層で発光した光で本来な
ら基板に吸収されてしまうような光をＤＢＲ層で反射さ
せることにより光出力を向上させることができる。
【００２０】しかしながら、ｐ型ＧａＡｓオーミックコ
ンタクト層の上にＤＢＲ層を設けた場合、ｐ型ＧａＡｌ
Ａｓ層が厚くなってしまい、メサ溝が深くなって発光ダ
イオードアレイが高密度化したときの発光ダイオード同
士の分離が困難になるという問題があった。
ンタクト層の上にＤＢＲ層を設けた場合、ｐ型ＧａＡｌ
Ａｓ層が厚くなってしまい、メサ溝が深くなって発光ダ
イオードアレイが高密度化したときの発光ダイオード同
士の分離が困難になるという問題があった。
【００２１】また、ｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト
層の下にＤＢＲ層を設ける場合、通常ｐ型ＧａＡｓオー
ミックコンタクト層は厚さが５００ｎｍ程度であるた
め、そのｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層の下にＤ
ＢＲ層を設けてもｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層
がほとんど光を通さないためＤＢＲ層にまで光が到達せ
ず反射層としての役目を果たすことができないという問
題があった。
層の下にＤＢＲ層を設ける場合、通常ｐ型ＧａＡｓオー
ミックコンタクト層は厚さが５００ｎｍ程度であるた
め、そのｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層の下にＤ
ＢＲ層を設けてもｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層
がほとんど光を通さないためＤＢＲ層にまで光が到達せ
ず反射層としての役目を果たすことができないという問
題があった。
【００２２】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、ボンディングワイヤの密度を高くすることなく発光
部の密度を高くすることができ、しかも高出力が得られ
る発光ダイオードアレイを提供することにある。
し、ボンディングワイヤの密度を高くすることなく発光
部の密度を高くすることができ、しかも高出力が得られ
る発光ダイオードアレイを提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の発光ダイオードアレイは、基板上に一列に配
列された複数の発光ダイオードがｍ個のブロックに分割
され、各ブロック内の発光ダイオードのアノードが共通
に接続され、各ブロック内のｉ番目の発光ダイオードの
カソード同士が共通に接続され、基板の一方の主面側に
ｐ型オーミックコンタクト層と、ｐ型オーミックコンタ
クト層上のｐ型半導体層と、ｐ型半導体層上のｎ型半導
体層と、ｎ型半導体層上のｎ型オーミックコンタクト層
とからなるエピタキシャル層が順次積層され、各発光ダ
イオードがｐ型オーミックコンタクト層にまで到達する
メサ溝により分割され、ブロックがｐ型オーミックコン
タクト層より深いメサ溝により分割されている発光ダイ
オードアレイにおいて、ｐ型オーミックコンタクト層を
２００ｎｍ以下の厚さとし、ｐ型オーミックコンタクト
層と基板との間にＤＢＲ層を設けたものである。
に本発明の発光ダイオードアレイは、基板上に一列に配
列された複数の発光ダイオードがｍ個のブロックに分割
され、各ブロック内の発光ダイオードのアノードが共通
に接続され、各ブロック内のｉ番目の発光ダイオードの
カソード同士が共通に接続され、基板の一方の主面側に
ｐ型オーミックコンタクト層と、ｐ型オーミックコンタ
クト層上のｐ型半導体層と、ｐ型半導体層上のｎ型半導
体層と、ｎ型半導体層上のｎ型オーミックコンタクト層
とからなるエピタキシャル層が順次積層され、各発光ダ
イオードがｐ型オーミックコンタクト層にまで到達する
メサ溝により分割され、ブロックがｐ型オーミックコン
タクト層より深いメサ溝により分割されている発光ダイ
オードアレイにおいて、ｐ型オーミックコンタクト層を
２００ｎｍ以下の厚さとし、ｐ型オーミックコンタクト
層と基板との間にＤＢＲ層を設けたものである。
【００２４】上記構成に加え本発明の発光ダイオードア
レイは、ＤＢＲ層のキャリア濃度が１×１０17ｃｍ-3未
満であり、ブロック間を分割するメサ溝がｐ型オーミッ
クコンタクト層より深いのが好ましい。
レイは、ＤＢＲ層のキャリア濃度が１×１０17ｃｍ-3未
満であり、ブロック間を分割するメサ溝がｐ型オーミッ
クコンタクト層より深いのが好ましい。
【００２５】上記構成に加え本発明の発光ダイオードア
レイは、ＤＢＲ層のキャリア濃度が１×１０17ｃｍ-3以
上であり、ブロック間を分割するメサ溝がＤＢＲ層より
深いのが好ましい。
レイは、ＤＢＲ層のキャリア濃度が１×１０17ｃｍ-3以
上であり、ブロック間を分割するメサ溝がＤＢＲ層より
深いのが好ましい。
【００２６】本発明によれば、ｐ型オーミックコンタク
ト層の厚さを従来の５００ｎｍから２００ｎｍ以下と薄
くし、かつｐ型オーミックコンタクト層と基板との間に
ＤＢＲ層を設けたので、発光領域で発生した光をＤＢＲ
層で反射させることができ、光出力が向上する。
ト層の厚さを従来の５００ｎｍから２００ｎｍ以下と薄
くし、かつｐ型オーミックコンタクト層と基板との間に
ＤＢＲ層を設けたので、発光領域で発生した光をＤＢＲ
層で反射させることができ、光出力が向上する。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００２８】図１は本発明の発光ダイオードアレイの一
実施の形態を示す上面図であり、図２は図１の２−２線
断面図であり、図３は図１の３−３線断面図である。
実施の形態を示す上面図であり、図２は図１の２−２線
断面図であり、図３は図１の３−３線断面図である。
【００２９】図１に示すように発光ダイオードアレイの
チップ上に複数の発光部１１が一列に配列されている。
チップ上に複数の発光部１１が一列に配列されている。
【００３０】図２及び図３に示すように、断面構造はｎ
型（又は半絶縁性）のＧａＡｓ基板２１の上に、ＤＢＲ
層１２、ｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２２、ｐ
型ＧａＡｌＡｓ層２３、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層２４、ｎ型
ＧａＡｓオーミックコンタクト層２５を順次積層したダ
ブルへテロ構造となっている。
型（又は半絶縁性）のＧａＡｓ基板２１の上に、ＤＢＲ
層１２、ｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２２、ｐ
型ＧａＡｌＡｓ層２３、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層２４、ｎ型
ＧａＡｓオーミックコンタクト層２５を順次積層したダ
ブルへテロ構造となっている。
【００３１】ｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２２
は、発光領域で発生した光が透過してＤＢＲ層１２に到
達するように厚さは１００ｎｍ以下とする。
は、発光領域で発生した光が透過してＤＢＲ層１２に到
達するように厚さは１００ｎｍ以下とする。
【００３２】最上層であるｎ型ＧａＡｓオーミックコン
タクト層２５は、光を遮断する性質があるため、発光部
１１に位置するｎ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２
５は除去されている。
タクト層２５は、光を遮断する性質があるため、発光部
１１に位置するｎ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２
５は除去されている。
【００３３】発光ダイオード間は、ｐ型ＧａＡｓオーミ
ックコンタクト層２２まで到達するメサ溝３５により物
理的に分割（電気的に絶縁）されている。
ックコンタクト層２２まで到達するメサ溝３５により物
理的に分割（電気的に絶縁）されている。
【００３４】各ブロック間のアノードを電気的に絶縁す
るためのメサ溝３６は、ＤＢＲ層１２が高抵抗の場合は
ｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２２より深く、Ｄ
ＢＲ層１２が低抵抗の場合はＤＢＲ層１２より深く形成
する。
るためのメサ溝３６は、ＤＢＲ層１２が高抵抗の場合は
ｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２２より深く、Ｄ
ＢＲ層１２が低抵抗の場合はＤＢＲ層１２より深く形成
する。
【００３５】ＤＢＲ層１２が低抵抗（キャリア濃度：１
×１０17ｃｍ-3以上）の場合には、メサ溝３６をＤＢＲ
層１２より深く形成しないと、各ブロック間が電気的に
導通してしまうからである。
×１０17ｃｍ-3以上）の場合には、メサ溝３６をＤＢＲ
層１２より深く形成しないと、各ブロック間が電気的に
導通してしまうからである。
【００３６】よって、各ブロック間を電気的に絶縁する
のに十分な程度にＤＢＲ層１２が高抵抗（キャリア濃
度：１×１０17ｃｍ-3未満）の場合には、メサ溝３６は
オーミックコンタクト層２２より深い程度でよい。
のに十分な程度にＤＢＲ層１２が高抵抗（キャリア濃
度：１×１０17ｃｍ-3未満）の場合には、メサ溝３６は
オーミックコンタクト層２２より深い程度でよい。
【００３７】結晶（エピタキシャル層）上面は、ＳｉＯ
2膜２７、２８により覆われている。カソード電極３２
はｎ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２５の上に金属
を蒸着し合金化することにより設けられている。
2膜２７、２８により覆われている。カソード電極３２
はｎ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層２５の上に金属
を蒸着し合金化することにより設けられている。
【００３８】各ブロックの発光ダイオードの共通カソー
ド３４同士は多層配線により接続されている。
ド３４同士は多層配線により接続されている。
【００３９】アノード電極３３とワイヤボンディングパ
ッド３９との間、共通カソード３４とワイヤボンディン
グパッド３８との間はスルーホール３７を通して電気的
に接続されている。
ッド３９との間、共通カソード３４とワイヤボンディン
グパッド３８との間はスルーホール３７を通して電気的
に接続されている。
【００４０】カソード電極３２とアノード電極３３との
間に順方向のバイアス電圧を印加すると、アノード電極
３３からカソード電極３２の方向に電流が流れ、ｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓ層２３とｎ型ＧａＡｌＡｓ層２４との境界で
発光する。
間に順方向のバイアス電圧を印加すると、アノード電極
３３からカソード電極３２の方向に電流が流れ、ｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓ層２３とｎ型ＧａＡｌＡｓ層２４との境界で
発光する。
【００４１】このような構造の場合、発光領域で発生し
た光が直接発光部１１から放出される分に、ＤＢＲ層１
２で反射した光が加わるため高出力となる。
た光が直接発光部１１から放出される分に、ＤＢＲ層１
２で反射した光が加わるため高出力となる。
【００４２】図８はｐ型オーミックコンタクト層の厚さ
を変えて光出力を測定した結果を示す図であり、横軸が
ｐ型オーミックコンタクト層の厚さ軸を示し、縦軸が光
出力軸を示す。
を変えて光出力を測定した結果を示す図であり、横軸が
ｐ型オーミックコンタクト層の厚さ軸を示し、縦軸が光
出力軸を示す。
【００４３】同図よりｐ型オーミックコンタクト層の厚
さを薄くすることにより光出力が増加していることが分
かる。
さを薄くすることにより光出力が増加していることが分
かる。
【００４４】従来のｐ型オーミックコンタクト層の厚さ
が５００ｎｍであったものに対して２５％以上光出力を
増加させるためには、ｐ型オーミックコンタクト層の厚
さを２００ｎｍ以下にする必要があることが分かる。但
し、ｐ型オーミックコンタクト層の厚さを薄くし過ぎる
と、コンタクト抵抗やｐ型オーミックコンタクト層の抵
抗が増加して順方向電圧ＶＦが高くなって、発光ダイオ
ードアレイを駆動するドライバＩＣによっては問題とな
ることがあるので、注意が必要である。
が５００ｎｍであったものに対して２５％以上光出力を
増加させるためには、ｐ型オーミックコンタクト層の厚
さを２００ｎｍ以下にする必要があることが分かる。但
し、ｐ型オーミックコンタクト層の厚さを薄くし過ぎる
と、コンタクト抵抗やｐ型オーミックコンタクト層の抵
抗が増加して順方向電圧ＶＦが高くなって、発光ダイオ
ードアレイを駆動するドライバＩＣによっては問題とな
ることがあるので、注意が必要である。
【００４５】本実施の形態ではｐ型が基板側（図では下
側）、ｎ型が電極側（図では上側）の発光ダイオードア
レイの場合で説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、ｐ型とｎ型とが逆であってもよい。また、
本実施の形態ではＧａＡｌＡｓ系の発光ダイオードアレ
イの場合で説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオードであって
も同様の効果が得られる。
側）、ｎ型が電極側（図では上側）の発光ダイオードア
レイの場合で説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、ｐ型とｎ型とが逆であってもよい。また、
本実施の形態ではＧａＡｌＡｓ系の発光ダイオードアレ
イの場合で説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオードであって
も同様の効果が得られる。
【００４６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００４７】ボンディングワイヤの密度を高くすること
なく発光部の密度を高くすることができ、しかも高出力
が得られる発光ダイオードアレイの提供を実現すること
ができる。
なく発光部の密度を高くすることができ、しかも高出力
が得られる発光ダイオードアレイの提供を実現すること
ができる。
【図１】本発明の発光ダイオードアレイの一実施の形態
を示す上面図である。
を示す上面図である。
【図２】図１の２−２線断面図である。
【図３】図１の３−３線断面図である。
【図４】発光ダイオードアレイの回路図である。
【図５】図４に示した発光ダイオードアレイの上面図で
ある。
ある。
【図６】図５の６−６線断面図である。
【図７】図５の７−７線断面図である。
【図８】ｐ型オーミックコンタクト層の厚さを変えて光
出力を測定した結果を示す図である。
出力を測定した結果を示す図である。
１２ ＤＢＲ層
２１ ＧａＡｓ基板（基板）
２２ ｐ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層
２３ ｐ型ＧａＡｌＡｓ層
２４ ｎ型ＧａＡｌＡｓ層
２５ ｎ型ＧａＡｓオーミックコンタクト層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 豊島 敏也
茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立
電線株式会社日高工場内
Ｆターム(参考） 2C162 AE28 AE47 AH04 FA04 FA17
FA23
5F041 AA04 CA36 CA46 CA81 CB15
CB22 DA06 FF13
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に一列に配列された複数の発光ダ
イオードがｍ個のブロックに分割され、各ブロック内の
発光ダイオードのアノードが共通に接続され、各ブロッ
ク内のｉ番目の発光ダイオードのカソード同士が共通に
接続され、上記基板の一方の主面側にｐ型オーミックコ
ンタクト層と、該ｐ型オーミックコンタクト層上のｐ型
半導体層と、該ｐ型半導体層上のｎ型半導体層と、該ｎ
型半導体層上のｎ型オーミックコンタクト層とからなる
エピタキシャル層が順次積層され、各発光ダイオードが
上記ｐ型オーミックコンタクト層にまで到達するメサ溝
により分割され、上記ブロックが上記ｐ型オーミックコ
ンタクト層より深いメサ溝により分割されている発光ダ
イオードアレイにおいて、上記ｐ型オーミックコンタク
ト層を２００ｎｍ以下の厚さとし、上記ｐ型オーミック
コンタクト層と上記基板との間にＤＢＲ層を設けたこと
を特徴とする発光ダイオードアレイ。 - 【請求項２】 上記ＤＢＲ層のキャリア濃度が１×１０
17ｃｍ-3未満であり、上記ブロック間を分割するメサ溝
が上記ｐ型オーミックコンタクト層より深い請求項１に
記載の発光ダイオードアレイ。 - 【請求項３】 上記ＤＢＲ層のキャリア濃度が１×１０
17ｃｍ-3以上であり、上記ブロック間を分割するメサ溝
が上記ＤＢＲ層より深い請求項１に記載の発光ダイオー
ドアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001184750A JP2003008056A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 発光ダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001184750A JP2003008056A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 発光ダイオードアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008056A true JP2003008056A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19024458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001184750A Pending JP2003008056A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 発光ダイオードアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003008056A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160080264A (ko) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
-
2001
- 2001-06-19 JP JP2001184750A patent/JP2003008056A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160080264A (ko) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
| WO2016108437A1 (ko) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 엘지이노텍(주) | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
| US10062811B2 (en) | 2014-12-29 | 2018-08-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting element array comprising the same |
| KR102309092B1 (ko) | 2014-12-29 | 2021-10-06 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106505410B (zh) | 垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法 | |
| US7271421B2 (en) | Light-emitting diode array | |
| US6730936B2 (en) | Light-emitting diode array | |
| US7034340B2 (en) | Light-emitting diode array | |
| KR20030007061A (ko) | 발광 다이오드 어레이 | |
| US7112824B2 (en) | Light-emitting diode array | |
| KR20040081020A (ko) | 발광 다이오드 어레이 | |
| US6717182B1 (en) | Edge-emitting light-emitting device having improved external luminous efficiency and self-scanning light-emitting device array comprising the same | |
| JPH11274634A (ja) | 半導体レーザアレイ素子および半導体レーザアレイ装置 | |
| JP2001326383A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP2000323750A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP2003008056A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JPH07106689A (ja) | 半導体レーザー | |
| JP6308319B2 (ja) | 面発光型半導体レーザアレイ | |
| JPH1168149A (ja) | 半導体素子及び半導体素子アレイ | |
| JP3999287B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2001257380A (ja) | 発光ダイオードアレイ及びその製造方法 | |
| US6919583B2 (en) | End surface light-emitting element having increased external light emission efficiency and self-scanning light-emitting element array using the same | |
| JPH0531955A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2001044504A (ja) | 発光ダイオードアレイ及びその製造方法 | |
| JP2002009331A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP2001060718A (ja) | 発光サイリスタおよび自己走査型発光装置 | |
| JP2006216668A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP3891833B2 (ja) | 半導体装置及びｌｅｄアレイ | |
| JP2001339060A (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060915 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081205 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081209 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090206 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090512 |