JP5901391B2 - 光半導体素子、発光装置、光伝送装置及び光半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
半導体の基板と、
同一の方向に向かって光を放射するように前記基板上に並べて配置された複数の活性領域を有するアレイであって、前記複数の活性領域が、光を放射する方向と交差する方向において、前記アレイの端では前記アレイの中央よりも密に配置されるアレイと、
前記複数の活性領域に電流を注入する電極と、
を備える光半導体素子。
前記複数の活性領域を埋め込む埋め込み層を備える付記1に記載の光半導体素子。
前記埋め込み層の熱伝導率は、50W/(m・K)以上である付記2に記載の光半導体素子。
前記アレイの中央から各活性領域までの距離が、活性領域の順番と共に対数関数状に増加する付記1〜3の何れか一項に記載の光半導体素子。
前記アレイの中央から各活性領域までの距離と、活性領域の順番と共に増加する対数関数の値との差が、対数関数の値の30%以内である付記4に記載の光半導体素子。
前記複数の活性領域が光を放射する方向は、前記基板に対して平行である付記1〜5の何れか一項に記載の光半導体素子。
前記複数の活性領域が光を放射する方向は、前記基板に対して垂直である付記1〜6の何れか一項に記載の光半導体素子。
前記複数の活性領域は、光を放射する方向と直交する方向において、前記アレイの端では前記アレイの中央よりも密に配置される付記1〜7の何れか一項に記載の光半導体素子。
半導体の第1基板と、
同一の方向に向かって光を放射するように前記第1基板上に並べて配置された所定数の活性領域を有するアレイであって、前記所定数の活性領域が、光を放射する方向と交差する方向において、前記アレイの端では前記アレイの中央よりも密に配置されるアレイと、
前記複数の活性領域に電流を注入する電極と、
を有し、第2基板上に配置される光半導体素子と、
前記第2基板上に配置されており、前記光半導体素子の各活性領域から放射された光を入力して伝搬する前記所定数の光導波路と、
を備える発光装置。
前記第2基板上に配置されており、前記所定数の光導波路が伝搬する光を変調して出力する前記所定数の光変調素子を備える付記9に記載の発光装置。
半導体の第1基板と、
同一の方向に向かって光を放射するように前記第1基板上に並べて配置された所定数の活性領域を有するアレイであって、前記所定数の活性領域が、光を放射する方向と交差する方向において、前記アレイの端では前記アレイの中央よりも密に配置されるアレイと、
前記複数の活性領域に電流を注入する電極と、
を有し、第2基板上に配置される発光装置と、
前記第2基板上に配置されており、前記発光装置の各活性領域から放射された光を受光する前記所定数の受光素子を有する受光装置と、
を備える光伝送装置。
光を同一の方向に放射する複数の活性領域を有するアレイを半導体の基板上に形成する工程であって、前記複数の活性領域が光を放射する方向と交差する方向において、前記アレイの端では前記アレイの中央よりも活性領域が密になるように前記複数の活性領域を並べて形成する工程と、
前記複数の活性領域に電流を注入する電極を形成する工程と、
を備える光半導体素子の製造方法。
11 基板
12 下クラッド層
13 第1埋め込み層
14 電流ブロック層
15 第2埋め込み層
16 第1電極
17 第2電極
20 光送信器
21 基板
22 光半導体素子
23 駆動部
24 光導波路アレイ
30 光伝送装置
31 基板
32 発光装置
33a、33b 光導波路アレイ
34 光変調器アレイ
35 受光装置
36 信号処理部
A1〜A13 活性領域
R アレイ
D1〜D13 受光素子
W1〜W13 光導波路
M1〜M13 光変調素子
Claims (7)
- 半導体の基板と、
同一の方向に向かって光を放射するように前記基板上に並べて配置された複数の活性領域を有するアレイであって、前記複数の活性領域が、光を放射する方向と交差する方向において、前記アレイの端では前記アレイの中央よりも密に配置されるアレイと、
前記複数の活性領域に電流を注入する電極と、
を備え、
前記アレイの中央から各活性領域までの距離が、活性領域の順番と共に対数関数状に増加する光半導体素子。 - 前記複数の活性領域を埋め込む埋め込み層を備える請求項1に記載の光半導体素子。
- 前記アレイの中央から各活性領域までの距離と、活性領域の順番と共に増加する対数関数の値との差が、対数関数の値の30%以内である請求項1又は2に記載の光半導体素子。
- 半導体の第1基板と、
同一の方向に向かって光を放射するように前記第1基板上に並べて配置された所定数の活性領域を有するアレイであって、前記所定数の活性領域が、光を放射する方向と交差する方向において、前記アレイの端では前記アレイの中央よりも密に配置されるアレイと、
前記所定数の活性領域に電流を注入する電極と、
を有し、第2基板上に配置され、前記アレイの中央から各活性領域までの距離が、活性領域の順番と共に対数関数状に増加する光半導体素子と、
前記第2基板上に配置されており、前記光半導体素子の各活性領域から放射された光を入力して伝搬する前記所定数の光導波路と、
を備える発光装置。 - 前記第2基板上に配置されており、前記所定数の光導波路が伝搬する光を変調して出力する前記所定数の光変調素子を備える請求項4に記載の発光装置。
- 半導体の第1基板と、
同一の方向に向かって光を放射するように前記第1基板上に並べて配置された所定数の活性領域を有するアレイであって、前記所定数の活性領域が、光を放射する方向と交差する方向において、前記アレイの端では前記アレイの中央よりも密に配置されるアレイと、
前記所定数の活性領域に電流を注入する電極と、
を有し、第2基板上に配置され、前記アレイの中央から各活性領域までの距離が、活性領域の順番と共に対数関数状に増加する発光装置と、
前記第2基板上に配置されており、前記発光装置の各活性領域から放射された光を受光する前記所定数の受光素子を有する受光装置と、
を備える光伝送装置。 - 光を同一の方向に放射する複数の活性領域を有するアレイを半導体の基板上に形成する工程であって、前記複数の活性領域が光を放射する方向と交差する方向において、前記アレイの端では前記アレイの中央よりも活性領域が密になるように前記複数の活性領域を並べて形成する第1工程と、
前記複数の活性領域に電流を注入する電極を形成する第2工程と、
を備え、
前記第1工程では、前記アレイの中央から各活性領域までの距離が、活性領域の順番と共に対数関数状に増加するように前記複数の活性領域を並べて形成する、光半導体素子の製造方法。
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