TWI488331B - 發光二極體陣列 - Google Patents

發光二極體陣列 Download PDF

Info

Publication number
TWI488331B
TWI488331B TW100110029A TW100110029A TWI488331B TW I488331 B TWI488331 B TW I488331B TW 100110029 A TW100110029 A TW 100110029A TW 100110029 A TW100110029 A TW 100110029A TW I488331 B TWI488331 B TW I488331B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
region
conductive
emitting diode
light emitting
Prior art date
Application number
TW100110029A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201240135A (en
Inventor
Li Ping Jou
Yu Chen Yang
Jui Hung Yeh
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Priority to TW100110029A priority Critical patent/TWI488331B/zh
Priority to US13/428,974 priority patent/US8569775B2/en
Publication of TW201240135A publication Critical patent/TW201240135A/zh
Priority to US14/065,330 priority patent/US8779449B2/en
Priority to US14/330,914 priority patent/US9202981B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI488331B publication Critical patent/TWI488331B/zh
Priority to US14/954,708 priority patent/US9553127B2/en
Priority to US15/401,850 priority patent/US9825090B2/en
Priority to US15/727,276 priority patent/US10026778B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

發光二極體陣列
本發明關於一種發光二極體陣列，特別是關於一種由N個(N≧3)發光二極體單元所組成發光二極體陣列。
近年來，由於磊晶與製程技術的進步，使發光二極體(light emitting diode，簡稱LED)成為極具潛力的固態照明光源之一。由於物理機制的限制，LED僅能以直流電驅動，因此，任何以LED作為光源的照明設計中，都需要搭配整流及降壓等電子元件，以將電力公司直接提供之交流電轉換為LED可使用之直流電源。然而增加整流及降壓等電子元件，除造成照明成本的增加外，整流及降壓等電子元件的低交流直流轉換效率、偏大的體積等均會影響LED使用於日常照明應用時的可靠度與使用壽命。
一發光二極體陣列包含：一永久基板；一黏結層位於永久基板之上；一第二導電層位於黏結層之上；一第二分隔層位於第二導電層之上；一跨接金屬層位於第二分隔層之上；一第一分隔層位於跨接金屬層之上；一導電性連接層位於第一分隔層之上；一磊晶結構位於導電性連接層之上；及一第一電極位於磊晶結構之上。
一發光二極體陣列包含：一永久基板；一黏結層位於永久基板之上；一第一導電層位於黏結層之上；一第二分隔層位於第一導電層之上；一跨接金屬層位於第二分隔層之上；一第一分隔層位於跨接金屬層之上；一導電性連接層位於第一分隔層之上；及一磊晶結構位於導電性連接層之上。
一發光二極體陣列，包含N個發光二極體單元(N≧3)，且發光二極體單元間經跨接金屬層彼此電性連接。
本發明揭示一由N(N≧3)個發光二極體單元所組成的發光二極體陣列，其中包含一第一發光二極體單元、一第二發光二極體單元、、、、依序至一第(N-1)發光二極體單元及一第N發光二極體單元。又發光二極體陣列具有一第一區域(Ⅰ)、一第三區域(Ⅲ)，其中第一區域(Ⅰ)包含第一發光二極體單元，第三區域(Ⅲ)包含第N發光二極體單元；及一第二區域(Ⅱ)位於第一區域(Ⅰ)與第三區域(Ⅲ)之間，且包含第二發光二極體單元、、、依序至第(N-1)發光二極體單元。
實施例一所揭示為由3個發光二極體單元所組成發光二極體陣列1。其結構剖面示意圖如第1A-1I圖所示，結構上視示意圖如第1A’-1G’圖所示。發光二極體陣列1之製造方法，包含以下步驟：
1.提供一成長基板11，且形成一磊晶結構於成長基板11之上，其中磊晶結構包含一第一導電型半導體層12，一活性層13，及一第二導電型半導體層14，如第1A圖及1A’圖所示。
2.接著蝕刻第一區域(Ⅰ)、第二區域(Ⅱ)之部份磊晶結構以形成複數個溝槽15，其中未被蝕刻之磊晶結構則形成複數個平台16；且第三區域(Ⅲ)之磊晶結構未被蝕刻，如第1B圖及1B’圖所示。
3.再於複數個平台16之部份區域之上形成一導電性連接層17，其中未被導電性連接層17覆蓋之平台區域則形成複數個走道18；如第1C圖及1C’圖所示。
4.於部份導電性連接層17之上、複數個走道18之上、及複數個溝槽15之側壁形成一第一分隔層19，但於第一區域(Ⅰ)之部份導電性連接層17之上及第三區域(Ⅲ)之全部導電性連接層17之上未被第一分隔層19所覆蓋。一導電區20為第二區域(Ⅱ)之導電性連接層17之上未被第一分隔層19覆蓋之區域。如第1D圖及1D’圖所示。
5.於第一分隔層19之上、導電區20、複數個溝槽15之內，及第三區域(Ⅲ)之全部導電性連接層17之上形成一跨接金屬層21，但於第一區域(Ⅰ)之部份導電性連接層17將作為後續第二導電層與第二導電型半導體層之電性連接，所以未於其上方被一跨接金屬層21所覆蓋。而位於第二區域(Ⅱ)鄰近導電區20之a區域亦未為跨接金屬層21所覆蓋，可作為電性隔絕之用；如第1E圖及1E’圖所示。位於第一區域(Ⅰ)之部份跨接金屬層21延伸至複數個溝槽15之內並與第一導電型半導體層12電性連接；位於複數個平台16及走道18之上之跨接金屬層21藉由第一分隔層19與第二導電型半導體層14電性隔絕。位於第二區域(Ⅱ)中導電區20之上之跨接金屬層21藉由導電性連接層17與第二導電型半導體層14電性連接，部份跨接金屬層21則延伸至複數個溝槽15之內並與第一導電型半導體層12電性連接；位於複數個平台16及走道18之上之跨接金屬層21藉由第一分隔層19與第二導電型半導體層14電性隔絕。位於第三區域(Ⅲ)之跨接金屬層21藉由導電性連接層17與第二導電型半導體層14電性連接。
6.於跨接金屬層21之上及第二區域(Ⅱ)之a區域之上形成一第二分隔層22，但第二分隔層22未覆蓋第一區域(Ⅰ)之部份導電性連接層17；如第1F圖及1F’圖所示。
7.於第二分隔層22之上及於第一區域(Ⅰ)之部份導電性連接層17之上形成一第二導電層23；如第1G圖及1G’圖所示。
8.形成一黏結層24於第二導電層23之上；提供一永久基板25；並藉由黏結層24與永久基板25黏結，如第1H圖所示。
9.移除成長基板11以暴露出第一導電型半導體層12並粗化其表面。接著，於複數個走道18中自第一導電型半導體層12向下蝕刻至暴露出第一分隔層19，以形成N個發光二極體單元。其中第一發光二極體單元位於第一區域(Ⅰ)、第二發光二極體單元、、、依序至第(N-1)發光二極體單元位於第二區域(Ⅱ)、及第N發光二極體單元位於第三區域(Ⅲ)。最後，於第N發光二極體單元之第一導電型半導體層12粗化表面之上形成一第一電極27，即形成經跨接金屬層21電性串聯N個發光二極體單元之發光二極體陣列1，如第1I圖所示。
實施例二所揭示為由3個發光二極體單元所組成發光二極體陣列2。其結構剖面示意圖如第2A-2I圖所示，結構上視示意圖如第2A’-2G’圖所示。發光二極體陣列2之製作方法，包含以下步驟：
1.提供一成長基板11，且形成一磊晶結構於成長基板11之上，其中磊晶結構包含一第一導電型半導體層12，一活性層13，及一第二導電型半導體層14，如第2A圖及2A’圖所示。
2.接著蝕刻部份磊晶結構以形成複數個溝槽15，其中未被蝕刻之磊晶結構則形成複數個平台16，如第2B圖及2B’圖所示。
3.再於複數個平台16之部份區域之上形成一導電性連接層17，其中未被導電性連接層17覆蓋之平台區域則形成複數個走道18；如第2C圖及2C’圖所示。
4.於部份導電性連接層17之上、複數個走道18之上、及複數個溝槽15之側壁形成一第一分隔層19。第二區域(Ⅱ)、第三區域(Ⅲ)之導電性連接層17未被第一分隔層19覆蓋之區域則定義為一導電區20；如第2D圖及2D’圖所示。
5.於部份第一分隔層19之上、導電區20、及除第三區域(Ⅲ)之外之複數個溝槽15之內形成一跨接金屬層21。但於第一區域(Ⅰ)之部份第一分隔層19將作為後續第二導電層和第一導電型半導體層電性隔絕之用，故未於其上方覆蓋一跨接金屬層21。於第三區域(Ⅲ)之複數個溝槽15之內及複數個平台的第一分隔層19將作為後續第一導電層與第二導電型半導體層電性隔絕之用，故未於其上方形成覆蓋一跨接金屬層21，如第2E圖及2E’圖所示。位於第一區域(Ⅰ)之部份跨接金屬層21延伸至複數個溝槽15之內並與第一導電型半導體層12電性連接，位於複數個平台16及走道18之上之跨接金屬層21藉由第一分隔層19與第二導電型半導體層14電性隔絕。於第二區域(Ⅱ)中位於導電區20之上之跨接金屬層21藉由導電性連接層17與第二導電型半導體層14電性連接；部份跨接金屬層21延伸至複數個溝槽15之內並與第一導電型半導體層12電性連接；位於複數個平台16及走道18之上之跨接金屬層21藉由第一分隔層19與第二導電型半導體層14電性隔絕。於第三區域(Ⅲ)中位於導電區20之上之跨接金屬層21藉由導電性連接層17與第二導電型半導體層14電性連接。此外，位於第二區域(Ⅱ)、第三區域(Ⅲ)中鄰近導電區20之b區域未為跨接金屬層21所完全覆蓋，可作為電性隔絕之用。
6.於跨接金屬層21之上，第一區域(Ⅰ)之部份第一分隔層19之上及第二區域(Ⅱ)中未被跨接金屬層21所完全覆蓋之b區域之上形成一第二分隔層22，但第二分隔層22未覆蓋第三區域(Ⅲ)之複數個溝槽15之內、複數個平台的第一分隔層19之上、及第三區域(Ⅲ)中未被跨接金屬層21所完全覆蓋之b區域；如第2F圖及2F’圖所示。
7.於第二分隔層22之上，第三區域(Ⅲ)之複數個溝槽15之內、複數個平台的第一分隔層19之上、及第三區域(Ⅲ)中未被跨接金屬層21所完全覆蓋之b區域形成一第一導電層26；如第2G圖及2G’圖所示。
8.形成一黏結層24於第一導電層26之上；提供一永久基板25，並藉由黏結層24與永久基板25黏結，如第2H圖所示。
9.移除成長基板11以暴露出第一導電型半導體層12並粗化其表面。接著，於複數個走道18之中自第一導電型半導體層12向下蝕刻至暴露出第一分隔層19，以形成N個發光二極體單元。其中第一發光二極體單元位於第一區域(Ⅰ)，第二發光二極體單元至第(N-1)發光二極體單元位於第二區域(Ⅱ)，及第N發光二極體單元位於第三區域(Ⅲ)。再於第一區域(Ⅰ)未形成跨接金屬層21部份之第一導電型半導體層12向下蝕刻至暴露出導電性連接層17，並於導電性連接層17之上形成一第二電極28，即形成經跨接金屬層21電性串聯N個發光二極體單元之發光二極體陣列2，如第2I圖所示。
上述實施例一及實施例二中，成長基板11之材料包括至少一材料選自於砷化鎵、磷化鎵、藍寶石、碳化矽、氮化鎵、或氮化鋁所組成之材料群組。磊晶結構係由一種III-V族半導體材料所組成，此III-V族半導體材料為磷化鋁鎵銦系列化合物或氮化鋁鎵銦系列化合物。導電性連接層17包含一種或一種以上之材料選自於氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁以及氧化鋅錫所構成之群組。第一分隔層19，第二分隔層22為絕緣材料，可分別包含一種或一種以上之材料選自於二氧化矽、氧化鈦、二氧化鈦、五氧化三鈦、三氧化二鈦、二氧化鈰、硫化鋅、以及氧化鋁所構成之群組。第一導電層26，第二導電層23可為銀或鋁。黏結層24為一導電材料，組成材料可為金屬或金屬合金，例如AuSn、PbSn、AuGe、AuBe、AuSi、Sn、In、Au、PdIn。永久基板25為一導電材料，例如包含碳化物、金屬、金屬合金、金屬氧化物、金屬複合材料等材料。跨接金屬層21之材料包含金屬、金屬合金、金屬氧化物。
本發明所列舉之實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作之任何顯而易知之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。
1，2．．．發光二極體陣列
11．．．成長基板
12．．．第一導電型半導體層
13．．．活性層
14．．．第二導電型半導體層
15．．．溝槽
16．．．平台
17．．．導電性連接層
18．．．走道
19．．．第一分隔層
20．．．導電區
21．．．跨接金屬層
22．．．第二分隔層
23．．．第二導電層
24．．．黏結層
25．．．永久基板
26．．．第一導電層
27．．．第一電極
28．．．第二電極
Ⅰ．．．第一區域
Ⅱ．．．第二區域
Ⅲ．．．第三區域
a，b．．．電性隔絕區域
第1A-1I圖為本發明所揭示之發光二極體陣列1之結構剖面示意圖。
第1A’-1G’圖為本發明所揭示之發光二極體陣列1之結構上視示意圖。
第2A-2I圖為本發明所揭示之發光二極體陣列2之結構剖面示意圖。
第2A’-2G’圖為本發明所揭示之發光二極體陣列2之結構上視示意圖。
1．．．發光二極體陣列
12．．．第一導電型半導體層
13．．．活性層
14．．．第二導電型半導體層
17．．．導電性連接層
18．．．走道
19．．．第一分隔層
20．．．導電區
21．．．跨接金屬層
22．．．第二分隔層
23．．．第二導電層
24．．．黏結層
25．．．永久基板
27．．．第一電極
Ⅰ．．．第一區域
Ⅱ．．．第二區域
Ⅲ．．．第三區域
a．．．電性隔絕區域

Claims (18)

  1. 一發光二極體陣列，具有一第一區域，一第三區域，及一第二區域，包含：一永久基板；一黏結層位於該永久基板之上；一第二導電層位於該黏結層之上；一第二分隔層位於該第二導電層之上；一跨接金屬層位於該第二分隔層之上；一第一分隔層位於該跨接金屬層之上；一導電性連接層位於該第三區域以外之該第一分隔層之上；一磊晶結構位於該導電性連接層之上；及一第一電極位於該磊晶結構之上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，該陣列更包括N個發光二極體單元以及複數個走道位於該N個發光二極體單元之間，其中N≧3，且該N個發光二極體單元包括一第一發光二極體單元、一第二發光二極體單元至一第(N-1)發光二極體單元、及一第N發光二極體單元；該第一發光二極體單元位於該第一區域，該第N發光二極體單元位於該第三區域，該第二發光二極體單元至該第(N-1)發光二極體單元位於該第二區域，其中該第二區域位於該第一區域與該第三區域之間，且該N個發光二極體單元間經該跨接金屬層彼 此串聯電性連接。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中該磊晶結構更包含：一第二導電型半導體層；一活性層位於該第二導電型半導體層之上；一第一導電型半導體層位於該活性層之上；及由該第二導電型半導體層延伸至除第三區域外的該第一導電型半導體層之溝槽。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體陣列，其中該第一分隔層位於該複數個溝槽之側壁，且該跨接金屬層延伸至該複數個溝槽之中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中該磊晶結構更包含一粗化表面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中該導電性連接層於該第三區域中係位於部份該跨接金屬層與該磊晶結構之間，該導電性連接層於該第一區域中係位於部份該第二導電層與該磊晶結構之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中更包含一導電區位於該第二區域之該導電性連接層之上，且未被該第一分隔層覆蓋；以及一電性隔絕區域鄰近該導電區且其上方未被該跨接金屬層覆蓋。
  8. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體陣列，其中該第一分隔層電性隔絕該跨接金屬層與該第二導電型半導體層。
  9. 一發光二極體陣列，具有一第一區域，一第三區域，及一第二區域，包含：一永久基板；一黏結層位於該永久基板之上；一第一導電層位於該黏結層之上；一第二分隔層位於該第一導電層之上；一跨接金屬層位於該第三區域以外之該第二分隔層之上；一第一分隔層位於該跨接金屬層之上；一導電性連接層位於該第一分隔層之上；及一磊晶結構位於該導電性連接層之上。
  10. 申請專利範圍第9項所述之發光二極體陣列，該陣列更包括N個發光二極體單元以及複數個走道位於該N個發光二極體單元之間，其中N≧3，且該N個發光二極體單元包括一第一發光二極體單元、一第二發光二極體單元至一第(N-1)發光二極體單元、及一第N發光二極體單元；該第一發光二極體單元位於該第一區域，該第N發光二極體單元位於該第三區域，該第二發光二極體單元至該第(N-1)發光二極體單元位於該第二區域，其中該第二區域位於該第一區域與該第 三區域之間，且該N個發光二極體單元間經該跨接金屬層彼此串聯電性連接。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體陣列，其中該磊晶結構更包含：一第二導電型半導體層；一活性層位於該第二導電型半導體層之上；及一第一導電型半導體層位於該活性層之上，其中更包含複數個由該第二導電型半導體層延伸至該第一導電型半導體層之溝槽。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體陣列，其中該第一分隔層係位於該複數個溝槽之側壁。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體陣列，其中該第一導電層延伸至該第三區域之該複數個溝槽之中，且該跨接金屬層延伸至該第一區域及該第二區域之該複數個溝槽之中。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體陣列，其中該磊晶結構更包含一粗化表面。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體陣列，其中於該第一區域中更包含一具有一第二電極位於其上之平坦區域。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體陣列，其中該導電性連接層於該第一區域及該第二區域中係位於部份 該第一分隔層與該磊晶結構之間，於該第三區域中則係位於部份該跨接金屬層與該磊晶結構之間。
  17. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體陣列，其中更包含一導電區位於該第二區域及該第三區域之該導電性連接層之上，且未被該第一分隔層覆蓋；以及一電性隔絕區域鄰近該導電區且其上方未被該跨接金屬層覆蓋。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體陣列，其中該第一分隔層電性隔絕該跨接金屬層與該第二導電型半導體層。
TW100110029A 2011-03-23 2011-03-23 發光二極體陣列 TWI488331B (zh)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100110029A TWI488331B (zh) 2011-03-23 2011-03-23 發光二極體陣列
US13/428,974 US8569775B2 (en) 2011-03-23 2012-03-23 Light-emitting diode (LED) array
US14/065,330 US8779449B2 (en) 2011-03-23 2013-10-28 Light-emitting diode (LED) array
US14/330,914 US9202981B2 (en) 2011-03-23 2014-07-14 LED array
US14/954,708 US9553127B2 (en) 2011-03-23 2015-11-30 LED array
US15/401,850 US9825090B2 (en) 2011-03-23 2017-01-09 Light-emitting structure
US15/727,276 US10026778B2 (en) 2011-03-23 2017-10-06 Light-emitting structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100110029A TWI488331B (zh) 2011-03-23 2011-03-23 發光二極體陣列

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201240135A TW201240135A (en) 2012-10-01
TWI488331B true TWI488331B (zh) 2015-06-11

Family

ID=46876578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100110029A TWI488331B (zh) 2011-03-23 2011-03-23 發光二極體陣列

Country Status (2)

Country Link
US (6) US8569775B2 (zh)
TW (1) TWI488331B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI488331B (zh) 2011-03-23 2015-06-11 Epistar Corp 發光二極體陣列
WO2015084258A1 (en) * 2013-12-02 2015-06-11 Nanyang Technological University Light-emitting device and method of forming the same
KR20160037060A (ko) * 2014-09-26 2016-04-05 서울바이오시스 주식회사 발광소자 및 그 제조 방법
JP6692155B2 (ja) * 2015-12-15 2020-05-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具
TWI676303B (zh) * 2018-07-10 2019-11-01 聯勝光電股份有限公司 發光晶片及其製造方法
CN109891610A (zh) * 2018-10-11 2019-06-14 厦门市三安光电科技有限公司 一种发光二极管元件及其制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009106063A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Monolithischer, optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines solchen
US20120007044A1 (en) * 2009-12-31 2012-01-12 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4457427B2 (ja) * 1999-03-18 2010-04-28 ソニー株式会社 半導体発光装置とその製造方法
JP2011199221A (ja) * 2010-03-24 2011-10-06 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
TWI488331B (zh) * 2011-03-23 2015-06-11 Epistar Corp 發光二極體陣列
KR101868537B1 (ko) * 2011-11-07 2018-06-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009106063A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Monolithischer, optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines solchen
US20120007044A1 (en) * 2009-12-31 2012-01-12 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20140054631A1 (en) 2014-02-27
US8779449B2 (en) 2014-07-15
US9553127B2 (en) 2017-01-24
TW201240135A (en) 2012-10-01
US8569775B2 (en) 2013-10-29
US20180033824A1 (en) 2018-02-01
US20140319574A1 (en) 2014-10-30
US9202981B2 (en) 2015-12-01
US20120241783A1 (en) 2012-09-27
US10026778B2 (en) 2018-07-17
US9825090B2 (en) 2017-11-21
US20170117321A1 (en) 2017-04-27
US20160104744A1 (en) 2016-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10886438B2 (en) Manufacturing method of light-emitting device
KR101017395B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
US9825090B2 (en) Light-emitting structure
JP5571736B2 (ja) 複数の非極性発光セルを有する発光素子
US9006768B2 (en) Light emitting diode having increased light extraction
CN103855149A (zh) 倒装高压发光二极管及其制作方法
TWI485879B (zh) 發光二極體晶片及其製造方法
KR20140017665A (ko) 직렬 접속된 세그먼트화된 ｌｅｄ
TWI397989B (zh) 發光二極體陣列
KR20100036618A (ko) 교류용 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
US9048165B2 (en) Light-emitting diode device
KR20100075420A (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
TWI525852B (zh) 發光二極體陣列
TWI478358B (zh) A method of integrated AC - type light - emitting diode module
CN105762166B (zh) 发光二极管阵列
CN102760745B (zh) 发光二极管阵列
TWI657596B (zh) 發光裝置之製造方法
KR101457206B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
TWI650881B (zh) 發光裝置