JP4967565B2 - 光半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(付記1)基板上に形成された、光導波路層を含むメサストライプと、
前記メサストライプの両側を平坦に埋め込む埋込み層と、
前記メサストライプ上面に形成された前記光導波路層に信号電圧を印加する電極と、
前記埋込み層上に設けられ、前記電極に接続する電極パッドとを有する光半導体素子において、
前記基板上の前記電極パッドが設けられる領域に形成されたダミーメサと、
前記ダミーメサを平坦に埋め込む前記埋込み層とを有し、
前記電極パッドが前記ダミーメサ及び前記埋込み層上に形成されることを特徴とする光半導体素子。
(付記2)複数の前記ダミーメサが形成され、
前記埋込み層は、前記ダミーメサ間及び前記ダミーメサと前記メサストライプ間とを平坦に埋め込むことを特徴とする付記1記載の光半導体素子。
(付記3)前記ダミーメサは前記メサストライプと同一層構造を有し、前記電極パッドは絶縁膜を介して前記ダミーメサ及び前記埋込み層上に形成されることを特徴とする付記1又は2記載の光半導体素子。
(付記4)前記ダミーメサは、前記メサストライプに平行して延在する複数のダミーメサストライプからなることを特徴とする付記1、2又は3記載の光半導体素子。
(付記5)前記ダミーメサは、互いに6回回転対称位置に配置された柱状メサからなることを特徴とする付記1、2、又は3記載の光半導体素子。
(付記6)前記基板上に形成された半導体レーザと、
前記半導体レーザを構成する活性層及び前記活性層からレーザ光が導入される前記光導波路層を含む前記メサストライプと、
前記光導波路層に導入された前記レーザ光を前記電極に印加した信号電圧により変調する光変調器とを備えることを特徴とする付記1、2、3、4又は5記載の光半導体素子。
(付記7)基板上に光導波路を含むメサストライプを形成する工程と、
前記基板上の前記メサストライプの外側に隣接するパッド形成領域に、複数のダミーメサを形成する工程と、
前記メサストライプ及び前記ダミーメサの側面を半絶縁性の埋込み層により埋め込む工程と、
前記メサストライプ上に開口を有する絶縁膜を前記メサストライプ、前記ダミーメサ及び前記埋込み層上に形成する工程と、
前記絶縁膜に形成された開口を埋め込み前記メサストライプの上面に電極を形成すると同時に、前記パッド形成領域に位置する前記絶縁膜上に、前記電極に接続された前記電極パッドを形成する工程とを有する光半導体素子の製造方法。
(付記8)前記メサストライプ及び前記ダミーメサを、同一の半導体積層膜のパターニングにより形成することを特徴とする付記7記載の光半導体素子の製造方法。
(付記9)前記埋込み層を、有機塩素含有ガスを含む原料ガスを用いた有機金属気相堆積法(MOCVD法)により形成することを特徴とする付記7又は8記載の光半導体素子の製造方法。
2 メサストライプ
2a 下クラッド層
2b 上クラッド層
2b−1、2b−2 上クラッド層下部
2b−3 上クラッド層上部
2c コンタクト層
3、3a、3b 光導波路層
4 埋込み層
4a 平坦部
4b 傾斜部
4c 微成長部
5 絶縁膜
5a 開口
6 電極
7 電極パッド
8 ダミーメサストライプ
8a ダミーメサ
9 下電極
10 窪み
11 マスク
12 マスク
20 光変調器形成領域
21、40−2 光変調器
30 レーザ形成領域
31、40−1 レーザ
40、41、42、43 光半導体素子
40−3 合波器
40−4 光増幅器
Claims (5)
- 基板上に形成された、光導波路層を含むメサストライプと、
前記メサストライプの両側を、前記基板上に設けられたメサの側面近傍に形成される前記メサの厚さを有する平坦部と、前記平坦部より前記メサから離れた位置に形成される前記平坦部より薄い微成長部とを有する半絶縁性半導体で埋め込む埋込み層と、
前記メサストライプ上面に形成された前記光導波路層に信号電圧を印加する電極と、
前記埋込み層上に設けられ、前記電極に接続する電極パッドと、
前記基板上の前記電極パッドが設けられる領域に形成され、前記埋込み層により埋め込まれた複数のダミーメサと、を有し、
前記電極パッドが前記ダミーメサ及び前記埋込み層上に形成されることを特徴とする光半導体素子。 - 前記ダミーメサは、前記メサストライプに平行して延在する複数のダミーメサストライプからなることを特徴とする請求項1記載の光半導体素子。
- 前記ダミーメサは、互いに6回回転対称位置に配置された柱状メサからなることを特徴とする請求項1記載の光半導体素子。
- 前記基板上に形成された半導体レーザと、
前記半導体レーザを構成する活性層及び前記活性層からレーザ光が導入される前記光導波路層を含む前記メサストライプと、
前記光導波路層に導入された前記レーザ光を前記電極に印加した信号電圧により変調する光変調器とを備えることを特徴とする請求項1、2又は3記載の光半導体素子。 - 基板上に光導波路を含むメサストライプを形成する工程と、
前記基板上の前記メサストライプの外側に隣接するパッド形成領域に、複数のダミーメサを形成する工程と、
前記基板上に設けられたメサの側面近傍に前記メサの厚さの平坦部が堆積し、かつ前記平坦部より前記メサから離れた位置に前記平坦部より薄い微成長部が堆積する堆積方法を用いて、前記メサストライプ及び前記ダミーメサの側面を半絶縁性の埋込み層により埋め込む工程と、
前記メサストライプ上に開口を有する絶縁膜を前記メサストライプ、前記ダミーメサ及び前記埋込み層上に形成する工程と、
前記絶縁膜に形成された開口を埋め込み前記メサストライプの上面に電極を形成すると同時に、前記パッド形成領域に位置する前記絶縁膜上に、前記電極に接続された前記電極パッドを形成する工程とを有する光半導体素子の製造方法。
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