JP2002031731A - ハイブリッド光集積回路 - Google Patents

ハイブリッド光集積回路

Info

Publication number
JP2002031731A
JP2002031731A JP2001134713A JP2001134713A JP2002031731A JP 2002031731 A JP2002031731 A JP 2002031731A JP 2001134713 A JP2001134713 A JP 2001134713A JP 2001134713 A JP2001134713 A JP 2001134713A JP 2002031731 A JP2002031731 A JP 2002031731A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
optical waveguide
monitor
waveguide
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001134713A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasubumi Yamada
泰文 山田
Shinji Mino
真司 美野
Hiroshi Terui
博 照井
Kaoru Yoshino
薫 吉野
Kuniharu Kato
邦治 加藤
Kazuyuki Moriwaki
和幸 森脇
Akio Sugita
彰夫 杉田
Ikuo Ogawa
育生 小川
Masahiro Yanagisawa
雅弘 柳澤
Toshikazu Hashimoto
俊和 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2001134713A priority Critical patent/JP2002031731A/ja
Publication of JP2002031731A publication Critical patent/JP2002031731A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 従来のハイブリッド光集積回路は、低損失光
導波路機能,光学ベンチ機能および高周波電気配線機能
を満足し得ない。 【解決手段】 基板1上に形成され、かつ少なくとも1
つの信号用光導波路92aおよび少なくとも1つのモニ
タ用光導波路92bを有する光導波路部92と、この光
導波路部92の端部または当該光導波路部92の途中に
形成された空隙部に設けられる光素子搭載部と、光導波
路部92の信号用光導波路92aおよびモニタ用光導波
路92bに光結合するための信号ポートおよびモニタポ
ートを有する光機能素子とを含み、信号用光導波路92
aと信号ポートとが光結合すると共にモニタ用光導波路
92bとモニタポートとが光結合した状態で、光素子搭
載部に光機能素子が搭載されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路および電
気配線の他に、光通信や光信号処理に用いられる光素子
または光サブモジュールを搭載し得るハイブリッド光集
積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】最近における光通信や光情報処理の高度
化に伴い、低損失な光導波路などに能動光素子を組み込
んで高周波電気回路により駆動する光/電子ハイブリッ
ド集積回路の実現が期待されている。
【0003】そして、この光導波路に能動光素子を組み
込み、高周波駆動する回路の実現に当っては、 1.低損失光導波路機能 2.同一基板上に光素子を搭載し、軸ずれを防止するた
めの光学ベンチ機能 3.光素子を駆動するのに必要な高周波電気配線機能 からなる3つの条件が光/電子ハイブリッド実装基板と
して必要になる。
【0004】図1は、Si基板1上に形成されたガイド
溝2および位置決め基準面3a,3bおよび3cを利用
し、Si基板1上にて光ファイバ4と半導体レーザー
(LD)5との集積を実現し、電気配線6により駆動す
る従来の「Si光学ベンチ」と称せられる構成を示す斜
視図である。この構成では、Si基板1の加工性の良さ
を利用して精度良くガイド溝2が形成できるので、光フ
ァイバ4と半導体レーザー(LD)5やフォトディテク
タ(PD)などの光素子との一体化を容易に実現でき
る。また、Si基板は熱伝導性に優れるので、光素子と
の良好なヒートシンクとしても機能する。電気配線6
は、Si基板1の表面上に直接、または厚さ0.5μm以
下の極めて薄い酸化膜を介して形成される。
【0005】光導波路機能を有する光実装基板として
は、Si基板に形成した石英系光導波路の適用が期待さ
れている。このような従来の光導波路として、図3(A)
〜図3(D)に示すように、 1.コアを薄いオーバークラッド層で保護した形態の
「リッジ型光導波路」 2.コアを十分に厚いオーバークラッド層で埋め込んだ
「埋め込み型光導波路」の2種類が知られている。
【0006】図5は、凹部1aおよび凸部1bを有する
Si基板1上の凹部1aに光導波路を形成し、凸部1b
を素子搭載部とする「テラス付光導波路基板」(山田,
河内,小林:特開昭63−131104号「ハイブリッ
ド光集積回路」)の一例を示す。この図5において、S
i基板1の凹部1a内に、石英系光導波路10のアンダ
ークラッド層10cと、コア層10bとが順に形成さ
れ、さらに埋め込みクラッド層10aが重ねて形成され
ている。アンダークラッド層10cの上面と、Si基板
1の凸部1b上面の高さとが一致しており、凸部1bを
光素子8の高さ基準面として用いることができる。な
お、図5中の符号で8aは活性層,11は素子位置決め
の基準面である。
【0007】図6は、特開昭62−242362号公報
に開示されたハイブリッド光集積回路の構成を示す斜視
図である。この回路は、Si基板1上に設けられたバッ
ファ層12と、このバッファ層12に重ねて設けられた
石英系光導波路13と、Si基板1の上面からの高さが
上記バッファ層12と同一の素子保持台14と、この保
持台14上にアップサイドダウン構成で保持された半導
体レーザー15と、この半導体レーザー15の上面電極
(図示略)に対して金線Wにより電気的接続される導電
膜16aを有し、かつSi基板1の上面から突出して設
けられた電気配線台16とを具えている。なお、17は
ヒートシンクである。
【0008】このような構成の回路では、バッファ層1
2の上面から導波路13のコアまでの高さの差を、素子
保持台14の上面から半導体レーザー15の活性層15
aまでの高さの差と等しく設定してあるので、極めて高
い位置決め精度で半導体レーザー15等の光素子を搭載
できるという利点がある。
【0009】図7は、特公平5−3748号公報に開示
されたハイブリッド光集積回路の構成を示す斜視図であ
る。この回路は、Si基板1にほぼ等しい高さで凸状に
配置された光導波路18,光ファイバガイド19,光素
子ガイド20および電気配線支持台21と、Si基板1
に配置された第1の導電膜(共通電極)22と、電気配
線支持台21の上面に配置され、かつ第1の導電膜22
から絶縁された第2の導電膜23と、光ファイバガイド
19に沿って配設された光ファイバ24と、光素子ガイ
ド20に沿って配設された光素子としてのレーザーダイ
オード25とを具えている。
【0010】このような構成の回路では、光素子を直接
Si基板1上に搭載しているので、Si基板1をヒートシ
ンクとして機能させることができるという利点がある。
【0011】図8は、特開平5−60952号公報に開
示された光半導体装置の構成を示す断面図である。この
装置は、Si基板1と、このSi基板1に形成された光導
波路26と、Si基板1の凹部にアップサイドダウン構
成で搭載された光半導体素子27とを具えている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術において
は、上述の3条件が充足される回路が得られていない。
【0013】例えば、図1に示したSi光学ベンチの構
成では、電気配線6の高周波特性を著しく劣化させると
いう問題を生ずる。すなわち、高周波特性に優れた電気
配線6を形成するためには、この電気配線層の厚さを充
分なものとし、しかも誘電損失の小さい絶縁体上に形成
しなければならないが、Si基板1はその厚さが極めて
薄く、しかも十分な高周波特性を補償する程、抵抗値が
高くなく、比抵抗は1kΩ・cm程度しかない。
【0014】図2は、Si基板上に直接形成した長さ0.
6mmのコプレーナ配線の高周波特性を示している(T. S
uzaki et al.:Microwave Workshop Digest, 1993, p9
5)。縦軸をSパラメータの透過特性S21とし、横軸を
周波数(GHz)とした。長さ0.6mmの配線の損失は約
0.4dB(2GHz),約0.8dB(10GHz)となり、
長さ1cmに換算すると7dB(2GHz),13dB(10
GHz)となって大きな損失となる。
【0015】図3(A)〜図3(D)に示す従来の光導波路
に関し、図4はリッジ型光導波路の検討例(6. Y. Yama
da et al., "Hybrid-Integrated 4×4 Optical Gate Ma
trixSwitch Using Silica-Based Optical Waveguides a
nd LD Array Chips", IEEE,J. Lightwave Technol., vo
l. 10, pp.383-390, 1992)を示しており、Si基板1に
形成した石英系光導波路7と半導体光素子8(この例で
は、半導体レーザーアンプ:SLA)との厚みに応じて
基板に反りが生じることに起因し、結合損失の増大につ
ながる。このように、リッジ型光導波路は光導波路機能
を十分には満たさない。また、ここでは、電気配線機能
も検討されていない。
【0016】図5に示したテラス付光導波路基板では、
低損失光導波機能や光学ベンチ機能は満足されるもの
の、高周波電気配線を搭載する機能については、全く検
討されていない。ここで、電気配線を搭載するとして
も、Si基板1の凸部1bに重ねて形成されることとな
り、高周波特性に対する要求条件を満たさない。
【0017】図6に示したハイブリッド光集積回路で
は、光導波路13がリッジ型のものに限定され、外乱な
どの影響を受け易く、低損失の光導波路機能を発揮でき
ない。
【0018】図7に示したハイブリッド光集積回路路
も、光導波路18がリッジ型のものに限定され、外乱な
どの影響を受け易く、低損失の光導波路機能を発揮でき
ない。
【0019】図8に示した光半導体装置では、光導波路
26がSi基板1の凸部領域に形成されるため、十分な
厚さのアンダークラッドを形成できない。このため、伝
送損失が大きく、外乱の影響を受け易いなど、十分な光
導波路機能を満たさない。しかも、電気配線部28がS
i基板1に設けられているので、高周波特性に対する要
求条件を満たさない。
【0020】このように、従来のハイブリッド光集積技
術には、上記3つの要求条件を満足するものがない。特
に、高周波電気配線機能はほとんど考慮されていなかっ
た。
【0021】
【発明の目的】本発明の目的は、低損失光導波路機能,
光学ベンチ機能および高周波電気配線機能を満足するハ
イブリッド光集積回路を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明によるハイブリッ
ド光集積回路は、基板上に形成され、かつ少なくとも1
つの信号用光導波路および少なくとも1つのモニタ用光
導波路を有する光導波路部と、この光導波路部の端部ま
たは当該光導波路部の途中に形成された空隙部に設けら
れる光素子搭載部と、前記光導波路部の前記信号用光導
波路および前記モニタ用光導波路に光結合するための信
号ポートおよびモニタポートを有する光機能素子とを含
み、前記信号用光導波路と前記信号ポートとが光結合す
ると共に前記モニタ用光導波路と前記モニタポートとが
光結合した状態で、前記光素子搭載部に前記光機能素子
が搭載されていることを特徴とするものである。
【0023】
【作用】本発明のハイブリッド光集積回路は、その光導
波回路に信号用光導波路と共にモニタ用光導波路を配置
してあり、また光機能素子にも信号ポートと共にモニタ
ポートを設けてある。従って、光導波回路または光機能
素子が有する機能のために光結合率をモニタすることが
容易でない場合であっても、モニタ用光導波路とモニタ
ポートとを用いることにより、光導波回路基板上への光
機能素子ハイブリッド集積が可能となる。
【0024】このような場合として、例えば、光導波回
路に波長選択性/光周波数選択性などの機能があり、こ
のために光信号用導波路を伝搬する光の波長/光周波数
に大きな制約が加わる場合、光導波回路途中に複数の光
機能素子を縦列に搭載するために光信号導波路が途中で
分断される場合、あるいは光機能素子の光信号ポートに
スイッチング機能があって光機能素子に無通電状態では
光を透過しない場合などが例示される。
【0025】さらに、本発明のハイブリッド光集積回路
においては、素子搭載部に高さ基準面と電気配線面とを
設け、かつモニタ用光導波路入力端または出力端に対応
する位置に高さ基準面を配置し、信号用光導波路入力端
または出力端の位置に電気配線面を配置してもよい。こ
の場合、さらに高さ基準面と光導波回路コア中心間の高
さを、上記のハイブリッド光集積回路上に搭載する光機
能素子の活性層またはコア中心と素子表面と間の距離に
一致させ、高さ基準面表面に厚さ0.5μm程度の薄膜電
極を形成する。電気配線面上には、厚さ2〜5μm程度
の電気配線パターン、さらに必要に応じて半田バンプが
形成されている。このとき、電気配線パターン上面、ま
たは半田バンプが形成されている場合には半田バンプ上
面を、高さ基準面より低くするように電気配線面の高さ
が設定されている。
【0026】このような構造としたために、本発明のハ
イブリッド光集積回路においては、基板上への光機能素
子の搭載にあたり、光機能素子と光導波回路とのアクテ
ィブアライメントを行うことができ、かつ半田バンプ等
の厚膜半田を用いての光機能素子固定が可能となる。
【0027】すなわち、モニタポートと信号ポートとを
有する光機能素子を、その活性層、またはコアを下向き
にしたアップサイドダウン形態でハイブリッド光集積回
路の光素子搭載部に搭載できる。光機能素子のモニタポ
ート上面電極と光素子搭載部の高さ基準面とを接触させ
ると、光機能素子と光導波路との高さ方向の位置合わせ
が完了する。この時、光機能素子の信号ポートと基板上
の電気配線パターンとの間には間隙が生じるため、両者
の電気接続をとることはできない。しかしながら、高さ
基準面上には薄膜電極が形成されているので、高さ基準
面からの光機能素子モニタポート電極取り出しが実現さ
れる。従って、光機能素子と光導波路との面内方向の位
置合わせは、光機能素子のモニタポートおよびモニタ用
光導波路とを用いてのアクティブアライメントが可能と
なる。すなわち、本発明の特徴によれば、アクティブア
ライメントによる光素子調心が可能で、かつ厚膜半田を
用いた光素子固定が可能となる。
【0028】さらに基板として、光導波回路を構成する
誘電体材料と比較してエッチング速度が遅い基板を用
い、かつその表面に凹部および凸部を設けておけば、そ
の突部をモニタポートに対応する高さ基準面として用
い、凹部領域に誘電体光導波路を形成することにより、
極めて高精度な高さ基準面を形成できる。特に、基板と
してシリコン基板を用いれば、ヒートシンクとしても機
能する。
【0029】さらに、素子搭載部における信号ポートへ
の電気配線は、すべて十分な厚さの誘電体層上に形成で
きるので、シリコン基板が与える高周波特性劣化の影響
を防止でき、ハイブリッド光集積回路の高周波特性を大
幅に改善できる。
【0030】またさらに、モニタ用光導波路の一方の端
部が光機能素子モニタポートと光結合し、他方の端部が
光導波回路基板端部に配置されるように設けることによ
り、導波路途中に複数の光機能素子を個別にアクティブ
アライメントして搭載することが可能となる。
【0031】さらに、この場合、モニタ用光導波路とし
て光機能素子モニタポート−光導波回路基板端部間を接
続する導波路と共に、光機能素子モニタポート間を相互
に接続する導波路を配置すれば、アクティブアライメン
トにおける光結合効率モニタ法として適用できる手段が
増し、このため、光機能素子として半導体素子のみなら
ず誘電体電気光学素子,磁気光学素子,音響光学素子な
ど各種の光機能素子を搭載することが可能となる。
【0032】光機能素子に2本以上のモニタポートを設
け、また光導波回路に上記モニタポートの数に対応する
モニタ用光導波路を設け、これらのモニタポートまたは
モニタ用光導波路として幅の異なるものを配置すれば、
アクティブアライメントにおいて粗調整および微調整の
2段階の調心が可能となる。
【0033】
【発明の実施の形態】本発明によるハイブリッド光集積
回路において、一端部がモニタポートに光結合するモニ
タ用光導波路の他端部をハイブリッド光集積用実装基板
の端部に導くようにしてもよい。
【0034】ハイブリッド光集積用実装基板に2つ以上
の光機能素子を縦列に搭載し、これら光機能素子のモニ
タポートに当該モニタポートとハイブリッド光集積用実
装基板の端部とを結ぶモニタ用光導波路か、または2つ
以上の光機能素子を接続するモニタ用光導波路を光結合
させてもよい。
【0035】ハイブリッド光集積用実装基板に搭載され
る光機能素子がモニタポートを2つ以上有し、ハイブリ
ッド光集積用実装基板はこれらモニタポートに対応した
数のモニタ用光導波路を有し、少なくとも1つのモニタ
ポートの幅を信号ポートの幅よりも広く設定するか、少
なくとも1つのモニタ用光導波路の幅を信号用光導波路
の幅よりも広く設定するようにしてもよい。
【0036】ハイブリッド光集積用実装基板は、Si基
板に形成されたアンダークラッド,コアおよびオーバー
クラッドからなる石英系光導波路と、この石英系光導波
のアンダークラッドまたはオーバークラッドに被着され
て中心導体と接地導体とからなるコプレーナ配線を有す
る電気配線層とを含むものであってよい。
【0037】
【実施例】本発明によるハイブリッド光集積回路の実施
例について、図9〜図23を参照しながら詳細に説明す
るが、本発明はこれらの実施例のみに限らず、これらを
さらに組み合わせたり、この特許請求の範囲に記載され
た本発明の概念に包含されるあらゆる変更や修正が可能
であり、従って本発明の精神に帰属する他の技術にも当
然応用することができる。
【0038】
【実施例1】図9は本発明のハイブリッド光集積回路の
第1の実施例における光実装基板の構成を示す斜視図で
ある。図9において符号1は基板、1aは基板凹部、3
0は基板凸部である。また、符号92は誘電体による光
導波回路であり、92aは信号用光導波路、92bはモ
ニタ用光導波路、93および93aはクラッド層であ
る。95は光素子搭載部の電気配線面、95aおよび9
5bはそれぞれ電気配線層としての中心導体および接地
導体、96は固定材である。基板凸部の表面は、光素子
搭載部の高さ基準面30として機能する。さらに、この
表面にはモニタ用の薄膜電極97が設けられている。
【0039】図9に示した光実装基板では、基板1とし
てシリコン基板を用い、光導波回路92として石英系光
導波路を用いている。シリコン基板には段差が40μm
の凹凸が設けられている。その凹部には厚さ42μmの
石英系ガラスからなるアンダークラッド層が設けられ、
その上にコア寸法が6μm×6μm、比屈折率差Δ=0.
75%の信号用光導波路92aおよびモニタ用光導波路
92bが形成されている。シリコン基板1の凸部表面と
導波路コア中心と間の距離は、後述する光機能素子10
0の寸法に合わせて5μmに設定した。モニタ用光導波
路92bの端部は、シリコン基板1の凸部からなる高さ
基準面に対応する位置に配置され、信号用光導波路92
aの端部は、電気配線面95に対応した位置に配置され
ている。高さ基準面30には厚さ0.5μmの薄膜金電極
が形成されている。高さ基準面であるシリコン基板1の
凸部表面と電気配線面95との間には10μmの段差が
あり、電気配線面95の下部には厚さ30μmの石英系
光導波路のアンダークラッド層93aが設けられてい
る。電気配線層95aおよび95bは厚さ4μmの金メ
ッキパターンであり、その端部に固定材96として厚さ
4μmの半田バンプが形成されている。
【0040】上記のような構成の光実装基板上の光素子
搭載部に所望の光機能素子を搭載することにより、図1
0に示すようなハイブリッド光集積回路を形成できる。
本実施例における光機能素子100は半導体レーザー
(LD)であり、信号ポート100aとモニタポート1
00bとを有するものである。この各ポートの配列順序
およびそのピッチは、光導波回路の光導波路92aおよ
び92bの入出力端ピッチに対応している。光機能素子
100をアップサイドダウン形態で光素子搭載部に搭載
すれば、光機能素子のモニタポート100bはシリコン
基板1の凸部の高さ基準面30上に配置され、信号ポー
ト100aは電気配線面上に配置される。
【0041】図11は、図10におけるIII−III'矢視
に沿った断面図である。半導体レーザー100の活性層
100aおよび100bは素子表面から4.5μmの位置
にある。一方、ハイブリッド光集積基板においては、高
さ基準面(シリコン凸部)上の薄膜電極97の表面から
光導波路コア中心までの距離が4.5μmに製作されてい
る。従って、図のように半導体レーザーを高さ基準面上
に搭載しただけで、光導波路と半導体レーザーとの高さ
方向の位置合わせを完了することができる。
【0042】ところで、面内方向の位置合わせを行うた
めには、半導体レーザーと光導波路との光結合効率をモ
ニタしながら行う必要がある。半導体レーザーの信号ポ
ート100a下の表面電極100cは、図11のように
基板1上の電気配線層95aおよび半田バンプ96と接
触しないため、信号ポート100aを利用した調心はで
きない。
【0043】しかし、本実施例ではハイブリッド光集積
回路および光機能素子にモニタ用光導波路92bおよび
モニタポート100bを設け、かつモニタポート100
b下の表面電極を高さ基準面30上の薄膜電極97に接
触させていることから、モニタポートを用いた調心が可
能となる。
【0044】このような調心にあたっては、半導体レー
ザーを受光素子として機能させて行うことができる。す
なわち、モニタ用光導波路にモニタ光を伝搬させ、この
モニタ光に対するモニタポートの受光電流をモニタし
て、これが最大になる位置を見い出した。
【0045】なお、アクティブアライメントとして、L
D100を発光させてモニタ用光導波路からの光出力が
最大となる位置を見い出す方法を採用することも可能で
ある。
【0046】次に、図12に示すように、調心完了後、
加熱して半田バンプ96をリフローすることにより、半
田バンプと半導体レーザーの信号ポートの表面電極10
0cとが接触するので、半導体レーザーおよびハイブリ
ッド光集積基板間の電気的接続および素子固定を実現す
ることができる。この際、半田と光機能素子との接触位
置を、そのポート(活性層)直下から若干横にずらして
設定することにより、半田の硬化収縮に伴う応力が直接
光機能素子の光信号ポートに働くことを防止することが
できる。
【0047】このハイブリッド光集積回路における位置
ずれによる過剰結合損失は0.5dB以下であった。この
ことは、本実施例のハイブリッド光集積回路において1
μm以内の精度でLDの表面実装を実現できることを示
している。これは、第1に高さ基準面としてシリコン凸
部表面を用いたこと、第2に面内方向に位置合わせにア
クティブアライメントが可能となったことにより可能と
なるものである。
【0048】以上述べたように、本実施例においては、
光機能素子を機能させながら面内方向の調心を行う「ア
クティブアライメント」を行い、かつ半田バンプによる
光素子固定を実施することができる。このため、従来の
パッシブアライメントによる素子搭載と比較して、より
高精度での光素子ハイブリッド集積を実現できると共
に、従来のアクティブアライメントで問題となった薄膜
半田を用いたことによる固定強度の低下および光機能素
子への大きな応力発生といった問題を解決することがで
きる。
【0049】さらに、本実施例では基板として熱伝導性
に優れたシリコン基板を使用し、その表面に凹凸を設
け、その凸部を光機能素子搭載の高さ基準面として用い
ている。このような構造とすることにより、光機能素子
の発熱をシリコン凸部を通して基板に効率よく逃がすこ
とができるという効果が生じる。
【0050】また、本実施例では、光素子搭載部の電気
配線面は、十分な厚さの石英系光導波路クラッド層上に
設けてある。このような構造とすることにより、高周波
特性に優れたハイブリッド光集積回路が実現できる。す
なわち、図1のような従来技術においては、電気配線は
シリコン基板上に直接、または厚さ0.5μm程度の極め
て薄い酸化膜上に形成するのが一般的であった。しかし
ながら、このような従来構成では、半導体であるシリコ
ン基板の影響を受け、電気配線部の高周波特性が著しく
劣化するという問題があった。この問題を、本実施例で
はシリコン基板と電気配線面との間に十分な厚さの誘電
体層を配置することにより解決したのである。実際、本
実施例のハイブリッド光集積回路における電気配線部
は、概ね10GHzに及ぶ帯域を有することを確認した。
【0051】
【実施例2】図13は、本発明のハイブリッド光集積回
路の第2の実施例における光実装基板の構成を示す概略
斜視図である。本実施例の特徴は、実施例1と異なり、
光機能素子用の高さ基準面30とは別に、光素子搭載部
となるシリコン基板1上に凸部を設け、そのシリコン凸
部上に電子回路搭載面98を設け、さらに電気配線面9
5上に光機能素子用の電気配線のみならず、電子回路へ
の電気配線も併せて設けた点にある。その他の構成要素
は実施例1と同様であるので、同一符号を符し、その説
明を省略する。
【0052】このようにしても、実施例1で発揮された
効果と同様な効果を発揮でき、これに加え、電子回路搭
載面98としてもシリコン基板凸部を利用しているの
で、この上に搭載する電子回路の放熱を効果的に行うこ
とが可能となる。すなわち、本発明のハイブリッド光集
積回路に用いられる光実装基板は、光/電気ハイブリッ
ド実装基板として機能を発揮するのである。
【0053】
【実施例3】上述した実施例1では、基板として凹凸部
を有するシリコン基板を用い、また誘電体光導波路とし
て石英系光導波路を用いた例を示したが、本発明の目的
でもあるアクティブアライメントによる光機能素子位置
合わせと、半田バンプなどの厚膜半田による素子固定と
を両立させるため、この材料系以外の組み合わせも勿論
可能である。以下に、それらの組み合わせ例を例示す
る。 実施例1における光導波路は、石英系光導波路に限
定されるものではないことは言うまでもない。例えば、
ポリイミド導波路などの高分子系光導波路を用いたとし
ても、実施例1で発揮された効果の全てを実現できる。 実施例1における基板には、シリコン基板以外のも
のをも適用できる。例えば、電子回路の実装基板として
実績のあるアルミナ基板などのセラミック基板の表面に
凹凸を設けたものを用いてもよい。また、この場合の光
導波路についても、石英系光導波路や高分子系導波路な
どの各種材料系を用いることができる。このように基板
としてアルミナ基板を用いた場合には、放熱効果の点で
は実施例1に及ばないものの、他の機能は概ね実施例1
と同等の効果を発揮できる。特に、電気配線の高周波特
性およびその配線規模の拡張性に関しては、実施例1よ
り優れる場合もある。 実施例1では、表面に凹凸を形成した基板を使用し
たが、これに代わり表面が平坦基板を用いることも勿論
可能である。図14は、この形態の一例として、基板の
表面が平坦なアルミナ基板、光導波路として石英系光導
波路を用いた場合の基板構造を示す斜視図である。光素
子搭載部の高さ基準面30を光導波路クラッド層で形成
すればよい。この場合には、高さ基準面30と光導波路
92aおよび92bの中心との間の高さの決定精度が、
実施例1より低下する場合がある。また、基板としてセ
ラミック基板を使用した場合には、放熱効果も低下す
る。しかし、本実施例においても、上述した本発明の目
的でもあるアクティブアライメントおよび厚膜半田固定
の両方を同時に実現できる。また、この表面平坦化基板
として、シリコン基板を用いることは勿論可能である。
また、基板として石英基板を用いることも可能である。 実施例1では、光導波路コアが十分な厚さのクラッ
ド層中は埋め込まれた「埋込構造光導波路」の例を示し
たが、光導波路の形態はこれに限定されるものではな
い。例えば、図4に示した従来技術のようなコアがむき
だし、または薄いクラッド層で覆っただけの「リッジ型
光導波路」に対しても適用できる。 光導波路としては上記誘電体材料以外の材料を用い
ても、本発明の主目的を実現できる。このような材料と
しては、例えばシリコン導波路を例示できる。
【0054】さらに、先の実施例では、光機能素子の光
信号ポートと光導波回路上の電気配線間の電気接続およ
び固定を実現するため、固定材96として半田バンプを
用いていたが、この他にも導電性接着剤や導電性ゴム等
の素材を用いることも可能である。この場合にも、実施
例1と同様に素子搭載に伴う応力が光信号ポートに加わ
ることを抑制できる。
【0055】
【実施例4】図15は、本発明のハイブリッド光集積回
路の第4の実施例を示す平面図であり、図16は、図1
5に示した要部を拡大した概略斜視図である。この光導
波回路の信号用光導波路92aは、入出力導波路部I/
O,周回導波路部Rおよび両者の導波路間の光結合を行
う方向性結合部Cから構成され、全体として「リング共
振回路」を構成している。この周回導波路部Rの途中に
は、光機能素子100として半導体光アンプが搭載され
ており、この素子の信号ポート100aと信号用光導波
路とが光結合している。このハイブリッド光集積回路
は、全体として「リングレーザー」として機能する。
【0056】本実施例の「リング共振回路」には、シャ
ープな光周波数選択性があるので、信号用光導波路と信
号ポートを使用してアクティブアライメントにより半導
体光アンプ100を光導波路中に集積しようとすると、
使用できるモニタ光の光周波数が制限される。モニタ光
の光周波数の制限を大幅に緩和するため、本実施例で
は、光導波回路および半導体光アンプ中に、モニタ用光
導波路92bおよびモニタポート100bをそれぞれ設
け、これらを用いて調心するようにしてある。すなわ
ち、光導波回路の周回導波路Rの外側にモニタ用光導波
路92bを配置し、半導体アンプの信号ポート100a
に並べてモニタポート100bを配置した。従って、半
導体アンプの搭載にあたっては、波長選択性のないモニ
タ用光導波路を使用できるので、モニタ光の光周波数に
対する制約条件が大幅に緩和されるのである。
【0057】また特に、光導波回路の光素子搭載部構造
を図16に示したように、高さ基準面30とそれより高
さの低い電気配線面95との2層構成にした場合には、
実施例1で詳述したのと同様に、厚膜半田または導電性
接着剤を用いた低応力素子固定が可能となる。
【0058】
【実施例5】図17は、本発明のハイブリッド集積回路
の第5の実施例の構成を示す平面図である。本実施例の
特徴は、光導波回路中に複数の光機能素子を縦列して搭
載した点にある。図17において符号100は第1の光
機能素子としてのLDアレイであり、101は第2の光
機能素子としての半導体による変調器アレイである。マ
ッハ−ツェンダー干渉回路タイプの強度変調回路がアレ
イ化された構成である。この光導波回路は、LDアレイ
100から出力した光信号が第1の信号用光導波路アレ
イ220aを伝搬し、変調器アレイ101で変調され、
第2の信号用光導波路アレイ221aを通って基板端面
にまで伝搬される構成となっている。このハイブリッド
光集積回路は、LDからの光出力を変調器アレイで変調
する「外部変調器付きLDアレイモジュール」として機
能する。
【0059】このような構成においては、第2の光機能
素子101を搭載するために信号用光導波路は分断され
ており、この導波路を用いてのアクティブアライメント
は困難である。また、変調器アレイ101の信号ポート
も、無通電時には光が透過しない設計である場合には、
信号用光導波路221aを用いての調心は難しい。
【0060】そこで、本実施例においては、光導波回路
上に第1の光機能素子100と光導波回路基板端部とを
結ぶモニタ用光導波路220b、および第2の光機能素
子101と基板端部とを結ぶモニタ用光導波路221b
の2系統のモニタ光導波路が設けられている。
【0061】一方、LD100にはモニタポート100
bが設けられており、このモニタポート100bは信号
ポート100aと同様に半導体レーザーとして機能す
る。半導体レーザーとして機能するポートは、受光素子
として機能させることも可能である。変調器アレイ10
1にはモニタポート101bが設けられており、このポ
ート101bは受光素子として機能する。なお、本実施
例ではその光素子搭載部を実施例1と同様の構造とし
た。
【0062】図18(A)および図18(B)は、図1
7に示した回路の断面図であって、図18(A)はLD
搭載形態を示すXa−Xa'矢視に沿った断面図であ
り、図18(B)は、変調アレイ搭載形態を示すXb−
Xb'矢視に沿った断面図である。このような構成とす
ることにより、モニタ用光導波路220bにモニタ光を
入射し、この受光電流をモニタすることにより、LD1
00のアクティブアライメントが可能となる。全く同様
に、モニタ用光導波路221bを用いて変調器アレイ1
01のアライメントを実現できる。
【0063】なお、本実施例におけるモニタ用光導波路
の配置は、光機能素子のモニタポートが受光機能を持つ
ことを前提としているので、その適用対象は半導体光素
子に限られる。
【0064】
【実施例6】図19は、本発明のハイブリッド光集積回
路の第6の実施例の構成を示す平面図である。本実施例
の特徴は、図17に示した実施例5と異なり、第2の光
機能素子、つまり変調器アレイ101に対するモニタ用
光導波路221bを、第1の光機能素子、つまりLD1
00と変調器アレイ101との間を相互に接続するよう
に設けた点にある。他の構成要素は実施例5と同一であ
るので、同一符号を符し、その説明を省略する。すなわ
ち、変調器アレイ101に対するモニタ用光導波路22
1bは、LD100の直前でモニタ用光導波路220b
と合流し、LD100のモニタポート100bと接続さ
れる。
【0065】このような構成とした場合には、以下の手
順での光素子搭載が可能となる。すなわち、はじめにモ
ニタ用光導波路220bを用いてLDのアクティブアラ
イメントを実施する。この際には、LDを発光させても
よいし、受光機能を利用して行ってもよい。LD搭載完
了後に、今度はモニタ用光導波路221bを用い、変調
器アレイ101のアライメントを実施する。この際に
は、LDのモニタポート100bを発光させた状態でモ
ニタポート101を受光素子として機能させ、その受光
電流をモニタすればよい。
【0066】この方法の特徴は、第1の光機能素子のア
ライメント時にはモニタ用光導波路に光ファイバを接続
し、モニタ光を入力または出力する必要があったが、光
機能素子相互を接続するモニタ用光導波路を設けたの
で、第2の光機能素子アライメントに際してはファイバ
接続が不要となり、アライメント工程を簡略化できるこ
とにある。
【0067】
【実施例7】図20は、本発明のハイブリッド光集積回
路の第7の実施例の平面図である。図21(A)および
図21(B)は、図20に示した回路上に固定すべき光
機能素子のアライメント方法を説明するための平面図で
あって、図21(A)はLDアレイの調心固定を示し、
図21(B)は変調器アレイの調心固定を示す。本実施
例の特徴は、実施例6と異なり、変調器アレイ101に
対するモニタ用光導波路として、LDと接続する導波路
に加え、光導波回路基板端部に接続する導波路を併せて
設けた点にある。このような配置とすることにより、変
調器アレイ101に対するアライメントをモニタする手
段が増加し、この結果、半導体素子以外の材料からなる
光機能素子に対してもアライメントが可能となる。
【0068】以下に、この構成でのアライメント手順を
述べる。このような構成の光集積回路のアライメントを
図21(A)および図21(B)を参照しながら説明す
る。はじめに、モニタ用光導波路220bにモニタ光を
伝搬させ、LDアレイ100のモニタポート100bと
の光結合をモニタしながら、信号用光導波路220aと
信号ポート100aとのアライメントを行い、LDアレ
イ100を固定する。続いて、モニタ用光導波路221
bとモニタポート101bとを用いて変調器アレイ10
1の調心固定を実施すればよい。この際のモニタ法とし
ては、モニタポート101bをパッシブ導波路として用
い、モニタ用光導波路221bに入射したモニタ光をモ
ニタポート101bに伝搬させ、最終的にLD100の
モニタポート100bに入射させる。このとき、LD1
00のモニタポート100bを受光素子として機能さ
せ、この受光電流が最大となる場所を見出せばよい。ま
た、光の伝搬方向をこの逆にして、LDのモニタポート
100bを発光させ、このときのモニタ用導波路221
bからの出力光をモニタしてもよい。
【0069】この方法によれば、変調器アレイのモニタ
ポートをパッシブ導波路として用いているので、本実施
例のように光機能素子101が半導体材料で形成された
場合は勿論のこと、半導体以外の光素子、例えばLiNb
3等の誘電体電気光学結晶、あるいは磁気光学結晶な
どを用いた場合であっても適用できる。
【0070】以上述べたように、本実施例においては複
数の光機能素子をハイブリッド集積するにあたり、各素
子毎に対応するようにモニタ光導波路を設けたので、光
導波回路中に縦列に複数の素子を搭載することが可能で
ある。
【0071】
【実施例8】図22は、本発明のハイブリッド光集積回
路の第8の実施例を示す平面図である。本実施例では、
光導波回路のモニタ用導波路または光機能素子のモニタ
ポートとして、幅の異なる複数のモニタ用導波路92
b,92cまたはモニタポート100b,100cを設
けた点に特徴がある。図22に示すように、光機能素子
のモニタポート100bおよび100cを共に同一幅で
形成する一方、光導波回路のモニタ用光導波路92bの
幅を信号用光導波路92aと同一に設定し、モニタ用光
導波路92cについては、モニタ用光導波路92bより
導波路幅を広くしてある。
【0072】このような構造とすることにより、モニタ
用光導波路92cとモニタポート100cとを用いて調
心の粗調整をしたのち、モニタ用光導波路92bとモニ
タポート100bとを用いて微調整を行うことが可能と
なる。このような2段階調心により、アクティブアライ
メントに要する時間の短縮化を図ることが可能となる。
【0073】
【実施例9】図23は、本発明のハイブリッド光集積回
路の第9の実施例を示す平面図である。本実施例の特徴
は、先の実施例8とは逆に光機能素子のモニタポート1
00bを信号ポートと同一幅とし、モニタポート100
cを信号ポートより広く設定した点にある。
【0074】このような構成としても、実施例8と同様
に、粗調整→微調整の2段階調心によりアクティブアラ
イメントに要する時間の短縮化を図ることが可能とな
る。
【0075】
【発明の効果】本発明のハイブリッド光集積回路におい
ては、光導波回路に信号用光導波路と共にモニタ用光導
波路を設け、光機能素子には光導波回路の導波路配置に
対応して信号ポートとモニタポートとを設け、光導波回
路のモニタ用光導波路と光機能素子のモニタポートが光
結合し、同時に信号用光導波路と信号ポートとが光結合
しつつ、光機能素子が光導波回路上の光素子搭載部に設
置できるようにしたので、信号用光導波路部に波長選択
性/光周波数選択性などの機能を有していたり、または
光機能素子の信号ポートにも各種の機能があり、信号用
光導波路および信号ポートを用いてのアクティブアライ
メントが困難となる場合があっても、モニタ光導波路お
よびモニタポートを用いてのアクティブアライメントが
可能となった。
【0076】光素子搭載部の表面に薄膜電極を形成した
高さ基準面と、それより高さの低い電気配線面を設け、
高さ基準面をモニタ用光導波路に対応する位置に配置
し、電気配線面を信号用光導波路に対応する位置に配置
することにより、基板上への光機能素子搭載にあたり、
光機能素子と光導波路とのアクティブアライメントを行
い、かつ半田バンプ等の厚膜半田を用いての素子固定が
可能となった。このため、光導波路と光機能素子との高
い位置決め精度を実現すると共に、光機能素子の信号ポ
ート上面が基板に直接接触することがなくなるので、素
子搭載に伴う応力が信号ポートに加わることを防ぐこと
ができる。
【0077】基板として凹凸を有する基板を用い、かつ
光導波回路として誘電体光導波回路を用いた場合には、
光素子搭載部の高さ基準面の高さ設定精度が大きく向上
すると共に、電気配線部の高周波特性が改善されるとい
う効果も生じる。
【0078】上記の基板として熱伝導性に優れるシリコ
ン基板を用いれば、上記の効果に加えて光機能素子に対
する放熱特性が大幅に向上するという効果が生まれる。
【0079】光導波回路上のモニタ用光導波路を光機能
素子−光導波回路端部間と共に、必要に応じて、光機能
素子間を接続するように配置すれば、光導波路中に複数
の光機能素子を縦列に搭載することも可能となり、しか
も半導体光素子は勿論のこと、半導体以外の各種材料か
らなる光機能素子のハイブリッド集積が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】Si光学ベンチの構造を示す斜視図である。
【図2】図1の構造から予想される高周波特性を示す特
性図である。
【図3】二種の光導波路構造を示すもので、(A)はリ
ッジ型光導波路構造の光実装基板を示す断面図であり、
(B)は(A)の光実装基板上に設けられた素子搭載部
を示す断面図であり、(C)は埋め込み型光導波路構造
の光実装基板を示す断面図であり、(D)は(C)の光
実装基板上に設けられた素子搭載部を示す断面図であ
る。
【図4】リッジ型光導波路構造の光実装基板を示す概略
斜視図である。
【図5】Siテラス付光導波路構造の光実装基板を示す
概略斜視図である。
【図6】従来のハイブリッド光集積回路の構成の一例を
示す斜視図である。
【図7】従来のハイブリッド光集積回路の構成の他の例
を示す斜視図である。
【図8】従来の光半導体装置の構成の一例を示す断面図
である。
【図9】本発明によるハイブリッド光集積回路の第1の
実施例における光実装基板の構成を示す斜視図である。
【図10】本発明によるハイブリッド光集積回路の第1
の実施例を示す斜視図である。
【図11】図10におけるIII−III'矢視に沿った断面
図である。
【図12】図11に示したハイブリッド光集積回路にお
ける半田バンプのリフロー後の状態を示す断面図であ
る。
【図13】本発明によるハイブリッド光集積回路の第2
の実施例における光実装基板の構成を示す概略斜視図で
ある。
【図14】図13のハイブリッド光集積回路の基板とし
て表面平坦なアルミナ基板を用い、光導波路として石英
系光導波路を用いた場合の基板構造を示す斜視図であ
る。
【図15】本発明によるハイブリッド光集積回路の第4
の実施例を示す平面図である。
【図16】図15に示した要部を拡大した概略斜視図で
ある。
【図17】本発明によるハイブリッド集積回路の第5の
実施例の構成を示す平面図である。
【図18】図17に示した回路の断面を示し、(A)は
LD搭載形態を示すXa−Xa'矢視に沿った断面図で
あり、(B)は変調アレイ搭載形態を示すXb−Xb'
矢視に沿った断面図である。
【図19】本発明によるハイブリッド光集積回路の第6
の実施例の構成を示す平面図である。
【図20】本発明によるハイブリッド光集積回路の第7
の実施例の平面図である。
【図21】図20に示した回路上に固定すべき光機能素
子のアライメント方法を説明するためのものであり、
(A)はLDアレイの調心固定を示す平面図であり、
(B)は変調器アレイの調心固定を示す平面図である。
【図22】本発明によるハイブリッド光集積回路の第8
の実施例を示す平面図である。
【図23】本発明によるハイブリッド光集積回路の第9
の実施例を示す平面図である。
【符号の説明】
1 基板 1a 基板凹部 30 高さ基準面 92 光導波回路 92a 信号用光導波路 92b モニタ用光導波路 92c モニタ用導波路 93,93a アンダークラッド層 95 電気配線面 95a 中心導体(電気配線層) 95b 接地導体(電気配線層) 96 固定材(半田バンプ) 97 薄膜電極 98 電子回路搭載面 100 光機能素子(半導体レーザー:LD,半導体光
アンプ,LDアレイ) 100a 信号ポート(活性層) 100b モニタポート(活性層) 100c 表面電極(モニタポート) 101 変調器アレイ(第2の光機能素子) 101b モニタポート 220a 第1の信号用光導波路アレイ 220b モニタ用光導波路 221a 第2の信号用光導波路アレイ 221b モニタ用光導波路 I/O 入出力導波路部 R 周回導波路部 C 方向性結合部
【手続補正書】
【提出日】平成13年5月2日(2001.5.2)
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図2】
【図3】
【図6】
【図7】
【図8】
【図23】
【図4】
【図5】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平6−148222 (32)優先日 平成6年6月29日(1994.6.29) (33)優先権主張国 日本(JP) (72)発明者 照井 博 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 吉野 薫 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 加藤 邦治 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 森脇 和幸 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 杉田 彰夫 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 小川 育生 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 柳澤 雅弘 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 橋本 俊和 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 Fターム(参考) 2H047 KA03 KA12 KB03 LA00 MA07 QA02 QA03 QA04 TA05 TA11 TA43 2H079 BA01 EA05 EA07 GA04 GA07 5F073 AA66 AB04 AB15 AB21 AB25 BA01 BA09 FA23 FA30

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に形成され、かつ少なくとも1つ
    の信号用光導波路および少なくとも1つのモニタ用光導
    波路を有する光導波路部と、 この光導波路部の端部または当該光導波路部の途中に形
    成された空隙部に設けられる光素子搭載部と、 前記光導波路部の前記信号用光導波路および前記モニタ
    用光導波路に光結合するための信号ポートおよびモニタ
    ポートを有する光機能素子とを含み、前記信号用光導波
    路と前記信号ポートとが光結合すると共に前記モニタ用
    光導波路と前記モニタポートとが光結合した状態で、前
    記光素子搭載部に前記光機能素子が搭載されていること
    を特徴とするハイブリッド光集積回路。
  2. 【請求項2】 一端部が前記モニタポートに光結合する
    前記モニタ用光導波路の他端部は、ハイブリッド光集積
    用実装基板の端部に導かれていることを特徴とする請求
    項1に記載のハイブリッド光集積回路。
  3. 【請求項3】 前記ハイブリッド光集積用実装基板に
    は、2つ以上の前記光機能素子が縦列に搭載され、これ
    ら光機能素子の前記モニタポートには、これらモニタポ
    ートと前記ハイブリッド光集積用実装基板の端部とを結
    ぶモニタ用光導波路か、または2つ以上の前記光機能素
    子を接続する前記モニタ用光導波路が光結合しているこ
    とを特徴とする請求項1に記載のハイブリッド光集積回
    路。
  4. 【請求項4】 前記ハイブリッド光集積用実装基板に搭
    載される前記光機能素子は前記モニタポートを2つ以上
    有しており、前記ハイブリッド光集積用実装基板はこれ
    らモニタポートに対応した数の前記モニタ用光導波路を
    有しており、 少なくとも1つの前記モニタポートの幅が前記信号ポー
    トの幅よりも広く設定されているか、少なくとも1つの
    前記モニタ用光導波路の幅が前記信号用光導波路の幅よ
    りも広く設定されていることを特徴とする請求項1に記
    載のハイブリッド光集積回路。
  5. 【請求項5】 前記ハイブリッド光集積用実装基板は、
    Si基板に形成されたアンダークラッド,コアおよびオ
    ーバークラッドからなる石英系光導波路と、この石英系
    光導波の前記アンダークラッドまたは前記オーバークラ
    ッドに被着されて中心導体と接地導体とからなるコプレ
    ーナ配線を有する電気配線層とを含むことを特徴とする
    請求項2から請求項4の何れかに記載のハイブリッド光
    集積回路。
JP2001134713A 1993-08-09 2001-05-01 ハイブリッド光集積回路 Pending JP2002031731A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001134713A JP2002031731A (ja) 1993-08-09 2001-05-01 ハイブリッド光集積回路

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19732593 1993-08-09
JP30657893 1993-12-07
JP10649294 1994-05-20
JP6-106492 1994-06-29
JP5-197325 1994-06-29
JP6-148222 1994-06-29
JP5-306578 1994-06-29
JP14822294 1994-06-29
JP2001134713A JP2002031731A (ja) 1993-08-09 2001-05-01 ハイブリッド光集積回路

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18757994A Division JP3204355B2 (ja) 1993-08-09 1994-08-09 光/電子ハイブリッド実装基板およびその製造方法ならびに光/電子ハイブリッド集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002031731A true JP2002031731A (ja) 2002-01-31

Family

ID=27526285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001134713A Pending JP2002031731A (ja) 1993-08-09 2001-05-01 ハイブリッド光集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002031731A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006004031A1 (ja) * 2004-07-02 2006-01-12 Nippon Telegraph And Telephone Corporation 光機能回路
CN100399079C (zh) * 2004-07-02 2008-07-02 日本电信电话株式会社 光学功能回路
JP2008158440A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Toshiba Corp 光電気配線板及び光電気配線装置の製造方法
JP2013205485A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Fujitsu Ltd 光射出部材の実装方法及び実装装置
JP2013211482A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Fujitsu Ltd 光半導体素子、発光装置、光伝送装置及び光半導体素子の製造方法
JP2014202786A (ja) * 2013-04-01 2014-10-27 日本電信電話株式会社 可変焦点レンズ
WO2019221083A1 (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 Agc株式会社 ポリマー光導波路及び複合光導波路

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006004031A1 (ja) * 2004-07-02 2006-01-12 Nippon Telegraph And Telephone Corporation 光機能回路
KR100799659B1 (ko) * 2004-07-02 2008-01-30 니폰덴신뎅와 가부시키가이샤 광기능회로
CN100399079C (zh) * 2004-07-02 2008-07-02 日本电信电话株式会社 光学功能回路
US7580597B2 (en) 2004-07-02 2009-08-25 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical functional circuit
JP2008158440A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Toshiba Corp 光電気配線板及び光電気配線装置の製造方法
JP2013205485A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Fujitsu Ltd 光射出部材の実装方法及び実装装置
JP2013211482A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Fujitsu Ltd 光半導体素子、発光装置、光伝送装置及び光半導体素子の製造方法
JP2014202786A (ja) * 2013-04-01 2014-10-27 日本電信電話株式会社 可変焦点レンズ
WO2019221083A1 (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 Agc株式会社 ポリマー光導波路及び複合光導波路
CN112119335A (zh) * 2018-05-18 2020-12-22 Agc株式会社 聚合物光波导及复合光波导
JPWO2019221083A1 (ja) * 2018-05-18 2021-06-10 Agc株式会社 ポリマー光導波路及び複合光導波路
CN112119335B (zh) * 2018-05-18 2023-05-02 Agc株式会社 聚合物光波导及复合光波导
JP7396272B2 (ja) 2018-05-18 2023-12-12 Agc株式会社 ポリマー光導波路及び複合光導波路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7489842B2 (en) Attachment-type optical coupler apparatuses
JP3204355B2 (ja) 光/電子ハイブリッド実装基板およびその製造方法ならびに光/電子ハイブリッド集積回路
US7612881B2 (en) Method of alignment of an optical module and an optical module using thereof
KR100437324B1 (ko) 광어셈블리
JP4375597B2 (ja) 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器
KR19980030121A (ko) 브이홈에 정렬된 렌즈를 가진 광모듈 및 그 제작방법
JPH10144998A (ja) 光素子の実装構造
EP0845690B1 (en) Optical coupler
US8364044B2 (en) Transmission system for image display device and electronic equipment
JP2021105631A (ja) 光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置
US6574379B2 (en) Optical device and its manufacturing method
JPH087288B2 (ja) ハイブリッド光集積回路の製造方法
JP2002031731A (ja) ハイブリッド光集積回路
JPH06308519A (ja) フレキシブル電気光混載配線板
JP3389226B2 (ja) 光サブモジュール
JPH09232601A (ja) 受光デバイス
JP4118747B2 (ja) 光モジュール、光送受信システム
JPH10213784A (ja) 集積型光変調器
JP3884903B2 (ja) 光モジュール、光伝送装置及びその製造方法
JP7543879B2 (ja) 光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置
JPH024204A (ja) 光・電子回路の実装方法
JPH1090540A (ja) 半導体受光素子、半導体受光装置および半導体装置
JP3619367B2 (ja) 光モジュール
JPH0213909A (ja) ハイブリッド光集積回路
WO2020012590A1 (ja) 光送信デバイス