KR960026252A - 오믹전극을 가지는 반도체장치와 제법 - Google Patents

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Abstract

n형 GaAs에 대하여 저온처리로 양호한 오믹성의 오믹전극을 가지는 반도체장치를 얻는다.
n형 GaAs기판(1)의 한 주면에, Ni, Sn 및 AuGe를 함유하는 금속층(41), (42), (43)을 형성하는 공정과, 기판(1)에 190℃이상 300℃ 이하의 열처리를 행하는 공정을 채용하고, 기판(1)의 한 주면(1b)에 오믹전극(4)을 형성하는,오믹전극을 가지는 반도체장치의 제법.

Description

오믹전극을 가지는 반도체장치와 제법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 오믹전극을 가지는 반도체장치의 일예인 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 발광소자를 나타낸 단면도, 제2도는 본 발명에 의한 오믹전극을 가지는 반도체장치의 제법의 일예의 설명을 위한 오믹전극부의 단면도, 제3도는 본 발명에 의한 오믹전극을 가지는 반도체장치의 실시예의 오믹전극에 있어서의 전류전압특성 측정에 사용한 시료의 단면도.

Claims (5)

  1. 오믹전극을 가지는 반도체장치의 제법에 있어서, n형 GaAs기판의 한 주면에, Ni, Sn 및 AuGe를 함유하는 금속층을 형성하는 공정과, 상기 기판에 190℃ 이상 300℃ 이하의 열처리를 행하는 공정을 채용하고, 상기 기판의 상기 한 주면에 오믹전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 오믹전극을 가지는 반도체장치의 제법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속층은 상기 n형 GaAs 기판측으로부터 Ni, Sn, AuGe의 순으로 형성하는 것을 특징으로 하는 오믹전극을 가지는 반도체장치의 제법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속층의 형성전에, 상기 n형 GaAs 기판상의 상기 한 주면 또는 다른 주면에 Ⅱ-Ⅵ족 화합물반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 오믹전극을 가지는 반도체장치의 제법.
  4. 제3항에 있어서, 상기Ⅱ-Ⅵ족 화합물반도체층을 분자선에피택시법에 의하여 형성하는 것을 특징으로 하는 오믹전극을 가지는 반도체장치의 제법.
  5. n형 GaAs 기판의 한 주면에, Ni, Sn, 및 AuGe를 함유하는 금속에 의한 n형의 오믹 전극이 형성되고, 상기 기판의 상기 한 주면 또는 다른 주면에 최소한 n형 클래드층과, 활성층과, p형 클래드층과, p형의 오믹전극이 형성되고, 상기 n형 클래드층 및 p형 클래드층의 최소한 한쪽이 Ⅱ-Ⅵ족 화합물반도체층으로 이루어지는 반도체발광소자가 구성된 것을 특징으로 하는 오믹전극을 가지는 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950052385A 1994-12-22 1995-12-20 오믹전극을 가지는 반도체장치와 제법 KR960026252A (ko)

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