JPH06326419A - モノリシック半導体発光アレイ - Google Patents
モノリシック半導体発光アレイInfo
- Publication number
- JPH06326419A JPH06326419A JP6073633A JP7363394A JPH06326419A JP H06326419 A JPH06326419 A JP H06326419A JP 6073633 A JP6073633 A JP 6073633A JP 7363394 A JP7363394 A JP 7363394A JP H06326419 A JPH06326419 A JP H06326419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laser
- semiconductor
- substrate
- ribs
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
- H01S5/2063—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by particle bombardment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2213—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on polyimide or resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2214—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on oxides or nitrides
- H01S5/2216—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on oxides or nitrides nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3413—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers comprising partially disordered wells or barriers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 分離領域を用いることによって、わずかだけ
離間された、独立したアドレス可能な半導体レーザのモ
ノリシックアレイの熱的、電気的、及び光学的なクロス
トークを減少する。 【構成】 分離領域は、隣合うレーザ素子１２ａ、１２
ｂの間に形成され、そしてエッチングされたメサによっ
てプレーナアクティブ多層導波路上に作られる導波路を
装填したリブ４０ａ、４０ｂによって画定される。次
に、均一な金属（メタル）コンタクト５８が基板に加え
られると共に、分割された金属コンタクト５０ａ及び５
０ｂがそれぞれのリブに加えられ、レーザ素子の個々の
アドレス可能性を提供する。選択的に追加される絶縁層
４６が構造体に加えられ、向上された電気的及び／又は
熱的な分離（絶縁）を提供する。
離間された、独立したアドレス可能な半導体レーザのモ
ノリシックアレイの熱的、電気的、及び光学的なクロス
トークを減少する。 【構成】 分離領域は、隣合うレーザ素子１２ａ、１２
ｂの間に形成され、そしてエッチングされたメサによっ
てプレーナアクティブ多層導波路上に作られる導波路を
装填したリブ４０ａ、４０ｂによって画定される。次
に、均一な金属（メタル）コンタクト５８が基板に加え
られると共に、分割された金属コンタクト５０ａ及び５
０ｂがそれぞれのリブに加えられ、レーザ素子の個々の
アドレス可能性を提供する。選択的に追加される絶縁層
４６が構造体に加えられ、向上された電気的及び／又は
熱的な分離（絶縁）を提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気及び熱の少ないク
ロストーク（漏話）を有するわずかだけ離間された、独
立してアドレス可能な半導体レーザアレイの製造及び設
計に関する。
ロストーク（漏話）を有するわずかだけ離間された、独
立してアドレス可能な半導体レーザアレイの製造及び設
計に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】わずか
だけ離間された、独立してアドレス可能な半導体レーザ
のモノリシックアレイ（配列）は、例えば、光学ディス
クレコーダ、レーザプリンタ及び、光ファイバ通信シス
テム等の装置の重要な光学源である。このようなレーザ
アレイの場合、レーザ素子を出来るかぎり密に充填（パ
ック）することが一般的に所望される。一方、わずかだ
け離間されたレーザ素子の場合、電気的に接続及びヒー
トシンク（冷却）することは困難である。更に、わずか
だけ離間されたレーザ素子は、電気的、光学的及び／又
は熱的に相互作用する傾向があり、望ましくないクロス
トークを導く。
だけ離間された、独立してアドレス可能な半導体レーザ
のモノリシックアレイ（配列）は、例えば、光学ディス
クレコーダ、レーザプリンタ及び、光ファイバ通信シス
テム等の装置の重要な光学源である。このようなレーザ
アレイの場合、レーザ素子を出来るかぎり密に充填（パ
ック）することが一般的に所望される。一方、わずかだ
け離間されたレーザ素子の場合、電気的に接続及びヒー
トシンク（冷却）することは困難である。更に、わずか
だけ離間されたレーザ素子は、電気的、光学的及び／又
は熱的に相互作用する傾向があり、望ましくないクロス
トークを導く。
【０００３】従って、半導体レーザのわずかだけ離間さ
れた（密な）アレイ中のクロストークを減少できる設計
及び製造技術が必要とされている。それらの設計及び製
造技術が、あらゆる波長で光を放射する、特に約７５０
ｎｍよりも短い波長で光を放射する素子を有するレーザ
アレイに適用できることは有益である。
れた（密な）アレイ中のクロストークを減少できる設計
及び製造技術が必要とされている。それらの設計及び製
造技術が、あらゆる波長で光を放射する、特に約７５０
ｎｍよりも短い波長で光を放射する素子を有するレーザ
アレイに適用できることは有益である。
【０００４】
【課題を解決するための手段と作用】本発明は、分離領
域を用いることによって、わずかだけ離間された、独立
してアドレス可能な半導体レーザのモノリシックアレイ
の、熱的、電気的、及び、光学的な少ないクロストーク
を提供できる。本発明の一態様に従って、分離領域は、
エッチングされたメサ（台形）によってプレーナ（平
面）アクティブ多層導波路上に形成される、導波路を装
填したリブによって画定される、レーザ素子を分離す
る。第２実施例におけるレーザ素子は、第１実施例のレ
ーザ素子と同様に画定されて、分離されるが、空乏（障
壁）層がメサの周辺に選択的に加えられる。第３実施例
におけるレーザ素子は、第２実施例のレーザ素子と同様
に画定され、分離されるが、追加のコンタクト（接触）
層が空乏層上及びメサの露出された頂部領域上に形成さ
れる。
域を用いることによって、わずかだけ離間された、独立
してアドレス可能な半導体レーザのモノリシックアレイ
の、熱的、電気的、及び、光学的な少ないクロストーク
を提供できる。本発明の一態様に従って、分離領域は、
エッチングされたメサ（台形）によってプレーナ（平
面）アクティブ多層導波路上に形成される、導波路を装
填したリブによって画定される、レーザ素子を分離す
る。第２実施例におけるレーザ素子は、第１実施例のレ
ーザ素子と同様に画定されて、分離されるが、空乏（障
壁）層がメサの周辺に選択的に加えられる。第３実施例
におけるレーザ素子は、第２実施例のレーザ素子と同様
に画定され、分離されるが、追加のコンタクト（接触）
層が空乏層上及びメサの露出された頂部領域上に形成さ
れる。
【０００５】分離領域は、隣合うレーザ素子の間のプレ
ーナアクティブ多層を変更することによって形成され
る。分離領域を形成する一般的な方法は、イオン注入法
及び、層の無秩序化を用いたアクティブ多層の層間の混
合法を含む。その結果得られる構造体の頂部表面は、レ
ーザ素子の回り及び分離領域上を電気的及び熱的絶縁体
で充填することによって有益に平面化される。別々の電
気コンタクトがレーザ素子上に形成されると共に、共通
帰線の接続がレーザアレイの基板上の電気コンタクト
（接点）によってなされる。実際に、レーザ素子の長さ
が、約３００μｍよりも長く選択され、アクティブ層は
レーザしきい値電流を減少させるためにひずみが与えら
れる。
ーナアクティブ多層を変更することによって形成され
る。分離領域を形成する一般的な方法は、イオン注入法
及び、層の無秩序化を用いたアクティブ多層の層間の混
合法を含む。その結果得られる構造体の頂部表面は、レ
ーザ素子の回り及び分離領域上を電気的及び熱的絶縁体
で充填することによって有益に平面化される。別々の電
気コンタクトがレーザ素子上に形成されると共に、共通
帰線の接続がレーザアレイの基板上の電気コンタクト
（接点）によってなされる。実際に、レーザ素子の長さ
が、約３００μｍよりも長く選択され、アクティブ層は
レーザしきい値電流を減少させるためにひずみが与えら
れる。
【０００６】本発明は、モノリシック半導体発光アレイ
であって、第１及び第２の表面を有するドープ処理され
た半導体基板と、前記基板の前記第１表面上にあると共
に、前記基板とは反対側の第３表面を有する多層構造体
であって、前記基板と同じ導電形を有する第１の半導体
拘束層と、反対の導電形を有する第２の半導体拘束層
と、を含み、更に、前記第１及び第２の半導体拘束層間
に介在すると共に、前記第１及び第２の拘束層よりも小
さなバンドギャップを有する光を生成するためのアクテ
ィブ半導体層を含む、前記多層構造体と、前記多層構造
体の少なくとも１つの層中に形成された複数の横方向の
光導波路と、前記第３表面上の複数のアドレス電極であ
って、各々が前記光導波路の１つと対応される前記アド
レス電極と、前記光導波路の内の２つの間にあり、前記
２つの光導波路を電気的に分離するための２つの分離領
域と、前記基板の前記第２の表面上の共通電極であっ
て、前記アドレス電極の各々に対応される光導波路を介
して電流の流れを可能にするように、前記アドレス電極
の各々と共働する前記共通電極と、を備える。
であって、第１及び第２の表面を有するドープ処理され
た半導体基板と、前記基板の前記第１表面上にあると共
に、前記基板とは反対側の第３表面を有する多層構造体
であって、前記基板と同じ導電形を有する第１の半導体
拘束層と、反対の導電形を有する第２の半導体拘束層
と、を含み、更に、前記第１及び第２の半導体拘束層間
に介在すると共に、前記第１及び第２の拘束層よりも小
さなバンドギャップを有する光を生成するためのアクテ
ィブ半導体層を含む、前記多層構造体と、前記多層構造
体の少なくとも１つの層中に形成された複数の横方向の
光導波路と、前記第３表面上の複数のアドレス電極であ
って、各々が前記光導波路の１つと対応される前記アド
レス電極と、前記光導波路の内の２つの間にあり、前記
２つの光導波路を電気的に分離するための２つの分離領
域と、前記基板の前記第２の表面上の共通電極であっ
て、前記アドレス電極の各々に対応される光導波路を介
して電流の流れを可能にするように、前記アドレス電極
の各々と共働する前記共通電極と、を備える。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明に従い、第１実施例の半導体
レーザアレイ１０の断面図を示す。レーザアレイ１０
は、２つの独立してアドレス可能な半導体レーザ素子１
２ａと１２ｂを有する。レーザアレイ１０は、上にn-Ga
Asをエピタキシャルに堆積される基板２０と、n-GaAsか
らなる緩衝層２２と、n-Ga0.5In0.5P からなる遷移層２
４と、Al0.5In0.5P からなるクラッド層２６と、（好ま
しくはドープ処理されていない）アクティブ導波路多層
２８と、p-Al0.5In0.5P からなる部分的な頂部クラッド
層３０と、p-GaAs(p-Ga0.5In0.5P) からなる極薄エッチ
ング停止層３２と、p-Al0.5In0.5P からなる部分的な頂
部クラッド層３４と、p-Ga0.5In0.5P からなる遷移層３
６と、 p＋GaAsからなるキャップ（蓋）層３８と、を含
む。
レーザアレイ１０の断面図を示す。レーザアレイ１０
は、２つの独立してアドレス可能な半導体レーザ素子１
２ａと１２ｂを有する。レーザアレイ１０は、上にn-Ga
Asをエピタキシャルに堆積される基板２０と、n-GaAsか
らなる緩衝層２２と、n-Ga0.5In0.5P からなる遷移層２
４と、Al0.5In0.5P からなるクラッド層２６と、（好ま
しくはドープ処理されていない）アクティブ導波路多層
２８と、p-Al0.5In0.5P からなる部分的な頂部クラッド
層３０と、p-GaAs(p-Ga0.5In0.5P) からなる極薄エッチ
ング停止層３２と、p-Al0.5In0.5P からなる部分的な頂
部クラッド層３４と、p-Ga0.5In0.5P からなる遷移層３
６と、 p＋GaAsからなるキャップ（蓋）層３８と、を含
む。
【０００８】層の成長中に原子面の自然な秩序を抑制す
るために、基板２０は（１００）方向に関して、有益に
異なった配向（misorient)がなされるので層の構造にと
って、最大のエネルギーバンドギャップを有する層を成
長させる。緩衝層２２は０．２から０．５μｍの範囲内
の厚みを有し、遷移層２４は０．１から０．３μｍの範
囲内の厚みを有し、クラッド層２６は０．５から１μｍ
の範囲内の厚みを有し、クラッド層３０は０．２から
０．４μｍの範囲内の厚みを有し、エッチング停止層３
２は１０から５０ｎｍの範囲内の厚みを有し、クラッド
層３４は０．１から０．８μｍの範囲内の厚みを有し、
遷移層３６は０．１から０．５μｍの範囲内の厚みを有
し、キャップ層３８は２０から１００ｎｍの範囲内の厚
みを有する。
るために、基板２０は（１００）方向に関して、有益に
異なった配向（misorient)がなされるので層の構造にと
って、最大のエネルギーバンドギャップを有する層を成
長させる。緩衝層２２は０．２から０．５μｍの範囲内
の厚みを有し、遷移層２４は０．１から０．３μｍの範
囲内の厚みを有し、クラッド層２６は０．５から１μｍ
の範囲内の厚みを有し、クラッド層３０は０．２から
０．４μｍの範囲内の厚みを有し、エッチング停止層３
２は１０から５０ｎｍの範囲内の厚みを有し、クラッド
層３４は０．１から０．８μｍの範囲内の厚みを有し、
遷移層３６は０．１から０．５μｍの範囲内の厚みを有
し、キャップ層３８は２０から１００ｎｍの範囲内の厚
みを有する。
【０００９】アクティブ導波路多層２８は、 (Alo.6Ga
0.4)0.5In0.5Pのバリア層によって分離されるGay In
1-y P 又は (Alx Ga1-x ) y In1-y P からなるアクティ
ブウェル（井戸）層の複数の（下記参照）量子ウェルヘ
テロ構造から構成されて、 (Alo. 6Ga0.4)0.5In0.5Pから
なる上側と下側のキャリヤ拘束層の間に挟まれる。
0.4)0.5In0.5Pのバリア層によって分離されるGay In
1-y P 又は (Alx Ga1-x ) y In1-y P からなるアクティ
ブウェル（井戸）層の複数の（下記参照）量子ウェルヘ
テロ構造から構成されて、 (Alo. 6Ga0.4)0.5In0.5Pから
なる上側と下側のキャリヤ拘束層の間に挟まれる。
【００１０】更にアクティブ導波路多層２８は、厚み１
００から２００ｎｍのキャリヤ拘束層の間に挟まれる厚
み１０から３０ｎｍのバリア層、Ｎ−１個によって分割
される厚み２から２０ｎｍのアクティブ量子ウエル層、
Ｎ個を有する。Ｎは、１から５個の間であるのが好まし
く、しきい値電流密度、及び温度によるその変化を最小
化するように選択される。実施例では、(Al0.6Ga0.4)
0.5In0.5P からなる厚み１２ｎｍのバリア層によって分
割されるGao.4In0.6p(y=0.4)からなる２個の厚み８ｎｍ
のアクティブ量子ウェルを有し、全体は (Alo.6Ga0.4)
0.5In0.5Pからなる厚み１４０ｎｍの拘束層の間に挟ま
れる。この場合、ｙ＝０．４は、圧縮的なひずみ量子ウ
ェルを生成するために選択される。
００から２００ｎｍのキャリヤ拘束層の間に挟まれる厚
み１０から３０ｎｍのバリア層、Ｎ−１個によって分割
される厚み２から２０ｎｍのアクティブ量子ウエル層、
Ｎ個を有する。Ｎは、１から５個の間であるのが好まし
く、しきい値電流密度、及び温度によるその変化を最小
化するように選択される。実施例では、(Al0.6Ga0.4)
0.5In0.5P からなる厚み１２ｎｍのバリア層によって分
割されるGao.4In0.6p(y=0.4)からなる２個の厚み８ｎｍ
のアクティブ量子ウェルを有し、全体は (Alo.6Ga0.4)
0.5In0.5Pからなる厚み１４０ｎｍの拘束層の間に挟ま
れる。この場合、ｙ＝０．４は、圧縮的なひずみ量子ウ
ェルを生成するために選択される。
【００１１】レーザ素子１２ａと１２ｂは、それぞれリ
ブ４０ａと４０ｂによって画定される。そのリブは、エ
ッチング停止層３２に達するまで、層３４、３６及び３
８をエッチングして取り除くことによって形成される。
レーザ素子同士の間には、分離領域４４（次いで、更に
詳細に説明される）がある。絶縁層４６は、例えば、ポ
リイミド又はSi3N4 等の電気絶縁材料から構成され、リ
ブ４０ａ及び４０ｂの頂部を除く、構造体の残りの部分
を覆って形成される。そして、次に、別々のコンタクト
（接点）５０ａ及び５０ｂがリブ上を覆って形成され
る。
ブ４０ａと４０ｂによって画定される。そのリブは、エ
ッチング停止層３２に達するまで、層３４、３６及び３
８をエッチングして取り除くことによって形成される。
レーザ素子同士の間には、分離領域４４（次いで、更に
詳細に説明される）がある。絶縁層４６は、例えば、ポ
リイミド又はSi3N4 等の電気絶縁材料から構成され、リ
ブ４０ａ及び４０ｂの頂部を除く、構造体の残りの部分
を覆って形成される。そして、次に、別々のコンタクト
（接点）５０ａ及び５０ｂがリブ上を覆って形成され
る。
【００１２】レーザアレイ１０のリブ４０ａ及び４０ｂ
は、幅が２μｍから４μｍであると共に、１０から１０
０μｍの範囲内の中心から中心の間隔を有する。分離領
域４４は幅が２μｍよりも広い。リブ４０ａ及び４０ｂ
の最大幅は、レーザ放射が動作出力電力範囲にわたって
基本的な空間モードに維持されるという要求によって影
響される。
は、幅が２μｍから４μｍであると共に、１０から１０
０μｍの範囲内の中心から中心の間隔を有する。分離領
域４４は幅が２μｍよりも広い。リブ４０ａ及び４０ｂ
の最大幅は、レーザ放射が動作出力電力範囲にわたって
基本的な空間モードに維持されるという要求によって影
響される。
【００１３】レーザアレイ１０を生成するために、構成
成分２２（緩衝層）乃至３８（キャップ層）から構成さ
れる均一なエピタキシャル層の構造体が、基板２０上に
製造される。分離領域４４を形成予定の開口部は、層３
８、３６及び３４を貫通してエッチング停止層３２に至
るまでエッチングされる。次に、分離領域４４は、例え
ばイオン注入、又は拡散等によって開口部の内部に形成
される。開口部を介して分離領域４４を形成することに
よって、分離領域は、所望される深さ（以下参照）を得
ることができる。イオン注入、又は拡散中には、他の露
出された表面は、注入マスク、又は拡散マスクで保護さ
れている。分離領域４４を形成後、リブ４０ａ及び４０
ｂは、分離領域４４の表面がエッチングマスクで保護さ
れている間に、更にエッチングして画定される。他の手
順でも、同様のリブ及び分離領域を生成可能である。
成分２２（緩衝層）乃至３８（キャップ層）から構成さ
れる均一なエピタキシャル層の構造体が、基板２０上に
製造される。分離領域４４を形成予定の開口部は、層３
８、３６及び３４を貫通してエッチング停止層３２に至
るまでエッチングされる。次に、分離領域４４は、例え
ばイオン注入、又は拡散等によって開口部の内部に形成
される。開口部を介して分離領域４４を形成することに
よって、分離領域は、所望される深さ（以下参照）を得
ることができる。イオン注入、又は拡散中には、他の露
出された表面は、注入マスク、又は拡散マスクで保護さ
れている。分離領域４４を形成後、リブ４０ａ及び４０
ｂは、分離領域４４の表面がエッチングマスクで保護さ
れている間に、更にエッチングして画定される。他の手
順でも、同様のリブ及び分離領域を生成可能である。
【００１４】分離領域とリブの形成後、絶縁層４６が全
体の構造体上に付着される。次に、リブの上のマスク部
分は、電気コンタクトがリブに付加されるように除去さ
れる。次に、均一な金属（メタル）コンタクト５８が基
板に付着されると共に、別個の金属コンタクト５０ａ及
び５０ｂがそれぞれのリブに提供され、レーザ素子の個
々のアドレス可能性を提供する。アレイ１０は、半導体
ウェハ上に有益に大量生産されて、レーザアレイのバー
（棒）へ切断される。前面及び背面のファセット（面）
は、被覆（コート）され、そしてバーは、２つのレーザ
よりなる個々のアレイへ分割される。次に、各レーザア
レイは、マウント６２に取り付けられる基板と共にパッ
ケージ（実装）され、更に、ワイヤ（図示されていな
い）が、個々の露出された電気コンタクトに取り付けら
れる。
体の構造体上に付着される。次に、リブの上のマスク部
分は、電気コンタクトがリブに付加されるように除去さ
れる。次に、均一な金属（メタル）コンタクト５８が基
板に付着されると共に、別個の金属コンタクト５０ａ及
び５０ｂがそれぞれのリブに提供され、レーザ素子の個
々のアドレス可能性を提供する。アレイ１０は、半導体
ウェハ上に有益に大量生産されて、レーザアレイのバー
（棒）へ切断される。前面及び背面のファセット（面）
は、被覆（コート）され、そしてバーは、２つのレーザ
よりなる個々のアレイへ分割される。次に、各レーザア
レイは、マウント６２に取り付けられる基板と共にパッ
ケージ（実装）され、更に、ワイヤ（図示されていな
い）が、個々の露出された電気コンタクトに取り付けら
れる。
【００１５】レーザ素子１２ａ及び１２ｂは、（１）画
像平面上に容易に焦点が合わされ、（２）各素子によっ
て放射される電力を独立制御を実質的に可能にするよう
に離間される。第２ファクタは、レーザアレイ１０中の
素子同士の間のクロストークが最少化されることを示
す。クロストークを減少させるのに役立つ特徴は、放射
レーザビームを形成し、操作するために用いられる画像
形成光学系によって許容される最大値になるように素子
同士の間の中心から中心の間隔を設定することと、隣合
うレーザ素子の間に、実質的にそれらの性能（パフォー
マンス）に影響を与えないように光学的、電気的、及び
熱的な分離（絶縁）を増大させる分離領域幅４４を選択
することと、レーザ素子同士の間の電気経路（パス）を
塞ぐ（ブロック）するように、分離領域４４の深さを、
アクティブ層２８を貫通して、第１のクラッド層２６中
へ延出することと、使用される受光体（例えば感光体）
で許容される最長波長でレーザ放射を行うように量子ウ
ェルアクティブ層を成長させることと、最低しきい値密
度を達成するように圧縮ひずみ下で量子ウェルアクティ
ブ層を成長させることと、エネルギーバンドギャップを
最少化するために層の成長中に原子面の自然な秩序を抑
制することと、レーザキャビティ（空胴）の少なくとも
１ファセット（面）に非常によく反射する被覆剤（コー
ティング）を塗布することと、レーザキャビティを、３
００μｍよりも長くなるように製造することと、によっ
てレイジング（レーザ発振）しきい値密度の熱依存性を
最少化することと、を含む。
像平面上に容易に焦点が合わされ、（２）各素子によっ
て放射される電力を独立制御を実質的に可能にするよう
に離間される。第２ファクタは、レーザアレイ１０中の
素子同士の間のクロストークが最少化されることを示
す。クロストークを減少させるのに役立つ特徴は、放射
レーザビームを形成し、操作するために用いられる画像
形成光学系によって許容される最大値になるように素子
同士の間の中心から中心の間隔を設定することと、隣合
うレーザ素子の間に、実質的にそれらの性能（パフォー
マンス）に影響を与えないように光学的、電気的、及び
熱的な分離（絶縁）を増大させる分離領域幅４４を選択
することと、レーザ素子同士の間の電気経路（パス）を
塞ぐ（ブロック）するように、分離領域４４の深さを、
アクティブ層２８を貫通して、第１のクラッド層２６中
へ延出することと、使用される受光体（例えば感光体）
で許容される最長波長でレーザ放射を行うように量子ウ
ェルアクティブ層を成長させることと、最低しきい値密
度を達成するように圧縮ひずみ下で量子ウェルアクティ
ブ層を成長させることと、エネルギーバンドギャップを
最少化するために層の成長中に原子面の自然な秩序を抑
制することと、レーザキャビティ（空胴）の少なくとも
１ファセット（面）に非常によく反射する被覆剤（コー
ティング）を塗布することと、レーザキャビティを、３
００μｍよりも長くなるように製造することと、によっ
てレイジング（レーザ発振）しきい値密度の熱依存性を
最少化することと、を含む。
【００１６】アクティブ導波路中に１つよりも多い量子
ウェルを形成することによって、しきい値電流の温度感
度を更に減少させることができる。
ウェルを形成することによって、しきい値電流の温度感
度を更に減少させることができる。
【００１７】４％よりも少ないクロストークを得るレー
ザアレイ１０は、約２５μｍ離して間隔をあけられる長
さ５００μｍのレーザ素子から構成される。幅１０μｍ
の分離領域は、その２５μｍの中心に位置される。レー
ザ素子は、約６８０ｎｍの光を半波長の被覆された前面
ファセットから放射する。背面ファセットは、入射光の
約９５％を反射するように被覆される。アクティブ層２
８は、圧縮的にひずまされるGa0.4 Ino.6 P の２つの量
子ウェルを有する。
ザアレイ１０は、約２５μｍ離して間隔をあけられる長
さ５００μｍのレーザ素子から構成される。幅１０μｍ
の分離領域は、その２５μｍの中心に位置される。レー
ザ素子は、約６８０ｎｍの光を半波長の被覆された前面
ファセットから放射する。背面ファセットは、入射光の
約９５％を反射するように被覆される。アクティブ層２
８は、圧縮的にひずまされるGa0.4 Ino.6 P の２つの量
子ウェルを有する。
【００１８】周知であるように、高い抵抗率（比抵抗）
領域は、陽子又は、酸素イオンをIII-V 半導体材料中に
注入することによって形成される。このような注入法
は、分離領域４４の製造中に用いられる。レーザ１０中
の注入領域は、少なくともアクティブ層２８を貫通して
延出する。次に、図２のレーザアレイ１００を参照する
と、分離領域１４４はクラッド層２６を完全に貫通して
延出することが好ましい。（上述されたように）層３
８、３６、３４を貫通するように、開口部を介して注入
することによって、層３８、３６、３４を貫通して注入
することによって到達することは難しいであろう深さに
まで延出する分離領域を形成可能である。
領域は、陽子又は、酸素イオンをIII-V 半導体材料中に
注入することによって形成される。このような注入法
は、分離領域４４の製造中に用いられる。レーザ１０中
の注入領域は、少なくともアクティブ層２８を貫通して
延出する。次に、図２のレーザアレイ１００を参照する
と、分離領域１４４はクラッド層２６を完全に貫通して
延出することが好ましい。（上述されたように）層３
８、３６、３４を貫通するように、開口部を介して注入
することによって、層３８、３６、３４を貫通して注入
することによって到達することは難しいであろう深さに
まで延出する分離領域を形成可能である。
【００１９】更に、図２を参照する。注入領域１４４
は、非導電性が高いので、注入領域は、アクティブ導波
路多層２８中のキャリア拡散と、部分クラッド層３０中
の電流フロー（流れ）を抑制する。レーザ素子１２ａと
１２ｂの中心間の間隔が約２０μｍよりも大きい場合、
レイジング光学フィールドが、アクティブ導波路層２８
の上へのメサの負荷（ローディング）によってのみ形成
されることを確実にするために、注入領域１４４は、そ
のレーザ素子の中心間の間隔よりも実質的に狭くなるよ
うに選択されることができる。注入領域１４４の光吸収
は、隣の素子に向けて各レーザ素子によって放射される
非レイジング光をブロック（阻止）する。これによっ
て、直接的な光のクロストークを除去する。素子同士の
間の間隔が２０μｍよりも狭い場合は、注入領域１４４
は、キャリア拡散だけでなく、一方の素子から他方の素
子へのレイジングフィールドの漏洩（リークエイジ）を
ブロックする。注入領域が深くなるにつれ、レイジング
素子同士の間の電気的絶縁は高まる。
は、非導電性が高いので、注入領域は、アクティブ導波
路多層２８中のキャリア拡散と、部分クラッド層３０中
の電流フロー（流れ）を抑制する。レーザ素子１２ａと
１２ｂの中心間の間隔が約２０μｍよりも大きい場合、
レイジング光学フィールドが、アクティブ導波路層２８
の上へのメサの負荷（ローディング）によってのみ形成
されることを確実にするために、注入領域１４４は、そ
のレーザ素子の中心間の間隔よりも実質的に狭くなるよ
うに選択されることができる。注入領域１４４の光吸収
は、隣の素子に向けて各レーザ素子によって放射される
非レイジング光をブロック（阻止）する。これによっ
て、直接的な光のクロストークを除去する。素子同士の
間の間隔が２０μｍよりも狭い場合は、注入領域１４４
は、キャリア拡散だけでなく、一方の素子から他方の素
子へのレイジングフィールドの漏洩（リークエイジ）を
ブロックする。注入領域が深くなるにつれ、レイジング
素子同士の間の電気的絶縁は高まる。
【００２０】本発明に従って、他のレーザアレイ２００
を図３に示す。レーザアレイ２００は、拡散誘導された
層混合によって形成される分離領域２４４を含む。層３
２、３０、２８及び層２６の一部分を伴う混合は、層３
２及び２８よりも大きなバンドギャップを有する中間合
成領域を形成する。混合プロセスを完成するために、他
の原子種のソースの堆積又は注入を含む他の技術も、当
然、存在するが、図３に示されている実施例は、堆積さ
れたソース層からウェハの表面上に付着された拡散マス
ク中の開口部を介して不純物原子を拡散することによっ
て作られる。拡散マスクは、層３８、３６、及び３４中
に窓を開口するために用いられるエッチングマスクであ
ってもよい。開口部を介する拡散は、層３６、３８、及
び３４を介する拡散と比較すると、分離領域２４４の再
現性を実質的に向上させる。分離領域２４４が形成され
た後、リブ４０ａ及び４０ｂは、分離領域２４４の表面
がマスクされている間に、エッチングすることによって
画定される。分離領域及びリブの成形後、絶縁層４６
が、全体の構造体上に付着される。図１に関連して説明
されたように、更に次のプロセスがある。
を図３に示す。レーザアレイ２００は、拡散誘導された
層混合によって形成される分離領域２４４を含む。層３
２、３０、２８及び層２６の一部分を伴う混合は、層３
２及び２８よりも大きなバンドギャップを有する中間合
成領域を形成する。混合プロセスを完成するために、他
の原子種のソースの堆積又は注入を含む他の技術も、当
然、存在するが、図３に示されている実施例は、堆積さ
れたソース層からウェハの表面上に付着された拡散マス
ク中の開口部を介して不純物原子を拡散することによっ
て作られる。拡散マスクは、層３８、３６、及び３４中
に窓を開口するために用いられるエッチングマスクであ
ってもよい。開口部を介する拡散は、層３６、３８、及
び３４を介する拡散と比較すると、分離領域２４４の再
現性を実質的に向上させる。分離領域２４４が形成され
た後、リブ４０ａ及び４０ｂは、分離領域２４４の表面
がマスクされている間に、エッチングすることによって
画定される。分離領域及びリブの成形後、絶縁層４６
が、全体の構造体上に付着される。図１に関連して説明
されたように、更に次のプロセスがある。
【００２１】図３のエッチング停止層３２がGaInP であ
る場合、好適な拡散技術は、ここに参照によって組み込
まれる米国特許第４、８２４、７９８号に開示されてい
るように、Ｐの濃厚（リッチ）ソース層からシリコンを
拡散するようことである。又、エッチング停止層３２が
GaAsである場合、好適な拡散技術は、Ａｓの濃厚ソース
層からシリコンを拡散（米国特許第４、８２４、７９８
号を参照）することである。レーザアレイ２００の特徴
は、GaAsエッチング停止層が、混合中に、欠陥の形成を
おさえると共に、確実に、GaAs層が層３０と完全に混合
されるために、約１０ｎｍよりも薄く保たれることであ
る。
る場合、好適な拡散技術は、ここに参照によって組み込
まれる米国特許第４、８２４、７９８号に開示されてい
るように、Ｐの濃厚（リッチ）ソース層からシリコンを
拡散するようことである。又、エッチング停止層３２が
GaAsである場合、好適な拡散技術は、Ａｓの濃厚ソース
層からシリコンを拡散（米国特許第４、８２４、７９８
号を参照）することである。レーザアレイ２００の特徴
は、GaAsエッチング停止層が、混合中に、欠陥の形成を
おさえると共に、確実に、GaAs層が層３０と完全に混合
されるために、約１０ｎｍよりも薄く保たれることであ
る。
【００２２】混合分離領域２４４は、隣り合うレーザ素
子の間に電気的、及び光学的な分離（絶縁）を提供する
ので、クロストークを抑制できる。混合分離領域２４４
は、その分離領域のバンドギャップがアクティブ導波路
多層２８のバンドギャップよりも広いので、アクティブ
導波路多層２８中のキャリヤ拡散を抑制する。部分クラ
ッド層３０中の隣合うレーザ素子の間の電流フローは、
分離領域２４４中への注入がアクティブ導波路多層２８
への注入よりも高いオン電圧を有するので抑制される。
子の間に電気的、及び光学的な分離（絶縁）を提供する
ので、クロストークを抑制できる。混合分離領域２４４
は、その分離領域のバンドギャップがアクティブ導波路
多層２８のバンドギャップよりも広いので、アクティブ
導波路多層２８中のキャリヤ拡散を抑制する。部分クラ
ッド層３０中の隣合うレーザ素子の間の電流フローは、
分離領域２４４中への注入がアクティブ導波路多層２８
への注入よりも高いオン電圧を有するので抑制される。
【００２３】レーザ素子１２ａと１２ｂの中心から中心
の間隔が約２０μｍよりも大きい場合、レイジング光学
フィールドがアクティブ導波路多層２８上のメサの負荷
によってのみ形成されることを確実にするために、混合
分離領域２４４は、レーザ素子同士の間隔よりも実質的
に狭くなるように選択される。素子同士の間の間隔が２
０μｍよりも狭い場合、混合分離領域２４４は、素子同
士の間のレイジングフィールドの漏洩を防ぐことによっ
て、隣合う素子を光学的に分離する。
の間隔が約２０μｍよりも大きい場合、レイジング光学
フィールドがアクティブ導波路多層２８上のメサの負荷
によってのみ形成されることを確実にするために、混合
分離領域２４４は、レーザ素子同士の間隔よりも実質的
に狭くなるように選択される。素子同士の間の間隔が２
０μｍよりも狭い場合、混合分離領域２４４は、素子同
士の間のレイジングフィールドの漏洩を防ぐことによっ
て、隣合う素子を光学的に分離する。
【００２４】図４に、本発明に従って、別のレーザアレ
イ３００を示す。レーザアレイ３００は、レーザアレイ
１０及び１００と類似しているが、例えば、GaAs、AlGa
As又は、Gao.5In0.5p 等のｎ形半導体よりなる空乏層３
４６（米国特許第４、７９２、９５８号参照）を含む。
レーザアレイ３００は、第１にエピタキシャル層２２、
２４、２６、２８、３０、３２、３４、３６、及び３８
を基板２０上に成長させることによって形成される。次
に、開口部が、層３８、３６、及び３４を貫通して、エ
ッチング停止層３２に至るまでエッチングされる。ま
た、開口部は、分離領域４４の形成に役立つ。分離領域
４４が形成された後、リブ４０ａ及び４０ｂがエッチン
グによって画定され、エッチングマスクも分離領域４４
の表面上に配される。エッチングマスクが未だ、所定位
置にある状態で、空乏層３４６は、リブ４０ａ及び４０
ｂ並びに露出されたエッチング停止層３２上に選択的に
成長される。エッチングマスクは、リブの頂部及び分離
領域の上のエピタキシャル成長を防止する。従って、エ
ピタキシャル成長は、層３２、３４、３６、及び３８の
露出部分に生じる。
イ３００を示す。レーザアレイ３００は、レーザアレイ
１０及び１００と類似しているが、例えば、GaAs、AlGa
As又は、Gao.5In0.5p 等のｎ形半導体よりなる空乏層３
４６（米国特許第４、７９２、９５８号参照）を含む。
レーザアレイ３００は、第１にエピタキシャル層２２、
２４、２６、２８、３０、３２、３４、３６、及び３８
を基板２０上に成長させることによって形成される。次
に、開口部が、層３８、３６、及び３４を貫通して、エ
ッチング停止層３２に至るまでエッチングされる。ま
た、開口部は、分離領域４４の形成に役立つ。分離領域
４４が形成された後、リブ４０ａ及び４０ｂがエッチン
グによって画定され、エッチングマスクも分離領域４４
の表面上に配される。エッチングマスクが未だ、所定位
置にある状態で、空乏層３４６は、リブ４０ａ及び４０
ｂ並びに露出されたエッチング停止層３２上に選択的に
成長される。エッチングマスクは、リブの頂部及び分離
領域の上のエピタキシャル成長を防止する。従って、エ
ピタキシャル成長は、層３２、３４、３６、及び３８の
露出部分に生じる。
【００２５】空乏層３４６の成長後、エッチングマスク
は、リブの頂部から除去される。金属コンタクト（接
点）５８が基板２０上に形成されると共に、ホトリトグ
ラフィック（光蝕刻）リフトオフ（取り除き）処理を用
いて、別々の金属コンタクト３５４ａ及び３５４ｂが、
リブの頂部及び空乏層３４６上に付着され、各レーザ素
子の個々のアドレス可能性を付与する。ホトリトグラフ
ィックリフトオフ処理は、リフトオフマスクをウェハの
頂部表面に付着することを含む。金属コンタクト３５４
ａ及び３５４ｂだけを残して、リフトオフ（取り除き）
マスクは除去される。
は、リブの頂部から除去される。金属コンタクト（接
点）５８が基板２０上に形成されると共に、ホトリトグ
ラフィック（光蝕刻）リフトオフ（取り除き）処理を用
いて、別々の金属コンタクト３５４ａ及び３５４ｂが、
リブの頂部及び空乏層３４６上に付着され、各レーザ素
子の個々のアドレス可能性を付与する。ホトリトグラフ
ィックリフトオフ処理は、リフトオフマスクをウェハの
頂部表面に付着することを含む。金属コンタクト３５４
ａ及び３５４ｂだけを残して、リフトオフ（取り除き）
マスクは除去される。
【００２６】レーザアレイの最終の組み立ては、ウェハ
をバーに切り離すステップと、前面及び背面のレーザフ
ァセット（面）を被覆するステップと、バーを２つのレ
ーザからなる個々のアレイに分割するステップと、マウ
ント６２に取り付けられる基板と共に各アレイをパッケ
ージ（実装）するステップと、ワイヤを電気コンタクト
に取り付けるステップと、を含む。
をバーに切り離すステップと、前面及び背面のレーザフ
ァセット（面）を被覆するステップと、バーを２つのレ
ーザからなる個々のアレイに分割するステップと、マウ
ント６２に取り付けられる基板と共に各アレイをパッケ
ージ（実装）するステップと、ワイヤを電気コンタクト
に取り付けるステップと、を含む。
【００２７】図４の分離領域４４は、イオン注入及び層
混合のいずれかによって形成されることができる。層混
合の場合、好適な技術は空乏層３４６でｐ−ｎ接合を形
成するために、（先に論述されたｎ形種よりもむし
ろ、）例えばＺn 等のｐ形のドーピングエージェント
（ドーパント）を拡散することを含む。レーザアクティ
ブ層が順バイアスされる時、この接合及びｐ形の層３２
と空乏層３４６の界面で形成される接合は逆バイアスさ
れる。このことは、リブ４０ａ及び４０ｂを介して電流
を効果的に流す。しかしながら、空乏層３４６が過剰成
長する前に、シリコンの拡散領域の一部分が非導電性に
される場合、分離領域４４は、例えばシリコン等のｎ形
の不純物で形成されることができる。分離領域４４がイ
オン注入によって又は、中性類の混合によって形成され
る場合、電子は高い抵抗率のために空乏層３４６から分
離領域４４中へ送り込まれず、電流もリブを介して同様
に流される。
混合のいずれかによって形成されることができる。層混
合の場合、好適な技術は空乏層３４６でｐ−ｎ接合を形
成するために、（先に論述されたｎ形種よりもむし
ろ、）例えばＺn 等のｐ形のドーピングエージェント
（ドーパント）を拡散することを含む。レーザアクティ
ブ層が順バイアスされる時、この接合及びｐ形の層３２
と空乏層３４６の界面で形成される接合は逆バイアスさ
れる。このことは、リブ４０ａ及び４０ｂを介して電流
を効果的に流す。しかしながら、空乏層３４６が過剰成
長する前に、シリコンの拡散領域の一部分が非導電性に
される場合、分離領域４４は、例えばシリコン等のｎ形
の不純物で形成されることができる。分離領域４４がイ
オン注入によって又は、中性類の混合によって形成され
る場合、電子は高い抵抗率のために空乏層３４６から分
離領域４４中へ送り込まれず、電流もリブを介して同様
に流される。
【００２８】レーザ３００は、空乏層３４６がレーザモ
ードの光学的拘束を増加させることによって、レーザア
レイ１０（図１）よりも高い電力出力で単一空間モード
中での動作を可能にするので有利である。レーザアレイ
３００の他の利点は、空乏層３４６がリブの構造的な保
護をすることである。しかしながら、レーザ３００は、
追加のエピタキシャル成長ステップ及び一層のエッチン
グステップを必要とするので、製造が更に複雑化する。
ードの光学的拘束を増加させることによって、レーザア
レイ１０（図１）よりも高い電力出力で単一空間モード
中での動作を可能にするので有利である。レーザアレイ
３００の他の利点は、空乏層３４６がリブの構造的な保
護をすることである。しかしながら、レーザ３００は、
追加のエピタキシャル成長ステップ及び一層のエッチン
グステップを必要とするので、製造が更に複雑化する。
【００２９】図５は、本発明に従ってレーザアレイ４０
０を示す。レーザアレイ４００は、レーザアレイ４００
がGaAsからなるｐ形の層（米国特許第４、７９２、９５
８号参照）から構成されるコンタクト層４４０を含むこ
と以外は、レーザアレイ３００（図４）に非常に類似す
る。レーザアレイ４００は、初めにエピタキシャル層２
２、２４、２６、２８、３０、３２、３４、３６、及び
３８を基板２０上に成長させることによって作られる。
次に、分離領域４４が形成され、そしてリブ４０ａ及び
４０ｂがエッチングによって画定される。次に、（レー
ザアレイ３００と同様に）ｎ形の空乏層３４６が成長さ
れる。空乏層３４６が所定位置にある状態でマスクはリ
ブ４０ａ及び４０ｂの頂部から除去され、そして、コン
タクト層４４０が両方のリブ上に一様に成長される。次
に、金属コンタクト５８は基板上に形成され、そして金
属コンタクト４５４ａ及び４５４ｂを付加するために
（先に論じられた）ホトリトグラフィリフトオフ処理が
用いられる。次に、レーザアレイ４００は、上述された
方法でパッケージされる。
０を示す。レーザアレイ４００は、レーザアレイ４００
がGaAsからなるｐ形の層（米国特許第４、７９２、９５
８号参照）から構成されるコンタクト層４４０を含むこ
と以外は、レーザアレイ３００（図４）に非常に類似す
る。レーザアレイ４００は、初めにエピタキシャル層２
２、２４、２６、２８、３０、３２、３４、３６、及び
３８を基板２０上に成長させることによって作られる。
次に、分離領域４４が形成され、そしてリブ４０ａ及び
４０ｂがエッチングによって画定される。次に、（レー
ザアレイ３００と同様に）ｎ形の空乏層３４６が成長さ
れる。空乏層３４６が所定位置にある状態でマスクはリ
ブ４０ａ及び４０ｂの頂部から除去され、そして、コン
タクト層４４０が両方のリブ上に一様に成長される。次
に、金属コンタクト５８は基板上に形成され、そして金
属コンタクト４５４ａ及び４５４ｂを付加するために
（先に論じられた）ホトリトグラフィリフトオフ処理が
用いられる。次に、レーザアレイ４００は、上述された
方法でパッケージされる。
【００３０】レーザアレイ４００は、２つの理由で特に
有利である。先ず第１に、リブ４０ａ及び４０ｂは、半
導体材料の下で保護される。第２に、コンタクト４５４
ａ及び４５４ｂと、その下側にある半導体層の間の増大
されたコンタクト領域は、先に論じられたレーザアレイ
中の類似のコンタクトよりも少ない接点抵抗を提供す
る。しかしながら、レーザアレイ４００は、３回のエピ
タキシャル成長を必要とする。
有利である。先ず第１に、リブ４０ａ及び４０ｂは、半
導体材料の下で保護される。第２に、コンタクト４５４
ａ及び４５４ｂと、その下側にある半導体層の間の増大
されたコンタクト領域は、先に論じられたレーザアレイ
中の類似のコンタクトよりも少ない接点抵抗を提供す
る。しかしながら、レーザアレイ４００は、３回のエピ
タキシャル成長を必要とする。
【００３１】本発明は、２つよりも多いレーザ素子を有
するモノリシックレーザアレイに適用可能でもある。例
えば、図６は、レーザ素子５１２ａ、５１２ｂ、５１２
ｃ、及び５１２ｄとして示される４つのレイジング素子
を備えるレーザアレイ５００を示す。レーザアレイ５０
０のそれらのレーザ素子、及び分離領域５４４ａ乃至５
４４ｃの構造は、レーザアレイ１０（図１）の対応する
構造と実質的に同一である。
するモノリシックレーザアレイに適用可能でもある。例
えば、図６は、レーザ素子５１２ａ、５１２ｂ、５１２
ｃ、及び５１２ｄとして示される４つのレイジング素子
を備えるレーザアレイ５００を示す。レーザアレイ５０
０のそれらのレーザ素子、及び分離領域５４４ａ乃至５
４４ｃの構造は、レーザアレイ１０（図１）の対応する
構造と実質的に同一である。
【００３２】２つよりも多いレーザ素子からなるレーザ
アレイに伴う問題は、個々のコンタクトをわずかだけ離
間されたレーザ素子に提供するが、一方では電気的及び
熱的なクロストークを回避することである。分離はレー
ザ素子の電気接続部が、他のレーザ素子と交差するの
で、内部のレーザ素子で達成することは特に困難であ
る。レーザアレイ５００は、２つよりも多いわずかだけ
離間されたレーザ素子を備える素子同士の間の少ないク
ロストークを達成するための１技術を組み込む。
アレイに伴う問題は、個々のコンタクトをわずかだけ離
間されたレーザ素子に提供するが、一方では電気的及び
熱的なクロストークを回避することである。分離はレー
ザ素子の電気接続部が、他のレーザ素子と交差するの
で、内部のレーザ素子で達成することは特に困難であ
る。レーザアレイ５００は、２つよりも多いわずかだけ
離間されたレーザ素子を備える素子同士の間の少ないク
ロストークを達成するための１技術を組み込む。
【００３３】レーザアレイ５００において、分離領域５
４４ａ、５４４ｂ、及び５４４ｃ、並びにリブ５４０
ａ、５４０ｂ、５４０ｃ、及び５４０ｄの製造後、絶縁
層５４６は、略プレーナ表面が形成されるように全体の
構造体上に形成される。このプレーナ表面を均一にエッ
チングすることによって、コンタクト窓が、リブ５４０
ａ、５４０ｂ、５４０ｃ、及び５４０ｄ上に開口され
る。コンタクト窓の開口後、リブ５４０ａ、５４０ｂ、
５４０ｃ、及び５４０ｄをエッチングするために用いら
れたエッチングマスクの大部分が除去されるが、後述さ
れるように、全てが除去されるとは限らない。エッチン
グマスクの一部分は、レーザ素子の独立アドレスを可能
にする特別なコンタクトパターンを形成するのに役立つ
所定の位置に残る。或いは、エッチングマスクのこの部
分的な除去は、絶縁層５４６の形成前になされてもよ
い。
４４ａ、５４４ｂ、及び５４４ｃ、並びにリブ５４０
ａ、５４０ｂ、５４０ｃ、及び５４０ｄの製造後、絶縁
層５４６は、略プレーナ表面が形成されるように全体の
構造体上に形成される。このプレーナ表面を均一にエッ
チングすることによって、コンタクト窓が、リブ５４０
ａ、５４０ｂ、５４０ｃ、及び５４０ｄ上に開口され
る。コンタクト窓の開口後、リブ５４０ａ、５４０ｂ、
５４０ｃ、及び５４０ｄをエッチングするために用いら
れたエッチングマスクの大部分が除去されるが、後述さ
れるように、全てが除去されるとは限らない。エッチン
グマスクの一部分は、レーザ素子の独立アドレスを可能
にする特別なコンタクトパターンを形成するのに役立つ
所定の位置に残る。或いは、エッチングマスクのこの部
分的な除去は、絶縁層５４６の形成前になされてもよ
い。
【００３４】特別なコンタクトパターン５５０は、図７
の斜線で示されている。リブのエッチング後に除去され
ない先に説明されたエッチングマスクは、クロスオーバ
領域５６２及び５６４にあたる。次に、リフトオフマス
クは、絶縁層５４６及びリブ５４０ａ乃至５４０ｄの上
に配される。次に、電気コンタクトパターン５５０は、
リフトオフマスクの上に Cr-Au二重膜をメタライズ（金
属処理）することによって形成される。そして、リフト
オフ層は斜線で示されるメタリック（金属）層を残し
て、除去さる。
の斜線で示されている。リブのエッチング後に除去され
ない先に説明されたエッチングマスクは、クロスオーバ
領域５６２及び５６４にあたる。次に、リフトオフマス
クは、絶縁層５４６及びリブ５４０ａ乃至５４０ｄの上
に配される。次に、電気コンタクトパターン５５０は、
リフトオフマスクの上に Cr-Au二重膜をメタライズ（金
属処理）することによって形成される。そして、リフト
オフ層は斜線で示されるメタリック（金属）層を残し
て、除去さる。
【００３５】その結果生じるメタライズパターンは、レ
ーザ素子５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、及び５１２ｄ
に対して、４つのレーザコンタクト５８０ａ、５８０
ｂ、５８０ｃ、及び５８０ｄをそれぞれ含む。レーザコ
ンタクト５８０ａ、５８０ｂ、５８０ｃ、及び５８０ｄ
は、外部ワイヤの取り付けのために対応のボンディング
（接合）パッド５８２ａ、５８２ｂ、５８２ｃ、及び５
８２ｄを有する。ボンディングパッドは、絶縁層５４６
上に配されてもよいし、又は、層３８、３６、及び３４
の未エッチング領域上に配されてもよく、陽子で衝撃さ
れる又は絶縁層で被覆され、ボンディングパッドを下側
にある半導体層から電気的に絶縁する。外側のボンディ
ングパッド５８２ａ及び５８２ｄは、分岐コンタクト５
８０ａ及び５８０ｄと、それぞれ接続する。内側のボン
ディングパッド５８２ｂ及び５８２ｃは、金属接続ブリ
ッジ５９２及び５９４を介してコンタクト５８０ｂ及び
５８０ｃと、それぞれ接続する。
ーザ素子５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、及び５１２ｄ
に対して、４つのレーザコンタクト５８０ａ、５８０
ｂ、５８０ｃ、及び５８０ｄをそれぞれ含む。レーザコ
ンタクト５８０ａ、５８０ｂ、５８０ｃ、及び５８０ｄ
は、外部ワイヤの取り付けのために対応のボンディング
（接合）パッド５８２ａ、５８２ｂ、５８２ｃ、及び５
８２ｄを有する。ボンディングパッドは、絶縁層５４６
上に配されてもよいし、又は、層３８、３６、及び３４
の未エッチング領域上に配されてもよく、陽子で衝撃さ
れる又は絶縁層で被覆され、ボンディングパッドを下側
にある半導体層から電気的に絶縁する。外側のボンディ
ングパッド５８２ａ及び５８２ｄは、分岐コンタクト５
８０ａ及び５８０ｄと、それぞれ接続する。内側のボン
ディングパッド５８２ｂ及び５８２ｃは、金属接続ブリ
ッジ５９２及び５９４を介してコンタクト５８０ｂ及び
５８０ｃと、それぞれ接続する。
【００３６】接続ブリッジ５９２及び５９４は、クロス
オーバ領域５６２及び５６４の上にかかる。従って、接
続ブリッジは、レーザ素子５１２ａ及び５１２ｄから残
留エッチングマスクによって、絶縁される。
オーバ領域５６２及び５６４の上にかかる。従って、接
続ブリッジは、レーザ素子５１２ａ及び５１２ｄから残
留エッチングマスクによって、絶縁される。
【００３７】コンタクト５８０ａ及び５８０ｄを形成
後、金属コンタクト５８が基板上に形成される。構造体
が上に形成されたウェハは、レーザアレイのバーへ切り
離される。次に、前面及び背面のファセットは、被覆さ
れ、バーは、４つのレーザ素子からなるレーザの個々の
アレイ５００へ分割され、そして、各レーザアレイがマ
ウント６２に取り付けられる基板と共にパッケージされ
る。最終的に、ワイヤが露出されたボンディングパッド
５８２ａ、５８２ｂ、５８２ｃ、及び５８２ｄへ取り付
けられる。
後、金属コンタクト５８が基板上に形成される。構造体
が上に形成されたウェハは、レーザアレイのバーへ切り
離される。次に、前面及び背面のファセットは、被覆さ
れ、バーは、４つのレーザ素子からなるレーザの個々の
アレイ５００へ分割され、そして、各レーザアレイがマ
ウント６２に取り付けられる基板と共にパッケージされ
る。最終的に、ワイヤが露出されたボンディングパッド
５８２ａ、５８２ｂ、５８２ｃ、及び５８２ｄへ取り付
けられる。
【００３８】
【発明の効果】本発明は、分離領域を用いることによっ
て、わずかだけ離間された、独立してアドレス可能な半
導体レーザのモノリシックアレイの、熱的、電気的、及
び光学的なクロストークを減少する。
て、わずかだけ離間された、独立してアドレス可能な半
導体レーザのモノリシックアレイの、熱的、電気的、及
び光学的なクロストークを減少する。
【図１】第１実施例の２つのレーザ素子を有する半導体
レーザアレイの断面図。
レーザアレイの断面図。
【図２】アクティブ多層を貫通して延出する分離部分を
有する図１の半導体アレイの断面図。
有する図１の半導体アレイの断面図。
【図３】拡散（ディフュージョン）によって形成された
分離部分を有する図１の半導体アレイの断面図。
分離部分を有する図１の半導体アレイの断面図。
【図４】第２実施例の２つのレーザ素子を有する半導体
レーザアレイの断面図。
レーザアレイの断面図。
【図５】第３実施例の２つのレーザ素子を有する半導体
レーザアレイの断面図。
レーザアレイの断面図。
【図６】第４実施例の４つのレーザ素子を有する半導体
レーザアレイの断面図。
レーザアレイの断面図。
【図７】図４のレーザアレイの平面図であり、特に４つ
のレーザ素子と独立して接触すると共に、図６の実施例
の４つのレーザ素子をアドレスするための金属コンタク
トのジオメトリー（形状）を示す。
のレーザ素子と独立して接触すると共に、図６の実施例
の４つのレーザ素子をアドレスするための金属コンタク
トのジオメトリー（形状）を示す。
１２ａ レーザ素子 １２ｂ レーザ素子 ２０ 基板 ４０ａ リブ ４０ｂ リブ ４４ 分離領域
Claims (1)
- 【請求項１】 モノリシック半導体発光アレイであっ
て、 第１及び第２の表面を有するドープ処理された半導体基
板と、 前記基板の前記第１表面上にあると共に、前記基板とは
反対側の第３表面を有する多層構造体であって、前記基
板と同じ導電形を有する第１の半導体拘束層と、反対の
導電形を有する第２の半導体拘束層と、を含み、更に、
前記第１及び第２の半導体拘束層間に介在すると共に、
前記第１及び第２の拘束層よりも小さなバンドギャップ
を有する光を生成するためのアクティブ半導体層を含
む、前記多層構造体と、 前記多層構造体の少なくとも１つの層中に形成された複
数の横方向の光導波路と、 前記第３表面上の複数のアドレス電極であって、各々が
前記光導波路の１つと対応される前記アドレス電極と、 前記光導波路の内の２つの間にあり、前記２つの光導波
路を電気的に分離するための２つの分離領域と、 前記基板の前記第２の表面上の共通電極であって、前記
アドレス電極の各々に対応される光導波路を介して電流
の流れを可能にするように、前記アドレス電極の各々と
共働する前記共通電極と、 を備えるモノリシック半導体発光アレイ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US4989893A | 1993-04-20 | 1993-04-20 | |
| US08/049898 | 1993-04-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326419A true JPH06326419A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=21962328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6073633A Pending JPH06326419A (ja) | 1993-04-20 | 1994-04-12 | モノリシック半導体発光アレイ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5497391A (ja) |
| JP (1) | JPH06326419A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003023915A3 (en) * | 2001-09-10 | 2003-12-24 | Altitun Ab | Tunable electro-absorption modulator and tunable laser |
| JP2009164640A (ja) * | 1997-08-29 | 2009-07-23 | Xerox Corp | エッジエミッティングレーザのモノリシックアレイ |
| JP2019169584A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5832019A (en) * | 1994-11-28 | 1998-11-03 | Xerox Corporation | Index guided semiconductor laser biode with shallow selective IILD |
| US5699375A (en) * | 1996-07-08 | 1997-12-16 | Xerox Corporation | Multiple wavelength, surface emitting laser with broad bandwidth distributed Bragg reflectors |
| US5742631A (en) * | 1996-07-26 | 1998-04-21 | Xerox Corporation | Independently-addressable monolithic laser arrays |
| US6327289B1 (en) | 1997-09-02 | 2001-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wavelength-variable semiconductor laser, optical integrated device utilizing the same, and production method thereof |
| US6295307B1 (en) | 1997-10-14 | 2001-09-25 | Decade Products, Inc. | Laser diode assembly |
| US6553044B1 (en) * | 1998-10-20 | 2003-04-22 | Quantum Devices, Inc. | Method and apparatus for reducing electrical and thermal crosstalk of a laser array |
| US6744800B1 (en) * | 1998-12-30 | 2004-06-01 | Xerox Corporation | Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate |
| EP1247316A4 (en) * | 1999-11-12 | 2006-01-04 | Trumpf Photonics Inc | CONTROL OF ELECTRICAL DISTRIBUTION IN SEMICONDUCTOR LASER DIODES |
| US6678301B1 (en) * | 2000-07-14 | 2004-01-13 | Triquint Technology Holding Co. | Apparatus and method for minimizing wavelength chirp of laser devices |
| JP2002164622A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-06-07 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体光素子 |
| US6603498B1 (en) | 2000-11-28 | 2003-08-05 | Coherent, Inc. | Printer head with linear array of individually addressable diode-lasers |
| US6927086B2 (en) * | 2002-09-24 | 2005-08-09 | Decade Products, Inc. | Method and apparatus for laser diode assembly and array |
| JP5028640B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2012-09-19 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| GB2414214B (en) * | 2004-05-19 | 2008-01-09 | Intense Photonics Ltd | Printing with laser activation |
| US7864825B2 (en) * | 2006-08-10 | 2011-01-04 | Lasertel, Inc. | Method and system for a laser diode bar array assembly |
| WO2009051903A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Method for manufacturing multiple layers of waveguides |
| US8259770B2 (en) * | 2009-10-11 | 2012-09-04 | Hewlett-Packard Indigo B.V. | Laser array |
| US11025031B2 (en) | 2016-11-29 | 2021-06-01 | Leonardo Electronics Us Inc. | Dual junction fiber-coupled laser diode and related methods |
| EP3673545B1 (en) * | 2017-08-22 | 2024-01-03 | Princeton Optronics, Inc. | Multilayer conductor interconnects for high density light emitter arrays |
| US11406004B2 (en) | 2018-08-13 | 2022-08-02 | Leonardo Electronics Us Inc. | Use of metal-core printed circuit board (PCB) for generation of ultra-narrow, high-current pulse driver |
| US11056854B2 (en) | 2018-08-14 | 2021-07-06 | Leonardo Electronics Us Inc. | Laser assembly and related methods |
| US11296481B2 (en) | 2019-01-09 | 2022-04-05 | Leonardo Electronics Us Inc. | Divergence reshaping array |
| US11752571B1 (en) | 2019-06-07 | 2023-09-12 | Leonardo Electronics Us Inc. | Coherent beam coupler |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3936322A (en) * | 1974-07-29 | 1976-02-03 | International Business Machines Corporation | Method of making a double heterojunction diode laser |
| US4069463A (en) * | 1976-09-02 | 1978-01-17 | International Business Machines Corporation | Injection laser array |
| JPS5796583A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-15 | Canon Inc | Semiconductor laser with plurality of light source |
| JPS61214591A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
| JP2780981B2 (ja) * | 1988-06-27 | 1998-07-30 | 三菱電機株式会社 | 多点発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
| US4870652A (en) * | 1988-07-08 | 1989-09-26 | Xerox Corporation | Monolithic high density arrays of independently addressable semiconductor laser sources |
| JPH03225985A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-04 | Victor Co Of Japan Ltd | 屈折率導波型半導体レーザ装置 |
| JP2536277B2 (ja) * | 1990-11-21 | 1996-09-18 | 三菱電機株式会社 | 可視光レ―ザの製造方法 |
-
1994
- 1994-04-12 JP JP6073633A patent/JPH06326419A/ja active Pending
- 1994-09-19 US US08/308,877 patent/US5497391A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009164640A (ja) * | 1997-08-29 | 2009-07-23 | Xerox Corp | エッジエミッティングレーザのモノリシックアレイ |
| WO2003023915A3 (en) * | 2001-09-10 | 2003-12-24 | Altitun Ab | Tunable electro-absorption modulator and tunable laser |
| JP2019169584A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5497391A (en) | 1996-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06326419A (ja) | モノリシック半導体発光アレイ | |
| US4870652A (en) | Monolithic high density arrays of independently addressable semiconductor laser sources | |
| US5699375A (en) | Multiple wavelength, surface emitting laser with broad bandwidth distributed Bragg reflectors | |
| US6222866B1 (en) | Surface emitting semiconductor laser, its producing method and surface emitting semiconductor laser array | |
| US5031187A (en) | Planar array of vertical-cavity, surface-emitting lasers | |
| US5701321A (en) | Semiconductor laser producing short wavelength light | |
| US5266503A (en) | Method of making a surface emitting laser with oxygen ion implants followed by epitaxial regrowth | |
| JP3339709B2 (ja) | 温度安定化発光ダイオード構造 | |
| JPH06120614A (ja) | 多ビーム半導体量子井戸レーザ | |
| US6990134B2 (en) | GaN series surface-emitting laser diode having spacer for effective diffusion of holes between P-type electrode and active layer, and method for manufacturing the same | |
| US5513200A (en) | Monolithic array of independently addressable diode lasers | |
| JPH04225588A (ja) | 半導体レーザ構造体 | |
| JPH04218991A (ja) | 分離導波管を有する多重波長ｐ−ｎ接合半導体 | |
| US5138624A (en) | Multiwavelength LED and laser diode optical source | |
| JPH11145567A (ja) | 半導体レーザアレー | |
| US5071786A (en) | Method of making multiple wavelength p-n junction semiconductor laser with separated waveguides | |
| KR100323237B1 (ko) | 구동회로의변동을억제할수있는발광반도체소자 | |
| JPH06326420A (ja) | モノリシックレーザアレイ | |
| JP2000261029A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPS59104188A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0864899A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法，および半導体レーザ装置 | |
| JPS6214488A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPH027581A (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
| JP3358197B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS61139082A (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030617 |