JPS6142189A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6142189A JPS6142189A JP16310284A JP16310284A JPS6142189A JP S6142189 A JPS6142189 A JP S6142189A JP 16310284 A JP16310284 A JP 16310284A JP 16310284 A JP16310284 A JP 16310284A JP S6142189 A JPS6142189 A JP S6142189A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- active layer
- junction
- inp
- oscillation
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は１．レーザ発振波長を任意に変えることので
きる可変波長半導体レーザに関し、光通信。
きる可変波長半導体レーザに関し、光通信。
の分野の使用に供せられる。
勧
従来例の構成と問題点
従来より、長距離光伝送のために開発された単−縦モー
ド発振を行う半導１体レーザとして、ＤＦＢ（Ｄｉｓｔ
ｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄ Ｂａｃｋ） レーザダ
イオードが知られている。このレーザダイオードは光閉
じ込め層上に１μｍ以下の一定周期のコルゲーションを
形成したものであり、コルゲーションの周期によって決
まる発振波長で単一波長発振の縦モード動作が安定にお
こなわれるという利点を有する。しかしながら、発振波
長はコルゲーションの周期で一義的に決定され、単−縦
モード発振にもかかわらず波長多重通信が出来なかった
。さらに、この形のレーザではコルゲーションの周期が
レーザ発振波長が１．３μｍにおいては約２０００人程
度と極めて微細な加工を必要とし製造上にも問題があっ
た。
ド発振を行う半導１体レーザとして、ＤＦＢ（Ｄｉｓｔ
ｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄ Ｂａｃｋ） レーザダ
イオードが知られている。このレーザダイオードは光閉
じ込め層上に１μｍ以下の一定周期のコルゲーションを
形成したものであり、コルゲーションの周期によって決
まる発振波長で単一波長発振の縦モード動作が安定にお
こなわれるという利点を有する。しかしながら、発振波
長はコルゲーションの周期で一義的に決定され、単−縦
モード発振にもかかわらず波長多重通信が出来なかった
。さらに、この形のレーザではコルゲーションの周期が
レーザ発振波長が１．３μｍにおいては約２０００人程
度と極めて微細な加工を必要とし製造上にも問題があっ
た。
発明の目的
この発明は、製造が容易で安定な単−縦モード発振を行
なわせることができ、しかも発振波長を外部からの印加
電圧で変えることが可能な波長可変半導体レーザを提供
することを目的とする。
なわせることができ、しかも発振波長を外部からの印加
電圧で変えることが可能な波長可変半導体レーザを提供
することを目的とする。
発明の構成
本発明は、へき開等の手段によって構成された一対の７
７プリベロー共振器中に設けられた半導体活性領域の一
部に、活性領域より若干バンドギャップの大なる材料か
らなるｐ−ｎ接合を配置し、活性領域中ｑレーザ発振光
が該ｐ−ｎ接合部で一部は反射され一部は透過し、その
反射光との干渉効果によシ縦モードの単一化を計ると共
に、上記ｐ−ｎ接合部に逆バイアスを印加し、空乏層の
広がりにより屈折率を可変とし反射光を変化させて発振
波長を可変忙せんとするものである。
７プリベロー共振器中に設けられた半導体活性領域の一
部に、活性領域より若干バンドギャップの大なる材料か
らなるｐ−ｎ接合を配置し、活性領域中ｑレーザ発振光
が該ｐ−ｎ接合部で一部は反射され一部は透過し、その
反射光との干渉効果によシ縦モードの単一化を計ると共
に、上記ｐ−ｎ接合部に逆バイアスを印加し、空乏層の
広がりにより屈折率を可変とし反射光を変化させて発振
波長を可変忙せんとするものである。
実施例の説明
以下に図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例の波長可変半導体レーザの断
面を示すものである１図において、１はｎ−ＩｎＰ基板
、又はｎ−ＩｎＰ成長層、３はｎ−ＩｎＧａＡｇＰ活性
層、４及び５はｐ−ＩｎＰ層、６は低キヤリア濃度のｎ
−ＩｎＰ層、７はＳ ｓ Ｏ２絶縁膜、８，９．１０は
オーミック電極である。本実施例忙おいて、ｎ−ＩｎＰ
６のキャリアＩｓ度は、約Ｉ Ｘ １０”／ ｔｔｎ’
である。また６のｐ−１ｎＰｐ度は約２Ｘ１０７ｃｍ
である。また、Ｌ １＝＝１ｅｏｐｒｎ 。
面を示すものである１図において、１はｎ−ＩｎＰ基板
、又はｎ−ＩｎＰ成長層、３はｎ−ＩｎＧａＡｇＰ活性
層、４及び５はｐ−ＩｎＰ層、６は低キヤリア濃度のｎ
−ＩｎＰ層、７はＳ ｓ Ｏ２絶縁膜、８，９．１０は
オーミック電極である。本実施例忙おいて、ｎ−ＩｎＰ
６のキャリアＩｓ度は、約Ｉ Ｘ １０”／ ｔｔｎ’
である。また６のｐ−１ｎＰｐ度は約２Ｘ１０７ｃｍ
である。また、Ｌ １＝＝１ｅｏｐｒｎ 。
Ｌ ＝９０μｍ、Ｌ３−１μｍ である。しきい値の低
減Ａ６ 、１９８３ ）枳邦→唾が採用されている。こ
のようなレーザの端子８に正、１０に負のｔ源を接続し
電流を流すと約４０ｍＡで発振を開始した。
減Ａ６ 、１９８３ ）枳邦→唾が採用されている。こ
のようなレーザの端子８に正、１０に負のｔ源を接続し
電流を流すと約４０ｍＡで発振を開始した。
発振縦モードは、約４５ ｍＡで単一となり、１３０ｍ
Ａ程度までその発振波長も変化せず、単一性は維持され
る。端子８−９間に流れるｔ流をｅ ｏｍＡと一定にし
ておき、端子９に負、端子１０に正の別電源を接続し電
圧全印加した。
Ａ程度までその発振波長も変化せず、単一性は維持され
る。端子８−９間に流れるｔ流をｅ ｏｍＡと一定にし
ておき、端子９に負、端子１０に正の別電源を接続し電
圧全印加した。
第２図は、この電圧印加によって生ずる波長の変化を示
したものである。図かられかるように、８Ｖの印加によ
って６０への発振中心波長の変化を得ることが可能とな
る。
したものである。図かられかるように、８Ｖの印加によ
って６０への発振中心波長の変化を得ることが可能とな
る。
第１図と同様の構造において、活性層であるｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ層３の位置を、ｐ−ＩｎＰ５と接するような位
置として第２図と同僚の試験を行ったところ発振波長の
変化は得られなかった。これは、活性層と接する部分が
空乏層の広がり鎖酸にめることが、本発明の主要条件で
あることを示すものである。
ａＡｓＰ層３の位置を、ｐ−ＩｎＰ５と接するような位
置として第２図と同僚の試験を行ったところ発振波長の
変化は得られなかった。これは、活性層と接する部分が
空乏層の広がり鎖酸にめることが、本発明の主要条件で
あることを示すものである。
発明の効果
以上述のべたように、本発明によれば、ファプリベロー
共振器をもつ半導体レーザの活性層の一部に、活性層よ
ジノ（ンドギャップの大なる材料でｐ−ｎ 接合を形成
踵そのｐ −ｎ接合に逆・（イアスを加えることによっ
て生ずる空乏層が、活性層と接することにより発振中心
波長を変化しうるものであり、簡便な構造であると共に
、波長多重等大容量通信を可能とするものである。尚本
実施例では、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ半導体レーザにつ
いて述べたが、Ｇ ａ Ａ ｓ ／Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ
ｓ系の材料を用いたレーザにおいても同様の効果が得
られることは言うまでもない。
共振器をもつ半導体レーザの活性層の一部に、活性層よ
ジノ（ンドギャップの大なる材料でｐ−ｎ 接合を形成
踵そのｐ −ｎ接合に逆・（イアスを加えることによっ
て生ずる空乏層が、活性層と接することにより発振中心
波長を変化しうるものであり、簡便な構造であると共に
、波長多重等大容量通信を可能とするものである。尚本
実施例では、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ半導体レーザにつ
いて述べたが、Ｇ ａ Ａ ｓ ／Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ
ｓ系の材料を用いたレーザにおいても同様の効果が得
られることは言うまでもない。
第１図は本発明の一実施例の可変波長半４不レーザの構
造図、第２図は同半導体レーザの動作特性図である。 １−−−−・・ｎ−Ｉ ｎＰ ４板、２ 、 ｅ −°
−−−− ｎ−Ｉ ｎＰ、 ４ 。 ５＝・−・ｐ−ＩｎＰ 、３＝・−ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
、８．９ 。 １０・・・・・・オーミック１極、了・・・・・・Ｓｉ
Ｏ２・・・・・・絶縁膜。
造図、第２図は同半導体レーザの動作特性図である。 １−−−−・・ｎ−Ｉ ｎＰ ４板、２ 、 ｅ −°
−−−− ｎ−Ｉ ｎＰ、 ４ 。 ５＝・−・ｐ−ＩｎＰ 、３＝・−ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
、８．９ 。 １０・・・・・・オーミック１極、了・・・・・・Ｓｉ
Ｏ２・・・・・・絶縁膜。
Claims (2)
- （１）ファブリペロー共振器を有し、活性層の一部を前
記活性層よりバンドギャップの大なる材料で構成された
ｐ−ｎ接合により切断し、前記ｐ−ｎ接合部に活性層と
は独立に電圧を印加せしめる電極を配置したことを特徴
とする半導体レーザ。 - （２）活性層とｐ−ｎ接合部との接する位置は空乏層の
広がる部分であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16310284A JPS6142189A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16310284A JPS6142189A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142189A true JPS6142189A (ja) | 1986-02-28 |
Family
ID=15767207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16310284A Pending JPS6142189A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142189A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472583A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Fujitsu Ltd | Wavelength tunable semiconductor laser |
| JPH0545681A (ja) * | 1991-08-13 | 1993-02-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 波長選択素子 |
| JPH06316362A (ja) * | 1993-05-06 | 1994-11-15 | Kiyomasa Suzuki | 芯巻きテープ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53129989A (en) * | 1977-04-19 | 1978-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS561589A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Method of controlling laser oscillation output |
-
1984
- 1984-08-02 JP JP16310284A patent/JPS6142189A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53129989A (en) * | 1977-04-19 | 1978-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS561589A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Method of controlling laser oscillation output |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472583A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Fujitsu Ltd | Wavelength tunable semiconductor laser |
| JP2666297B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1997-10-22 | 富士通株式会社 | 波長可変型半導体レーザ |
| JPH0545681A (ja) * | 1991-08-13 | 1993-02-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 波長選択素子 |
| JPH06316362A (ja) * | 1993-05-06 | 1994-11-15 | Kiyomasa Suzuki | 芯巻きテープ |
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