KR100754407B1 - 서브마운트 및 이를 구비하는 멀티 빔 레이저 다이오드모듈 - Google Patents

서브마운트 및 이를 구비하는 멀티 빔 레이저 다이오드모듈 Download PDF

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KR100754407B1
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하경호
장태훈
김형근
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삼성전자주식회사
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Abstract

멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트 및 이를 구비하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈가 개시된다. 개시된 서브마운트는, 제1 기판; 이 제1 기판 상에 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 전극들이 본딩되는 복수의 제1 솔더층; 및 제1 기판을 관통하도록 형성되며, 내부에는 제1 솔더층들과 전기적으로 연결되는 도전성 물질들이 채워지는 복수의 비아홀;을 포함하는 제1 서브마운트와; 제1 기판의 하부에 마련되는 제2 기판; 및 이 제2 기판 상에 상기 전극들의 수만큼 형성되는 것으로, 상기 비아홀들에 채워진 도전성 물질들과 전기적으로 연결되는 복수의 본딩 패드;를 포함하는 제2 서브마운트를; 구비한다.

Description

서브마운트 및 이를 구비하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈{Submount and multi-beam laser diode module having the same}
도 1은 종래 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈을 도시한 것이다.
도 2는 종래 다른 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈을 도시한 것이다.
도 3은 도 2의 레이저 다이오드와 서브마운트가 본딩된 상태를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 서브마운트에 플립 칩 본딩되는 멀티 빔 레이저 다이오드를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ'선을 따라 본 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 서브마운트 중 제1 서브마운트를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 제1 서브마운트의 저면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 서브마운트 중 제2 서브마운트를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 9는 도 6 내지 도 8에 도시된 서브마운트에 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되어 제작된 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈을 도시한 평면도이다.
도 10은 도 9의 Ⅹ-Ⅹ'선을 따라 본 단면도이다.
도 11은 도 9에 도시된 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈의 개략적인 측단면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 서브마운트를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 13은 도 12에 도시된 서브마운트의 저면도이다.
도 14는 도 12 및 도 13에 도시된 서브마운트에 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되어 제작된 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈을 도시한 평면도이다.
도 15는 도 14에 도시된 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈의 단면도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 서브마운트를 도시한 사시도이다.
도 17은 도 16에 도시된 서브마운트의 저면도이다.
도 18은 도 16 및 도 17에 도시된 서브마운트에 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되어 제작된 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈의 개략적인 측단면도이다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 서브마운트를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 20은 도 19에 도시된 서브마운트에 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되어 제작된 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈의 개략적인 측단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110... 멀티 빔 레이저 다이오드 111... 제1 화합물 반도체층
112... 활성층 113... 제2 화합물 반도체층
114... 보호층 115... 전극
120,420... 제1 기판 121,221... 제1 솔더층
121',321',421'... 솔더 범프 122,222... 비아홀
123,223... 도전성 물질 130,430... 제2 기판
131,226... 제2 솔더층 132,225,325,432... 본딩 패드
324... 도전층 220,320... 기판
321,421... 솔더층 422... 제1 도전층
433... 제2 도전층
본 발명은 서브마운트 및 이를 구비하는 레이저 다이오드 모듈에 관한 것으로, 상세하게는 독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드(multi-beam laser diode)가 플립 칩 본딩(flip-chip bonding)되는 서브마운트 및 이를 구비하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈에 관한 것이다.
일반적으로, 레이저 프린터 및 광저장 기기 등에서 고속 프린팅 및 데이터의 재생/기록을 위해서는 독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드(multi-beam laser diode)가 필요하게 된다.
도 1에는 일본 공개특허 제2000-269601호에 개시된 멀티 빔 레이저 다이오드가 개시되어 있다. 도 1을 참조하면, 레이저 다이오드(1)에는 독립적으로 구동되는 복수의 발광부을 형성하기 위하여 복수의 리지(ridge)가 형성되어 있으며, 상기 리 지들의 상면에는 전극들(A1,A2,A3,A4)이 마련되어 있다. 이러한 전극들(A1,A2,A3,A4)은 보호층(9)으로 덮혀있으며, 상기 보호층(9)에는 전극들을 노출시키는 형성되는 개구부들(9W1,9W2,9W3,9W4)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 개구부들(9W1,9W2,9W3,9W4)을 통하여 노출된 전극들(A1,A2,A3,A4)은 도전층들(L1,L2,L3,L4)에 의하여 본딩 패드들(PD1,PD2,PD3,PD4)과 전기적으로 연결되어 있다. 상기와 같은 구조에서, 본딩 패드들(PD1,PD2,PD3,PD4)로부터 전극들(A1,A2,A3,A4) 각각에 전류가 인가됨으로써 복수의 발광부가 독립적으로 구동할 수 있게 된다.
그러나, 상기와 같은 구조의 멀티 빔 레이저 다이오드에서는 각 리지에서 발생되는 열이 리지들의 하부에 위치하는 기판(2)을 통하여 방출되므로 인접하는 리지들 사이에 열적 크로스토크(thermal cross-talk)가 발생될 염려가 있다.
또한, 복수의 리지 구조를 가지는 레이저 다이오드에서는 리지의 수에 따라 레이저 다이오드의 수율이 급격하게 감소하게 된다. 구체적으로, 하나의 리지를 가지는 레이저 다이오드의 수율이 P라고 한다면, n개의 리지를 가지는 레이저 다이오드의 수율은 Pn으로 줄어들게 된다. 예를 들면 하나의 리지를 가지는 레이저 다이오드의 수율이 0.5, 즉 50%라고 한다면, 4개의 리지를 가지는 레이저 다이오드의 수율은 0.54, 즉 6.25%로 크게 줄어들게 된다. 이와 같은 레이저 다이오드의 수율 감소를 막기 위해서는 레이저 다이오드의 칩 사이즈(chip size)를 줄임으로써 웨이퍼 당 얻을 수 있는 레이저 다이오드 칩의 수를 증가시키는 것이 필요하다. 그러나, 상기와 같은 구조의 레이저 다이오드는 본딩 패드들(PD1,PD2,PD3,PD4)로 인하여 칩 사이즈를 줄이기가 어렵기 때문에 레이저 다이오드의 수율이 떨어진다는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 도 2에는 일본 공개특허 제2003-031905호에 개시된 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈이 도시되어 있다. 도 2를 참조하면, 레이저 다이오드 모듈을 복수의 리지를 가지는 레이저 다이오드(11)와 상기 레이저 다이오드(11)가 플립-칩 본딩(flip-chip bonding)되는 서브마운트로 (44)구성된다. 상기 레이저 다이오드(11)의 리지들 하면에는 전극들(14,21)이 형성되어 있으며, 상기 서브마운트(44)의 상면에는 상기 전극들(14,21)과 전기적으로 각각 연결되는 본딩 패드들(45)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 본딩 패드들(45) 상에는 레이저 다이오드(11)의 전극들(14,21)과의 플립-칩 본딩을 위한 솔더층들(46)이 형성되어 있다. 상기와 같은 구조의 레이저 다이오드 모듈에서는 레이저 다이오드(11)가 서브마운트(44)에 플립-칩 본딩되므로 각 리지들에서 발생되는 열은 서브마운트(44)를 통하여 히트 싱크(heat sink, 미도시)로 직접 방출되므로 리지들 사이에 열적 크로스 토크가 발생될 염려가 없다. 그리고, 사이즈가 큰 본딩 패드들(45)이 서브마운트(44) 상에 형성되어 있으므로 레이저 다이오드(11)의 칩 사이즈를 줄일 수 있게 되고, 이에 따라 레이저 다이오드의 수율을 증대시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 상기와 같은 레이저 다이오드 모듈에서는, 레이저 다이오드(11)가 서브마운트(44)에 본딩될 때 도 3에 도시된 바와 같이 서브마운트(44) 상 의 솔더층(46)이 레이저 다이오드(11)의 후방 쪽으로 돌출되어 솔더 범프(solder bump,46')가 발생될 염려가 있다. 이렇게 돌출된 솔더 범프(46')는 레이저 다이오드(11)의 후방으로 출사되는 레이저 광의 진행을 방해함으로써 결국 레이저 광을 모니터링하는 포토 다이오드(50)의 감도가 크게 줄어드는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 멀티 빔 레이저 다이오드의 사이즈를 줄일 수 있고, 레이저 다이오드의 발광부들 사이에 열적 크로스토크(thermal cross-talk)가 발생되는 것을 방지할 수 있는 서브마운트 및 이를 구비하는 레이저 다이오드 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 구현예에 따르면,
독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트에 있어서,
제1 기판;
상기 제1 기판 상에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 전극들이 본딩되는 복수의 제1 솔더층; 및
상기 제1 기판을 관통하도록 형성되며, 내부에는 상기 제1 솔더층들과 전기적으로 연결되는 도전성 물질들이 채워지는 복수의 비아홀;을 포함하는 제1 서브마운트와;
상기 제1 기판의 하부에 마련되는 제2 기판; 및
상기 제2 기판 상에 상기 전극들의 수만큼 형성되는 것으로, 상기 비아홀들에 채워진 도전성 물질들과 전기적으로 연결되는 복수의 본딩 패드(bonding pad);를 포함하는 제2 서브마운트를; 구비하는 서브마운트가 개시된다.
본 발명의 다른 구현예에 따르면,
독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드와; 상기 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트를; 포함하고,
상기 서브마운트는,
제1 기판;
상기 제1 기판 상에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 전극들이 본딩되는 복수의 제1 솔더층; 및
상기 제1 기판을 관통하도록 형성되며, 내부에는 상기 제1 솔더층들과 전기적으로 연결되는 도전성 물질들이 채워지는 복수의 비아홀;을 포함하는 제1 서브마운트와;
상기 제1 기판의 하부에 마련되는 제2 기판; 및
상기 제2 기판 상에 상기 전극들의 수만큼 형성되는 것으로, 상기 비아홀들에 채워진 도전성 물질들과 전기적으로 연결되는 복수의 본딩 패드;를 포함하는 제2 서브마운트를; 구비하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈이 개시된다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면,
독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드가 플 립 칩 본딩되는 서브마운트에 있어서,
기판;
상기 기판의 상면에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 전극들이 본딩되는 복수의 제1 솔더층;
상기 기판을 관통하도록 형성되며, 내부에는 상기 제1 솔더층들과 전기적으로 연결되는 도전성 물질들이 채워지는 복수의 비아홀; 및
상기 기판의 하면에 상기 전극들의 수만큼 형성되는 것으로, 상기 비아홀들에 채워진 도전성 물질들과 전기적으로 연결되는 복수의 본딩 패드;를 구비하는 서브마운트가 개시된다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면,
독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드와; 상기 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트를; 포함하고,
상기 서브마운트는,
기판;
상기 기판의 상면에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 전극들이 본딩되는 복수의 제1 솔더층;
상기 기판을 관통하도록 형성되며, 내부에는 상기 제1 솔더층들과 전기적으로 연결되는 도전성 물질들이 채워지는 복수의 비아홀; 및
상기 기판의 하면에 상기 전극들의 수만큼 형성되는 것으로, 상기 비아홀들에 채워진 도전성 물질들과 전기적으로 연결되는 복수의 본딩 패드;를 구비하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈이 개시된다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면,
독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트에 있어서,
기판;
상기 기판 상에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 기판의 상면에서 측면을 따라 하면까지 연장 형성되는 복수의 도전층;
상기 기판의 상면에 형성된 도전층들 상에 형성되어 상기 전극들이 본딩되는 복수의 솔더층; 및
상기 기판의 하면에 상기 도전층들과 전기적으로 연결되도록 형성되는 복수의 본딩 패드;를 구비하는 서브마운트가 개시된다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면,
독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드와; 상기 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트를; 포함하고,
상기 서브마운트는,
기판;
상기 기판 상에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 기판의 상면에서 측면을 따라 하면까지 연장 형성되는 복수의 도전층;
상기 기판의 상면에 형성된 도전층들 상에 형성되어 상기 전극들이 본딩되는 복수의 솔더층; 및
상기 기판의 하면에 상기 도전층들과 전기적으로 연결되도록 형성되는 복수의 본딩 패드;를 구비하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈이 개시된다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면,
독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트에 있어서,
제1 기판;
상기 제1 기판 상에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 제1 기판의 상면에서 측면까지 연장 형성되는 복수의 제1 도전층; 및
상기 제1 기판의 상면에 형성된 제1 도전층들 상에 형성되어 상기 전극들이 본딩되는 복수의 솔더층;을 포함하는 제1 서브마운트와;
상기 제1 기판의 하부에 마련되는 제2 기판; 및
상기 제2 기판 상에 상기 제1 도전층들과 전기적으로 연결되도록 형성되는 복수의 본딩 패드;를 포함하는 제2 서브마운트를; 구비하는 서브마운트가 개시된다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면,
독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드와; 상기 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트를; 포함하고,
상기 서브마운트는,
제1 기판;
상기 제1 기판 상에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 제1 기판의 상면에서 측면까지 연장 형성되는 복수의 제1 도전층; 및
상기 제1 기판의 상면에 형성된 제1 도전층들 상에 형성되어 상기 전극들이 본딩되는 복수의 솔더층;을 포함하는 제1 서브마운트와;
상기 제1 기판의 하부에 마련되는 제2 기판; 및
상기 제2 기판 상에 상기 제1 도전층들과 전기적으로 연결되도록 형성되는 복수의 본딩 패드;를 포함하는 제2 서브마운트를; 구비하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈이 개시된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 그리고, 도면 상에 각 구성요소의 크기 및 두께는 설명의 명료화를 위하여 과장되게 도시되어 있을 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 서브마운트에 플립 칩 본딩(flip-chip bonding)되는 멀티 빔 레이저 다이오드(multi-beam laser diode)를 개략적으로 도시한 평면도이다. 그리고, 도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ'선을 따라 본 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)는 독립적으로 구동되는 복수의 발광부(116)를 구비한다. 구체적으로, 상기 멀티 빔 레이저 다이오 드(110)는 제1 화합물 반도체층(111), 활성층(112) 및 제2 화합물 반도체층(113)이 순차적으로 적층된 구조를 가지고 있다. 여기서, 상기 제2 화합물 반도체층(113)의 상부에는 복수의 리지(ridge)가 스트라이프(stripe) 형태로 형성되어 있으며, 이 리지들 상면을 따라 전극들(115)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 전극들(115) 사이의 제2 화합물 반도체층(113)의 상면에는 보호층(114)이 형성되어 있다. 한편, 도면에서는 4개의 리지가 형성된 경우가 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 상기 리지들은 다양한 개수로 형성될 수 있다.
도 6 내지 도 8은 도 4 및 도 5에 도시된 멀티 빔 레이저 다이오드(110)가 플립 칩 본딩되는 본 발명의 실시예에 따른 서브마운트를 도시한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 서브마운트는 제1 서브마운트와 제2 서브마운트가 적층된 구조를 가지고 있다.
도 6 및 도 7은 각각 본 발명의 실시예에 따른 서브마운트 중 제1 서브마운트의 평면도 및 저면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 서브마운트는 제1 기판(120)과, 상기 제1 기판 (120)의 상면에 형성되는 복수의 제1 솔더층(121)과, 상기 제1 기판(120)을 관통하도록 형성되는 복수의 비아홀(via hole,122)을 포함한다.
상기 제1 기판(120)은 세라믹 등과 같은 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 상기 제1 솔더층들(121)은 멀티 빔 레이저 다이오드(도 5의 110)의 전극들(115)을 제1 서브마운트에 본딩시킨다. 이에 따라, 상기 제1 솔더층들(121)은 상기 전극들(115)에 대응하는 스트라이프 형상으로 제1 기판(120)의 상면에 형성될 수 있다. 이러한 제1 솔더층들(121)은 전기전도성이 우수한 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 제1 솔더층들(121)이 형성된 제1 기판(120)에는 비아홀들(122)이 관통되어 형성되어 있다. 여기서, 상기 비아홀들(122)은 제1 솔더층들(121)과 접촉하도록 상기 제1 솔더층들(121)의 하부에 형성되어 있으며, 상기 비아홀들(122) 내부에는 금속과 같은 도전성 물질들(123)이 채워져 있다. 이에 따라, 상기 제1 솔더층들(121)은 상기 제1 기판(120)의 상면에서 비아홀들(122) 내부에 채워진 도전성 물질(123)들과 전기적으로 연결된다. 그리고, 상기 제1 기판(120)의 하면에는 비아홀들(122)에 채워지는 도전성 물질들(123)이 노출되어 있다. 한편, 도면에는 하나의 비아홀(122)이 하나의 제1 솔더층(121)에 대응하여 형성된 경우가 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 복수의 비아홀(122)이 하나의 제1 솔더층(121)에 대응하여 형성될 수도 있다.
한편, 본 실시예에서는 후술하는 바와 같이 멀티 빔 레이저 다이오드(도 11의 110)의 후방으로 출사되는 레이저 광을 효과적으로 모니터링할 수 있도록 상기 제1 서브마운트의 길이가 제1 솔더층들(121)의 길이 방향으로 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 길이보다 작은 것이 바람직하다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 서브마운트 중 제2 서브마운트의 평면도이다. 상기 제2 서브마운트는 상기 제1 서브마운트의 하부에 마련된다.
도 8을 참조하면, 제2 서브마운트는 상기 제1 기판(120)의 하부에 마련되는 제2 기판(130)과, 상기 제2 기판(130) 상에 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 전극들(115) 수만큼 형성되는 복수의 본딩 패드(bonding pad,132)를 포함한다. 상기 제 2 기판(130)은 제1 기판(120)과 마찬가지로 세라믹 등과 같은 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 본딩 패드들(132)은 제1 기판(120)의 비아홀들(122) 내부에 채워진 도전성 물질들(123)과 전기적으로 접촉하도록 상기 제2 기판(130) 상에 형성된다. 여기서, 상기 도전성 물질(123)과 본딩 패드(132) 사이에는 도전성 물질(123)과 본딩 패드(132)를 본딩시키기 위한 제2 솔더층(131)이 더 형성될 수 있다. 이러한 제2 솔더층(131)은 제1 솔더층(121)과 마찬가지로 전기전도성이 우수한 금속으로 이루어질 수 있다.
도 9는 도 6 내지 도 8에 도시된 서브마운트에 도 4 및 도 5에 도시된 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되어 제작된 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈을 도시한 평면도이다. 그리고, 도 10은 도 9의 Ⅹ-Ⅹ'선을 따라 본 단면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 전극들(115)은 제1 서브마운트의 제1 솔더층들(121)에 본딩되고, 상기 제1 솔더층들(121)은 비아홀들(122) 내부에 채워진 도전성 물질들(123)을 통하여 제2 서브마운트의 본딩 패드들(132)과 전기적으로 연결되어 있다. 이에 따라, 외부의 전류는 본딩 패드들(132) 각각을 통하여 주입되며, 이렇게 주입된 전류는 도전성 물질들(123) 및 제1 솔더층들(121)을 통하여 각 전극들(115)에 전달되어 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 각 발광부들(116)이 독립적으로 구동될 수 있게 된다.
도 11은 도 9 및 도 10에 도시된 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈의 측단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 11을 참조하면, 제1 서브마운트는 전술한 바와 같이 제1 솔더층들(121)의 길이 방향으로 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 길이보 다 작은 길이를 가진다. 이와 같이, 제1 서브마운트의 길이가 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 길이보다 작게 되면, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 전극들(115)이 제1 서브마운트의 제1 솔더층들(121)에 본딩될 때 발생되는 솔더 범프(solder bump,121')는 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 하부에 위치하게 되므로, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 후방에서 출사되는 레이저 광의 진행은 상기 솔더 범프(121')에 의해 방해를 받지 않게 된다. 이에 따라, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 후방에서 출사되는 레이저 광을 효과적으로 모니터링할 수 있게 된다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈에서는, 외부 전류 주입을 위한 본딩 패드들(132)을 레이저 다이오드(110)와 분리하여 형성함으로써 레이저 다이오드(110)의 칩 사이즈를 크게 줄일 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 당 얻을 수 있는 레이저 다이오드(110)의 칩 수를 증가시킬 수 있다. 또한, 레이저 다이오드(110) 상에 복잡한 배선을 형성하는 공정이 생략되므로, 공정의 단순화 및 수율 향상을 꾀할 수 있다. 그리고, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)가 서브 마운트에 플립 칩 본딩되므로, 레이저 다이오드(110)의 각 리지들에서 발생되는 열은 제1 및 제2 서브마운트를 통하여 히트 싱크(heat sink, 미도시)로 직접 방출되므로 리지들 사이에 열적 크로스 토크가 발생될 염려가 없다. 또한, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)가 본딩되는 제1 서브마운트의 길이를 레이저 다이오드(110)의 길이보다 작게 함으로써 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 후방에서 출사되는 레이저 광을 효과적으로 모니터링할 수 있게 된다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 서브마운트를 개략적으로 도시한 평 면도이다. 그리고, 도 13은 도 12에 도시된 서브마운트의 저면도이다. 이하에서는, 전술한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 서브마운트는 기판(220)과, 상기 기판(220)의 상면에 형성되는 복수의 제1 솔더층(221)과, 상기 기판(220)을 관통하도록 형성되는 복수의 비아홀(222)과, 상기 기판(220)의 하면에 형성되는 복수의 본딩 패드(225)를 포함한다.
상기 기판(220)은 세라믹 등과 같은 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 상기 제1 솔더층들(221)은 멀티 빔 레이저 다이오드(도 5의 110)의 전극들(15)을 서브마운트에 본딩시키기 위한 것으로, 상기 전극들(115)에 대응하는 스트라이프 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1 솔더층들(221)은 전기전도성이 우수한 금속으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제1 솔더층들(221)이 형성된 기판(220)에는 비아홀들(222)이 관통되어 형성되어 있다. 여기서, 상기 비아홀들(222)은 상기 제1 솔더층들(221)의 하부에 형성되어 있으며, 상기 비아홀들(222) 내부에는 금속과 같은 도전성 물질들(223)이 채워져 있다. 이에 따라, 상기 제1 솔더층들(221)은 상기 기판(220)의 상면에서 비아홀들(222) 내부에 채워진 도전성 물질(223)들과 전기적으로 연결된다. 한편, 도면에는 하나의 비아홀(222)이 하나의 제1 솔더층(221)에 대응하여 형성된 경우가 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 복수의 비아홀(222)이 하나의 제1 솔더층(221)에 대응하여 형성될 수도 있다.
상기 기판(220)의 하면에는 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 전극들(115) 수만큼 복수의 본딩 패드(225)가 형성된다. 여기서, 상기 본딩 패드들(225)은 비아홀 들(222) 내부에 채워진 도전성 물질들(223)과 전기적으로 접촉하도록 형성된다. 상기 도전성 물질(223)과 본딩 패드(225) 사이에는 도전성 물질(223)과 본딩 패드(225)를 본딩시키기 위한 제2 솔더층(226)이 더 형성될 수 있다. 이러한 제2 솔더층(226)은 제1 솔더층(221)과 마찬가지로 전기전도성이 우수한 금속으로 이루어질 수 있다. 본 실시예에서는 전술한 바와 같이 멀티 빔 레이저 다이오드(도 11의 110)의 후방으로 출사되는 레이저 광을 효과적으로 모니터링할 수 있도록 서브마운트의 길이가 제1 솔더층들(221)의 길이 방향으로 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 길이보다 작은 것이 바람직하다.
도 14는 도 12 및 도 13에 도시된 서브마운트에 도 4 및 도 5에 도시된 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되어 제작된 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈을 도시한 평면도이다. 그리고, 도 15는 도 14에 도시된 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈의 단면도이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 전극들(115)은 기판(220)의 상면에 형성된 제1 솔더층들(221)에 본딩되고, 상기 제1 솔더층들(221)은 비아홀들(222) 내부에 채워진 도전성 물질들(223)을 통하여 기판(220)의 하면에 형성된 본딩 패드들(225)과 전기적으로 연결되어 있다. 이에 따라, 외부의 전류는 본딩 패드들(225) 각각을 통하여 주입되며, 이렇게 주입된 전류는 도전성 물질들(223) 및 제1 솔더층들(221)을 통하여 각 전극들(115)에 전달되어 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 각 발광부들(116)이 독립적으로 구동될 수 있게 된다.
상기한 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈에서는 전술한 바와 같이, 웨이퍼 당 얻을 수 있는 레이저 다이오드(110)의 칩 수를 증가시킬 수 있으며, 또한 공정의 단순화 및 수율 향상을 꾀할 수 있다. 그리고, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 각 리지들에서 발생되는 열은 서브마운트를 통하여 히트 싱크(미도시)로 직접 방출되므로 리지들 사이에 열적 크로스 토크가 발생될 염려가 없다. 또한, 서브마운트의 길이를 레이저 다이오드(110)의 길이보다 작게 함으로써 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 후방에서 출사되는 레이저 광을 효과적으로 모니터링할 수 있게 된다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 서브마운트를 도시한 사시도이다. 그리고, 도 17은 도 16에 도시된 서브마운트의 저면도이다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 서브마운트는 기판(320)과, 상기 기판(320)의 상면에서 측면을 따라 하면까지 연장 형성되는 복수의 도전층(324)과, 상기 도전층들(324)의 상면에 형성되는 복수의 솔더층(321)과, 상기 기판(320)의 하면에 형성되는 복수의 본딩 패드(325)를 포함한다.
상기 기판(320)은 세라믹 등과 같은 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 상기 도전층들(324)은 멀티 빔 레이저 다이오드(도 5의 110)의 전극들(115)의 수 만큼 형성되는 것으로, 상기 기판(320) 상에 스트라이프 형태로 형성될 수 있다. 이러한 도전층들(324)은 전기전도성이 우수한 금속으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 솔더층들(321)은 상기 기판(320)의 상면에 형성된 도전층들(324)의 상면에 형성된다. 이러한 솔더층들(321)은 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 전극들(115)을 서브마운트에 본딩시키기 위한 것으로, 상기 전극들(115)에 대응하여 스트라이프 형태로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 솔더층들(321)은 전기전도성이 우수한 금속으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 기판(320)의 하면에는 본딩 패드들(325)이 상기 기판(320)의 하면에 형성되는 도전층들(324)과 전기적으로 연결되도록 형성된다.
본 실시예에서는 멀티 빔 레이저 다이오드(도 5의 110)의 후방으로 출사되는 레이저 광을 효과적으로 모니터링할 수 있도록 서브마운트의 길이가 제1 솔더층들(321)의 길이 방향으로 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 길이보다 작은 것이 바람직하다.
상기와 같은 서브마운트에 도 4 및 도 5에 도시된 멀티 빔 레이저 다이오드(110)를 플립 칩 본딩시키면 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈이 제작된다. 이러한 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈의 개략적인 측단면도가 도 18에 도시되어 있다.
도 18을 참조하면, 상기 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 전극들(115)은 상기 서브마운트의 솔더층들(321)에 본딩된다. 이에 따라, 외부의 전류는 본딩 패드들(325) 각각을 통하여 주입되며, 이렇게 주입된 전류는 도전층들(324) 및 솔더층들(321)을 통하여 각 전극들(115)에 전달되어 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 각 발광부들(116)이 독립적으로 구동될 수 있게 된다.
상기와 같은 구조의 멀티 빔 레이저 다이오드에서는 전술한 바와 같이 본딩 패드들(325)을 레이저 다이오드(110)와 분리하여 형성함으로써 레이저 다이오드(110)의 칩 사이즈를 크게 줄일 수 있으므로 웨이퍼 당 얻을 수 있는 레이저 다이오드(110)의 칩 수를 증가시킬 수 있다. 또한, 레이저 다이오드(110) 상에 복잡한 배선을 형성하는 공정이 생략되므로, 공정의 단순화 및 수율 향상을 꾀할 수 있다. 그리고, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 각 리지들에서 발생되는 열은 서브마 운트를 통하여 히트 싱크(heat sink, 미도시)로 직접 방출되므로 리지들 사이에 열적 크로스 토크가 발생될 염려가 없다. 또한, 도 18에 도시된 바와 같이 서브마운트의 길이가 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 길이보다 작기때문에, 플립 칩 본딩 시 발생될 수 있는 솔더 범프(321')가 레이저 다이오드(110)의 하부에 위치하게 된다. 이에 따라, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 후방에서 출사되는 레이저 광을 효과적으로 모니터링할 수 있게 된다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 서브마운트를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 19를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 서브마운트는 제1 서브마운트와, 상기 제1 서브마운트의 하부에 마련되는 제2 서브마운트로 구성된다. 여기서, 상기 제1 서브마운트는 제1 기판(420)과, 상기 제1 기판(420)의 상면에서 측면까지 연장 형성되는 복수의 제1 도전층(422)과, 상기 제1 도전층들(422)의 상면에 형성되는 복수의 솔더층(421)을 포함한다. 그리고, 상기 제2 서브마운트는 상기 제1 기판(420)의 하부에 마련되는 제2 기판(430)과, 상기 제2 기판(430) 상에 멀티 빔 레이저 다이오드(도 5의 110)의 전극들(115) 수만큼 형성되는 복수의 본딩 패드(432)를 포함한다. 여기서, 상기 제1 및 제2 기판(420,430)은 세라믹 등과 같은 절연성 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 도전층들(422)은 멀티 빔 레이저 다이오드(도 5의 110)의 전극들(115)에 대응하여 스트라이프 형태로 형성될 수 있다. 이러한 제1 도전층들(422)은 전기전도성이 우수한 금속으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 솔더층들(421) 은 상기 제1 기판(420)의 상면에 형성된 제1 도전층들(422)의 상면에 형성된다. 이러한 솔더층들(421)은 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 전극들(115)을 제1 서브마운트에 본딩시키기 위한 것으로, 상기 전극들(115)에 대응하여 스트라이프 형태로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 솔더층들(421)은 전기전도성이 우수한 금속으로 이루어질 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 멀티 빔 레이저 다이오드(도 11의 110)의 후방으로 출사되는 레이저 광을 효과적으로 모니터링할 수 있도록 상기 제1 서브마운트의 길이가 솔더층들(421)의 길이 방향으로 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 길이보다 작은 것이 바람직하다.
상기 본딩 패드들(432)은 상기 제2 기판(430) 상에 상기 제1 도전층들(422)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 여기서, 상기 제2 기판(430) 상에는 상기 제1 기판(420)의 측면에 형성된 제1 도전층들(422)과 본딩 패드들(432)을 전기적으로 연결시키는 제2 도전층들(433)이 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1 도전층들(422)과 제2 도전층들(433) 사이에는 이들을 본딩시키기 위한 솔더층들(미도시)이 더 형성될 수도 있다.
상기와 같은 서브마운트에 도 4 및 도 5에 도시된 멀티 빔 레이저 다이오드(110)를 플립 칩 본딩시키면 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈이 제작된다. 이러한 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈의 개략적인 측단면도가 도 20에 도시되어 있다.
도 20을 참조하면, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 전극들(115)은 상기 제1 서브마운트의 솔더층들(321)에 본딩된다. 이에 따라, 외부의 전류는 본딩 패드들(432) 각각을 통하여 주입되며, 이렇게 주입된 전류는 제2 도전층들(433), 제1 도전층들(422) 및 솔더층들(421)을 통하여 각 전극들(115)에 전달되어 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 각 발광부들(116)이 독립적으로 구동될 수 있게 된다.
상기와 같은 구조의 멀티 빔 레이저 다이오드에서는 전술한 바와 같이 레이저 다이오드(110)의 칩 사이즈를 크게 줄일 수 있으므로 웨이퍼 당 얻을 수 있는 레이저 다이오드(110)의 칩 수를 증가시킬 수 있으며, 공정의 단순화 및 수율 향상을 꾀할 수 있다. 그리고, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 각 리지들에서 발생되는 열은 제1 및 제2 서브마운트를 통하여 히트 싱크(heat sink, 미도시)로 직접 방출되므로 리지들 사이에 열적 크로스 토크가 발생될 염려가 없다. 또한, 도 20에 도시된 바와 같이 제1 서브마운트의 길이가 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 길이보다 작기 때문에, 멀티 빔 레이저 다이오드(110)의 후방에서 출사되는 레이저 광을 효과적으로 모니터링할 수 있게 된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 설명되었지만, 본 발명의 범위는 이에 한정되지 않고, 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 외부 전류 주입을 위한 본딩 패드들을 레이저 다이오드와 분리하여 서브마운트 상에 형성함으로써 레이저 다이오드의 칩 사이즈를 크게 줄일 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 당 얻을 수 있는 레이저 다이오드의 칩 수를 증가시킬 수 있게 된다. 또한, 레이저 다이오드 상에 복잡한 배선을 형성하는 공정이 생략되므로, 공정의 단순화 및 수율 향상을 꾀할 수 있다.
둘째, 멀티 빔 레이저 다이오드가 서브 마운트에 플립 칩 본딩되므로, 레이저 다이오드의 각 리지들에서 발생되는 열은 서브마운트를 통하여 히트 싱크로 직접 방출되므로 리지들 사이에 열적 크로스 토크가 발생될 염려가 없다.
셋째, 멀티 빔 레이저 다이오드가 본딩되는 서브마운트의 길이를 레이저 다이오드의 길이보다 작게 함으로써 멀티 빔 레이저 다이오드의 후방에서 출사되는 레이저 광을 효과적으로 모니터링할 수 있게 된다.

Claims (42)

  1. 독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드(multi-beam laser diode)가 플립 칩 본딩(flip-chip bonding)되는 서브마운트에 있어서,
    제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 전극들이 본딩되는 복수의 제1 솔더층; 및
    상기 제1 기판을 관통하도록 형성되며, 내부에는 상기 제1 솔더층들과 전기적으로 연결되는 도전성 물질들이 채워지는 복수의 비아홀;을 포함하는 제1 서브마운트와;
    상기 제1 기판의 하부에 마련되는 제2 기판; 및
    상기 제2 기판 상에 상기 전극들의 수만큼 형성되는 것으로, 상기 비아홀들에 채워진 도전성 물질들과 전기적으로 연결되는 복수의 본딩 패드(bonding pad);를 포함하는 제2 서브마운트를; 구비하는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 솔더층들은 스트라이프(stripe) 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 본딩 패드와 상기 비아홀에 채워진 도전성 물질 사이에는 제2 솔더층이 형성되는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 솔더층과 도전성 물질은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 솔더층들 각각에 대응하여 적어도 하나의 비아홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 서브마운트의 길이는 상기 제1 솔더층들의 길이 방향으로 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  7. 독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드와; 상기 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트를; 포함하고,
    상기 서브마운트는,
    제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 전극들이 본딩되는 복수의 제1 솔더층; 및
    상기 제1 기판을 관통하도록 형성되며, 내부에는 상기 제1 솔더층들과 전기적으로 연결되는 도전성 물질들이 채워지는 복수의 비아홀;을 포함하는 제1 서브마운트와;
    상기 제1 기판의 하부에 마련되는 제2 기판; 및
    상기 제2 기판 상에 상기 전극들의 수만큼 형성되는 것으로, 상기 비아홀들에 채워진 도전성 물질들과 전기적으로 연결되는 복수의 본딩 패드;를 포함하는 제2 서브마운트를; 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 멀티 빔 레이저 다이오드는 복수의 리지(ridge)를 가지며, 상기 전극들은 상기 리지들 상에 스트라이프 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 솔더층들은 상기 전극들에 대응하는 스트라이프 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 본딩 패드와 상기 비아홀에 채워진 도전성 물질 사이에는 제2 솔더층이 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 솔더층들 각각에 대응하여 적어도 하나의 비아홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 서브마운트의 길이는 상기 제1 솔더층들의 길이 방향으로 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  13. 독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트에 있어서,
    기판;
    상기 기판의 상면에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 전극들이 본딩되는 복수의 제1 솔더층;
    상기 기판을 관통하도록 형성되며, 내부에는 상기 제1 솔더층들과 전기적으로 연결되는 도전성 물질들이 채워지는 복수의 비아홀; 및
    상기 기판의 하면에 상기 전극들의 수만큼 형성되는 것으로, 상기 비아홀들 에 채워진 도전성 물질들과 전기적으로 연결되는 복수의 본딩 패드;를 구비하는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 솔더층들은 스트라이프 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 본딩 패드와 상기 비아홀에 채워진 도전성 물질 사이에는 제2 솔더층이 형성되는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 솔더층과 도전성 물질은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 솔더층들 각각에 대응하여 적어도 하나의 비아홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 서브마운트의 길이는 상기 제1 솔더층들의 길이 방향으로 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  19. 독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드와; 상기 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트를; 포함하고,
    상기 서브마운트는,
    기판;
    상기 기판의 상면에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 전극들이 본딩되는 복수의 제1 솔더층;
    상기 기판을 관통하도록 형성되며, 내부에는 상기 제1 솔더층들과 전기적으로 연결되는 도전성 물질들이 채워지는 복수의 비아홀; 및
    상기 기판의 하면에 상기 전극들의 수만큼 형성되는 것으로, 상기 비아홀들에 채워진 도전성 물질들과 전기적으로 연결되는 복수의 본딩 패드;를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 멀티 빔 레이저 다이오드는 복수의 리지를 가지며, 상기 전극들은 상기 리지들 상에 스트라이프 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 제1 솔더층들은 상기 전극들에 대응하는 스트라이프 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 본딩 패드와 상기 비아홀에 채워진 도전성 물질 사이에는 제2 솔더층이 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기 제1 솔더층들 각각에 대응하여 적어도 하나의 비아홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  24. 제 19 항에 있어서,
    상기 서브마운트의 길이는 상기 제1 솔더층들의 길이 방향으로 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  25. 독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 기판의 상면에서 측면을 따라 하면까지 연장 형성되는 복수의 도전층;
    상기 기판의 상면에 형성된 도전층들 상에 형성되어 상기 전극들이 본딩되는 복수의 솔더층; 및
    상기 기판의 하면에 상기 도전층들과 전기적으로 연결되도록 형성되는 복수의 본딩 패드;를 구비하는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 도전층들 및 솔더층들은 스트라이프 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 도전층들 및 솔더층들은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  28. 제 25 항에 있어서,
    상기 서브마운트의 길이는 상기 솔더층들의 길이 방향으로 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  29. 독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드와; 상기 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트를; 포함하고,
    상기 서브마운트는,
    기판;
    상기 기판 상에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 기판의 상면에서 측면을 따라 하면까지 연장 형성되는 복수의 도전층;
    상기 기판의 상면에 형성된 도전층들 상에 형성되어 상기 전극들이 본딩되는 복수의 솔더층; 및
    상기 기판의 하면에 상기 도전층들과 전기적으로 연결되도록 형성되는 복수의 본딩 패드;를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 멀티 빔 레이저 다이오드는 복수의 리지를 가지며, 상기 전극들은 상기 리지들 상에 스트라이프 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 도전층들 및 솔더층들은 상기 전극들에 대응하는 스트라이프 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  32. 제 29 항에 있어서,
    상기 서브마운트의 길이는 상기 솔더층들의 길이 방향으로 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  33. 독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트에 있어서,
    제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형성되는 것으로, 상기 제1 기판의 상면에서 측면까지 연장 형성되는 복수의 제1 도전층; 및
    상기 제1 기판의 상면에 형성된 제1 도전층들 상에 형성되어 상기 전극들이 본딩되는 복수의 솔더층;을 포함하는 제1 서브마운트와;
    상기 제1 기판의 하부에 마련되는 제2 기판; 및
    상기 제2 기판 상에 상기 제1 도전층들과 전기적으로 연결되도록 형성되는 복수의 본딩 패드;를 포함하는 제2 서브마운트를; 구비하는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 제2 기판 상에는 상기 제1 도전층들과 본딩 패드들을 전기적으로 연결시키는 제2 도전층들이 형성되는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 도전층들과 솔더층들은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  36. 제 33 항에 있어서,
    상기 제1 도전층들 및 솔더층들은 스트라이프 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  37. 제 33 항에 있어서,
    상기 제1 서브마운트의 길이는 상기 솔더층들의 길이 방향으로 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 서브마운트.
  38. 독립적으로 구동되는 복수의 발광부를 가지는 멀티 빔 레이저 다이오드와; 상기 멀티 빔 레이저 다이오드가 플립 칩 본딩되는 서브마운트를; 포함하고,
    상기 서브마운트는,
    제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 전극들에 대응하여 형 성되는 것으로, 상기 제1 기판의 상면에서 측면까지 연장 형성되는 복수의 제1 도전층; 및
    상기 제1 기판의 상면에 형성된 제1 도전층들 상에 형성되어 상기 전극들이 본딩되는 복수의 솔더층;을 포함하는 제1 서브마운트와;
    상기 제1 기판의 하부에 마련되는 제2 기판; 및
    상기 제2 기판 상에 상기 제1 도전층들과 전기적으로 연결되도록 형성되는 복수의 본딩 패드;를 포함하는 제2 서브마운트를; 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  39. 제 38 항에 있어서,
    상기 멀티 빔 레이저 다이오드는 복수의 리지를 가지며, 상기 전극들은 상기 리지들 상에 스트라이프 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 제1 도전층들 및 솔더층들은 상기 전극들에 대응하는 스트라이프 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  41. 제 38 항에 있어서,
    상기 제2 기판 상에는 상기 제1 도전층들과 본딩 패드들을 전기적으로 연결 시키는 제2 도전층들이 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
  42. 제 38 항에 있어서,
    상기 제1 서브마운트의 길이는 상기 솔더층들의 길이 방향으로 상기 멀티 빔 레이저 다이오드의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 멀티 빔 레이저 다이오드 모듈.
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