JPS59104188A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体レーザ装置、特にレーザ共振器軸が結
晶主面に対して垂直をなす縦型半導体レーザ装置に関す
る。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

半導体レーザ装置は極めて小型軽仙で高効率低消費電力
のレーザとして近年光通信用光源、ビデ半導体レーザ装
置として代表的なｆｌａＡＩＡｓレーザを第１図に示す
。このレーザはｎ型ｆｌａＡｓ基板（１）上にｎ型Ｇａ
　（Ｌ　？　Ａｔｏ、＠　Ａｓクラッド層（２）、ｎ型
ｎａＡｓ活性層（３）、ｎ型Ｇａ　Ｏ，？　ＡＬＯｏｓ
　Ａｓクラッド層（４）、ｐ型ｆｌａＡｓコンタクト層
（５）を液相エピタキシャル成長法を用いて積層し、２
型（’）ａＡｓコンタクト層（５）上に電流狭さくのだ
めの絶縁膜として８ｉ０２膜１１）　、　ｌｉ３を形成
し、さらにこの上にクロムと金の二層からなるｐ型領域
電極（７）を蒸着してストライプ電極構造とし、ｉ型ｆ
ｌａＡｓ基板（１）には金ゲルマニウム合金を蒸着して
ｎ型領域電極（８）をおいたものである。このようなス
トライプ電極構造のダブルへテロ構造（ＤＴ（）レーザ
では、普通レーザ共１辰器の軸方向ＸＸは、結晶主面法
線ＹＹに対して垂直方向をとるように形成されている。

このことは、結晶主面に平行にダブルへテロ構造を構成
する各層を成長させ、光導波路構造を形成し、結晶主面
に垂直な端面、すなわち骨開面をレーザ共振器反射面と
して用いるフ了ブリーイロー型レーザとして形成されて
いるからである。

結晶の骨間面を用いるレーザは実用性に富むものである
が、この種のレーザには生産性が極めて悪い欠点がある
。すなわち骨間面を用いるレーザでは、多数のレーザ素
子が形成されたウェハを骨間して個別素子にバラバラに
するまえに素子特性の評価をすることができないからで
ある。まだ骨間面を用いるレーザでは二次元のレーザア
レイをモノリシックに形成することはできない。

レーザ共振器軸を結晶主面に対して平行となるように形
成した半導体レーザ装置でも、骨間面ではなくエツチン
グによって形成した結晶端面を反射面として使用するレ
ーザや、結晶主面に平行な面の一部に回折格子を形成し
、この回折格子によるブラック反射を利用してレーザ発
振をさせるデイストリブユーテイツドフィードバックＣ
ＤＦＢ）レーザの場合には、同一基板上に二次元的なレ
ーザアレイを構成すること１ｄ０Ｔ能であるように思わ
れる。しかし基板面に平行な方向にレーザ光が放射され
るような構造である限り、このレーザ光を基板面に垂直
方向から取り出すことは容易でなく、実際にはこうした
レーザを用いて二次元的レーザアレイを構成することは
難しいのである。

こうした点に鑑み、近年結晶表面をレーザ共振器反射面
として用いる形式の、すなわちレーザ共振器軸が結晶主
面に対して要部をなすように構成された縦型レーザが開
発された。第２図はこのレーザ例の断面図である。この
レーザにおいては０．５μｍ厚のｎ型（’）ａ　６．ｙ
　ｋｔｏ、　ｇ　Ａ　ｓ層（１，０１）、　３１１ｍ厚
のｎ型（’）ａ　Ａ　ｓ活性層０υおよび０．５μｍ厚
のｎ型ｎａｏ、７Ａｔｏ、ｓＡｓ層（１０２）とからな
るＴ）Ｈ構造が形成され、さらにｎ型ｆｌａ６．７　ｋ
１６．３人Ｓ層（１０１）上に形成されだＳｒ　０２絶
縁膜（９）を一部３μｍ径の円形に開孔し、開孔部から
Ｚｎ拡散を行いｎ型ｆｌａ　６．７　ｋｔｏ、　Ｂ　Ａ
ｓ層（１０１）の一部をｐ型に転換させ拡散領域０力を
形成しである。ｎ型領域電極（力およびｎ型領域電極（
８）間に順方向電圧を印加するとき、電流注入は拡散領
域（１３からのみなされるため、ｎ型ｆｌａＡｓ活性層
０１）のうち窓領域（１つの直上部分のみが選択的に励
起されることになる。

とのレーザの場合、励起されている活性領域径が３μｍ
と極めて狭く、ヘテロ接合面に水平方向に伝幡するモー
ドは窓領域（１２１の外側では大きな損失を受けるため
レーザ発振することができない。この点は第１図のレー
ザの場合と異なる点である。第２図のレーザの場合、窓
領域（１３１１直上の活性層はほぼ均一に励起されるた
め、ヘテロ接合面に垂直方向に伝幡するモードの損失は
少なく、接合面に垂直方向を共眼軸ＸＸとするレーザ発
振を示すことになる。この種のレーザの場合には、結晶
主面がレーザ反射面となっているため、同一基板上に多
数の個別素子が形成されていても、個別素子に分離する
ことなく個々の素子の特性チェックを行う仁とが出来、
また二次元的にレーザが配列されたレーザアレイを作成
することも容易である。

しかし結晶主面を反射面とするこのような縦型レーザで
は室温でＣＷ共振するものは得られておらず、単に７７
°にでパルスで発振するものが知られているのみである
。このことは、現状の縦型レーザがレーザ利得を充分に
得させていないことによる。レーザ利得を大きく得させ
るだめには、注入電流によって励起されている活性層の
厚さをできるだけ厚くすれば良いことになる。しかし第
２図のような縦型レーザでは、活性層を厚くしてもレー
ザ利得は増えず、むしろ励起されない活性層が増える分
だけ、吸収損失を逆に増加させてしまう。

すなわちＧａＡＩＡ　ａ等の半導体レーザ装置の場合、
注入キャリアの拡散長は数μｍ程度であるから、結晶主
面に平行にｐｎ接合が形成されているかぎり、活性層厚
さをいくら厚くしてもキャリアの拡散長以上の活性層は
励起されないことになる１、このように縦型レーザでは
、活性層を厚くしてレーザ利得を大きくすることが難し
い点から、レーザ利得をできるだけ大きくするだめに、
活性層に極めて高水準の電流注入をすることが必要とな
る。しかしこのようにすると電流注入による単位体積あ
たりの発熱が非常に大きくなり、したがつて、活性層温
度の上昇が著しくなり、罰発振させることが難しくなる
。そこで、無効な電流を少くし、無駄な発熱を抑えなけ
ればならない。第２図に示すような従来の縦型レーザの
場合、活性層に注入されるキャリアは、ｐ−”接合部に
おいては狭搾されているが、活性層内部においては、キ
ャリアの横方向への拡散を抑制する障壁が特にないため
、キャリアの狭搾効果は小さく、無効電流を充分小さく
することができない。

共振器長が特に短かい縦型レーザの場合に問題となると
とは、フィラメンタリ−発振が発生しやすい点である。

共振器長に比較して共振器断面が大であるレーザの場合
には、共振器断面における屈折率分布が、その−！ま共
振器断面の各部分での共振器長分布となって現われるか
らである。結晶組成の分布、各層の結晶厚さ、励起密度
分布等が屈折率分布を生じさせる原因となる。したがっ
て共振が短かくなる縦型レーザの場合には、共振器断面
をできるだけ小さく、かつ横モードを充分制御し得る作
シつけ導波路構造とすることが必要になる。

〔発明の目的〕

この発明は上記従来の縦型半導体レーザ装置の欠点を除
くもので、電流閉じ込めと勘案された横モード制御を適
用する改良された縦型半導体レーザを提供するにある。

〔発明の概要〕

即ちこの発明はレーザ共振器軸方向が、結晶主面に対し
て垂直方向に形成される型の半導体レーザ装置に於いて
、活性層がレーザ共振器軸に垂直な断面上でその周囲を
活性層よりもバンドギャップを広くし屈折率を小にする
半導体結晶からなる埋め込み層によって取り囲まれてお
り、且つこの埋め込み層は、ｎ型領域と、注入電流流路
を活性層分布域の側周面の一部からこの活性層内に向け
るように前記側周面の一部に沿い主面に垂直方向に分布
するｐ型領域とを備えているものである半導体レーザ装
置にある。

従ってレーザ共振器軸方向が結晶主面に対して垂直方向
となるよう構成される縦型半導体レーザの活性層を埋め
込み構造とし、かつこの埋め込み層にｐ型領域とｎ型領
域とを分布させ、活性層への電流注入を、分布させたこ
れ等両領域を通して行わせるものである。この半導体レ
ーザ装置の活性層及び埋め込み層は基板結晶上に形成し
たエピタキシャル結晶成長層を適用する。そしてレーザ
共振器に必要な反射面には結晶成長面を用いるため、レ
ーザ共振器軸は結晶成長面、すなわち結晶主面に対し垂
直となる。それ放縦型半導体レーザであるが、活性層を
含むエピタキシャル結晶成長層は一部を残して除去され
、さらに除去部分には活性層よりもバンドキャップが広
く、かつ屈折率の小さな半導体結晶が活性層を埋め込む
ように形成されている。この埋め込み構造により、結晶
主面に垂直方向を軸とする光導波路が形成され、光導波
路中に活性層が埋め込まれた形をとることになる。活性
層を取り囲む埋め込み層は、少くともｎ型導電層とｎ型
導電層とを備えており、活性層はｎ型埋め込み層とｎ型
埋め込み層の間に位置している。このような構造をとる
ことにより、ｎ型埋め込み層とｎ型埋め込み層上のそれ
ぞれに形成した電極を通して順方向電圧を印加したとき
、電流は主としてバンドギャップが狭くしたがって電位
障壁高さの小さい活性層を通して流れるとととなる。

つまりこの発明では縦型レーザをいわゆる埋め込み構造
とする他、一方の導電型即め込み層に他方の導電型を決
定する不純物イオンを選択的に拡散するか、打ち込むか
、或いは結晶成長を繰返すことによって埋め込み層の一
部の導電型を異ならせ、活性層の横方向から電流注入を
行わせるようにしているものである。

この装置は以下のようにして得られる。まず通常の半導
体レーザの場合と同様に基板結晶上に多層積層を結晶成
長させた後、結晶成長層の一部を柱状に残すようにエツ
チングし、ついで柱状部結晶中に含まれる活性層よりも
禁制帯幅の広い結晶を成長させて柱状部を埋め込み、次
に埋め込まれた柱状部分に沿う埋め込み層の一部を反対
の導電型に転換するための選択的不純物拡散もしくは選
択的イオン打ち込みを行う。導電型を転換した埋め込み
層の部分に一方の電極を、もともとの導電型の埋め込み
層上もしくは、これと同一導電型の結晶領域の一部に他
方の電極をそれぞれ形成し、両電極間に順方向電圧を印
加するとき、埋め込み層間のｐｎ接合のつくりつけ電位
障壁よりも、活性層と埋め込み層間のｐｎ接合、もしく
は活性層内部のｐｎ接合につくりつけられた電圧障壁の
方が低いため、順方向電流の大部分は活性層を通して流
れることになる。ｐｎ接合は活性層の厚さ方向に対して
延在し、活性層に対して横方向から電流注入が行われる
。また、埋め込み層の屈折率はバンドギャップの関係か
ら、活性層の屈折率よりも小さくなっているだめ、柱状
部に光を閉じ込めようとするつくりつけ光導波路が形成
されることになる。

このつくりつけ導波路により横モードが制御される。

〔発明の実施例〕

以下に実施例について述べる。

（１）　　この例はｆｌａＡｔＡｓ半導体レーザ装置で
あって、その要部について断面を第３図に示す。この装
置はｎ型（’）ａＡｓ活性層０υをｎ型ｆｌａ　６．７
　Ａｔ６，３　Ａ　ｓ層（１０１）。

（１０２）でサンドイッチしたところのダブルへテロ構
造を形成している。このダブルへテロ構造に含まれてい
るｎ型ｆｌａＡｓ活性層（Ｉｌｌは、ｎ型ｎａＡｓ活性
層（１１（よりもバンドギャップを広くかつ屈折率を小
にするｎ型（）ａｏ、？　Ａ／−０，３Ａｓ埋め込み層
（１３）と、このｎ型ｆｌａ　ｏ、７　Ａｔ６，３　Ａ
　ｓ埋め込み層α漕の一部をＺｎ拡散を行ってｎ型領域
に転換させたｎ型Ｇａ６，７Ａｔ６，３　Ａｓ埋め込み
層（１５１とによってその側周面を取り囲まれている。

ｎ型ｎａ６．−Ｉ　Ａｔｏ、ｇ　Ａｓ層（１３１上のｎ
型ｆｌａＡｓコンタクト層圓とｎ型Ｇａ６４　ｋ４１．
Ｂ　Ａｓ層（１■上のｐ型（１ａＡｓコンタクト層（１
ｂ）は、それぞれｎ型領域のオーミック接触、ｎ型領域
のオーミック接触を良好にするだめのものであり、ｎ型
ｎａＡｓコンタクト層（１４１上にはｎ型領域電極（８
）が、ｐ型ｎａ　Ａｓコンタクト層（１６）上にはｎ型
領域電極（７）が形成されている。ここでｎ型ｆｌａＡ
ｓ活性層１１Ｊの厚さは１０μｍ１埋め込オれたｎ型ｆ
ｌａＡｓ活性層αυの直径は３μｍである。

この第３図例装置について製造順に述べる。まず、第４
図イのごと（ｎａｋｓ基板（１）上にｎ型Ｇａ６，７　
Ａｔｏ、３　Ａｓクラッド層（１０１）を０．５μｍ、
　　ｎ型ｆｌａＡｓ活性層旧）を１０／Ｚｍ％　ｎ型ｆ
ｌａ　（１，７Ａｔ６．Ｂ　Ａｓクラッド層（１０２）
を０．５μｍ順次結晶成長させる。次に表面のソ ｎ型ｎａ　６，７　Ａｔ６．Ｂ　Ａ　ｓクラッド層（１
０２）上にフォトＩＪ　ｙグラフィー技術を用いてレジ
ストマスクを形成し、第４図口のように直径３μｍの柱
状部分明を残して基板（１）に到る深さのエツチングを
行う。このエツチングには垂直壁面をもつメサ形成が可
能な反応性イオンエツチング技術を用い、Ｃ４４トＣｔ
、ノ混合ガスをエツチングガスとし、異方性の強いエツ
チング条件で行う。次にメサエッチングを終了したウェ
ハ上のフォトレジストマスクを除去した後、液相エピタ
キシャル成長法により、二度目の結晶成長を行い、柱状
部分ＱＦＱをｎ型ｎａＯ，？　Ａｔ６．ｓ　Ａｓ　（１
３１で埋め込みひき続いてｎ型ｆｌａＡｓコンタクト層
＋１４１を成長させる。第４図ハにこの状態を示す。次
に結晶表面に選択Ｚｎ拡散マスクとなるＡｔ、０３膜を
１５００又と８ｉ０１膜５００Ｘをスパッタ蒸着し、つ
いでｎ型ｆｌａ６，７　Ａｔ（１，３ＡＳ　Ｗめ込み層
（１３の一部に選択的にＺｎ拡散を行うべく、ｈｔ、ｏ
、とｓｉｏ、の二層膜の一部をエツチング除去し、窓領
域を形成する。この際開窓位置は選択Ｚｎ拡散後におい
てそのフロントが、はぼ活性層の側周面に来るようにす
るのが良い。

次にアルシンガス雰囲気中でジエチル亜鉛を渾鉛拡散源
として７００℃で１０時間熱処理し’Ａｎ　　拡散を行
い、第４Ｎ；に示すようにｎ型領域りを形成する。Ａｔ
、０３と８＋０２の二層膜を除去した後、Ｚｎ拡散を行
った領域Ｕ上にはｎ型領域電極（力としてクロム−金を
蒸着し、ｎ型領域電極（８）として埋め込み層上にＡｓ
　−Ｇｅ合金を蒸着し、４５０℃で５分間熱処理する。

第４図ホにこの状態を示す。

ｎａｐｓ基板は、レーザ光に対して強い吸収体となるた
め第４図へのように柱状部１ｊＪ直下のｆｌａＡｓ基板
結晶（１１）をエツチング除去する。この基板結晶の除
去は、Ｔｎ（’）ａＡｓｐ　／　Ｔｎｐレーザの場合の
ように基板結晶が活性層の発光に対して透明の場合には
、必要ない。

この装置に対してＰｎ各型領域電極間に順方向電圧を印
加する時、第３図に示すようにＰｎ接合０ηは活性層の
深さ方向に延在するため、活性層の両側からキャリアが
注入されることになる。活性層のバンドギャップは埋め
込み層のそれよりも小さいため、ｐｎ接合に付随したつ
くりつけ電位障壁は、埋め込み潤度のｐ型ｆｌａ６，７
　Ａｔｏ、ｓ　Ａｓ領域１とｎ型ｎａ６，７　Ａｔ６，
３　Ａｓ領域との間、埋め込み層とクラッド層間のｐ型
ｆｌａ６，７　Ａｔ６４　Ａｓ領域とｎ型ｆｌａ６４　
Ａ４　Ｂ　Ａｓ領域との間とを比較すると、埋め込み層
と活性層との間即ちｐ型（’）ａ　ｏ、７　Ａ−１６，
３Ａｓ領域とｎ型Ｇａ０．、１１６．Ｂ　Ａ４層の間で
最も小さくなるため注入電流は埋め込み層と活性層との
間の境界を通して効率良く活性層を流れることになる。

クラッド層がｐ型ｎａ　ｉｌｌ、？　ｉｌｌ３．ｓ　Ａ
　ｓ層である場合には、ｐ型Ｇａａ、？ＡＬａ、Ｂ　Ａ
ｓ領域とｎ型Ｇａｏ、ｑ　Ａｔ６，３　Ａｓ活性層境界
からも電流は流入されることになるが、注入されたキャ
リアが最もバンドギャップの狭い活性層に閉じ込められ
ることに変りはない。埋め込み層の一部をｐ型に転換す
るだめのＺｎ拡散のフロントは埋め込み層と活性層の境
界に厳密に制御することは必要ない。

少数キャリアの拡散長以下の０．５μｍ以下であれば、
拡散フロントが埋め込み層と活性層の境界の手前にあっ
ても拡散フロントが活性層を突きぬけ埋め込み層と活性
層の境界より埋め込み層側にずれ込んでもかまわない。

また拡散フロントが活性層の内部に形成されても注入キ
ャリアの閉じ込めは有効になされる。

この例におけるｆｌａＡｔＡｓレーザの室温における発
振しきい値は、１０ｍＡで極めて低いものである。

これは、電流狭さくが有効になされ、活性層が均一に励
起されたことにもとづいている。

第３図実施例においては活性層はｎ型導電体であるが、
反対のｐ型溝電体のものであってもさし支えはなく、同
様の効果が期待できる。さらには活性層をサンドイッチ
するｎ型（’）ａｏ、７　Ａｌｎ、ｓ　Ａｓ層（１０１
）　、　（１０２）も反対導電型のｐ型ｆｌａ。、、λ
１６．Ｂｋｓ層であっても良い。これは活性層の導電型
に関係しない。また活性層はＧａＡｓである必要はなし
ｆｌａｇ−ｘＡ４ＨＡｓ層（Ｘ＞０）であっても良い。

（２）活性層を含む柱状部分（１樽の構造は種々変更で
きる。第５図は活性層であるｎ型ｆｌａＡｓ層（１１１
）とブラッド層ｎ型Ｇａａ、ｔ　ｋ４３Ａｓ層（２１と
を交互に積層したものである。特にレーザ光の筒内波長
の整数倍に等しい周期で活性層とクラッド層を積層した
ものでは、ペテロ界面で反射が起こり、これを回折格子
とするＤＦＢ（デイストリブユーライツドフイード／２
ツク）効果を発生させることができる。

回折格子の次数、格子数あるいは組成を変えれば第３図
のファプリーにロー型共振器のレーザよシ、等測的反射
率を上げることができ結果としてしきい値電流を低下で
きる。また端面反射率を上げてしきい値を下げる点では
、第３図のファプリーぼる。

第５図例は活性層を多層に分割し、ＤＦＢ効果をもたせ
た特別な場合であるが、必ずしもＤＦＢ効果をもたせる
必要はない。このような場合には、活性層の組成や厚み
、また、活性層をサンドイッチする各層の組成や厚みは
層毎に異なっていても良い。まだ、活性層をサンドイッ
チする層の導電型は活性層と同一であっても異っていて
も良いし、活性層及び活性層をサンドイッチする層共に
各層毎に導電型が異っていても良い。活性層の厚みや幅
の長さが少数キャリアの拡散長よりも短かい場合には、
導電型によらずバンドギャップの狭い層を通して注入電
流は流れることになる。

また、活性層を数１００＾の非常に厚みの薄いバンドギ
ャップの広い層と狭い層とを交互に積層させたものとし
、伝導帯や価電子帯の準位に量子化効果が生じるように
した量子井戸構造としても良い。この構造は縦型レーザ
の温度依存性を小さくし、短波長発振を得るのに適して
いる。

上述の実施例においては埋め込み層にｐ型領域とｎ型領
域とを形成する方法としてｎ型埋め込み層にＺｎを拡散
してｎ型も理め込み層をｐ型に転換する方法を用いたが
、この方法のみならず、イオン注入技術を用いてｎ型埋
め込み層をｐ型に転換しても良いし、一様に形成したｎ
型埋め込み層の一部をエツチング除去し、除去部分にｎ
型埋め込み層を結晶成長してｎ型領域とｐ型領域を備え
た埋め込み層を形成しても良い。

以上本発明はｆｌａＡｔＡｓ　／　ｆｌａ　Ａｓレーザ
以外にも適用し得ることは明らかである。

〔発明の効呆〕

この発明の縦型半導体レーザでは活性層の厚さが例えば
１０μｍの厚さであっても活性層全体にわたってキャリ
アを注入しレーザ利得を生じさせることがで六る。この
ためしきい値電流密度が下げられ、縦型半導体レーザで
あるけれども室温発振を実現できるものになっている。

また得られたレーザの横モード特性は極めて安定で、フ
ィラメンタリ状発振やビームスポット位置が動くような
ことがない。こうした特徴から、同一基板上に縦型半導
体レーザを一次元もしくは二次元的に集積化することを
可能にしている。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の横型半導体レーザ装置の斜視図、第２図
は従来の縦型半導体レーザ装置の断面図、第３図はこの
発明の実施例縦型半導体レーザ装置の一部を示す断面図
、 第４図イ乃至へは第３図装置の製造工程で順次得られる
生成品斜視図、 第５図は他の実施例縦型半導体レーザ装置の断面図であ
る。 第１図でＸＸ・・・共振器軸方向 ｙｙ・・・結晶主面法線 （１）・・・ｎ型ｎａＡｓ結晶基板 （２）　−ｎ型Ｇａ１１，７　ｋｌｏ、ｓ　Ａｓクラッ
ド層１３）−ｎ型ｆｌａＡ、ｓ活性層 ｆ／１１−Ｐ型Ｇａｏ、ｙ　Ａム、３　Ａｓクラッド層
（５）・・・ｐ型ｆｌａＡｓコンタクト層町）、霞・・
・ｓｉｏ、膜 （力・・・ｐ型領域電極（クロム金二層）（８）・・・
ｎ型領域電極（金ケ゛ルマニウム）第２図で（９）・・
・一体のＳ＋０２膜（１０？）　、　（２０２）　−ｎ
型Ｏａｎ、ｙ　Ａ４３　Ａ　ｓ層（１１＋　・・・ｎ型
ｆｌａＡｓ活性層（１り・・・Ｚｎ拡散層 第３図で（１３Ｌ＝　ｎ型ｎａ６ｙｋＬｏ、ｓ　Ａｓ埋
め込み層０荀・・・ｎ型ｎａｋｓコンタクト層 （１５１−ｐ型（Ｔａ　ｏ、ｙ　ｋｔ（Ｉ　Ｂ　Ａ　ｓ
埋め込み層（旧・・・ｐ型ｆｌａＡｓコンタクト層ａ７
）・・・ｐｎ接合面 第４図で（１樽・・・柱状部分 ａ糧・・・Ｚｎ拡散領域 第５図で＋２（１−ｎ型（１ａ６，７Ａム、Ｓｉ２層（
１１１）−ｎ型ＯａＡ　ｓ活性層 代理人　弁理士　井　上　−男

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. レーザ共振器軸方向が、結晶主面に対して垂直力向に形
   成される型の半導体レーザ装置において、活性層がレー
   ザ共振器軸に垂直な断面上でその周囲を、活性層よシも
   バンドギャップを広くし屈折率を小にする半導体結晶か
   らなる埋め込み層によって取シ囲まれておシ、且つこの
   埋め込み層は、ｎ型領域と、注入電流流路を活性層分布
   域の側周面の一部からこの活性層内に向けるように前記
   側周面の一部に沿い主面に垂直方向に分布するｐ型領域
   とを備えているものであることを特徴とする半導体レー
   ザ装置。