JP4662006B2 - マルチビーム半導体発光装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マルチビーム半導体発光装置に関し、更に詳細には放熱性が良好で信頼性の高いマルチビーム半導体発光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、光デバイスの集積化が進み、民生用機器の分野では、複数個のＧａＡｓ系赤外色半導体レーザ素子を組み込んだ、例えば２ビーム半導体レーザ装置、４ビーム半導体レーザ装置等のマルチビーム化された半導体レーザ装置が、市場に提供されている。
【０００３】
ここで、図４を参照して、従来の４ビーム半導体レーザ装置の構成を説明する。図４は従来の４ビーム半導体レーザ装置の構成を示す斜視図である。
従来の４ビーム半導体レーザ装置１０は、図４に示すように、共通基板１２上に、分離溝１４を介して配置された４個の半導体レーザ素子１６Ａ〜Ｄを備えている。半導体レーザ素子１６Ａ〜Ｄの上面には、電極分離アイソレーション層１８としてＳｉＯ₂ 膜等が成膜されている。共通基板１２の裏面には、共通電極２０が設けられている。
共通電極２０の対向電極（図示せず）は、各半導体レーザ素子１６Ａ〜Ｄのレーザ共振器構造を構成する化合物半導体層の積層構造の最上層であるキャップ層（図示せず）上に設けてあって、引き出し電極パッド２２Ａ〜Ｄに電気的に接続されている。
各引き出し電極パッド２２Ａ〜Ｄは、電極分離アイソレーション層１８に設けた窓によって外側に露出しており、接続配線２４Ａ〜Ｄに接続され、更に各端子パッド２６Ａ〜Ｄを介して外部端子（図示せず）に接続されている。
電極分離アイソレーション層１８は、各半導体レーザ素子１６Ａ〜Ｄの引き出し電極パッド２２Ａ〜Ｄ、従って対向電極を相互に分離、独立させるために全面に設けてある。
半導体レーザ素子の場合、通常、共通基板１２はｎ型ＧａＡｓ基板で形成され、共通電極２０はｎ側電極、対向電極はｐ側電極として構成されている。
【０００４】
ＧａＡｓ系赤色半導体レーザ素子１６は、図５に示すように、共通のｎ型ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ型バッファ層２８、ｎ型下部クラッド層、活性層、ｐ型上部クラッド層等の化合物半導体層の積層構造で構成されるレーザ共振器構造３０、及びキャップ層３２を備えている。
下部クラッド層の上部及びキャップ層３２はリッジとして形成されている。そして、キャップ層３２を除いてリッジは、絶縁膜又はｎ型高抵抗化合物半導体層からなる埋め込み層３４で埋め込まれている。
キャップ層３２と電気的に接続するように、ｐ側電極３６が埋め込み層３４上に形成され、更にｐ側電極３６上に引き出し電極パッド２２が形成され、窓３８を介して接続配線２４が引き出し電極パッド２２に接続されている。
【０００５】
引き出し電極パッド２２を露出させた窓３８は、図４に示すように、半導体レーザ素子１６Ａ、Ｂ間で、また半導体レーザ素子１６Ｃ、Ｄ間で相互に異なった位置に設けてある。
例えば半導体レーザ素子１６Ｂの窓３８は、半導体レーザ素子１６Ａの窓３８とは異なった場所にあるので、半導体レーザ素子１６Ｂの接続配線２４Ｂが半導体レーザ素子１６Ａの窓３８を介して半導体レーザ素子１６Ａの引き出し電極パッド２２Ａに接触して短絡するようなことは生じない。
【０００６】
次に、図６及び図７を参照して、４ビーム半導体レーザ装置１０の作製方法を説明する。図６（ａ）と（ｂ）、及び図７（ｃ）と（ｄ）は、それぞれ、４ビーム半導体レーザ装置１０を作製する際の工程毎の断面図である。
先ず、図６（ａ）に示すように、共通のｎ型基板１２上にｎ型バッファ層２８を成膜し、次いでｎ型バッファ層２８上に、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層等の積層構造からなるレーザ共振器構造３０を形成し、更にｐ型キャップ層３２を成膜する。
続いて、ｐ側キャップ層３２及び積層構造３０の上部をエッチングして、それぞれ、上部クラッド層の上部及びｐ型キャップ層３２からなる４個のリッジ４０を形成する。
次いで、埋め込み層３４を成膜して、ｐ型キャップ層３２を除いてリッジ４０を埋め込み、続いてｐ型キャップ層３２上及び埋め込み層３４上にｐ側電極層４２を形成する。
【０００７】
次に、ｐ側電極層４２上に引き出し電極層を基板全面に成膜し、パターニングして、図６（ｂ）に示すように、引き出し電極２２を形成する。
【０００８】
次いで、図７（ｃ）に示すように、ｐ側電極層４２、埋め込み層３４、レーザ共振器構造３０を構成する積層構造、及びｎ型バッファ層２８の途中までエッチングして、分離溝１４を形成すると共に半導体レーザ素子１０Ａ〜Ｄ毎のｐ側電極３６及びレーザ共振器構造３０を形成する。
次いで、図７（ｄ）に示すように、基板全面に電極分離アイソレーション層１８としてＳｉＯ₂ 膜を成膜し、必要な領域に窓３８を開口する。
更に、必要に応じて、窓３８を除いて基板全面に、ＳｉＯ₂ 膜、又はＳｉＯ₂ 膜／ＳｉＮ_X 膜の積層膜からなる電極分離アイソレーション層１８を形成する。
続いて、接続配線２４及び端子パッド２６を形成する。
【０００９】
半導体レーザ素子１０Ａと半導体レーザ素子１０Ａ〜Ｄは、それぞれ、電極分離アイソレーション層１８により絶縁、分離され、並列に配線されている接続配線２４及び端子パッド２６により、エピサイドアップマウントできるように構成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、マルチビーム半導体レーザ装置では、小型化のために複数個の半導体レーザ素子が密に集積されており、また、光学系との整合を良好にするために、素子同士を出来るだけ近接させていて、素子間距離は、１０μｍ〜と非常に短い。
その結果、放熱性が必ずしも良好ではなく、個々の半導体レーザ素子で発生した熱が外部に円滑に放熱されずに内部に蓄積されがちである。例えば、例えば４ビーム半導体レーザ装置では、動作電流を４倍にしたときの半導体レーザ素子と等価の熱密度で熱が発生し、内部に蓄積される。
【００１１】
そして、発生した熱の蓄積に伴って半導体レーザ素子の動作温度が上昇すると、素子寿命が短くなり、信頼性が低下することが懸念される。
今後、８ビーム、１６ビーム等の更なる多マルチビーム化や、赤色化のための長波長化による動作電流の増加を考えると、放熱性の悪さが、一層深刻な問題となることが予想される。
【００１２】
動作時の半導体レーザ素子の温度上昇を抑えて素子寿命を長くするには、半導体レーザ素子の発光効率を高めて、消費電力の低下を図り、発熱を抑えることが原則的な解決法である。そのために、研究、開発が盛んに行われているものの、発光効率の向上は、実際には、簡単ではない。
従って、動作時の半導体レーザ素子の温度上昇を抑えるためには、発生した熱を円滑に外部に放熱させることが必要になる。
以上の説明では、半導体レーザ素子を集積したマルチビーム半導体レーザ装置を例にしているが、この問題は、半導体レーザ装置に限らず、複数個の半導体レーザ素子、発光ダイオード等の半導体発光素子を集積したマルチビーム半導体発光装置について該当する問題である。
そこで、本発明の目的は、放熱性の良好なマルチビーム半導体発光装置及びその作製方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、従来のマルチビーム半導体レーザ装置で、放熱性が悪く、装置信頼性に影響を与えている原因は、半導体レーザ素子の積層構造を覆っている電極分離アイソレーション層が、多結晶性ＳｉＯ₂等の熱伝導率の悪い材料で形成されていることにあると考え、電極分離アイソレーション層内に熱伝導性の良い膜、例えば金属膜を介在させることを着想し、研究を進めて、本発明を発明するに到った。
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明に係るマルチビーム半導体発光装置は、レーザ共振器構造上に電極および引き出し電極パッドを有する複数個の半導体発光素子を分離溝を介してモノリシックに又はハイブリッドに集積したマルチビーム半導体発光装置であって、絶縁膜内に前記絶縁膜より熱伝導率が大きい熱伝導層を有する電極分離アイソレーション層を有し、前記電極分離アイソレーション層が、前記分離溝、前記半導体素子の側面および前記引き出し電極パッドの上面の少なくとも一部を覆っているものである。
【００１５】
本発明で、半導体発光素子とは、半導体レーザ素子及び発光ダイオードを含む概念である。
本発明で、熱伝導層を絶縁膜でサンドイッチする態様には制約はなく、例えば熱伝導層は一層に限ることはなく、複数層の熱伝導層の間に絶縁膜を介在させ、かつ外側の熱伝導層上に絶縁膜を積層するような態様でも良い。
本発明では、例えばヒートシンクに熱伝導層を熱的に接続することにより、各半導体レーザ素子で発生した熱をヒートシンクに放熱させ、半導体レーザ素子の温度上昇を抑制することができる。
【００１６】
熱伝導層は、熱伝導率が絶縁膜より高いものであれば良いが、好適には金属層である。熱伝導層が金属層であるときには、望ましくは、電極分離アイソレーション層の窓開口では、金属層が絶縁膜で覆われ、露出していないようにする。金属層が露出していると、接続配線が金属層に接触して短絡する恐れがあるからである。
また、熱伝導層が金属層であるときには、別法として、電極分離アイソレーション層を各半導体発光素子毎に分離して、各半導体発光素子を電気的に分離し、かつ半導体レーザ素子毎に金属層をヒートシンク等に接続して放熱させるようにしてもよい。
【００１７】
好適には、金属層は、半導体発光素子を構成する層とオーミックコンタクトを形成しないノンオーミックメタル層である。
金属層がノンオーミックメタル層であることにより、絶縁膜の絶縁性が劣化して、万一、金属層が半導体発光素子を構成する層と接触しても、短絡し難いからである。
【００１８】
また、ＳｉＯ₂等の絶縁膜は、金属拡散の抑止性が必ずしも十分ではない。よって、電極分離アイソレーション層の金属層には、拡散し難い金属、または拡散したとしても、ドーパントとして機能し難い金属であるとことが必要である。
拡散し難い金属、またはドーパントとして機能し難い金属であって、絶縁膜より熱伝導率が高く、しかも、半導体発光素子を構成する層がＧａＡｓ系のときに、ノンオーミックメタルである金属としては、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｋ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、及びＺｒのいずれかが好適である。
【００１９】
本発明は、半導体発光素子を構成する化合物半導体層の組成に制約無く適用できるものの、赤色光を発光する発熱性の高いマルチビーム半導体発光装置に好適である。
例えば、半導体発光素子を構成する化合物半導体層は、３族元素としてＧａ、Ａｌ、及びＩｎのうちの少なくとも一つを含み、５族元素としてＡｓ、Ｐ、及びＳｂのうちの少なくとも一つを含むような、赤色光を発光する発熱性の高い半導体発光装置に好適に適用できる。
【００２０】
絶縁膜の種類にも制約はないが、実用的には、ＳｉＯ₂膜、ＳｉＮ_x膜、ＳｉＯ₂／ＳｉＮ_xの積層膜の少なくとも一層で形成されているような絶縁膜であり、ＳｉＯ₂ 膜とＳｉＮ_x膜とを交互に積層させた絶縁膜でも良い。
【００２１】
熱伝導層が金属層である電極分離アイソレーション層を有する、マルチビーム半導体発光装置を作製する際には、本発明に係るマルチビーム半導体発光装置の作製方法は、複数個の半導体発光素子を同一基板上に分離溝を介してモノリシックに又はハイブリッドに集積し、次いで絶縁膜より熱伝導率が大きい金属層と、金属層をサンドイッチする絶縁膜との複合絶縁膜からなる電極分離アイソレーション層を半導体発光素子上に形成する際、
Ｅ−ｇｕｎ蒸着法を適用して、原料を切り替えることにより、絶縁膜、金属層、及び絶縁膜を、順次、真空一貫プロセスで作製することを特徴としている。
これにより、絶縁膜と金属層との密着性を向上させ、かつ電極分離アイソレーション層の成膜作業の生産性を向上させることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に、実施形態例を挙げ、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
半導体発光装置の実施形態例
本実施形態例は、本発明に係るマルチビーム半導体発光装置の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例のマルチビーム半導体発光装置を構成する半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
本実施形態例のマルチビーム半導体発光装置を構成する半導体レーザ素子５０は、図１に示すように、電極分離アイソレーション層５２の構成を除いて、従来の半導体レーザ素子１０と同じ構成を備えている。
【００２３】
本実施形態例の電極分離アイソレーション層５２は、図１に示すように、ノンオーミックメタル層として設けられた、少なくとも膜厚１ｎｍから２００ｎｍのＴｉ層５４と、Ｔｉ層５４をサンドイッチした例えば膜厚１０ｎｍから３５０ｎｍのＳｉＯ₂ 膜５６Ａ、Ｂで構成されている。ＳｉＯ₂ 膜５６Ａ、Ｂの膜厚は、同じ膜厚でも良く、相互に異なった膜厚でも良い。
また、窓３８では、Ｔｉ層５４が露出しないようにＳｉＯ₂ 膜５６で覆われている。
【００２４】
Ｔｉの熱伝導率は、０．２２Ｗ／ｃｍ・℃であって、ＳｉＯ₂（石英）の熱伝導率、０．０１４Ｗ／ｃｍ・℃より約１０倍以上大きい。しかも、ｐ型キャップ層３２がＧａＡｓ層であるとき、Ｔｉは、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３２にオーミックコンタクトする性質を有しない。
電極分離アイソレーション層のＳｉＯ₂層は、通常、Ｅ−ｇｕｎ蒸着法により成膜されているので、比較的粗い多結晶膜になっている。従って、例えば黒鉛とダイヤモンドとの対比から判るように、同じＳｉＯ₂ であっても、熱伝導率は、一般的には、多結晶ＳｉＯ₂ 膜は単結晶ＳｉＯ₂ より小さいので、ＴｉとＳｉＯ₂ との熱伝導率の差は、上述した単なる熱伝導率の比較以上に大きい。
【００２５】
もっとも、金属についても、緻密な蒸着膜とバルクの状態とを比較すると、熱伝導率の違いは存在するものの、自由電子の存在から、その影響はＳｉＯ₂等の膜に比較してほとんど無視できるので、Ｔｉ層とＳｉＯ₂ 膜との熱伝導率の差は極めて大きい。
【００２６】
厳密には、ＳｉＯ₂による金属拡散の閉じ込め性は、十分ではない。よって、電極分離アイソレーション層５２の金属層には、拡散し難い金属、または拡散したとしても、ドーパントとして機能し難い金属であることが必要である。
ＳｉＯ₂等の絶縁膜よりも熱伝導率が大きく、拡散し難い金属、または拡散したとしても、ドーパントとして機能し難い金属であって、しかもＧａＡｓ等のコンタクト層にオーミックコンタクトを形成しない金属としては、上述のＴｉに加えて、例えばＢｅ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｋ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ等が挙げられる。
【００２７】
本実施形態例では、窓３８で、電極分離アイソレーション層５２のＴｉ層５４が、ＳｉＯ₂ 膜５６によって被覆されているので、各半導体レーザ素子１６Ａ〜Ｄが、電極分離アイソレーション層５２を介して電気的に接続されるようなことは生じない。
よって、Ｔｉ層５４をヒートシンク（図示せず）に熱的に接続することにより、半導体レーザ素子５０を集積したマルチビーム半導体レーザ装置の放熱性を、従来のものに比べて、著しく高めることができる。
【００２８】
図２を参照して、本実施形態例の電極分離アイソレーション層５２を形成する方法を説明する。図２（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、本実施形態例の半導体レーザ素子５０の電極分離アイソレーション層を形成する際の工程毎の断面図である。
先ず、図２（ａ）に示すように、引き出し電極パッド２２上を含めて基板面にＳｉＯ₂ 膜５６Ａを成膜し、窓３８の領域を開口する。
次いで、引き出し電極パッド２２上を含めて基板全面にＴｉ層５４を成膜し、窓３８の領域からＴｉ層を除去し、図２（ｂ）に示すように、ＳｉＯ₂ 膜５６ＡとＴｉ層５４との積層膜を形成する。
続いて、図２（ｃ）に示すように、引き出し電極パッド２２上を含めて基板全面にＳｉＯ₂ 膜を成膜し、窓３８の領域からＳｉＯ₂ 膜をを除去し、図２（ｃ）に示すように、ＳｉＯ₂ 膜５６ＡとＴｉ層５４とＳｉＯ₂ 膜５６Ｂの積層膜からなる電極分離アイソレーション層５２を形成する。
【００２９】
半導体レーザ素子の変形例
実施形態例では、電極分離アイソレーション層５２は各半導体レーザ素子５０毎に分離されることなく、マルチビーム半導体レーザ装置上全面に連続的に設けられているが、本変形例では、電極分離アイソレーション層６０は、図３に示すように、分離溝１４の溝底で、各半導体レーザ素子１６Ａ〜Ｄ毎に分離されている。
これにより、本変形例では、上述の実施形態例のように、窓３８で、Ｔｉ層５４が必ずしもＳｉＯ₂ 膜５６により被覆されている必要はなく、端部を含めて全面にわたりＴｉ層５４をＳｉＯ₂ 膜５６Ａ、Ｂでサンドイッチした積層膜として電極分離アイソレーション層６０を構成することができる。
Ｔｉ層５４自身をヒートシンクとして機能させても良く、或いは各半導体レーザ素子５０Ａ〜Ｄ毎に設けられ、かつ外部から電気絶縁されたヒートシンク（図示せず）に、各半導体レーザ素子５０Ａ〜Ｄ毎の電極分離アイソレーション層６０のＴｉ層５４を熱的に接続しても良い。
【００３０】
半導体発光装置の作製方法の実施形態例
本実施形態例は、本発明に係るマルチビーム半導体発光装置の作製方法を上述の変形例のマルチビーム半導体レーザ装置の作製に適用した実施形態の一例である。
電極分離アイソレーション層６０を分離溝１４の溝底で各半導体レーザ素子１６Ａ〜Ｄ毎に電気的に分離する変形例では、上述の実施形態例の方法とは異なって、電極分離アイソレーション層６０を形成に際し、Ｅ−ｇｕｎ蒸着法を適用して、原料を順次切り替えることにおり、連続的にＳｉＯ₂ 膜５６Ａ、Ｔｉ層５４、及びＳｉＯ₂ 膜５６Ｂを順次成膜することができる。
【００３１】
つまり、本実施形態例では、Ｅ−ｇｕｎ蒸着法を用いて所定膜厚のＳｉＯ₂膜５６Ａを蒸着させた後、原料をＴｉに切り替えて、ＳｉＯ₂膜５６Ａ上に連続して所定膜厚のＴｉ層５４を蒸着させ、次いで、原料をＳｉＯ₂に切り替えて、Ｔｉ層５４上に所定膜厚のＳｉＯ₂ 膜５６Ｂを蒸着させる。
次いで、分離溝１４上の電極分離アイソレーション層６０をエッチングして除去する。
連続的に成膜することにより、Ｔｉ層５４とＳｉＯ₂ 膜５６Ａ、Ｂ間の密着性を良好にすることができると共に電極分離アイソレーション層の成膜作業の生産性を向上させることができる。
【００３２】
【発明の効果】
本発明によれば、絶縁膜より熱伝導率が大きい熱伝導層と、熱伝導層をサンドイッチする絶縁膜との複合絶縁膜として電極分離アイソレーション層を形成することにより、マルチビーム半導体発光装置の放熱性を高めて素子寿命を延ばし、信頼性を向上させることができる。
放熱性を高めて、温度上昇を抑制することにより、動作電流／電圧に対する影響を小さくし、低消費電力化を図ることができる。
従来、ｐ側電極を形成する際、熱放散を良くするために、必要以上の膜厚のＡｕ層を蒸着させていたが、電極分離アイソレーション層により分離される電極の金属厚を薄くすることができるので、電極構成金属、特に主金属の金（Ａｕ）の使用量を減らすことができる。例えば、膜厚が、それぞれ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、及び５００ｎｍのＡｕ／Ａｕ−Ｚｎ／Ａｕの積層金属膜からなる従来のｐ側電極の場合、膜厚５００ｎｍのＡｕ膜を膜厚２００ｎｍ程度に減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例のマルチビーム半導体発光装置を構成する半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、実施形態例の方法に従って電極分離アイソレーション層を形成する際の工程毎の断面図である。
【図３】変形例の半導体レーザ素子の電極分離アイソレーション層の構成を示す断面図である。
【図４】従来のマルチビーム半導体レーザ装置の構成を示す斜視図である。
【図５】半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）と（ｂ）は、それぞれ、４ビーム半導体レーザ装置１０を作製する際の工程毎の断面図である。
【図７】図７（ｃ）と（ｄ）は、それぞれ、図６（ｂ）に続いて、４ビーム半導体レーザ装置を作製する際の工程毎の断面図である。
【符号の説明】
１０……従来の４ビーム半導体レーザ装置、１２……共通基板、１４……分離溝、１６Ａ〜Ｄ……半導体レーザ素子、１８……電極分離アイソレーション層、２０……共通電極、２２Ａ〜Ｄ引き出し電極パッド、２４Ａ〜Ｄ接続配線、２６Ａ〜Ｄ……端子パッド、２８……ｎ型バッファ層、３０……レーザ共振器構造、３２……キャップ層、３４……埋め込み層、３６……ｐ側電極、３８……窓、４０……リッジ、４２……ｐ側電極層、５０……実施形態例のマルチビーム半導体レーザ層、５２……電極分離アイソレーション層、５４……Ｔｉ層、５６Ａ、Ｂ……ＳｉＯ₂ 膜、６０……電極分離アイソレーション層。

Claims (8)

1. レーザ共振器構造上に電極および引き出し電極パッドを有する複数個の半導体発光素子を分離溝を介してモノリシックに又はハイブリッドに集積したマルチビーム半導体発光装置であって、
   絶縁膜内に前記絶縁膜より熱伝導率が大きい熱伝導層を有する電極分離アイソレーション層を有し、前記電極分離アイソレーション層が、前記分離溝、前記半導体素子の側面および前記引き出し電極パッドの上面の少なくとも一部を覆っている
   マルチビーム半導体発光装置。
2. 前記熱伝導層が金属層であって、前記電極分離アイソレーション層は前記引き出しパッド電極上に窓開口を有し、前記窓開口では、金属層が絶縁膜で覆われ、露出していない、請求項１に記載のマルチビーム半導体発光装置。
3. 前記熱伝導層が金属層であって、前記電極分離アイソレーション層が前記半導体発光素子毎に分離されている、請求項１に記載のマルチビーム半導体発光装置。
4. 前記金属層が、半導体発光素子を構成する層とオーミックコンタクトを形成しないノンオーミックメタル層である、請求項２又は３に記載のマルチビーム半導体発光装置。
5. 前記半導体発光素子を構成する層がＧａＡｓ系のとき、前記ノンオーミックメタル層は、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｋ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、及びＺｒのいずれかである、請求項４に記載のマルチビーム半導体発光装置。
6. 前記半導体発光素子を構成する化合物半導体層は、３族元素としてＧａ、Ａｌ、及びＩｎのうちの少なくとも一つを含む、請求項１から５のうちのいずれか１項に記載のマルチビーム半導体発光装置。
7. 前記半導体発光素子構成する化合物半導体層は、５族元素としてＡｓ、Ｐ、及びＳｂのうちの少なくとも一つを含む、請求項１から５のうちのいずれか１項に記載のマルチビーム半導体発光装置。
8. 前記絶縁膜が、ＳｉＯ₂膜、ＳｉＮ_x膜、ＳｉＯ₂／ＳｉＮ_xの積層膜の少なくとも一層で形成されている、請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体発光装置。

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