JPH0213909A - ハイブリッド光集積回路 - Google Patents
ハイブリッド光集積回路Info
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- JPH0213909A JPH0213909A JP16436988A JP16436988A JPH0213909A JP H0213909 A JPH0213909 A JP H0213909A JP 16436988 A JP16436988 A JP 16436988A JP 16436988 A JP16436988 A JP 16436988A JP H0213909 A JPH0213909 A JP H0213909A
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信及び光情報処理において必要な、ファ
イバ、半導体光素子等と光導波路との接続が容易なハイ
ブリッド光集積回路に関するものである。
イバ、半導体光素子等と光導波路との接続が容易なハイ
ブリッド光集積回路に関するものである。
光通信や光情報処理分野で必要となる各種光回路の小型
化、高機能化及び低価格化のために、基板上に形成した
光導波路と各種素子とを複合一体化したハイブリッド光
集積回路の実現が期待されている。
化、高機能化及び低価格化のために、基板上に形成した
光導波路と各種素子とを複合一体化したハイブリッド光
集積回路の実現が期待されている。
第７図は特開昭６１−４６９１１の「導波形光モジュー
ル」において提案されているハイブリッド光集積回路の
一従来例である。ここに、１は基板、２は光導波路、５
は半導体レーザ（以下Ｌ Ｄという）、６はフォトディ
テクタ（以下ＰＤという）、３は光ファイバ、７はファ
イバ・ガイド、９は半導体レーザ用ガイド（以下ＬＤガ
イドという）である。この光集積回路において、ファイ
バ・ガイド７は、幅及び深さが最適に設定されており、
ファイバ３をファイバ・ガイド７中に挿入するだけでフ
ァイバ３と導波路２との間の位置合せができるようにな
っている。また、ＬＤガイド９６幅、深さが最適に設定
されているので、ＬＤ５及びＰＤ６をＬＤガイド９中に
挿入するだけで光導波路２との位置合せが実現できるよ
うになっている。
ル」において提案されているハイブリッド光集積回路の
一従来例である。ここに、１は基板、２は光導波路、５
は半導体レーザ（以下Ｌ Ｄという）、６はフォトディ
テクタ（以下ＰＤという）、３は光ファイバ、７はファ
イバ・ガイド、９は半導体レーザ用ガイド（以下ＬＤガ
イドという）である。この光集積回路において、ファイ
バ・ガイド７は、幅及び深さが最適に設定されており、
ファイバ３をファイバ・ガイド７中に挿入するだけでフ
ァイバ３と導波路２との間の位置合せができるようにな
っている。また、ＬＤガイド９６幅、深さが最適に設定
されているので、ＬＤ５及びＰＤ６をＬＤガイド９中に
挿入するだけで光導波路２との位置合せが実現できるよ
うになっている。
しかしながら、この場合、ＬＤガイド９、ファイバ・ガ
イド７ともに、深さが等しく設定されているので、これ
らのガイドで位置合せを実現するためには、ファイバ３
の半径と、ＬＤ５及びＰＤ６の活性層（ＬＤ５の活性層
を５ａにて示す）の高さが、いずれも光導波路２のコア
層の高さと等しく設定されていなければならない。この
ため、使用することができる素子の寸法自由度が著しく
制限されるという問題点があった。
イド７ともに、深さが等しく設定されているので、これ
らのガイドで位置合せを実現するためには、ファイバ３
の半径と、ＬＤ５及びＰＤ６の活性層（ＬＤ５の活性層
を５ａにて示す）の高さが、いずれも光導波路２のコア
層の高さと等しく設定されていなければならない。この
ため、使用することができる素子の寸法自由度が著しく
制限されるという問題点があった。
さらに、この問題点のために、レンズを使用する場合に
も大きな制約があった。第８図は、従来の技術でレンズ
を用いた例である。同図（ａ）は、レンズ・ガイド８を
用いて、レンズ４を集積した場合の斜視図、同図（ｂ）
は、この時の高さ方向の位置関係を示す断面図である。
も大きな制約があった。第８図は、従来の技術でレンズ
を用いた例である。同図（ａ）は、レンズ・ガイド８を
用いて、レンズ４を集積した場合の斜視図、同図（ｂ）
は、この時の高さ方向の位置関係を示す断面図である。
レンズ４の半径ｒとＬＤ５の活性層５ａの高さり、を光
導波路２のコア層２ａの高さと等しく設定する必要が生
じ、したがってレンズ４の最適設計ができなくなるとい
う問題があった。
導波路２のコア層２ａの高さと等しく設定する必要が生
じ、したがってレンズ４の最適設計ができなくなるとい
う問題があった。
以上述べたように、従来の技術を用いて、無調整で光部
品を搭載したハイブリッド光集積回路を製作する場合、
使用できる光部品に寸法上の著しい制約が加わるという
問題点があった。
品を搭載したハイブリッド光集積回路を製作する場合、
使用できる光部品に寸法上の著しい制約が加わるという
問題点があった。
本発明の目的は、従来、光部品と光導波路との無調整集
積を実現するためには、光部品の寸法に大きな制約が加
わった、という問題点を解決して、光部品の寸法自由度
が大きくかつ、無調整集積が可能なハイブリッド光集積
回路を提供することにある。
積を実現するためには、光部品の寸法に大きな制約が加
わった、という問題点を解決して、光部品の寸法自由度
が大きくかつ、無調整集積が可能なハイブリッド光集積
回路を提供することにある。
本発明は、光導波路を形成した基板上には、光部品にお
ける基板の面方向に沿う外形寸法とおおむね一致した外
形寸法を有しかつ該光部品の高さより深い溝を有する面
方向位置決めガイドが、そのｉ？４の内側面に光導波路
のコア層の端面を露出させた状態に形成され、該面方向
位置決めガイドの上面に、その溝の中に挿入される光部
品を固定したキャリアが設けられてなり、該キャリアは
、光部品を固定している光部品搭載面に対して段差を有
する高さ方向位置決め用基準面が形成されるとともに、
該基準面から光部品搭載面に固定状態の光部品の光軸ま
での距離が前記基板におけるガイド上面から光導波路の
コア層中心までの距離とおおむね等しく設定されて、こ
れら基準面とガイド上面とが接触状態に固定されている
ことを特徴とする。
ける基板の面方向に沿う外形寸法とおおむね一致した外
形寸法を有しかつ該光部品の高さより深い溝を有する面
方向位置決めガイドが、そのｉ？４の内側面に光導波路
のコア層の端面を露出させた状態に形成され、該面方向
位置決めガイドの上面に、その溝の中に挿入される光部
品を固定したキャリアが設けられてなり、該キャリアは
、光部品を固定している光部品搭載面に対して段差を有
する高さ方向位置決め用基準面が形成されるとともに、
該基準面から光部品搭載面に固定状態の光部品の光軸ま
での距離が前記基板におけるガイド上面から光導波路の
コア層中心までの距離とおおむね等しく設定されて、こ
れら基準面とガイド上面とが接触状態に固定されている
ことを特徴とする。
本発明は、光導波路と、光ファイバ、レンズ、半導体光
素子等の光部品とを集積化するにあたり、光導波路を形
成した基板上のガイドにより面方向のみの位置合せを無
５Ｍ整で行ない、高さ方向位置合わせについては、その
ガイドとキャリアとを組み合わせることにより無調整で
実現できる。すなわち、基板上に形成したガイドは、基
板の面方向のみ光部品の外形寸法に合わせて形成し、溝
の深さは、搭載する光部品の高さより、十分深く形成さ
れる。一方、光部品は、キャリア上に搭載する。
素子等の光部品とを集積化するにあたり、光導波路を形
成した基板上のガイドにより面方向のみの位置合せを無
５Ｍ整で行ない、高さ方向位置合わせについては、その
ガイドとキャリアとを組み合わせることにより無調整で
実現できる。すなわち、基板上に形成したガイドは、基
板の面方向のみ光部品の外形寸法に合わせて形成し、溝
の深さは、搭載する光部品の高さより、十分深く形成さ
れる。一方、光部品は、キャリア上に搭載する。
この時、キャリアに設けた高さ方向位置決め用基準面か
ら光部品の光軸までの距離が、基板のガイド上面から光
導波路のコア層中心までの距離と等しくなっているから
、光部品をガイド中に挿入するにあたり、キャリアの基
準面とガイド上面とを接触させることにより、光部品の
光軸と光導波路のコア中心とが一致する。つまり、従来
ではガイドが面方向のみならず高さ方向の位置合わせも
行なっていたが、本発明では、ガイドとキャリアとの二
つの部品でこれらの位置合わせを行なうようにしている
点が大きく異なるものである。
ら光部品の光軸までの距離が、基板のガイド上面から光
導波路のコア層中心までの距離と等しくなっているから
、光部品をガイド中に挿入するにあたり、キャリアの基
準面とガイド上面とを接触させることにより、光部品の
光軸と光導波路のコア中心とが一致する。つまり、従来
ではガイドが面方向のみならず高さ方向の位置合わせも
行なっていたが、本発明では、ガイドとキャリアとの二
つの部品でこれらの位置合わせを行なうようにしている
点が大きく異なるものである。
以下、第１図〜第６図により本発明の詳細な説明する。
（実施例１）
第１図〜第３図は、本発明の第１の実施例であるハイブ
リッド光集積回路におけるファイバと導波路との接続部
付近を説明しており、第１図は、その斜視図、第２図は
基板の光導波路の部分に形成したファイバ・ガイドの構
造を示す。同図（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図、（ｃ
）は断面図である。この実施例では、石英系光導波路を
用いており、ｌはＳｉ製基板、２は石英系光導波路、２
ａはそのコア層、２ｂはクラッド層、７はファイバ・ガ
イド、７ａはガイド上面である。コア層２ａの寸法は、
例えば５μｍ幅×５μｍ厚、クラッド層２ｂとの比屈折
率差はΔｎ＝０．７５％である。ファイバ・ガイド７は
実施例では光導波路２のクラッド層２ａの一部を利用し
て形成されており、第２図（ａ）及び（ｂ）に示したと
おり、ガイド７に形成した溝７ｂの幅は、光導波路２の
コアＢ ２ ａを中心に片側ｒ＝６３μｍ１全体で２ｒ
＝１２６μｍ幅に製作しである。
リッド光集積回路におけるファイバと導波路との接続部
付近を説明しており、第１図は、その斜視図、第２図は
基板の光導波路の部分に形成したファイバ・ガイドの構
造を示す。同図（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図、（ｃ
）は断面図である。この実施例では、石英系光導波路を
用いており、ｌはＳｉ製基板、２は石英系光導波路、２
ａはそのコア層、２ｂはクラッド層、７はファイバ・ガ
イド、７ａはガイド上面である。コア層２ａの寸法は、
例えば５μｍ幅×５μｍ厚、クラッド層２ｂとの比屈折
率差はΔｎ＝０．７５％である。ファイバ・ガイド７は
実施例では光導波路２のクラッド層２ａの一部を利用し
て形成されており、第２図（ａ）及び（ｂ）に示したと
おり、ガイド７に形成した溝７ｂの幅は、光導波路２の
コアＢ ２ ａを中心に片側ｒ＝６３μｍ１全体で２ｒ
＝１２６μｍ幅に製作しである。
この値は、通常の外径１２５μｍのファイバに対応して
いる。第２図（ａ）及び（ｃ）は、高さ方向の寸法の関
係を示している。コアＱ ２ ａの中心から、ガイド上
面７ａまでの距離はｄ−３０μｍ１またコア層２ ａの
中心から基板ｌの上面までの距離はａ＝３０μｍである
。ガイド７の溝７ｂの深さｈ（コア層２ａの中心からガ
イド７の底面までの間隔）はｂ＝１３０μｍに設定した
。このためガイド７の部分においては、石英系光導波路
部分をエツチングした後、さらに基板ｉを１００μｍ掘
し下げである。
いる。第２図（ａ）及び（ｃ）は、高さ方向の寸法の関
係を示している。コアＱ ２ ａの中心から、ガイド上
面７ａまでの距離はｄ−３０μｍ１またコア層２ ａの
中心から基板ｌの上面までの距離はａ＝３０μｍである
。ガイド７の溝７ｂの深さｈ（コア層２ａの中心からガ
イド７の底面までの間隔）はｂ＝１３０μｍに設定した
。このためガイド７の部分においては、石英系光導波路
部分をエツチングした後、さらに基板ｉを１００μｍ掘
し下げである。
したがって、光導波路２のコアｆｆＪ ２ ａの端面は
ガイド７の溝７ｂの内側面に露出する。
ガイド７の溝７ｂの内側面に露出する。
第３図は、光ファイバとキャリアとの寸法を示した。同
図において、３は光ファイバ（コア３ａの半径４μｍ１
Δｎ＝０．２５％、外径２ｒ’＝１２５μｍ）、１０は
ファイバ・キャリア、ｌｏｇは高さ方向位置決め用基準
面である。この実施例では、キャリアｌＯは石英ガラス
板でつくった。）このファイバ・キャリア１０には、３
３ μｍ（＃ｒ’−ｄ）の深さのｆ子が形成されて、こ
の溝の底面が光ファイバ３を固定する先部分搭載面１０
ｂとされている。つまり、溝によって、前記基準面１０
ａと光部品搭載面１０ｂとに段差が設けられているもの
である。そして、この府中に第３図に示すように光ファ
イバ３を入れて固定すると、光ファイバ３のコア３ａの
中心と基準面１０ａとの距離がｄ＝３０μｍとなる。な
お、先ファイバ３をキャリア１０に固定するには、接着
剤でもよいし、また、ガラス半田等を用いてもよい。
図において、３は光ファイバ（コア３ａの半径４μｍ１
Δｎ＝０．２５％、外径２ｒ’＝１２５μｍ）、１０は
ファイバ・キャリア、ｌｏｇは高さ方向位置決め用基準
面である。この実施例では、キャリアｌＯは石英ガラス
板でつくった。）このファイバ・キャリア１０には、３
３ μｍ（＃ｒ’−ｄ）の深さのｆ子が形成されて、こ
の溝の底面が光ファイバ３を固定する先部分搭載面１０
ｂとされている。つまり、溝によって、前記基準面１０
ａと光部品搭載面１０ｂとに段差が設けられているもの
である。そして、この府中に第３図に示すように光ファ
イバ３を入れて固定すると、光ファイバ３のコア３ａの
中心と基準面１０ａとの距離がｄ＝３０μｍとなる。な
お、先ファイバ３をキャリア１０に固定するには、接着
剤でもよいし、また、ガラス半田等を用いてもよい。
そして、この第３図に示すようにファイバ・キャリア１
０に固定した光ファイバ３を基板ｌ上に設けたガラス７
中に挿入し、固定した状態が第１図であり、前述した関
係に、ガイド７の寸法及びファイバ・キャリア！０の段
差が設定されているので、ファイバ・キャリア１０をガ
イド７に挿入し、キャリア１０の基準面１０ａと、ガイ
ド７の上面７ａとを接触させて、固定することにより、
無調整でファイバ３と光導波路２との位置合せか実現で
きる。
０に固定した光ファイバ３を基板ｌ上に設けたガラス７
中に挿入し、固定した状態が第１図であり、前述した関
係に、ガイド７の寸法及びファイバ・キャリア！０の段
差が設定されているので、ファイバ・キャリア１０をガ
イド７に挿入し、キャリア１０の基準面１０ａと、ガイ
ド７の上面７ａとを接触させて、固定することにより、
無調整でファイバ３と光導波路２との位置合せか実現で
きる。
キャリア１０とガイド７との固定には、接着剤、ガラス
半田が利用できる。また、別の手段として、キャリアＩ
Ｏ及びガイド上面７ａをメタライズしておき、両者を半
田付けして固定することも可能である。
半田が利用できる。また、別の手段として、キャリアＩ
Ｏ及びガイド上面７ａをメタライズしておき、両者を半
田付けして固定することも可能である。
（実施例２）
第４図〜第６図は、本発明の第２の実施例であり、石英
系光導波路と光ファイバ、レンズ、ＬＤとを一体化した
例を示している。７はファイバ・ガイド、３は光ファイ
バ、１０はファイバ・キャリアであり、これらの寸法等
は実施例１と同様で、光導波路２のコア層２ａの中心と
、ガイド７の上面７ａ間の距離も実施例１と同様にｄ＝
３０μｍである。４はレンズ半径Ｒの球レンズ（屈折率
ｎ＝１゜５１、Ｆｔ＝５０μｍ）、１！はレンズ・キャ
リア、８はレンズ・ガイド、５は半導体レーザ（以下Ｉ
、Ｄという）、５ａはその活性層、９は半導体レーザ用
ガイド（以下ＬＤガイドという）、１２は、半導体レー
ザ用キャリア（以下ＬＤキャリアという）である。レン
ズ・ガイド８の穴状の溝８ｂの半径は、レンズ４の半径
と同様Ｒ＝５０μｍとしである。
系光導波路と光ファイバ、レンズ、ＬＤとを一体化した
例を示している。７はファイバ・ガイド、３は光ファイ
バ、１０はファイバ・キャリアであり、これらの寸法等
は実施例１と同様で、光導波路２のコア層２ａの中心と
、ガイド７の上面７ａ間の距離も実施例１と同様にｄ＝
３０μｍである。４はレンズ半径Ｒの球レンズ（屈折率
ｎ＝１゜５１、Ｆｔ＝５０μｍ）、１！はレンズ・キャ
リア、８はレンズ・ガイド、５は半導体レーザ（以下Ｉ
、Ｄという）、５ａはその活性層、９は半導体レーザ用
ガイド（以下ＬＤガイドという）、１２は、半導体レー
ザ用キャリア（以下ＬＤキャリアという）である。レン
ズ・ガイド８の穴状の溝８ｂの半径は、レンズ４の半径
と同様Ｒ＝５０μｍとしである。
レンズ・ガイド８のｉ？１！ ８ ｂの中心０から光導
波路２の端面２１までの距離ｒ１と該中心０からＬＤガ
イド９の端面９２までの距離ｒ、とは、レンズ４に対す
る最適条件に設定しである。ＬＤ５の活性層５ａから、
ＬＤ５の側面までの距離はｇ＝ ｌ Ｏ０μｍである。
波路２の端面２１までの距離ｒ１と該中心０からＬＤガ
イド９の端面９２までの距離ｒ、とは、レンズ４に対す
る最適条件に設定しである。ＬＤ５の活性層５ａから、
ＬＤ５の側面までの距離はｇ＝ ｌ Ｏ０μｍである。
ＬＤガイド９においては、その１：Ｗ ９ ｂの内側面
９２及び９３に、ＬＤ５を押し付ければ、面方向の位置
合せが実現できるように、光導波路２の光軸から、ガイ
ド９の内側面９３までの距離をＥ＝ ｌ Ｏ０μｍに設
定しである。
９２及び９３に、ＬＤ５を押し付ければ、面方向の位置
合せが実現できるように、光導波路２の光軸から、ガイ
ド９の内側面９３までの距離をＥ＝ ｌ Ｏ０μｍに設
定しである。
第５図は、レンズ・キャリア！ｌの断面図であり、その
高さ方向位置決め用基準面１１ａに対して、深さＸ−２
０μｍの穴が形成してあり、その底面の光部品搭載面１
１ｂにレンズ４を設置する。
高さ方向位置決め用基準面１１ａに対して、深さＸ−２
０μｍの穴が形成してあり、その底面の光部品搭載面１
１ｂにレンズ４を設置する。
この時、レンズ４の光軸と基準面１１ａとの距離はｄ−
３０μｍとなる。したがって、レンズ４をレンズ・ガイ
ド８に挿入し、レンズ・キャリア１１の基準面１１ａと
、ガイド８の上面８ａとを接触させることにより位置合
せが実現できる。
３０μｍとなる。したがって、レンズ４をレンズ・ガイ
ド８に挿入し、レンズ・キャリア１１の基準面１１ａと
、ガイド８の上面８ａとを接触させることにより位置合
せが実現できる。
第６図は、Ｌ Ｄキャリア１２の断面図である。
このＬＤギヤリア１２に対して、Ｌ Ｉ） ５はアップ
ザイド・ダウンの状態で搭載しである。ＬＤ５の活性層
５ａと素子上面との間隔はＷ＝５μｍである。
ザイド・ダウンの状態で搭載しである。ＬＤ５の活性層
５ａと素子上面との間隔はＷ＝５μｍである。
したがって、基準面１２ａをｚ−２５μｍ低くしておく
ことにより、基準面１２ａと活性層５ａとの間隔をｄ＝
３０μｍに設定できる。このように寸法を設定しである
ので、ＬＤ５をＬＤガイド９の）１り９５の側面９２．
９３に押しあてた後、ＬＤキャリア１２の基準面１２ａ
をＬＤガイド９の上面９ａに接触させることにより、Ｌ
Ｄ５の位置合わせが完了する。なお、ＬＤギヤリア１２
は、ＬＤ５のヒートシンクも兼ねるので熱伝導に優れた
材料を使用する必要がある。そこで、本実施例において
は、ＬＤギヤリア１２にはＳｉを使用した。さらに、活
性層側の電気配線をとるために、キャリア１２の光部品
搭載面＋２ｂとＬＤ５との接触部にはＡｕ−５ａ合金等
の金属膜１３を形成し、ＬＤ５を熱圧着することにより
固定している。これにより、ＬＤキャリア１２を通して
活性層側の電気配線を行なうことができる。アース側は
、ＬＤ５を光導波路２に搭載した後、ガイド９の下方よ
り電気配線をとることができる。
ことにより、基準面１２ａと活性層５ａとの間隔をｄ＝
３０μｍに設定できる。このように寸法を設定しである
ので、ＬＤ５をＬＤガイド９の）１り９５の側面９２．
９３に押しあてた後、ＬＤキャリア１２の基準面１２ａ
をＬＤガイド９の上面９ａに接触させることにより、Ｌ
Ｄ５の位置合わせが完了する。なお、ＬＤギヤリア１２
は、ＬＤ５のヒートシンクも兼ねるので熱伝導に優れた
材料を使用する必要がある。そこで、本実施例において
は、ＬＤギヤリア１２にはＳｉを使用した。さらに、活
性層側の電気配線をとるために、キャリア１２の光部品
搭載面＋２ｂとＬＤ５との接触部にはＡｕ−５ａ合金等
の金属膜１３を形成し、ＬＤ５を熱圧着することにより
固定している。これにより、ＬＤキャリア１２を通して
活性層側の電気配線を行なうことができる。アース側は
、ＬＤ５を光導波路２に搭載した後、ガイド９の下方よ
り電気配線をとることができる。
このように光導波路上に形成したガイド及び各光部品の
ギヤリアの寸法を設定したので、各部品をガイドに挿入
するだけで、無調整で、光導波路とのハイブリッド集積
が実現する。
ギヤリアの寸法を設定したので、各部品をガイドに挿入
するだけで、無調整で、光導波路とのハイブリッド集積
が実現する。
なお、前記各実施例においては光導波路として、石英系
光導波路を用いたが、本発明の適用回路は石英系光導波
路に限定される乙のではない。
光導波路を用いたが、本発明の適用回路は石英系光導波
路に限定される乙のではない。
以上説明したように、本発明のハイブリッド光集積回路
は、光導波路を形成した基板上のガイドにより光部品と
光導波路との面方向の位置合わせを行ない、かつ、ガイ
ドにキャリアを固定することにより、高さ方向の位置合
わせを行なうようにしたので、例えば、ファイバ、レン
ズ、ＬＤという各々、高さの異なる光部品であっても、
同一基板の光導波路に対して無調整でハイブリッド集積
することができる。したがって、本発明（こよれば、高
１？１能の光集積回路を簡易な製作プロセスで製造する
ことが可能となる。
は、光導波路を形成した基板上のガイドにより光部品と
光導波路との面方向の位置合わせを行ない、かつ、ガイ
ドにキャリアを固定することにより、高さ方向の位置合
わせを行なうようにしたので、例えば、ファイバ、レン
ズ、ＬＤという各々、高さの異なる光部品であっても、
同一基板の光導波路に対して無調整でハイブリッド集積
することができる。したがって、本発明（こよれば、高
１？１能の光集積回路を簡易な製作プロセスで製造する
ことが可能となる。
第１図〜第３図は、本発明の第１の実施例を示し、第１
図は、ファイバと光導波路との接続部付近の斜視図、第
２図はファイバ・ガイドの構造を示す図、第３図はファ
イバ・キャリアの斜視図、第４図〜第６図は、本発明の
第２の実施例を示し、第４図はファイバ、レンズ、半導
体レーザが搭載されるハイブリッド光集積回路の分解斜
視図、第５図はレンズ・キャリアの断面図、第゛６図は
、半導体レーザ・キャリアの断面図、第７図及び第８図
は、それぞれ従来のハイブリッド光集積回路の（１力成
例を説明する図である。 ！・・・・・・基板、２・・・・・・光導波路、２ａ・
・・・・コア層、２ｂ・・・・・・クラッド層、３・・
・・・・光ファイバ、４・・・・・レンズ、５・・・・
・・半導体レンズ（ＬＤ）、５ａ・・・・・・活性層、
６・・・・・フォトディテクタ（ＰＩ））、７・・・・
・・ファイバ・ガイド、７ａ・・・・・・上面、７ｂ・
・・・・・＞Ｒ１８・・・・・・レンズ・ガイド、８ａ
・・・・・・上面、８ｂ・・・・・・溝、９・・・・・
・半導体レーザ用ガイド（ＬＤガイド）、９ａ・・・・
・上面、９ｂ・・・・・・溝、ｌＯ・・・・・・ファイ
バ・ギヤリア、１０ａ・・・・・・基準面、ＩＯｂ・・
・・・光部品搭載面、ＩＩ・・・・・・レンズ・ギヤリ
ア、ｌｌａ・・・・・基孕面、ｌｌｂ・・・・・光部品
搭載面、１２・・・・・・半導体レーザ用キャリア（Ｌ
Ｄキャリア）、１２ａ・・・・・・基孕面、１２ｂ・・
・・光部品搭載面、１３・・・・・金属膜。 出願人 日本電信電話株式会社 第３図 第２因 ｈ 第５図 ＩＩＩ） 第６図 第７図 第８図 （ｂ）
図は、ファイバと光導波路との接続部付近の斜視図、第
２図はファイバ・ガイドの構造を示す図、第３図はファ
イバ・キャリアの斜視図、第４図〜第６図は、本発明の
第２の実施例を示し、第４図はファイバ、レンズ、半導
体レーザが搭載されるハイブリッド光集積回路の分解斜
視図、第５図はレンズ・キャリアの断面図、第゛６図は
、半導体レーザ・キャリアの断面図、第７図及び第８図
は、それぞれ従来のハイブリッド光集積回路の（１力成
例を説明する図である。 ！・・・・・・基板、２・・・・・・光導波路、２ａ・
・・・・コア層、２ｂ・・・・・・クラッド層、３・・
・・・・光ファイバ、４・・・・・レンズ、５・・・・
・・半導体レンズ（ＬＤ）、５ａ・・・・・・活性層、
６・・・・・フォトディテクタ（ＰＩ））、７・・・・
・・ファイバ・ガイド、７ａ・・・・・・上面、７ｂ・
・・・・・＞Ｒ１８・・・・・・レンズ・ガイド、８ａ
・・・・・・上面、８ｂ・・・・・・溝、９・・・・・
・半導体レーザ用ガイド（ＬＤガイド）、９ａ・・・・
・上面、９ｂ・・・・・・溝、ｌＯ・・・・・・ファイ
バ・ギヤリア、１０ａ・・・・・・基準面、ＩＯｂ・・
・・・光部品搭載面、ＩＩ・・・・・・レンズ・ギヤリ
ア、ｌｌａ・・・・・基孕面、ｌｌｂ・・・・・光部品
搭載面、１２・・・・・・半導体レーザ用キャリア（Ｌ
Ｄキャリア）、１２ａ・・・・・・基孕面、１２ｂ・・
・・光部品搭載面、１３・・・・・金属膜。 出願人 日本電信電話株式会社 第３図 第２因 ｈ 第５図 ＩＩＩ） 第６図 第７図 第８図 （ｂ）
Claims (1)
- 光導波路を形成した基板上に、その光導波路と接続状態
に光ファイバ、レンズ、半導体光素子等の光部品を搭載
したハイブリッド光集積回路において、前記基板上には
、光部品における基板の面方向に沿う外形寸法とおおむ
ね一致した外形寸法を有しかつ該光部品の高さより深い
溝を有する面方向位置決めガイドが、その溝の内側面に
光導波路のコア層の端面を露出させた状態に形成され、
該面方向位置決めガイドの上面に、その溝の中に挿入さ
れる前記光部品を固定したキャリアが設けられてなり、
該キャリアは、光部品を固定している光部品搭載面に対
して段差を有する高さ方向位置決め用基準面が形成され
るとともに、該基準面から光部品搭載面に固定状態の光
部品の光軸までの距離が前記基板におけるガイド上面か
ら光導波路のコア層中心までの距離とおおむね等しく設
定されて、これら基準面とガイド上面とが接触状態に固
定されていることを特徴とするハイブリッド光集積回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16436988A JP2608585B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | ハイブリッド光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16436988A JP2608585B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | ハイブリッド光集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0213909A true JPH0213909A (ja) | 1990-01-18 |
| JP2608585B2 JP2608585B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=15791832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16436988A Expired - Lifetime JP2608585B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | ハイブリッド光集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2608585B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06331851A (ja) * | 1993-05-26 | 1994-12-02 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 光ファイバ固定構造 |
| US6894269B2 (en) | 2001-04-30 | 2005-05-17 | Optun (Bvi) Ltd. | Configuration for detecting optical signals in at least one optical channel in a planar light circuit, attenuator including the configuration, and method for manufacturing the configuration |
| WO2015098854A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社フジクラ | 光学装置の製造方法 |
| JP2017134225A (ja) * | 2016-01-27 | 2017-08-03 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路 |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP16436988A patent/JP2608585B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06331851A (ja) * | 1993-05-26 | 1994-12-02 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 光ファイバ固定構造 |
| US6894269B2 (en) | 2001-04-30 | 2005-05-17 | Optun (Bvi) Ltd. | Configuration for detecting optical signals in at least one optical channel in a planar light circuit, attenuator including the configuration, and method for manufacturing the configuration |
| WO2015098854A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社フジクラ | 光学装置の製造方法 |
| JP2017134225A (ja) * | 2016-01-27 | 2017-08-03 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2608585B2 (ja) | 1997-05-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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