JP6244668B2 - 量子カスケードレーザ - Google Patents
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Description
図1に第1実施形態に係る量子カスケードレーザ1を示す。図1の(A)部には、量子カスケードレーザ1の外形が示されている。図1の(B)部には、I−I線に沿ってとられた断面の構成が示されている。量子カスケードレーザ1は、半導体層2と、下部電極3と、上部電極4とを備える。下部電極3は、半導体層2の裏面2bに設けられる。上部電極4は、半導体層2の主面2aに設けられる。量子カスケードレーザ1の半導体層2は、n型半導体基板5と、メサ導波路Gと、電流ブロック層10a、電流ブロック層10bと、を備える。メサ導波路Gは、n型半導体基板5の主面5aに設けられている。n型半導体基板5の裏面(主面5aとは反対側の面であって、半導体層2の裏面2b)には、下部電極3が接続されている。メサ導波路Gは、n型下部クラッド層6、発光領域7と、n型上部クラッド層8と、n型コンタクト層9とを備える。メサ導波路Gは、基準方向Axにおける量子カスケードレーザ1の中央部に設けられている。基準方向Axは、主面5aに平行であってメサ導波路Gの延びる方向に直交する。
基板:n―InP、厚さ100μm。
下部クラッド層:n―InP、厚さ0.5μm。
コア領域:発振波長7.8 μmに対応した活性層を有し、AlInAs/GaInAs超格子列で構成。厚さ1.4337μm。
上部クラッド層:n―InP、厚さ3μm。
コンタクト層:n―GaInAs、厚さ0.1μm。
埋め込み領域:Fe―InP、厚さ1.4337μm(コア領域と同じ厚さ)。
電流ブロック層:Fe―InP、厚さ5.0337μm(メサ導波路と同じ高さ)。
第1実施形態では、半絶縁性の半導体の埋め込み領域が発光領域のみに形成された構造を示したが、これには限定されず、埋め込み領域が発光領域外に延長されて形成された構造であっても良い。換言すれば、埋め込み領域は、発光領域から突出するように、n型半導体基板の主面の法線方向と、法線方向の逆方向とに延びている構成であっても良い。
以上の第1実施形態及び第2実施形態では、電流狭窄構造として、半絶縁性の半導体の電流ブロック層から構成されるBH構造を用いた例を示したが、電流狭窄構造はこれに限定されず、他の任意の構造を使用できる。例えば、図8の量子カスケードレーザ105に示されるように、電流狭窄構造として、半絶縁性の半導体の電流ブロック層10a、電流ブロック層10bに替えて、誘電体絶縁膜11a、誘電体絶縁膜11bがメサ導波路Gの側面Ga、側面Gbのそれぞれに形成された構成であっても良い。図8に示す量子カスケードレーザ105は、半導体層2に替えて半導体層25を備える。
Claims (9)
- n型半導体基板と、
メサ導波路と、
二つの電流ブロック層と、
を備え、
前記メサ導波路は、前記n型半導体基板の主面に設けられ、
前記二つの電流ブロック層のそれぞれは、前記メサ導波路の二つの側面のそれぞれに設けられ、
前記二つの側面は、何れも、基準方向と交差しており、
前記基準方向は、前記主面に平行であって前記メサ導波路の延びる方向に直交し、
前記メサ導波路は、発光領域と、n型上部クラッド層と、を備え、
前記n型上部クラッド層は、前記主面の法線方向において前記発光領域の上部に設けられ、
前記発光領域は、複数のコア領域と、複数の埋め込み領域と、を備え、前記主面と前記n型上部クラッド層との間に設けられ、
前記複数のコア領域は、前記主面の上において、前記基準方向に沿って順に設けられ、
前記複数の埋め込み領域は、前記主面の上において、前記基準方向に沿って順に設けられ、
前記コア領域と前記埋め込み領域とは、前記主面の上において、前記基準方向に沿って交互に設けられ、
前記複数のコア領域のうち、前記基準方向における前記メサ導波路の中心部の側にあるコア領域は、前記メサ導波路の前記側面の側にあるコア領域よりも前記基準方向において小さい幅を備え、
前記複数のコア領域は、互いに前記埋め込み領域を介して光学的に結合し、
前記複数のコア領域を含む前記発光領域は、一つの光導波路を形成し、
前記n型上部クラッド層は、前記複数のコア領域に共通に設けられている、
ことを特徴とする、量子カスケードレーザ。 - 前記基準方向における前記コア領域の幅は、0.5μm〜10μmの範囲にある、ことを特徴とする請求項1に記載の量子カスケードレーザ。
- 前記基準方向における前記埋め込み領域の幅は、0.5μm〜10μmの範囲にある、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の量子カスケードレーザ。
- 前記発光領域は、第1コア領域と、二つの第2コア領域と、を備え、
前記二つの第2コア領域は、前記基準方向において前記第1コア領域の両側に設けられ、
前記第1コア領域は、前記中心部に位置し、前記二つの第2コア領域の間に設けられ、
前記基準方向における前記二つの第2コア領域のそれぞれの幅は、前記基準方向における前記第1コア領域の幅の1倍より大きく、且つ前記基準方向における前記第1コア領域の幅の1.6倍より小さい範囲にある、
ことを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の量子カスケードレーザ。 - 前記電流ブロック層は、誘電体絶縁膜である、
ことを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の量子カスケードレーザ。 - 前記誘電体絶縁膜の材料は、SiO2、SiON、SiN、アルミナ、BCB、ポリイミドのうちの何れかである、
ことを特徴とする請求項5に記載の量子カスケードレーザ。 - 前記電流ブロック層の材料は、半絶縁性の第1の半導体である、
ことを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の量子カスケードレーザ。 - 前記埋め込み領域の材料は、半絶縁性の第2の半導体である、
ことを特徴とする請求項1〜7の何れか一項に記載の量子カスケードレーザ。 - 前記複数のコア領域のそれぞれは、複数の活性層と、複数の注入層と、を備え、
前記複数の活性層のそれぞれは、発光を生じ、
前記複数の注入層のそれぞれは、隣接する前記複数の活性層のそれぞれにキャリアを注入し、
前記複数の活性層のそれぞれと、前記複数の注入層のそれぞれとは、前記主面の上に向けて交互に設けられている、
ことを特徴とする請求項1〜8の何れか一項に記載の量子カスケードレーザ。
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