KR940017019A - 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 높은 광출력과 안정된 싱글모드특성을 갖는 반도체 레이저 소자와, 액티브 레이어의 폭을 정밀하고 재현성이 높게 조절할 수 있는 반도체 레이저 소자의 제조방법에 관해 기술한다.
본 발명에 따른 반도체 레이저 소자는, n형 GaAs 기판의 상부에 n형 크래딩층, 하부 도파층, 액티브 레이어, 상부 도파층 그리고 p형 크래딩층이 그 순서대로 형성되며, 상기 액티브 레이어와 그 상하의 크래딩층은 액티브 레이어를 중심으로 실질적으로 상하 대칭적 메사구조를 이루고, 상기 메사구조의 양측에는 p형 하부 블록킹 레이어와 n형 상부 블록킹 레이어로된 블록킹 수단층이 마련되는 구조적 특지을 가진다. 그리고 본 발명 제조방법은, n형 GaAs 기판에 n형 크래딩층, 하부 도파층, 액티브 레이어, 상부 도파층 그리고 p형 크래딩층이 마련되고, 상기 액티브 레이어와 그 상하의 도파층들이 메사구조를 이루는 반도체 레이저 소자를 제작함에 있어서, 상기 메사구조를 형성하는 단계에 4:2:2:1 내지 4:4:4:1의 조성비를 갖는 HBrO3: CH3COOH : H3PO4: ACETONE가 혼합된 용제를 사용하며, 에칭시의 온도를 13.5 내지 18.5℃로 설정하는 점에 그 특징이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명에 따른 레이저 소자의 개략적 단면도, 제 4 도 내지 제 6 도는 본 발명 제조공정에 따른 레이저 소자의 가공상태를 단계적으로 나타내 보인 단면도, 제 7 도는 본 발명 반도체 레이저 소자의 전류-출력 특성 선도, 제 8 도는 본 발명 반도체 레이저 소자의 파 필드 특성 선도이다.
Claims (7)
- n형 GaAs 기판의 상부에 n형 크래딩층, 하부 도파층, 액티브 레이어, 상부 도파층 그리고 p형 크래딩층이 그 순서대로 형성된 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 액티브 레이어와 그 상하의 도파층 및 크래딩층은 액티브 레이어를 중심으로 실질적인 상하 대칭적 메사구조를 이루고, 상기 메사구조의 양측에는 p형 하부 블록킹 레이어와 n형 상부 클록킹 레이어된 블록킹 수단층이 마련되어 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 P형 블록킹 레이어는 상기 액티브 레이어에 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- 제1 또는 제 2 항에 있어서, 상기 클래딩 레이어의 두께는 2 내지 5㎛이며, 그 조성비는 In(0.49)Ga(0.51)P인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- 제1 또는 제 2 항에 있어서, 상기 액티브 레이어의 두께는 100 내지 300Å이며, 조성비는 In(0.13)Ga(0.87)As(0.75)P(0.25)인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- 제1 또는 제 2 항에 있어서, 상기 도파층의 두께는 0.3 내지 0.5마이크로 미터이며, 조성비는 In(0.43)Ga(0.57)As(0.15)P(0.85)인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- 제1 또는 제 2 항에 있어서, 상기 블록킹 레이어는 p-InGaP와 n-InGaP로 이루어지되, 상기 메사구조와는 반대의 전기적 접촉구조를 가지며, 각각의 두께는 1 내지 5㎛와 2 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- n형 GaAs 기판에 n형 크래딩층, 하부 도파층, 액티브 레이어, 상부 도파층 그리고 p형 크래딩층이 마련되고, 상기 액티브 레이어와 그 상하의 도파층들이 메사구조를 이루는 반도체 레이저 소자를 제작함에 있어서, 상기 메사구조를 형성하는 단계에 4:2:2:1 내지 4:4:4:1의 조성비를 갖는 HBrO3: CH3COOH : H3PO4: ACETONE가 혼합된 용제를 사용하며, 에칭시간은 5 내지 10분, 그리고 에칭시의 온도는 13.5 내지 18.5℃의 범위내로 설정하는 컷을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027530A KR940017019A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027530A KR940017019A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940017019A true KR940017019A (ko) | 1994-07-25 |
Family
ID=67220133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920027530A KR940017019A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940017019A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111106004A (zh) * | 2018-10-29 | 2020-05-05 | 东泰高科装备科技有限公司 | 一种砷化镓刻蚀方法 |
-
1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027530A patent/KR940017019A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111106004A (zh) * | 2018-10-29 | 2020-05-05 | 东泰高科装备科技有限公司 | 一种砷化镓刻蚀方法 |
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