JP7114292B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Description

本開示は、半導体レーザ装置に関する。

半導体レーザ装置は、様々な電子機器の光源として用いられる。近年では、複数のレーザビームを出射するマルチビームタイプの半導体レーザ装置が提案されている。特許文献１には、従来の半導体レーザ装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体レーザ装置は、複数のレーザ発光部を有する。各レーザ発光部は、リッジストライプ部を含む。これら複数のリッジストライプ部に選択的に通電することにより、所望の本数のレーザビームを出射することができる。

特開２０１０－１３５７３１号公報

このような半導体レーザ装置においては、各リッジストライプ部に適切に通電しうるように、導通の確保や意図しない導通の排除等が求められ、信頼性の向上が重要である。

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ装置を提供することをその課題とする。

本開示によって提供される半導体レーザ装置は、厚さ方向互いに積層された第１型半導体層、活性層、第２型半導体層およびコンタクト層を備え、前記第２型半導体層は、前記厚さ方向と直角である第１方向に各々が延びており、且つ前記厚さ方向および第１方向と直角である第２方向に互いに離間配置された複数のリッジストライプ部を有しており、前記コンタクト層は、前記複数のリッジストライプ部に接しており、前記コンタクト層の厚さは、前記第１半導体層の厚さよりも厚い。

本開示によれば、半導体レーザ装置の信頼性を向上させることができる。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。 図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部断面図である。 本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部断面図である。 本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。 本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部断面図である。 本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の第２変形例を示す要部断面図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。

＜第１実施形態＞
図１～図６は、本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ１は、基板１０、ｎ型クラッド層１２、活性層２０、ｐ型半導体層３０、埋め込み層４０、コンタクト層５０、複数の第１表面電極６１、複数の第２表面電極６２、裏面電極７０および絶縁膜８０を備えている。半導体レーザ装置Ａ１は、複数のレーザ発光部ＬＤを有しており、いわゆるマルチレーザタイプの半導体レーザ装置として構成されている。なお、本実施形態においては、半導体レーザ装置Ａ１は、レーザ発光部ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４の４つのレーザ発光部ＬＤを有しているが、複数のレーザ発光部ＬＤの個数はなんら限定されない。

図１は、半導体レーザ装置Ａ１を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、半導体レーザ装置Ａ１を示す要部断面図である。図５は、半導体レーザ装置Ａ１を示す要部断面図である。図６は、半導体レーザ装置Ａ１を示す要部断面図である。これらの図において、ｚ方向は、本開示の厚さ方向に相当し、ｙ方向は、本開示の第１方向に相当し、ｘ方向は、本開示の第２方向に相当する。

４つのレーザ発光部ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４は、各々がｙ方向に沿って延びており、ｘ方向に等ピッチで配列されている。４つのレーザ発光部ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４は、各々がリッジストライプ部ＲＳを有している。図１においては、理解の便宜上、リッジストライプ部ＲＳに斜線のハッチングを付している。以降の説明では、４つのレーザ発光部ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４が有するリッジストライプ部ＲＳを、リッジストライプ部ＲＳ１，ＲＳ２，ＲＳ３，ＲＳ４として説明する。

図１に示すように、第２表面電極６２は、第２表面電極６２１、６２２，６２３，６２４によって構成されている。第２表面電極６２１は、レーザ発光部ＬＤ１を発光させるための電極である。第２表面電極６２２は、レーザ発光部ＬＤ２を発光させるための電極である。第２表面電極６２３は、レーザ発光部ＬＤ３を発光させるための電極である。第２表面電極６２４は、レーザ発光部ＬＤ４を発光させるための電極である。

第２表面電極６２１、６２２，６２３，６２４は、パッド６２１ａ，６２２ａ，６２３ａ，６２４ａを有する。パッド６２１ａ，６２２ａ，６２３ａ，６２４ａは、ｚ方向視において４つのレーザ発光部ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４を避けた位置に設けられており、図示された例においては、４つのレーザ発光部ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４のｘ方向両側に配置されている。パッド６２１ａ，６２２ａ，６２３ａ，６２４ａには、たとえば、通電するためのワイヤ（図示略）がボンディングされる。

図４は、半導体レーザ装置Ａ１のうち１つのレーザ発光部ＬＤを構成する部分を示している。同図に示すように、基板１０は、半導体レーザ装置Ａ１の土台となる部位である。基板１０の図中下方には、裏面電極７０が設けられている。基板１０は、たとえばＧａＡｓからなり、その厚さ（ｚ方向寸法）がたとえば２００μｍ～５００μｍ程度である。

ｎ型クラッド層１２は、基板１０上に形成されており、活性層２０から発せられた光を閉じ込めるための層である。ｎ型クラッド層１２は、本開示の第１型半導体層に相当する。ｎ型クラッド層１２の材質は特に限定されず、たとえばｎ－ＡｌｘＧａＡｓ（０＜ｘ＜１）からなる。ｎ型クラッド層１２の厚さは特に限定されず、たとえば１，８００ｎｍ程度である。

図示された例においては、基板１０とｎ型クラッド層１２との間にバッファ層１１が設けられている。バッファ層１１は、基板１０とｎ型クラッド層１２との格子歪を緩和するためのものである。バッファ層１１の材質は特に限定されず、たとえばｎ－ＧａＡｓからなる。バッファ層１１の厚さは特に限定されず、たとえば２４０ｎｍ程度である。

活性層２０は、ｎ型クラッド層１２上に積層されており、電子と正孔とが再結合することにより光を発する層である。活性層２０の構造は特に限定されず、たとえば、ＷＥＬＬ層、バリア層およびガイド層が積層された構造が一例としてあげられる。ＷＥＬＬ層は、たとえばＡｌ０．０５ＧａＡｓからなり、厚さがたとえば数ｎｍ程度である。バリア層は、たとえばＡｌ０．３５ＧａＡｓからなり、厚さがたとえば数ｎｍ程度である。ガイド層は、たとえばＡｌ０．３５ＧａＡｓからなり、厚さがたとえば数十ｎｍ程度である。

ｐ型半導体層３０は、活性層２０上に積層されており、本開示における第２型半導体層に相当する。本実施形態のｐ型半導体層３０は、第１ｐ型クラッド層３１、エッチストップ層３２、第２ｐ型クラッド層３３およびキャップ層３４を有する。

第１ｐ型クラッド層３１は、活性層２０上に積層されており、活性層２０からの光を閉じ込めるための層である。第１ｐ型クラッド層３１の材質は特に限定されず、たとえばｐ－ＡｌｘＧａＡｓ（０＜ｘ＜１）からなる。第１ｐ型クラッド層３１の厚さは特に限定されず、たとえば１８０ｎｍ程度である。

エッチストップ層３２は、第１ｐ型クラッド層３１上に積層されており、半導体レーザ装置Ａ１を製造する際のエッチングを停止させるための層である。エッチストップ層３２の材質は特に限定されず、たとえばｐ－ＩｎＧａＰからなる。エッチストップ層３２の厚さは特に限定されず、たとえば１５ｎｍ程度である。

第２ｐ型クラッド層３３およびキャップ層３４は、リッジストライプ部ＲＳを構成しており、ｙ方向視において略台形状である。リッジストライプ部ＲＳの厚さは特に限定されず、たとえば１，９００ｎｍ程度である。

第２ｐ型クラッド層３３は、エッチストップ層３２上に積層されている。第２ｐ型クラッド層３３の材質は特に限定されず、たとえばｐ－ＡｌｘＧａＡｓ（０＜ｘ＜１）からなる。第２ｐ型クラッド層３３の厚さは特に限定されず、たとえば１，６００ｎｍ程度である。

キャップ層３４は、第２ｐ型クラッド層３３上に積層されている。キャップ層３４の材質は特に限定されず、たとえばｐ－ＧａＡｓからなる。キャップ層３４の厚さは特に限定されず、たとえば３００ｎｍ程度である。

埋め込み層４０は、リッジストライプ部ＲＳを構成する第２ｐ型クラッド層３３およびキャップ層３４のｘ方向両側に設けられており、エッチストップ層３２上に積層されている。埋め込み層４０は、ｐ型半導体層３０のうちコンタクト層５０と直接導通する部分を第２ｐ型クラッド層３３およびキャップ層３４（リッジストライプ部ＲＳ）に制限するための層である。すなわち、埋め込み層４０は、電流を狭窄する機能を果たす。図示された例においては、埋め込み層４０は、第１埋め込み層４１および第２埋め込み層４２を有する。

第１埋め込み層４１は、エッチストップ層３２上に積層されている。第１埋め込み層４１の材質は特に限定されず、たとえばｎ－ＡｌｙＧａＡｓ（０＜ｙ＜１）からなる。第１埋め込み層４１の厚さは特に限定されず、たとえば８５０ｎｍ程度である。

第２埋め込み層４２は、第１埋め込み層４１上に積層されている。第２埋め込み層４２の材質は特に限定されず、たとえばｎ－ＧａＡｓからなる。第２埋め込み層４２の厚さは特に限定されず、たとえば８００ｎｍ程度である。

コンタクト層５０は、リッジストライプ部ＲＳおよび埋め込み層４０上に積層されている。コンタクト層５０は、リッジストライプ部ＲＳ（キャップ層３４）と第１表面電極６１との間にショットキーバリアが生じることを回避し、オーミックコンタクト状態を実現するための層である。コンタクト層５０の材質は特に限定されず、たとえばｐ－ＧａＡｓからなる。コンタクト層５０の厚さは特に限定されず、本実施形態においては、２，１００ｎｍ～３，６００ｎｍである。コンタクト層５０の厚さは、ｎ型クラッド層１２の厚さよりも厚く、好ましくは、ｎ型クラッド層１２の厚さの１．２倍～２．０倍である。また、コンタクト層５０の厚さは、リッジストライプ部ＲＳの厚さよりも厚く、好ましくは、リッジストライプ部ＲＳの厚さの１．１倍～１．８倍である。

第１表面電極６１は、コンタクト層５０上に形成されており、ｚ方向視においてリッジストライプ部ＲＳ（キャップ層３４）と重なるように設けられている。第１表面電極６１の材質は特に限定されず、たとえばＴｉやＡｕ等の金属からなる。図示された例においては、厚さが１００ｎｍ程度のＴｉ層と厚さが２００ｎｍ程度のＡｕ層とが積層された構造である。

絶縁膜８０は、コンタクト層５０および第１表面電極６１上に積層されている。絶縁膜８０は、第１表面電極６１と第２表面電極６２とを選択的に導通させるための層である。絶縁膜８０の材質は特に限定されず、たとえばＳｉＯ₂からなる。絶縁膜８０の厚さは特に限定されず、たとえば５００ｎｍ程度である。

絶縁膜８０は、開口８１を有する。開口８１は、第１表面電極６１を露出させるためのものである。開口８１を通じて、第１表面電極６１と第２表面電極６２とが導通している。

第２表面電極６２は、外部からリッジストライプ部ＲＳに通電させるためのものであり、半導体レーザ装置Ａ１のｐ側電極を構成している。本実施形態においては、４つのレーザ発光部ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４および４つのリッジストライプ部ＲＳ１，ＲＳ２，ＲＳ３，ＲＳ４に対応して、４つの第２表面電極６２１，６２２，６２３，６２４が設けられている。第２表面電極６２の材質は特に限定されず、たとえばＴｉおよびＡｕ等の金属からなる。図示された例においては、厚さが１００ｎｍ程度のＴｉ層、厚さが２００ｎｍ程度のＡｕ層および厚さが１５０μｍ程度のＡｕ層が積層された構造である。

裏面電極７０は、基板１０の図中下面に形成されており、半導体レーザ装置Ａ１のｎ側電極を構成している。裏面電極７０の材質は特に限定されず、たとえばＡｕ，Ｇｅ，Ｔｉ等の金属からなる。図示された例においては、たとえば厚さが１００ｎｍ程度のＡｕＧｅＴｉ層と厚さが２００ｎｍ程度のＡｕ層とからなる。

図１、図２、図３、図５および図６に示すように、半導体レーザ装置Ａ１は、複数の素子分離溝９０を備えている。素子分離溝９０は、隣り合うレーザ発光部ＬＤを分離するためのものである。素子分離溝９０は、ｘ方向において隣り合うレーザ発光部ＬＤの間に設けられている。また、素子分離溝９０は、ｘ方向において複数のレーザ発光部ＬＤの両側に設けられている。図示された例においては、５つの素子分離溝９０が設けられている。

素子分離溝９０は、コンタクト層５０からｎ型クラッド層１２に到達しており、少なくとも活性層２０を分離している。図示された例においては、素子分離溝９０は、基板１０に到達している。図５および図６に示すように、素子分離溝９０は、一対の内側面９１を有する。一対の内側面９１は、ｚ方向において基板１０側（図中下側）に向かうほどｘ方向における互いの距離が近づくように傾いている。

本実施形態においては、一対の内側面９１は、それぞれが第１部９１１および第２部９１２を有する。第１部９１１は、ｚ方向において基板１０側（図中下側）に位置している。図示された例においては、第１部９１１は、活性層２０を分離する深さに設けられている。第２部９１２は、ｚ方向において第１部９１１に対して基板１０とは反対側（図中上側）に位置している。図示された例においては、第２部９１２は、コンタクト層５０を分離する深さに設けられている。第２部９１２がｚ方向となす角度である角度α２は、第１部９１１がｚ方向となす角度である角度α１よりも大きい。このような素子分離溝９０は、たとえばエッチングによって形成することができる。

次に、半導体レーザ装置Ａ１の作用について説明する。

本実施形態によれば、コンタクト層５０の厚さは、ｎ型クラッド層１２の厚さよりも厚い。これにより、製造時や発光時にコンタクト層５０に応力が作用した際に、コンタクト層５０にクラック等が生じることを抑制することができる。クラックが、リッジストライプ部ＲＳ等に到達すると、意図しない導通が生じるおそれがあり、半導体レーザ装置Ａ１の正常な動作が阻害される。半導体レーザ装置Ａ１によれば、このような動作不良を抑制可能であり、信頼性を向上させることができる。

コンタクト層５０の厚さが、ｎ型クラッド層１２の厚さの１．２倍以上であれば、クラックの抑制に好ましい。また、コンタクト層５０の厚さがｎ型クラッド層１２の厚さの２．０倍以下であれば、コンタクト層５０における導通抵抗が不当に高くなってしまうことを回避することができる。

また、コンタクト層５０の厚さは、リッジストライプ部ＲＳの厚さよりも厚い。このような厚さ関係であるコンタクト層５０は、発光時の応力等に起因するクラックの発生を抑制することができる。

コンタクト層５０の厚さが、リッジストライプ部ＲＳの厚さの１．１倍以上であれば、クラックの抑制に好ましい。また、コンタクト層５０の厚さがリッジストライプ部ＲＳの厚さの１．８倍以下であれば、コンタクト層５０における導通抵抗が不当に高くなってしまうことを回避することができる。

半導体レーザ装置Ａ１は、複数の素子分離溝９０を備える。素子分離溝９０は、一対の内側面９１を有しており、内側面９１は、第１部９１１と第２部９１２とを有する。第１部９１１は、活性層２０を分離する位置に設けられている。この第１部９１１がｚ方向となす角度である角度α１は、第２部９１２がｚ方向となす角度である角度α２よりも小さい。すなわち、第１部９１１は、ｚ方向に比較的沿った面である。このため、一対の第１部９１１同士のｘ方向距離を近づけやすい。これにより、隣り合うレーザ発光部ＬＤ同士の距離を近づけることが可能であり、半導体レーザ装置Ａ１の小型化を図ることができる。

ｚ方向図中上方に位置する第２部９１２がｚ方向となす角度である角度α２は、第１部９１１の角度α１よりも大きい。このため、隣り合う活性層２０が一対の第１部９１１によって分離された距離よりも、隣り合うコンタクト層５０が一対の第２部９１２によって分離された距離をより大きくすることができる。隣り合うコンタクト層５０の距離が大きいと、意図しない導通が生じることを抑制するのに有利である。

図７～図１０は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

＜第２実施形態＞
図７および図８は、本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ２は、コンタクト層５０が凹部５１を有している。

凹部５１は、ｚ方向下側（基板１０側）に凹んでいる。凹部５１は、ｚ方向視においてリッジストライプ部ＲＳと重なる。本実施形態においては、１つのレーザ発光部ＬＤが、２つの凹部５１を有している。２つの凹部５１は、ｘ方向に離間して設けられている。２つの凹部５１は、リッジストライプＲＳのｘ方向中心である中心Ｏｘを避けた位置に設けられている。図示された例においては、２つの凹部５１は、第１表面電極６１のｘ方向両端に接している。凹部５１は、レーザ発光部ＬＤのｙ方向の一部のみに形成されていてもよい。たとえば、レーザ発光部ＬＤのｙ方向両端付近に設けられていてもよい。ただし、凹部５１は、リッジストライプ部ＲＳや埋め込み層４０には到達していない。

図８に示すように、図示された例においては、凹部５１は、一対の内側面５１１を有する。一対の内側面５１１は、ｚ方向において基板１０側（図中下側）に向かうほどｘ方向における互いの距離が近づくように傾いている。凹部５１は、ｙ方向視において略三角形状である。本例においては、２つの凹部５１は、略同じ大きさである。

本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ２の信頼性を向上させることができる。また、２つの凹部５１は、ｚ方向視においてリッジストライプ部ＲＳと重なっており、図示された例においては、第１表面電極６１のｘ方向両側に位置している。これにより、コンタクト層５０のうち第１表面電極６１とリッジストライプ部ＲＳとの導通経路をなす部分が、２つの凹部５１によって挟まれた格好となる。これにより、リッジストライプ部ＲＳと第１表面電極６１との間を流れる電流が、ｘ方向に広がってしまうことを抑制することができる。このようなコンタクト層５０の形成手法は特に限定されず、たとえばエッチングを用いて形成してもよい。あるいは、素子分離溝９０を形成する前に行う洗浄工程において、たとえば酸性の洗浄液によってコンタクト層５０の一部を侵食させることによって形成してもよい。

コンタクト層５０の厚さが上述した厚さであることにより、コンタクト層５０は十分に厚いものとして形成されている。このため、凹部５１を設けた構成であっても、凹部５１がリッジストライプ部ＲＳに到達すること等を回避することができる。したがって、半導体レーザ装置Ａ２の信頼性を向上させることができる。

＜第２実施形態 第１変形例＞

図９は、半導体レーザ装置Ａ２の第１変形例を示している。本変形例の半導体レーザ装置Ａ２１においては、２つの凹部５１の大きさが明瞭に異なっている。ｘ方向図中左方の凹部５１は、図中右方の凹部５１よりもｙ方向視における大きさが小さい。本例においても２つの凹部５１は、ｚ方向視においてリッジストライプ部ＲＳに重なっている。

本変形例によっても半導体レーザ装置Ａ２１の信頼性を向上させることができる。また、複数の凹部５１を有する構成においては、互いの凹部５１の大きさが同じであってもよいし、異なっていてもよい。

＜第２実施形態 第２変形例＞
図１０は、半導体レーザ装置Ａ２の第２変形例を示している。本変形例の半導体レーザ装置Ａ２２においては、１つのレーザ発光部ＬＤが１つのみの凹部５１を有している。本例においても凹部５１は、ｚ方向視においてリッジストライプ部ＲＳに重なっている。

本変形例によっても半導体レーザ装置Ａ２１の信頼性を向上させることができる。また、凹部５１の個数は特に限定されない。

本開示に係る半導体レーザ装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体レーザ装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

〔付記１〕
厚さ方向互いに積層された第１型半導体層、活性層、第２型半導体層およびコンタクト層を備え、
前記第２型半導体層は、前記厚さ方向と直角である第１方向に各々が延びており、且つ前記厚さ方向および第１方向と直角である第２方向に互いに離間配置された複数のリッジストライプ部を有しており、
前記コンタクト層は、前記複数のリッジストライプ部に接しており、
前記コンタクト層の厚さは、前記第１半導体層の厚さよりも厚い、半導体レーザ装置。
〔付記２〕
前記コンタクト層の厚さは、前記第１半導体層の厚さの１．２倍～２．０倍である、付記１に記載の半導体レーザ装置。
〔付記３〕
前記コンタクト層の厚さは、前記リッジストライプ部の厚さよりも厚い、付記１または２に記載の半導体レーザ装置。
〔付記４〕
前記コンタクト層の厚さは、前記リッジストライプ部の厚さの１．１倍～１．８倍である、付記３に記載の半導体レーザ装置。
〔付記５〕
前記第２方向において隣り合う前記リッジストライプ部の間に位置し、且つ厚さ方向において前記コンタクト層から前記第１型半導体層に到達する素子分離溝を備える、付記１ないし４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記６〕
前記素子分離溝は、厚さ方向において前記第１半導体層に向かうほど互いの距離が近づくように傾斜した一対の内側面を有する、付記５に記載の半導体レーザ装置。
〔付記７〕
前記素子分離溝の前記内側面は、厚さ方向において前記第１半導体層側に位置する第１部と、前記第１部に対して前記第１半導体層とは反対側に位置し且つ前記第１部よりも厚さ方向に対する傾斜角度が大きい第２部と、を有する、付記６に記載の半導体レーザ装置。
〔付記８〕
前記コンタクト層に接し且つ厚さ方向視において前記リッジストライプ部に重なる第１表面電極層をさらに備える、付記１ないし７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記９〕
前記コンタクト層および前記第１表面電極層を覆い且つ前記第１表面電極層の一部を露出させる開口を有する絶縁層をさらに備える、付記８に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１０〕
前記コンタクト層は、厚さ方向視において前記第１表面電極層と重なる凹部を有する、付記９に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１１〕
前記凹部は、厚さ方向において前記リッジストライプ部に向かうほど互いの距離が近づくように傾斜した一対の内側面を有する、付記１０に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１２〕
前記第１型半導体層を支持する基板をさらに備える、付記１ないし１１のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１３〕
前記基板に対して前記第１型半導体層とは反対側に形成された裏面電極層をさらに備える、付記１２に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１４〕
前記第１型半導体層は、ｎ型半導体層であり、
前記第２型半導体層は、ｐ型半導体層である、付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１５〕
前記リッジストライプ部は、キャップ層とクラッド層とを有する、付記１ないし１４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
〔付記１６〕
前記埋め込み層の厚さは、前記リッジストライプ部の厚さよりも薄い、付記１５に記載の半導体レーザ装置。
〔付記１７〕
前記第１型半導体層は、互いに積層された複数のクラッド層を含む、付記１ないし１６のいずれかに記載の半導体レーザ装置。

Ａ１，Ａ２，Ａ２１，Ａ２２：半導体レーザ装置
１０ ：基板
１１ ：バッファ層
１２ ：ｎ型クラッド層
２０ ：活性層
３０ ：ｐ型半導体層
３１ ：第１ｐ型クラッド層
３２ ：エッチストップ層
３３ ：第２ｐ型クラッド層
３４ ：キャップ層
４０ ：埋め込み層
４１ ：第１埋め込み層
４２ ：第２埋め込み層
５０ ：コンタクト層
５１ ：凹部
６１ ：第１表面電極
６２ ：第２表面電極
７０ ：裏面電極
８０ ：絶縁膜
８１ ：開口
９０ ：素子分離溝
９１ ：内側面
５１１ ：内側面
６２１，６２２，６２３，６２４：第２表面電極
６２１ａ，６２２ａ，６２３ａ，６２４ａ：パッド
９１１ ：第１部
９１２ ：第２部
ＬＤ，ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４：レーザ発光部
ＲＳ，ＲＳ１，ＲＳ２，ＲＳ３，ＲＳ４：リッジストライプ部
α１，α２：角度

Claims (14)

1. 厚さ方向互いに積層された第１型半導体層、活性層、第２型半導体層およびコンタクト層を備え、
   前記第２型半導体層は、前記厚さ方向と直角である第１方向に各々が延びており、且つ前記厚さ方向および第１方向と直角である第２方向に互いに離間配置された複数のリッジストライプ部を有しており、
   前記コンタクト層は、前記複数のリッジストライプ部に接しており、
   前記コンタクト層の厚さは、前記第１型半導体層の厚さよりも厚く、
   前記コンタクト層に接し且つ厚さ方向視において前記リッジストライプ部に重なる第１表面電極層をさらに備え、
   前記コンタクト層および前記第１表面電極層を覆い且つ前記第１表面電極層の一部を露出させる開口を有する絶縁層をさらに備え、
   前記コンタクト層は、厚さ方向視において前記第１表面電極層と重なる２つの凹部を有し、
   前記２つの凹部は、前記リッジストライプ部の前記第２方向中心を避けて、前記第２方向に離間して設けられており、且つ前記第１表面電極層の前記第２方向両端に接している、半導体レーザ装置。
2. 前記コンタクト層の厚さは、前記第１半導体層の厚さの１．２倍～２．０倍である、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
3. 前記コンタクト層の厚さは、前記リッジストライプ部の厚さよりも厚い、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
4. 前記コンタクト層の厚さは、前記リッジストライプ部の厚さの１．１倍～１．８倍である、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
5. 前記第２方向において隣り合う前記リッジストライプ部の間に位置し、且つ厚さ方向において前記コンタクト層から前記第１型半導体層に到達する素子分離溝を備える、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
6. 前記素子分離溝は、厚さ方向において前記第１半導体層に向かうほど互いの距離が近づくように傾斜した一対の内側面を有する、請求項５に記載の半導体レーザ装置。
7. 前記素子分離溝の前記内側面は、厚さ方向において前記第１半導体層側に位置する第１部と、前記第１部に対して前記第１半導体層とは反対側に位置し且つ前記第１部よりも厚さ方向に対する傾斜角度が大きい第２部と、を有する、請求項６に記載の半導体レーザ装置。
8. 前記凹部は、厚さ方向において前記リッジストライプ部に向かうほど互いの距離が近づくように傾斜した一対の内側面を有する、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
9. 前記第１型半導体層を支持する基板をさらに備える、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
10. 前記基板に対して前記第１型半導体層とは反対側に形成された裏面電極層をさらに備える、請求項９に記載の半導体レーザ装置。
11. 前記第１型半導体層は、ｎ型半導体層であり、
    前記第２型半導体層は、ｐ型半導体層である、請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
12. 前記リッジストライプ部は、キャップ層とクラッド層とを有する、請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
13. 前記キャップ層およびクラッド層の前記第２方向両側に設けられた埋め込み層をさらに備え、
    前記埋め込み層の厚さは、前記リッジストライプ部の厚さよりも薄い、請求項１２に記載の半導体レーザ装置。
14. 前記第１型半導体層は、互いに積層された複数のクラッド層を含む、請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。

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