JPH0545681A - 波長選択素子 - Google Patents
波長選択素子Info
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- JPH0545681A JPH0545681A JP28824691A JP28824691A JPH0545681A JP H0545681 A JPH0545681 A JP H0545681A JP 28824691 A JP28824691 A JP 28824691A JP 28824691 A JP28824691 A JP 28824691A JP H0545681 A JPH0545681 A JP H0545681A
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- transmission band
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Abstract
(57)【要約】
［目的］光フィルタにおいてチャネル数を増やすこと。
［構成］図１の光フィルタでは、等価屈折率の異なる導
波路１０、１２を近接配置しこれら導波路１０、１２に
より方向性結合器を構成する。また導波路１０の一方及
び他方の端面に光反射膜１２及び１４を設け、導波路１
２の一方の端部に光反射膜１２を設ける。導波路１０，
１２、光反射膜１２、１４により光共振器を構成する。
導波路１０及び１２上にそれぞれの等価屈折率を電気的
に可変制御するための電極１８及び２０を設ける。この
光フィルタは性質の異なる２種類の透過帯域ａ、ｂを有
すると考えられる。透過帯域ａのピーク位置は導波路１
０、１２の等価屈折率差を制御することによって移動し
透過帯域ｂのピーク位置は導波路１０の透過屈折率を制
御することによって移動する。透過帯域ａ、ｂが一致す
る波長域の光がこのフィルタを透過する。透過帯域ａの
ピーク位置の可変範囲は広く透過帯域ｂの半値幅は狭い
のでチャネル数を増やせる。
波路１０、１２を近接配置しこれら導波路１０、１２に
より方向性結合器を構成する。また導波路１０の一方及
び他方の端面に光反射膜１２及び１４を設け、導波路１
２の一方の端部に光反射膜１２を設ける。導波路１０，
１２、光反射膜１２、１４により光共振器を構成する。
導波路１０及び１２上にそれぞれの等価屈折率を電気的
に可変制御するための電極１８及び２０を設ける。この
光フィルタは性質の異なる２種類の透過帯域ａ、ｂを有
すると考えられる。透過帯域ａのピーク位置は導波路１
０、１２の等価屈折率差を制御することによって移動し
透過帯域ｂのピーク位置は導波路１０の透過屈折率を制
御することによって移動する。透過帯域ａ、ｂが一致す
る波長域の光がこのフィルタを透過する。透過帯域ａの
ピーク位置の可変範囲は広く透過帯域ｂの半値幅は狭い
のでチャネル数を増やせる。
Description
【産業上の利用分野】この発明は、例えば光を波長に応
じて選択的に分離する光波長フィルタ素子、或は光を波
長に応じて選択的に増幅する光増幅器、或は光を波長に
応じて選択的に発振する光発振器を構成するのに適した
波長選択素子に関する。
じて選択的に分離する光波長フィルタ素子、或は光を波
長に応じて選択的に増幅する光増幅器、或は光を波長に
応じて選択的に発振する光発振器を構成するのに適した
波長選択素子に関する。
【従来の技術】従来より、波長多重された光信号のなか
から特定波長λｏの光信号を分離するためのフィルタ素
子として、例えば文献Ｉ：ＩＥＥＥ Ｃｏｍｍｕｎｉｃ
ａ−ｔｉｏｎ Ｍａｇａｚｉｎｅ（アイイーイーイー
コミュニケーション マガジン） １９８９年１０月
ｐ５３〜６３に開示されているものがある。文献Ｉに開
示のフィルタ素子は、ａ：ファブリペロ型、ｂ：マッハ
ツェンダ型、ｃ：モード変換型及びｄ：ブラッグ反射型
の４種に分類される。フィルタの透過波長λｏを設計基
準波長λからλ＋Δλまで変化させることを考えれば、
ａ、ｂ及びｄの型では波長変化量Δλに関し表１の
（１）式が成立し、またｃの型では波長変化量Δλに関
し表１の（２）式が成立する。λｏ＝λ＋Δλと表せ
る。式中のΔｎはフィルタ素子が備える導波路に関し電
気的に変化させることのできる屈折率の量、ｎはフィル
タ素子が備える導波路の屈折率、δｎはモード間屈折率
差例えばＴＭ及びＴＥモード間の屈折率差を表す。一般
的には、設計基準波長λはフィルタ素子構成要素の形
状、寸法、形成材料等から一義的に決定され定数とな
る。しかしｃ型のなかでも音響光学効果（ＡＯ効果）を
利用したものは、光のモードを変換するためのグレーテ
ィングの周期を 電気的に変化させることができるの
で、設計基準波長λを可変制御することがで きる。従
って、電気的に可変制御される屈折率変化量Δｎに上限
はあるものの、透過波長λｏの可変範囲（チューニング
幅）はｃの型において最も広くなる。また、上記ａ、
ｂ、ｃ及びｄ型の各フィルタにおける光透過率ピークの
半値幅ΔλＦＷＨＭは、それぞれ表１の（３）式、
（４）式、（５）式及び（６）式で表せる。式中のＬは
フィルタ素子の素子長（電極長）、Ｒはフィルタ素子の
入出射端面の反射率を表す。通常δｎ＜＜ｎであるの
で、（３）式〜（６）式からも理解できるようにａ、ｂ
及びｄの型での半値幅ΔλＦＷＨＭは非常に狭くなる
が、ｃの型での半値幅ΔλＦＷＨＭは非常に広くなる。
ここでフィルタ素子の１チャネル当たりの透過帯域幅
（半値幅）がΔλＦＷＨＭであるとすれば、チャネル数
ＣＨはａの型では表１の（７）式、ｂ及びｃの型では表
１の（８）式、またｄの型では表１の（９）式のように
表せる。式中のΔｎｍａｘは変化可能な範囲で最大のΔ
ｎを表す。ただしａの型の場合ＦＳＲ（Ｆｒｅｅ Ｓｐ
ｅｃｔｒａｌ Ｒａｎｇｅ）の制限を受けるので、素子
単独では、ＣＨ＝π・Ｒ１／２／（１−Ｒ）となる。従
ってΔｎｍａｘ≒０．０１とすると、ａの型ではＲ≒
０．９としてＦＳＲの制限により数１０チャネル（ＦＳ
Ｒを無視すれば潜在的には８０チャネル）となり、ｂの
型ではＬ≒１ｃｍとして８０チャネル、ｃの型ではＬ≒
１ｍｍとして８チャネル及びｄの型ではＬ＝５００μｍ
として８チャネルとなる。
から特定波長λｏの光信号を分離するためのフィルタ素
子として、例えば文献Ｉ：ＩＥＥＥ Ｃｏｍｍｕｎｉｃ
ａ−ｔｉｏｎ Ｍａｇａｚｉｎｅ（アイイーイーイー
コミュニケーション マガジン） １９８９年１０月
ｐ５３〜６３に開示されているものがある。文献Ｉに開
示のフィルタ素子は、ａ：ファブリペロ型、ｂ：マッハ
ツェンダ型、ｃ：モード変換型及びｄ：ブラッグ反射型
の４種に分類される。フィルタの透過波長λｏを設計基
準波長λからλ＋Δλまで変化させることを考えれば、
ａ、ｂ及びｄの型では波長変化量Δλに関し表１の
（１）式が成立し、またｃの型では波長変化量Δλに関
し表１の（２）式が成立する。λｏ＝λ＋Δλと表せ
る。式中のΔｎはフィルタ素子が備える導波路に関し電
気的に変化させることのできる屈折率の量、ｎはフィル
タ素子が備える導波路の屈折率、δｎはモード間屈折率
差例えばＴＭ及びＴＥモード間の屈折率差を表す。一般
的には、設計基準波長λはフィルタ素子構成要素の形
状、寸法、形成材料等から一義的に決定され定数とな
る。しかしｃ型のなかでも音響光学効果（ＡＯ効果）を
利用したものは、光のモードを変換するためのグレーテ
ィングの周期を 電気的に変化させることができるの
で、設計基準波長λを可変制御することがで きる。従
って、電気的に可変制御される屈折率変化量Δｎに上限
はあるものの、透過波長λｏの可変範囲（チューニング
幅）はｃの型において最も広くなる。また、上記ａ、
ｂ、ｃ及びｄ型の各フィルタにおける光透過率ピークの
半値幅ΔλＦＷＨＭは、それぞれ表１の（３）式、
（４）式、（５）式及び（６）式で表せる。式中のＬは
フィルタ素子の素子長（電極長）、Ｒはフィルタ素子の
入出射端面の反射率を表す。通常δｎ＜＜ｎであるの
で、（３）式〜（６）式からも理解できるようにａ、ｂ
及びｄの型での半値幅ΔλＦＷＨＭは非常に狭くなる
が、ｃの型での半値幅ΔλＦＷＨＭは非常に広くなる。
ここでフィルタ素子の１チャネル当たりの透過帯域幅
（半値幅）がΔλＦＷＨＭであるとすれば、チャネル数
ＣＨはａの型では表１の（７）式、ｂ及びｃの型では表
１の（８）式、またｄの型では表１の（９）式のように
表せる。式中のΔｎｍａｘは変化可能な範囲で最大のΔ
ｎを表す。ただしａの型の場合ＦＳＲ（Ｆｒｅｅ Ｓｐ
ｅｃｔｒａｌ Ｒａｎｇｅ）の制限を受けるので、素子
単独では、ＣＨ＝π・Ｒ１／２／（１−Ｒ）となる。従
ってΔｎｍａｘ≒０．０１とすると、ａの型ではＲ≒
０．９としてＦＳＲの制限により数１０チャネル（ＦＳ
Ｒを無視すれば潜在的には８０チャネル）となり、ｂの
型ではＬ≒１ｃｍとして８０チャネル、ｃの型ではＬ≒
１ｍｍとして８チャネル及びｄの型ではＬ＝５００μｍ
として８チャネルとなる。
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のａ、
ｂ、ｄの型のフィルタ素子では、１チャネル当たりの透
過帯域幅ΔλＦＷＨＭを狭くできてもチューニング幅
（透過波長λｏの可変範囲）を広くできないためチャネ
ル数（＝チューニング幅／１チャネル当たりの透過帯域
幅）を大きくできない。またｃの型のフィルタ素子で
は、チューニング幅を広くできるが透過帯域幅Δλ
ＦＷＨＭを狭くできないためチャネル数を増やせない。
チャネル数を増やすことを考えた場合、ａ、ｂ、ｄの型
では素子長Ｌを長くすれば透過帯域幅ΔλＦＷＨＭを狭
くでき従ってチャネル数を増やせるが、透過帯域幅Δλ
ＦＷＨＭが狭くなりすぎるとフィルタ素子が扱いにくく
なり実用的でなくなる。またｃの型では素子長Ｌを極端
に長くしないと（例えばＬ＝１ｍ）チャネル数を増やせ
ない。この発明の目的は、上述した従来の問題点を解決
するため、１チャネル当たりの透過帯域幅を実用的な範
囲で狭くできかつチューニング幅を広くできるフィルタ
素子を構成するのに適した波長選択素子を提供すること
にある。
ｂ、ｄの型のフィルタ素子では、１チャネル当たりの透
過帯域幅ΔλＦＷＨＭを狭くできてもチューニング幅
（透過波長λｏの可変範囲）を広くできないためチャネ
ル数（＝チューニング幅／１チャネル当たりの透過帯域
幅）を大きくできない。またｃの型のフィルタ素子で
は、チューニング幅を広くできるが透過帯域幅Δλ
ＦＷＨＭを狭くできないためチャネル数を増やせない。
チャネル数を増やすことを考えた場合、ａ、ｂ、ｄの型
では素子長Ｌを長くすれば透過帯域幅ΔλＦＷＨＭを狭
くでき従ってチャネル数を増やせるが、透過帯域幅Δλ
ＦＷＨＭが狭くなりすぎるとフィルタ素子が扱いにくく
なり実用的でなくなる。またｃの型では素子長Ｌを極端
に長くしないと（例えばＬ＝１ｍ）チャネル数を増やせ
ない。この発明の目的は、上述した従来の問題点を解決
するため、１チャネル当たりの透過帯域幅を実用的な範
囲で狭くできかつチューニング幅を広くできるフィルタ
素子を構成するのに適した波長選択素子を提供すること
にある。
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明の波長選択素子は、方向性結合器を構成す
る複数の導波路と、光共振器を構成するため導波路に設
けた光反射部と、導波路の等価屈折率を可変制御するた
めの電極とを備え、導波路の等価屈折率を異ならせて成
ることを特徴とする。この発明の実施に当っては、導波
路を活性層とした半導体レーザを設けるようにしてもよ
い。この場合には、この発明の波長選択素子により、光
を波長に応じて選択的に発振する光発振器を構成し或は
光を波長に応じて増幅する増幅器を構成することができ
る。またこの発明の実施に当たり、導波路を活性層とし
た半導体レーザを設けないようにしてもよい。この場合
には、この発明の波長選択素子により、光を波長に応じ
て分離する光波長フィルタを構成することができる。
め、この発明の波長選択素子は、方向性結合器を構成す
る複数の導波路と、光共振器を構成するため導波路に設
けた光反射部と、導波路の等価屈折率を可変制御するた
めの電極とを備え、導波路の等価屈折率を異ならせて成
ることを特徴とする。この発明の実施に当っては、導波
路を活性層とした半導体レーザを設けるようにしてもよ
い。この場合には、この発明の波長選択素子により、光
を波長に応じて選択的に発振する光発振器を構成し或は
光を波長に応じて増幅する増幅器を構成することができ
る。またこの発明の実施に当たり、導波路を活性層とし
た半導体レーザを設けないようにしてもよい。この場合
には、この発明の波長選択素子により、光を波長に応じ
て分離する光波長フィルタを構成することができる。
【作用】この出願の発明者がこの発明の波長選択素子を
透過する光の透過帯域Ｉを数値解析により調べたとこ
ろ、性質の異なる２種類の透過帯域ａ及びｂを重ね合せ
たものを透過帯域Ｉと考えればよいことがわかった。透
過帯域ａのピーク位置は導波路間の等価屈折率差を電気
的に変化させると移動する性質を有する。透過帯域ａの
ピーク位置を移動させることが可能な波長範囲は広い
が、透過帯域ａの半値幅は広くなる。一方、透過帯域ｂ
のピーク位置は導波路の等価屈折率を電気的に変化させ
ると移動する性質を有する。透過帯域ｂの半値幅は狭い
が、透過帯域ｂを移動させることが可能な波長範囲は狭
くなる。例えば、方向性結合器を２つの導波路ｃ、ｄで
構成した場合、これら導波路ｃ、ｄ間の等価屈折率差を
変化させると透過帯域ａのピーク位置が移動し、また導
波路ｃの透過屈折率を変化させると透過帯域ｂのピ−ク
位置が移動する。透過帯域Ｉはこれら透過帯域ａ及びｂ
が一致する波長域であり、透過帯域ａ及び又はｂのピー
ク位置を移動させると透過帯域Ｉのピーク位置が移動す
る。これら透過帯域ａ及びｂは、導波路を活性層とする
半導体レーザを設けても設けなくとも現れる。半導体レ
ーザを設けない場合には、透過帯域Ｉの光を選択的に分
離することができる。また半導体レーザを設けた場合に
は、透過帯域Ｉの光を選択的に増幅して出力し、或は透
過帯域Ｉの光を選択的に発振することができる。
透過する光の透過帯域Ｉを数値解析により調べたとこ
ろ、性質の異なる２種類の透過帯域ａ及びｂを重ね合せ
たものを透過帯域Ｉと考えればよいことがわかった。透
過帯域ａのピーク位置は導波路間の等価屈折率差を電気
的に変化させると移動する性質を有する。透過帯域ａの
ピーク位置を移動させることが可能な波長範囲は広い
が、透過帯域ａの半値幅は広くなる。一方、透過帯域ｂ
のピーク位置は導波路の等価屈折率を電気的に変化させ
ると移動する性質を有する。透過帯域ｂの半値幅は狭い
が、透過帯域ｂを移動させることが可能な波長範囲は狭
くなる。例えば、方向性結合器を２つの導波路ｃ、ｄで
構成した場合、これら導波路ｃ、ｄ間の等価屈折率差を
変化させると透過帯域ａのピーク位置が移動し、また導
波路ｃの透過屈折率を変化させると透過帯域ｂのピ−ク
位置が移動する。透過帯域Ｉはこれら透過帯域ａ及びｂ
が一致する波長域であり、透過帯域ａ及び又はｂのピー
ク位置を移動させると透過帯域Ｉのピーク位置が移動す
る。これら透過帯域ａ及びｂは、導波路を活性層とする
半導体レーザを設けても設けなくとも現れる。半導体レ
ーザを設けない場合には、透過帯域Ｉの光を選択的に分
離することができる。また半導体レーザを設けた場合に
は、透過帯域Ｉの光を選択的に増幅して出力し、或は透
過帯域Ｉの光を選択的に発振することができる。
【実施例】以下、図面を参照しこの発明の実施例につき
説明する。尚、図面は個の発明が理解できる程度に概略
的に示してあるに過ぎず、従ってこの発明を図示例に限
定するものではない。図１はこの発明の第一実施例の構
成を概略的に示す平面図である。第一実施例の波長選択
素子は光波長フィルタである。この実施例の波長選択素
子は、方向性結合器を構成する複数例えば２つの導波路
１０、１６と光共振器を構成するため導波路に設けた光
反射部１２、１４と導波路の等価屈折率を可変制御する
ための電極１８、２０とを備えて成る。導波路（第一導
波路）１０及び導波路（第二導波路）１６の等価屈折率
は、これらの等価屈折率を電気的に変化させていない状
態で、異なる。この実施例では、例えば第一導波路１０
及び第二導波路１６の導波路幅を異ならせることによっ
て、或は第一導波路１０及び第二導波路１６の形成材料
を異ならせることによって、或は第一導波路１０及び第
二導波路１６に屈折率制御物質を添加することによっ
て、第一導波路１０及び第二導波路１６の透過屈折率を
電気的に変化させていない状態でこれら導波路１０及び
１６の等価屈折率が異なるようにする。そしてこれら導
波路１０及び１６を光の相互作用を生じるように近接さ
せて、基板２２に設け、これら導波路１０及び１６によ
り方向性結合器を構成する。第一導波路１０を一方の基
板端面２２ａから他方の基板端面２２ｂまで設け、第二
導波路１６を一方の基板端面２２ａから他方の基板端面
２２ｂに至らない位置Ｘまで延在させて設ける。光反射
部１２及び１４は基板端面２２ａ及び２２ｂに設けた高
反射膜であり、従って第一導波路１０の一方及び他方の
端面にそれぞれ光反射部１２及び１４を設け第二導波路
１６の一方の端面に光反射部１２を設ける。これら第一
導波路１０、第二導波路１６、及び光反射部１２、１４
により光共振器を構成する。第一導波路１０の光反射部
１４を設けた側の端部に入力ポート２４を設け、第二導
波 路１６の光反射部１２を設けた側の端部に出力ポー
ト２６を設ける。第一導波路１０に設けた入力ポート２
４に光を入射すると、後述する透過帯域Ｉの波長の光が
第二導波路１０に設けた出力ポート２６から出射し、そ
れ以外の波長の光は位置Ｘの第二導波路１６端部から基
板２０中に放射され或は吸収される。基板２２は強誘電
体結晶基板或は化合物半導体基板である。導波路構造及
び電極構造を基板材料に応じた任意好適な構造とするこ
とができる。図示例では、電極１８及び２０を第一導波
路１０上及び第二導波路１６上に設ける。次に第一実施
例の波長選択素子の動作特性につき説明する。出力ポー
ト２６から出力される波長λの光の強度（│出力│）
は、方向性結合器の光透過特性に関する行列表現を用い
て、表２（１０）式のように表せる。ただしｒは光反射
部１２、１４の反射率、Ｌ１は第一導波路１０及び第二
導波路１６が光の相互作用を生じるように結合する部分
の長さ（図１参照）、Ｌ２は共振器長（図１参照）ｎは
基板２２の屈折率、Δｎは第一導波路１０及び第二導波
路１６の透過屈折率を電気的に変化させていない状態の
ときの導波路１０及び１６の透過屈折率差及びＫは第一
導波路１０及び第二導波路１６の間の結合係数を表す。
（１０）式に基づいた解析により、この実施例の波長選
択素子を透過する光の波長域（透過帯域Ｉ）は性質の異
なる２つの透過帯域ａ及びｂを重ね合わせて考えればよ
いことがわかる。図２（Ａ）〜（Ｃ）は第一実施例の波
長選択素子の光透過特性の説明に供する図である。図２
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ波長選択素子の透
過帯域ａ、透過帯域ｂ及び透過帯域Ｉの分布の様子を示
し、これら図の縦軸は光強度及び横軸は波長を表す。
（１０）式において式の簡単化のためδ１＜＜Ｋと考え
る。この実施例ではδ１が大きいと後述する透過帯域Ｉ
の波長以外の波長の光が第一導波路１０から第二導波路
１６へ移行しにくくなる。そこでδ１＜＜Ｋとすること
によって透過帯域Ｉ以外の波長の光が第一導波路１０か
ら第二導波路１６へ移行し易くなるようにする。表７
（２９）式が成立するとき（１０）式の分母は２・ｋ・
Ｌに対して極小となり、このとき透過帯域ｂのピークが
現れる。（２９）式を（１０）式に代入し変形すると表
７（３０）式の│出力│が得られる。（３０）式より、
図２（Ａ）に示すような透過帯域ａが得られる。透過帯
域ａのピーク位置は第一導波路１０及び第二導波路１６
の等価屈折率差を電気的に変化させると移動する性質を
有する。またδ１＜＜Ｋでは（１０）式においてｒの値
を１に近づけると、Ｃｏｓ（２・ｋ・Ｌ２）≠１では│
出力２│は零に近づきＣｏｓ（２・ｋ・Ｌ２）＝１では
透過帯域ｂで大きな出力が得られる。透過帯域ｂのピー
ク位置は第一導波路１０の等価屈折率を電気的に変化さ
せると移動する性質を有し、このような性質の透過帯域
ｂのピーク位置は複数個現れる。透過帯域ｂのピークは
Ｃｏｓ（２・ｋ・Ｌ２）＝１より２・ｋ・Ｌ２＝２・ｍ
・πを満足する波長λで生じる（ただし、ｍは正の整数
を表す）。複数個の透過帯域ｂは一定の波長間隔Δλ
ＦＳＲで現れる。第一実施例の透過帯域Ｉは図２（Ｃ）
にも示すように透過帯域ａ及びｂが一致する波長域であ
る。尚、この実施例では透過帯域ａもまた複数個存在
し、複数個の透過帯域ａが一定の波長間隔で離間する。
この透過帯域ａの離間間隔は透過帯域ｂの離間間隔Δλ
ＦＳＲよりも広い。第一導波路１０及び第二導波路１６
の透過屈折率を電気的に変化させていない状態では、透
過帯域ａのピークはＣ２＝１を満足する波長λｏで生じ
る。Ｃ２＝１のとき表３（１１）式が成立し、従って波
長λｏは（１１）式より表３（１２）式のように表せ
る。第一導波路１０及び第二導波路１６の透過屈折率差
を電気的に変化させてΔｎからΔｎ＋δΔｎに変化させ
たとき、透過帯域ａのピークが生じる波長はλｏからλ
ｏ＋ΔλＯＴに変化し、透過帯域ａのピーク位置がΔλ
ＯＴだけ移動する。透過帯域ａのピーク位置の移動量Δ
λＯＴは表３（１３）式のように表せる。（１３）式よ
り（１４）式が得られる。透過帯域ｂのピーク位置を移
動させるには、第一導波路１０の等価屈折率を電気的に
変化させればよいが、透過帯域ａのピーク位置を移動さ
せずに透過帯域ｂのピーク位置のみを移動させるために
は、第一導波路１０の等価屈折率の変化量と第二導波路
１６の等価屈折率の変化量とを等しくするようにしなが
ら第一導波路１０の等価屈折率を電気的に変化させる。
透過帯域ｂのピーク位置の移動はファブリペロ共振器型
の光波長フィルタの透過帯域の移動の場合と同様に考え
ることができ、第一導波路１０及び第二導波路１６の等
価屈折率を共にδｎだけ変化させると透過帯域ｂのピー
ク位置はΔλＦＴだけ移動する。透過帯域ｂのピーク位
置の移動量ΔλＦＴは表３（１５）式のように表せる。
通常、δｎ≒δΔｎ及びｎ＞Δｎであるので、ΔλＯＴ
＞ΔλＦＴとなり従って透過帯域ａのピーク位置を移動
させることが可能な波長範囲は透過帯域ｂのピーク位置
を移動させることが可能な波長範囲よりも広い。必ずし
もこれに限定するものではないが、第一導波路１０及び
第二導波路１６の透過屈折率を電気的に変化させていな
い状態で、透過帯域ｂのピーク位置及び透過帯域ａのピ
ーク位置を等しい波長λｏで生じるのが好ましい。透過
帯域ａ及び又はｂのピーク位置を移動させると透過帯域
Ｉのピーク位置が移動し従って波長選択素子を透過する
光の波長（透過波長）が変化する。光の透過波長の可変
範囲（チューニング幅）を広くするためには、δｎを最
大に変化させたときの透過帯域ｂのピーク位置の移動量
ΔλＦＴがΔλＦＳＲ以上となるようにし移動量Δλ
ＦＴを零から少なくともΔλＦＳＲまで変化させること
ができるようにするのが好ましい。表３（１６）式を満
足させるように波長選択素子を構成することにより、δ
ｎを最大に変化させたときの移動量ΔλＦＴをΔλ
ＦＳＲに等しくすることができる。ただし、δｎｍａｘ
は最大変化させたときのδｎ表す。移動量ΔλＦＴを零
から少なくともΔλＦＳＲまで変化させることができる
ようにすることによって、透過帯域ａのピーク位置の可
変範囲ΔλＯＴｍａｘの全範囲にわたり透過帯域ａ及び
ｂのピーク位置を一致させることができるようになり従
って光の透過波長の可変範囲をδΔｎｍａｘ／Δｎ（＝
ΔλＯＴｍａｘ）とすることができる。ここでδΔｎ
ｍａｘは最大変化させたときのΔｎを表す。また透過帯
域ｂの半値幅は透過帯域ａの半値幅よりも狭いので、透
過帯域Ｉの半値幅ΔλＷは透過帯域ｂの半値幅と等し
い。半値幅ΔλＷは表３（１７）式のように表せる。従
ってこの実施例のチャネル数（＝ΔλＯＴｍａｘ／Δλ
Ｗ）は表３（１８）式のように表せ、この実施例のチャ
ネル数は通常のファブリペロ型の光波長フィルタのチャ
ネル数のｎ／Δｎ倍になることがわかる。また透過帯域
ａ及びｂのピークを一致させた状態のとき、図２（Ｃ）
にも示すように、透過帯域ａは複数個の透過帯域ｂを含
み従って透過帯域Ｉには透過帯域Ｉのピーク（メインピ
ークＭＰ）とそれ以外のピーク（サブピークＳＰ）とが
現れる。メインピークＭＰを分離したい光の波長と考え
れば、メインピークＭＰ及びサブピークＳＰの光強度の
比を十分に大きくするのが好ましい。そこでメインピー
クＭＰからΔλＦＳＲ離間したサブピークＳＰの光強度
Ｘを考える。光強度Ｘを考えるためＳ２＝０の近傍で微
小なδ１の変化分Δδ１によって（１０）式を展開し、
さらに展開した（１０）式においてδ１＜＜Ｋかつｒ≒
１と近似する。すると表４（１９）式が得られる。ここ
で表（２０）式を用いて（１９）式を変形すると、表４
（２１）式及び（２２）式が得られる。従って例えば、
Ｘ＝０．０３２（−１５ｄＢ）及びΔｎ／ｎ＝０．０１
とすれば（２１）式よりｒ＝０．９９９となり、またｒ
＝０．９９及びΔｎ／ｎ＝０．０２とすれば（２２）式
よりＸ＝０．０２５となる。このようにｒ及びΔｎ／ｎ
の大きさを任意好適な値とすることによって、サブピー
クＳＰを実用上充分に小さくすることができる。次に結
合係数Ｋにつき考える。δ１＜＜Ｋとするには表４（２
３）式を満足させればよい（ただしαはα＞＞１となる
定数である）。従って（１６）式及び（２３）式より
（２４）式が得られる。Ｍ＝（素子長）／（結合長）と
すれば、（２４）式よりＭ＝α・（λＯ／Δλ
ＯＴｍａｘ）が成立するように結合係数Ｋを定めること
によりδ１＜＜Ｋを成立させることができる。この実施
例では第一導波路１０及び第二導波路１６に光の増幅作
用を付与しなかったが、この実施例において、第一導波
路１０を活性層としたファブリペロー型半導体レーザを
設け、第一導波路１０に光の増幅作用を第一導波路１０
に対し付与すれば、この実施例の波長選択素子を光増幅
器或は可変波長光発振器として用いることができる。光
増幅器として用いる場合は、特定の波長の光を増幅して
選択的に出力することができ、また導波路中での光の損
失を補償し光の損失による特性劣化を防止することがで
きる。可変波長光発振器として用いる場合は、特定の波
長の光を選択的に発振させることができる。さらに上述
した実施例では、第一導波路１０及び第二導波路１６を
平面的に並列させて設けるようにしたが、第一導波路１
０及び第二導波路１６を立体的に設けるようにしてもよ
い。立体的に設ける場合には、第一導波路１０、中間層
及び第二導波路１６を順次に積層しこれら導波路１０及
び１６を中間層を介し光の相互作用を生じるように結合
させればよい。図３はこの発明の第二実施例の構成を概
略的に示す平面図である。尚、第一実施例の構成成分に
対応する構成成分については同一の符号を付して示す。
以下の説明では、第一実施例と相違する点について説明
し第一実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省
略する。第二実施例の波長選択素子は光反射部２８、３
０、３２を備える。これら光反射部２８〜３２はブラッ
グ反射器又は回折格子であり、光反射部２８及び３０を
第一導波路１０の一方及び他方の端部に設け、光反射部
３２を第二導波路１６の一方の端部に設ける。図示例で
は、光反射部２８〜３２を導波路の上面に設けるように
したが、光反射部２８〜３２を導波路の底面或は側面に
設けるようにしてもよい。また第二実施例の波長選択素
子において第一導波路１０全体を活性層とするブラッグ
反射型の半導体レーザを設けるようにするか、或は光反
射部２８、３０及び３２を設けた各導波路部分にそれぞ
れ、これら各導波路部分を活性層とする分布帰還型の半
導体レーザを設けるようにすれば、この実施例の波長選
択素子を光共振器或は光増幅器として用いることができ
る。図４はこの発明の第三実施例の構成を概略的に示す
平面図である。尚、第一実施例の構成成分胃対応する構
成成分については同一の符号を付して示す。以下の説明
では、第一実施例と相違する点につき説明し第一実施例
と同様の点についてはその詳細な説明を省略する。第一
実施例では図１にも示すように第二導波路１６を一方の
基板端面２２ａから他方の基板端面２２ｂに至らない位
置Ｘまで設け第二導波路１６の一端に光反射部１２を設
けるようにしたが、第三実施例では図３にも示すように
第二導波路１６の一方及び他方の端部が一方及び他方の
基板端面２２ａ及び２２ｂと接しないように第二導波路
１６を基板２２中央部に設ける。従って第三実施例で
は、第二導波路１６の一方及び他方の端面に光反射部１
２を設けておらず、透過帯域Ｉ以外の波長の光は第二導
波路１６の一方及び他方の端部のそれぞれから基板中に
放射或は吸収される。図３中の符号Ｙ及びＸは、第二導
波路１６の一方及び他方の端面位置を表す。入力ポート
２４を第一導波路１０の光反射部１４を設けた側の端部
に、及び出力ポート２６を第一導波路１０の光反射部１
２を設けた側の端部に設ける。第一導波路１０及び光反
射部１２、１４が光共振器を構成する。第三実施例の波
長選択素子の│出力│は表５（２５）式のように表せ
る。（２５）式より得られる第三実施例の動作特性も第
一実施例の場合と同様になるが、第三実施例において光
強度Ｘに関し得られる関係式は第一実施例の（１９）
式、（２１）式及び（２２）式においてＬ１→Ｌ１／２
としたものとなる。図５はこの発明の第四実施例の構成
を概略的に示す平面図である。尚、第三実施例の構成成
分に対応する構成成分については同一の符号を付して示
す。以下の説明では、第三実施例と相違する点につき説
明し第三実施例と同様の点についてはその詳細な説明を
省略する。第四実施例の波長選択素子は光反射部３４及
び３６を備える。これら光反射部３４及び３６はブラッ
グ反射器又は回折格子であり、光反射部３４及び３６を
第一導波路１０の一方及び他方の端部に設ける。このほ
かは第三実施例と同様である。図６はこの発明の第五実
施例の構成を概略的に示す平面図である。尚、第三実施
例の構成成分に対応する構成成分については同一の符号
を付して示す。以下の説明では、第三実施例と相違する
点につき説明し第三実施例と同様の点についてはその詳
細な説明を省略する第五実施例の波長選択素子は第二導
波路１６の一方及び他方の端部に設けた導波路３８及び
４０を備える。例えば導波路３８及び４０は第一導波路
１０の導波路幅と等しい導波路幅を有する直線導波路で
ある。導波路３８を第二導波路１６の一方の端部に結合
させ、導波路３８を第二導波路１６の一方の端部から一
方の基板端面２２ａに至らない位置まで延在させて基板
２２に設ける。同様に導波路４０を第二導波路１６の他
方の端部に結合させ、導波路４０を第二導波路１６の他
方の端部から他方の基板端面２２ｂに至らない位置まで
延在させて基板２２に設ける。導波路３８及び４０上に
それぞれ電極４８及び５０を設ける。第一導波路１０の
等価屈折率を電気的に変化させたときも変化させなかっ
たときも、第一導波路１０の等価屈折率と導波路３８、
４０の等価屈折率とが等しくなるように、導波路３８、
４０の等価屈折率を電極４８、５０を介し電気的に制御
する。第一〜第四実施例ではδ１＜＜Ｋとすることによ
って透過帯域Ｉ以外の波長の光が第一導波路１０から第
二導波路１６へ移行し易くなるようにしていた。しかし
第五実施例では第一導波路１０と等価屈折率の等しい導
波路３８及び４０を第二導波路１６に設けるので、δ１
＜＜Ｋとしなくとも透過帯域Ｉ以外の波長の光が第一導
波路１０から第二導波路１６へ移行し易くなる。図７は
この発明の第六実施例の構成を概略的に示す平面図であ
る。尚、第一実施例の構成成分に対応する構成成分につ
いては同一の符号を付して示す。以下の説明では、第一
実施例と相違する点につき説明し第一実施例と同様の点
についてはその詳細な説明を省略する。第六実施例の波
長選択素子は第二導波路１６の他方の端部に設けた導波
路４２を備える。例えば導波路４２は第一導波路１０の
導波路幅と等しい導波路幅を有する直線導波路である。
導波路４２を第二導波路１６の他方の端部に結合させ、
そして導波路４２を第二導波路１６の他方の端部から他
方の基板端面２２ｂに至らない位置まで延在させて基板
２２に設ける。導波路４２上に電極５２を設ける。第一
導波路１０の等価屈折率を電気的に変化させたときも変
化させなかったときも、第一導波路１０の透過屈折率と
導波路４２の等価屈折率とが等しくなるように、導波路
４２の等価屈折率を電極５２を介し電気的に制御する。
第六実施例では第一導波路１０と等価屈折率の等しい導
波路４２を第二導波路１６に設けるので、δ１＜＜Ｋと
しなくとも透過帯域Ｉ以外の波長の光が第一導波路１０
から第二導波路１６へ移行し易くなる。図８はこの発明
の第七実施例の構成を概略的に示す平面図である。尚、
第五実施例の構成成分に対応する構成成分については同
一の符号を付して示す。以下の説明では、第五実施例と
相違する点につき説明し第五実施例と同様の点について
はその詳細な説明を省略する。第七実施例の波長選択素
子は低屈折率部４４を備える。低屈折率部４４は基板２
２よりも屈折率の低い部分であり、例えば基板２２に溝
を設けこの溝内に充満させた空気を低屈折率部４４と
し、或は基板２２に屈折率調整物質を添加した部分を低
屈折率部４４としてもよい。この低屈折率部４４を第一
導波路１０及び第二導波路１６の間に位置Ｘから位置Ｙ
まで延在させて設ける。出力ポート２６から出射される
透過帯域Ｉ以外の波長の光の量を充分に少なくするため
に要求される光反射部１２、１４の反射率ｒを低減でき
る。出力ポート２６から出射される透過帯域Ｉ以外の波
長の光の量を充分に少なくするため上述した第一〜第六
実施例ではｒ≒１とするのが好ましかったが、第七実施
例ではｒ≒１としなくとも出力ポート２６から出射され
る透過帯域Ｉ以外の波長の光の量を少なくすることがで
きる。第七実施例の波長選択素子の│出力│は表６（２
６）式のように表せる。特にＣｏｓ２（Ｌｃ・Ｋ）＝Ｓ
ｉｎ２（Ｌｃ・Ｋ）＝１／２の場合には│出力│を表６
（２７）式のように表せる。ここでＬｃは導波路３８、
４０の長さを表す（図８参照）。（２６）式においてＣ
ｃｓ（２・ｋ・Ｌ１＋２・δ１・Ｌ１）＝−１としたと
き透過帯域ａが得られる。透過帯域ｂのピークはＳｉｎ
（δ１・Ｌ１）＝１すなわちδ１・Ｌ１＝（π／２）・
ｍを満足する波長λで生じる。従って第七実施例でも第
一実施例と同様にして（１４）式が成立する。図９はこ
の発明の第八実施例の構成を概略的に示す平面図であ
る。尚、第一実施例の構成成分に対応する構成成分につ
いては同一の符号を付して示す。以下の説明では、第一
実施例と相違する点につき説明し第一実施例と同様の点
についてはその詳細な説明を省略する。第八実施例で
は、第一導波路１０を一方の基板端面２２ａから他方の
基板端面２２ｂに至らない位置Ｘまで延在させて基板端
面２２ａ及び２２ｂの間に設ける。また第二導波路１６
を他方の基板端面２２ｂから一方の基板端面２２ａに至
らない位置Ｙまで延在させて基板端面２２ａ及び２２ｂ
の間に設ける。入力ポート２４を第二導波路１６の他方
の端部に及び出力ポート２６を第一導波路１０の一方の
端部に設ける。第一導波路１０及び第二導波路１６の等
価屈折率を異ならせこれら導波路１０及び１６間に伝搬
定数差Δβを設ける。さらに第一導波路１０の一方の端
部に光反射部１２を設け、第二導波路１６の他方の端部
に光反射部１４を設ける。第一導波路１０、第二導波路
１６及び光反射部１２、１４が光共振器を構成する。第
一導波路１０及び第二導波路１６は位置ＸからＹまでの
間で光の相互作用を生じるように近接し、位置ＸからＹ
までの間の第一導波路部分及び又は第二導波路部分に位
相整合用のグレーティング４６を設ける。そして電極１
８を第一導波路１０及びグレーティング４６上に設け
る。グレーティング４６は、第一導波路１０を導波する
光の位相と第二導波路１６を導波する光の位相を整合さ
せ、導波路１０及び１６間の光の移行を達成するための
ものである。第八実施例の波長選択素子は波長λの光を
表６（２８）式で表される透過率で透過する。（２８）
式中、Δβは第一導波路１０及び第二導波路１６の間の
等価屈折率差に起因するこれら導波路間の伝搬定数差、
Λはグレーティング４６の周期を表す。（２８）式から
も理解できるように、第八実施例の波長選択素子はδ１
＝０を満たす波長の光のみを透過する。図２（Ａ）の透
過帯域ａを表す包絡線は、（２８）式の透過率を表す式
の分母がｋ・Ｌの変化に対して最小となる条件より得ら
れ（１−ｒ）２・Ｂ２／（１−ｒ・Ｂ２）２と表され
る。上述した他の実施例では複数個の透過帯域ａが周期
的に現れるが、この第八実施例では透過帯域ａはひとつ
であり周期的には現れない。図１０はこの発明の第九実
施例の構成を概略的に示す平面図である。尚、第五実施
例の構成成分に対応する構成成分については同一の符号
を付して示す。以下の説明では、第五実施例と相違する
点につき説明し第五実施例と同様の点についてはその詳
細な説明を省略する。第九実施例では、第二導波路１６
に結合させた導波路３８を位置Ｙから一方の基板端面２
２ａまで設けると共に第一導波路１０を基板端面２２ｂ
から基板端面２２ａに至らない位置Ｚまで設ける。そし
て光反射部１２を導波路３８の基板端面２２ａ側の端部
に設けると共に光反射部１４を第一導波路１０の基板端
面２２ｂ側の端部に設ける。第一導波路１０の基板端面
２２ａ側の端部には光反射部１２を設けない。第一導波
路１０、第二導波路１６、導波路３８及び光反射部１
２、１４が光共振器を構成する。出力ポート２６を導波
路３８の基板端面２２ａ側の端部に設ける。図１１はこ
の発明の第十実施例の構成を概略的に示す平面図であ
る。尚、第七実施例の構成成分に対応する構成成分につ
いては同一の符号を付して示す。以下の説明では、第七
実施例と相違する点につき説明し第七実施例と同様の点
についてはその詳細な説明を省略する。第十実施例で
は、第二導波路１６に結合させた導波路３８を位置Ｙか
ら一方の基板端面２２ａまで設けると共に第一導波路１
０を基板端面２２ｂから基板端面２２ａに至らない位置
Ｚまで設ける。そして光反射部１２を導波路３８の基板
端面２２ａ側の端部に設けると共に光反射部１４を第一
導波路１０の基板端面２２ｂ側の端部に設ける。第一導
波路１０の基板端面２２ａ側の端部には光反射部１２を
設けない。第一導波路１０、第二導波路１６、導波路３
８及び光反射部１２、１４が光共振器を構成する。出力
ポート２６を導波路３８の基板端面２２ａ側の端部に設
ける。この発明は上述した実施例にのみ限定されるもの
ではなく、従って各構成成分の構成、形状、配設位置、
配設個数及びそのほかの条件を任意好適に変更すること
ができる。例えば第一及び第二導波路が光の相互作用を
生じるように近接する領域の第一導波路部分及び第二導
波路部分を直線導波路或は曲線導波路としてよい。また
方向性結合器を構成する導波路の個数を２以上とするこ
とができる。
説明する。尚、図面は個の発明が理解できる程度に概略
的に示してあるに過ぎず、従ってこの発明を図示例に限
定するものではない。図１はこの発明の第一実施例の構
成を概略的に示す平面図である。第一実施例の波長選択
素子は光波長フィルタである。この実施例の波長選択素
子は、方向性結合器を構成する複数例えば２つの導波路
１０、１６と光共振器を構成するため導波路に設けた光
反射部１２、１４と導波路の等価屈折率を可変制御する
ための電極１８、２０とを備えて成る。導波路（第一導
波路）１０及び導波路（第二導波路）１６の等価屈折率
は、これらの等価屈折率を電気的に変化させていない状
態で、異なる。この実施例では、例えば第一導波路１０
及び第二導波路１６の導波路幅を異ならせることによっ
て、或は第一導波路１０及び第二導波路１６の形成材料
を異ならせることによって、或は第一導波路１０及び第
二導波路１６に屈折率制御物質を添加することによっ
て、第一導波路１０及び第二導波路１６の透過屈折率を
電気的に変化させていない状態でこれら導波路１０及び
１６の等価屈折率が異なるようにする。そしてこれら導
波路１０及び１６を光の相互作用を生じるように近接さ
せて、基板２２に設け、これら導波路１０及び１６によ
り方向性結合器を構成する。第一導波路１０を一方の基
板端面２２ａから他方の基板端面２２ｂまで設け、第二
導波路１６を一方の基板端面２２ａから他方の基板端面
２２ｂに至らない位置Ｘまで延在させて設ける。光反射
部１２及び１４は基板端面２２ａ及び２２ｂに設けた高
反射膜であり、従って第一導波路１０の一方及び他方の
端面にそれぞれ光反射部１２及び１４を設け第二導波路
１６の一方の端面に光反射部１２を設ける。これら第一
導波路１０、第二導波路１６、及び光反射部１２、１４
により光共振器を構成する。第一導波路１０の光反射部
１４を設けた側の端部に入力ポート２４を設け、第二導
波 路１６の光反射部１２を設けた側の端部に出力ポー
ト２６を設ける。第一導波路１０に設けた入力ポート２
４に光を入射すると、後述する透過帯域Ｉの波長の光が
第二導波路１０に設けた出力ポート２６から出射し、そ
れ以外の波長の光は位置Ｘの第二導波路１６端部から基
板２０中に放射され或は吸収される。基板２２は強誘電
体結晶基板或は化合物半導体基板である。導波路構造及
び電極構造を基板材料に応じた任意好適な構造とするこ
とができる。図示例では、電極１８及び２０を第一導波
路１０上及び第二導波路１６上に設ける。次に第一実施
例の波長選択素子の動作特性につき説明する。出力ポー
ト２６から出力される波長λの光の強度（│出力│）
は、方向性結合器の光透過特性に関する行列表現を用い
て、表２（１０）式のように表せる。ただしｒは光反射
部１２、１４の反射率、Ｌ１は第一導波路１０及び第二
導波路１６が光の相互作用を生じるように結合する部分
の長さ（図１参照）、Ｌ２は共振器長（図１参照）ｎは
基板２２の屈折率、Δｎは第一導波路１０及び第二導波
路１６の透過屈折率を電気的に変化させていない状態の
ときの導波路１０及び１６の透過屈折率差及びＫは第一
導波路１０及び第二導波路１６の間の結合係数を表す。
（１０）式に基づいた解析により、この実施例の波長選
択素子を透過する光の波長域（透過帯域Ｉ）は性質の異
なる２つの透過帯域ａ及びｂを重ね合わせて考えればよ
いことがわかる。図２（Ａ）〜（Ｃ）は第一実施例の波
長選択素子の光透過特性の説明に供する図である。図２
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ波長選択素子の透
過帯域ａ、透過帯域ｂ及び透過帯域Ｉの分布の様子を示
し、これら図の縦軸は光強度及び横軸は波長を表す。
（１０）式において式の簡単化のためδ１＜＜Ｋと考え
る。この実施例ではδ１が大きいと後述する透過帯域Ｉ
の波長以外の波長の光が第一導波路１０から第二導波路
１６へ移行しにくくなる。そこでδ１＜＜Ｋとすること
によって透過帯域Ｉ以外の波長の光が第一導波路１０か
ら第二導波路１６へ移行し易くなるようにする。表７
（２９）式が成立するとき（１０）式の分母は２・ｋ・
Ｌに対して極小となり、このとき透過帯域ｂのピークが
現れる。（２９）式を（１０）式に代入し変形すると表
７（３０）式の│出力│が得られる。（３０）式より、
図２（Ａ）に示すような透過帯域ａが得られる。透過帯
域ａのピーク位置は第一導波路１０及び第二導波路１６
の等価屈折率差を電気的に変化させると移動する性質を
有する。またδ１＜＜Ｋでは（１０）式においてｒの値
を１に近づけると、Ｃｏｓ（２・ｋ・Ｌ２）≠１では│
出力２│は零に近づきＣｏｓ（２・ｋ・Ｌ２）＝１では
透過帯域ｂで大きな出力が得られる。透過帯域ｂのピー
ク位置は第一導波路１０の等価屈折率を電気的に変化さ
せると移動する性質を有し、このような性質の透過帯域
ｂのピーク位置は複数個現れる。透過帯域ｂのピークは
Ｃｏｓ（２・ｋ・Ｌ２）＝１より２・ｋ・Ｌ２＝２・ｍ
・πを満足する波長λで生じる（ただし、ｍは正の整数
を表す）。複数個の透過帯域ｂは一定の波長間隔Δλ
ＦＳＲで現れる。第一実施例の透過帯域Ｉは図２（Ｃ）
にも示すように透過帯域ａ及びｂが一致する波長域であ
る。尚、この実施例では透過帯域ａもまた複数個存在
し、複数個の透過帯域ａが一定の波長間隔で離間する。
この透過帯域ａの離間間隔は透過帯域ｂの離間間隔Δλ
ＦＳＲよりも広い。第一導波路１０及び第二導波路１６
の透過屈折率を電気的に変化させていない状態では、透
過帯域ａのピークはＣ２＝１を満足する波長λｏで生じ
る。Ｃ２＝１のとき表３（１１）式が成立し、従って波
長λｏは（１１）式より表３（１２）式のように表せ
る。第一導波路１０及び第二導波路１６の透過屈折率差
を電気的に変化させてΔｎからΔｎ＋δΔｎに変化させ
たとき、透過帯域ａのピークが生じる波長はλｏからλ
ｏ＋ΔλＯＴに変化し、透過帯域ａのピーク位置がΔλ
ＯＴだけ移動する。透過帯域ａのピーク位置の移動量Δ
λＯＴは表３（１３）式のように表せる。（１３）式よ
り（１４）式が得られる。透過帯域ｂのピーク位置を移
動させるには、第一導波路１０の等価屈折率を電気的に
変化させればよいが、透過帯域ａのピーク位置を移動さ
せずに透過帯域ｂのピーク位置のみを移動させるために
は、第一導波路１０の等価屈折率の変化量と第二導波路
１６の等価屈折率の変化量とを等しくするようにしなが
ら第一導波路１０の等価屈折率を電気的に変化させる。
透過帯域ｂのピーク位置の移動はファブリペロ共振器型
の光波長フィルタの透過帯域の移動の場合と同様に考え
ることができ、第一導波路１０及び第二導波路１６の等
価屈折率を共にδｎだけ変化させると透過帯域ｂのピー
ク位置はΔλＦＴだけ移動する。透過帯域ｂのピーク位
置の移動量ΔλＦＴは表３（１５）式のように表せる。
通常、δｎ≒δΔｎ及びｎ＞Δｎであるので、ΔλＯＴ
＞ΔλＦＴとなり従って透過帯域ａのピーク位置を移動
させることが可能な波長範囲は透過帯域ｂのピーク位置
を移動させることが可能な波長範囲よりも広い。必ずし
もこれに限定するものではないが、第一導波路１０及び
第二導波路１６の透過屈折率を電気的に変化させていな
い状態で、透過帯域ｂのピーク位置及び透過帯域ａのピ
ーク位置を等しい波長λｏで生じるのが好ましい。透過
帯域ａ及び又はｂのピーク位置を移動させると透過帯域
Ｉのピーク位置が移動し従って波長選択素子を透過する
光の波長（透過波長）が変化する。光の透過波長の可変
範囲（チューニング幅）を広くするためには、δｎを最
大に変化させたときの透過帯域ｂのピーク位置の移動量
ΔλＦＴがΔλＦＳＲ以上となるようにし移動量Δλ
ＦＴを零から少なくともΔλＦＳＲまで変化させること
ができるようにするのが好ましい。表３（１６）式を満
足させるように波長選択素子を構成することにより、δ
ｎを最大に変化させたときの移動量ΔλＦＴをΔλ
ＦＳＲに等しくすることができる。ただし、δｎｍａｘ
は最大変化させたときのδｎ表す。移動量ΔλＦＴを零
から少なくともΔλＦＳＲまで変化させることができる
ようにすることによって、透過帯域ａのピーク位置の可
変範囲ΔλＯＴｍａｘの全範囲にわたり透過帯域ａ及び
ｂのピーク位置を一致させることができるようになり従
って光の透過波長の可変範囲をδΔｎｍａｘ／Δｎ（＝
ΔλＯＴｍａｘ）とすることができる。ここでδΔｎ
ｍａｘは最大変化させたときのΔｎを表す。また透過帯
域ｂの半値幅は透過帯域ａの半値幅よりも狭いので、透
過帯域Ｉの半値幅ΔλＷは透過帯域ｂの半値幅と等し
い。半値幅ΔλＷは表３（１７）式のように表せる。従
ってこの実施例のチャネル数（＝ΔλＯＴｍａｘ／Δλ
Ｗ）は表３（１８）式のように表せ、この実施例のチャ
ネル数は通常のファブリペロ型の光波長フィルタのチャ
ネル数のｎ／Δｎ倍になることがわかる。また透過帯域
ａ及びｂのピークを一致させた状態のとき、図２（Ｃ）
にも示すように、透過帯域ａは複数個の透過帯域ｂを含
み従って透過帯域Ｉには透過帯域Ｉのピーク（メインピ
ークＭＰ）とそれ以外のピーク（サブピークＳＰ）とが
現れる。メインピークＭＰを分離したい光の波長と考え
れば、メインピークＭＰ及びサブピークＳＰの光強度の
比を十分に大きくするのが好ましい。そこでメインピー
クＭＰからΔλＦＳＲ離間したサブピークＳＰの光強度
Ｘを考える。光強度Ｘを考えるためＳ２＝０の近傍で微
小なδ１の変化分Δδ１によって（１０）式を展開し、
さらに展開した（１０）式においてδ１＜＜Ｋかつｒ≒
１と近似する。すると表４（１９）式が得られる。ここ
で表（２０）式を用いて（１９）式を変形すると、表４
（２１）式及び（２２）式が得られる。従って例えば、
Ｘ＝０．０３２（−１５ｄＢ）及びΔｎ／ｎ＝０．０１
とすれば（２１）式よりｒ＝０．９９９となり、またｒ
＝０．９９及びΔｎ／ｎ＝０．０２とすれば（２２）式
よりＸ＝０．０２５となる。このようにｒ及びΔｎ／ｎ
の大きさを任意好適な値とすることによって、サブピー
クＳＰを実用上充分に小さくすることができる。次に結
合係数Ｋにつき考える。δ１＜＜Ｋとするには表４（２
３）式を満足させればよい（ただしαはα＞＞１となる
定数である）。従って（１６）式及び（２３）式より
（２４）式が得られる。Ｍ＝（素子長）／（結合長）と
すれば、（２４）式よりＭ＝α・（λＯ／Δλ
ＯＴｍａｘ）が成立するように結合係数Ｋを定めること
によりδ１＜＜Ｋを成立させることができる。この実施
例では第一導波路１０及び第二導波路１６に光の増幅作
用を付与しなかったが、この実施例において、第一導波
路１０を活性層としたファブリペロー型半導体レーザを
設け、第一導波路１０に光の増幅作用を第一導波路１０
に対し付与すれば、この実施例の波長選択素子を光増幅
器或は可変波長光発振器として用いることができる。光
増幅器として用いる場合は、特定の波長の光を増幅して
選択的に出力することができ、また導波路中での光の損
失を補償し光の損失による特性劣化を防止することがで
きる。可変波長光発振器として用いる場合は、特定の波
長の光を選択的に発振させることができる。さらに上述
した実施例では、第一導波路１０及び第二導波路１６を
平面的に並列させて設けるようにしたが、第一導波路１
０及び第二導波路１６を立体的に設けるようにしてもよ
い。立体的に設ける場合には、第一導波路１０、中間層
及び第二導波路１６を順次に積層しこれら導波路１０及
び１６を中間層を介し光の相互作用を生じるように結合
させればよい。図３はこの発明の第二実施例の構成を概
略的に示す平面図である。尚、第一実施例の構成成分に
対応する構成成分については同一の符号を付して示す。
以下の説明では、第一実施例と相違する点について説明
し第一実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省
略する。第二実施例の波長選択素子は光反射部２８、３
０、３２を備える。これら光反射部２８〜３２はブラッ
グ反射器又は回折格子であり、光反射部２８及び３０を
第一導波路１０の一方及び他方の端部に設け、光反射部
３２を第二導波路１６の一方の端部に設ける。図示例で
は、光反射部２８〜３２を導波路の上面に設けるように
したが、光反射部２８〜３２を導波路の底面或は側面に
設けるようにしてもよい。また第二実施例の波長選択素
子において第一導波路１０全体を活性層とするブラッグ
反射型の半導体レーザを設けるようにするか、或は光反
射部２８、３０及び３２を設けた各導波路部分にそれぞ
れ、これら各導波路部分を活性層とする分布帰還型の半
導体レーザを設けるようにすれば、この実施例の波長選
択素子を光共振器或は光増幅器として用いることができ
る。図４はこの発明の第三実施例の構成を概略的に示す
平面図である。尚、第一実施例の構成成分胃対応する構
成成分については同一の符号を付して示す。以下の説明
では、第一実施例と相違する点につき説明し第一実施例
と同様の点についてはその詳細な説明を省略する。第一
実施例では図１にも示すように第二導波路１６を一方の
基板端面２２ａから他方の基板端面２２ｂに至らない位
置Ｘまで設け第二導波路１６の一端に光反射部１２を設
けるようにしたが、第三実施例では図３にも示すように
第二導波路１６の一方及び他方の端部が一方及び他方の
基板端面２２ａ及び２２ｂと接しないように第二導波路
１６を基板２２中央部に設ける。従って第三実施例で
は、第二導波路１６の一方及び他方の端面に光反射部１
２を設けておらず、透過帯域Ｉ以外の波長の光は第二導
波路１６の一方及び他方の端部のそれぞれから基板中に
放射或は吸収される。図３中の符号Ｙ及びＸは、第二導
波路１６の一方及び他方の端面位置を表す。入力ポート
２４を第一導波路１０の光反射部１４を設けた側の端部
に、及び出力ポート２６を第一導波路１０の光反射部１
２を設けた側の端部に設ける。第一導波路１０及び光反
射部１２、１４が光共振器を構成する。第三実施例の波
長選択素子の│出力│は表５（２５）式のように表せ
る。（２５）式より得られる第三実施例の動作特性も第
一実施例の場合と同様になるが、第三実施例において光
強度Ｘに関し得られる関係式は第一実施例の（１９）
式、（２１）式及び（２２）式においてＬ１→Ｌ１／２
としたものとなる。図５はこの発明の第四実施例の構成
を概略的に示す平面図である。尚、第三実施例の構成成
分に対応する構成成分については同一の符号を付して示
す。以下の説明では、第三実施例と相違する点につき説
明し第三実施例と同様の点についてはその詳細な説明を
省略する。第四実施例の波長選択素子は光反射部３４及
び３６を備える。これら光反射部３４及び３６はブラッ
グ反射器又は回折格子であり、光反射部３４及び３６を
第一導波路１０の一方及び他方の端部に設ける。このほ
かは第三実施例と同様である。図６はこの発明の第五実
施例の構成を概略的に示す平面図である。尚、第三実施
例の構成成分に対応する構成成分については同一の符号
を付して示す。以下の説明では、第三実施例と相違する
点につき説明し第三実施例と同様の点についてはその詳
細な説明を省略する第五実施例の波長選択素子は第二導
波路１６の一方及び他方の端部に設けた導波路３８及び
４０を備える。例えば導波路３８及び４０は第一導波路
１０の導波路幅と等しい導波路幅を有する直線導波路で
ある。導波路３８を第二導波路１６の一方の端部に結合
させ、導波路３８を第二導波路１６の一方の端部から一
方の基板端面２２ａに至らない位置まで延在させて基板
２２に設ける。同様に導波路４０を第二導波路１６の他
方の端部に結合させ、導波路４０を第二導波路１６の他
方の端部から他方の基板端面２２ｂに至らない位置まで
延在させて基板２２に設ける。導波路３８及び４０上に
それぞれ電極４８及び５０を設ける。第一導波路１０の
等価屈折率を電気的に変化させたときも変化させなかっ
たときも、第一導波路１０の等価屈折率と導波路３８、
４０の等価屈折率とが等しくなるように、導波路３８、
４０の等価屈折率を電極４８、５０を介し電気的に制御
する。第一〜第四実施例ではδ１＜＜Ｋとすることによ
って透過帯域Ｉ以外の波長の光が第一導波路１０から第
二導波路１６へ移行し易くなるようにしていた。しかし
第五実施例では第一導波路１０と等価屈折率の等しい導
波路３８及び４０を第二導波路１６に設けるので、δ１
＜＜Ｋとしなくとも透過帯域Ｉ以外の波長の光が第一導
波路１０から第二導波路１６へ移行し易くなる。図７は
この発明の第六実施例の構成を概略的に示す平面図であ
る。尚、第一実施例の構成成分に対応する構成成分につ
いては同一の符号を付して示す。以下の説明では、第一
実施例と相違する点につき説明し第一実施例と同様の点
についてはその詳細な説明を省略する。第六実施例の波
長選択素子は第二導波路１６の他方の端部に設けた導波
路４２を備える。例えば導波路４２は第一導波路１０の
導波路幅と等しい導波路幅を有する直線導波路である。
導波路４２を第二導波路１６の他方の端部に結合させ、
そして導波路４２を第二導波路１６の他方の端部から他
方の基板端面２２ｂに至らない位置まで延在させて基板
２２に設ける。導波路４２上に電極５２を設ける。第一
導波路１０の等価屈折率を電気的に変化させたときも変
化させなかったときも、第一導波路１０の透過屈折率と
導波路４２の等価屈折率とが等しくなるように、導波路
４２の等価屈折率を電極５２を介し電気的に制御する。
第六実施例では第一導波路１０と等価屈折率の等しい導
波路４２を第二導波路１６に設けるので、δ１＜＜Ｋと
しなくとも透過帯域Ｉ以外の波長の光が第一導波路１０
から第二導波路１６へ移行し易くなる。図８はこの発明
の第七実施例の構成を概略的に示す平面図である。尚、
第五実施例の構成成分に対応する構成成分については同
一の符号を付して示す。以下の説明では、第五実施例と
相違する点につき説明し第五実施例と同様の点について
はその詳細な説明を省略する。第七実施例の波長選択素
子は低屈折率部４４を備える。低屈折率部４４は基板２
２よりも屈折率の低い部分であり、例えば基板２２に溝
を設けこの溝内に充満させた空気を低屈折率部４４と
し、或は基板２２に屈折率調整物質を添加した部分を低
屈折率部４４としてもよい。この低屈折率部４４を第一
導波路１０及び第二導波路１６の間に位置Ｘから位置Ｙ
まで延在させて設ける。出力ポート２６から出射される
透過帯域Ｉ以外の波長の光の量を充分に少なくするため
に要求される光反射部１２、１４の反射率ｒを低減でき
る。出力ポート２６から出射される透過帯域Ｉ以外の波
長の光の量を充分に少なくするため上述した第一〜第六
実施例ではｒ≒１とするのが好ましかったが、第七実施
例ではｒ≒１としなくとも出力ポート２６から出射され
る透過帯域Ｉ以外の波長の光の量を少なくすることがで
きる。第七実施例の波長選択素子の│出力│は表６（２
６）式のように表せる。特にＣｏｓ２（Ｌｃ・Ｋ）＝Ｓ
ｉｎ２（Ｌｃ・Ｋ）＝１／２の場合には│出力│を表６
（２７）式のように表せる。ここでＬｃは導波路３８、
４０の長さを表す（図８参照）。（２６）式においてＣ
ｃｓ（２・ｋ・Ｌ１＋２・δ１・Ｌ１）＝−１としたと
き透過帯域ａが得られる。透過帯域ｂのピークはＳｉｎ
（δ１・Ｌ１）＝１すなわちδ１・Ｌ１＝（π／２）・
ｍを満足する波長λで生じる。従って第七実施例でも第
一実施例と同様にして（１４）式が成立する。図９はこ
の発明の第八実施例の構成を概略的に示す平面図であ
る。尚、第一実施例の構成成分に対応する構成成分につ
いては同一の符号を付して示す。以下の説明では、第一
実施例と相違する点につき説明し第一実施例と同様の点
についてはその詳細な説明を省略する。第八実施例で
は、第一導波路１０を一方の基板端面２２ａから他方の
基板端面２２ｂに至らない位置Ｘまで延在させて基板端
面２２ａ及び２２ｂの間に設ける。また第二導波路１６
を他方の基板端面２２ｂから一方の基板端面２２ａに至
らない位置Ｙまで延在させて基板端面２２ａ及び２２ｂ
の間に設ける。入力ポート２４を第二導波路１６の他方
の端部に及び出力ポート２６を第一導波路１０の一方の
端部に設ける。第一導波路１０及び第二導波路１６の等
価屈折率を異ならせこれら導波路１０及び１６間に伝搬
定数差Δβを設ける。さらに第一導波路１０の一方の端
部に光反射部１２を設け、第二導波路１６の他方の端部
に光反射部１４を設ける。第一導波路１０、第二導波路
１６及び光反射部１２、１４が光共振器を構成する。第
一導波路１０及び第二導波路１６は位置ＸからＹまでの
間で光の相互作用を生じるように近接し、位置ＸからＹ
までの間の第一導波路部分及び又は第二導波路部分に位
相整合用のグレーティング４６を設ける。そして電極１
８を第一導波路１０及びグレーティング４６上に設け
る。グレーティング４６は、第一導波路１０を導波する
光の位相と第二導波路１６を導波する光の位相を整合さ
せ、導波路１０及び１６間の光の移行を達成するための
ものである。第八実施例の波長選択素子は波長λの光を
表６（２８）式で表される透過率で透過する。（２８）
式中、Δβは第一導波路１０及び第二導波路１６の間の
等価屈折率差に起因するこれら導波路間の伝搬定数差、
Λはグレーティング４６の周期を表す。（２８）式から
も理解できるように、第八実施例の波長選択素子はδ１
＝０を満たす波長の光のみを透過する。図２（Ａ）の透
過帯域ａを表す包絡線は、（２８）式の透過率を表す式
の分母がｋ・Ｌの変化に対して最小となる条件より得ら
れ（１−ｒ）２・Ｂ２／（１−ｒ・Ｂ２）２と表され
る。上述した他の実施例では複数個の透過帯域ａが周期
的に現れるが、この第八実施例では透過帯域ａはひとつ
であり周期的には現れない。図１０はこの発明の第九実
施例の構成を概略的に示す平面図である。尚、第五実施
例の構成成分に対応する構成成分については同一の符号
を付して示す。以下の説明では、第五実施例と相違する
点につき説明し第五実施例と同様の点についてはその詳
細な説明を省略する。第九実施例では、第二導波路１６
に結合させた導波路３８を位置Ｙから一方の基板端面２
２ａまで設けると共に第一導波路１０を基板端面２２ｂ
から基板端面２２ａに至らない位置Ｚまで設ける。そし
て光反射部１２を導波路３８の基板端面２２ａ側の端部
に設けると共に光反射部１４を第一導波路１０の基板端
面２２ｂ側の端部に設ける。第一導波路１０の基板端面
２２ａ側の端部には光反射部１２を設けない。第一導波
路１０、第二導波路１６、導波路３８及び光反射部１
２、１４が光共振器を構成する。出力ポート２６を導波
路３８の基板端面２２ａ側の端部に設ける。図１１はこ
の発明の第十実施例の構成を概略的に示す平面図であ
る。尚、第七実施例の構成成分に対応する構成成分につ
いては同一の符号を付して示す。以下の説明では、第七
実施例と相違する点につき説明し第七実施例と同様の点
についてはその詳細な説明を省略する。第十実施例で
は、第二導波路１６に結合させた導波路３８を位置Ｙか
ら一方の基板端面２２ａまで設けると共に第一導波路１
０を基板端面２２ｂから基板端面２２ａに至らない位置
Ｚまで設ける。そして光反射部１２を導波路３８の基板
端面２２ａ側の端部に設けると共に光反射部１４を第一
導波路１０の基板端面２２ｂ側の端部に設ける。第一導
波路１０の基板端面２２ａ側の端部には光反射部１２を
設けない。第一導波路１０、第二導波路１６、導波路３
８及び光反射部１２、１４が光共振器を構成する。出力
ポート２６を導波路３８の基板端面２２ａ側の端部に設
ける。この発明は上述した実施例にのみ限定されるもの
ではなく、従って各構成成分の構成、形状、配設位置、
配設個数及びそのほかの条件を任意好適に変更すること
ができる。例えば第一及び第二導波路が光の相互作用を
生じるように近接する領域の第一導波路部分及び第二導
波路部分を直線導波路或は曲線導波路としてよい。また
方向性結合器を構成する導波路の個数を２以上とするこ
とができる。
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
【表７】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の波長選択素子によれば、性質の異なる２種類の
透過帯域ａ及びｂを重ね合せたものをこの発明の波長選
択素子の透過帯域Ｉと考えればよいことがわかった。透
過帯域ａのピーク位置は第一及び第二導波路の等価屈折
率差を電気的に変化させると移動する性質を有する。透
過帯域ａのピーク位置を移動させることが可能な波長範
囲は広いが、透過帯域ａの半値幅は広くなる。一方、透
過帯域ｂのピーク位置は第一導波路の等価屈折率を電気
的に変化させると移動する性質を有する。透過帯域ｂの
半値幅は狭いが、透過帯域ｂを移動させることが可能な
波長範囲は狭くなる。透過帯域Ｉはこれら透過帯域ａ及
びｂが一致する波長域であり、透過帯域ａ及び又はｂの
ピーク位置を移動させると透過帯域Ｉのピーク位置が移
動する。透過帯域Ｉのピーク位置がこの発明の波長選択
素子の透過波長となり、透過帯域ａのピーク位置を可変
できる範囲は広いので、この発明の波長選択素子の透過
波長を広い範囲にわたり変化させることことができる。
また透過帯域Ｉの半値幅は透過帯域ｂの半値幅と等しく
従って狭くなる。この発明の波長選択素子の透過波長を
広い範囲にわたり変化させることことができ、しかも透
過帯域Ｉの半値幅は狭いので、チャネル数を大きくする
ことができる。
の発明の波長選択素子によれば、性質の異なる２種類の
透過帯域ａ及びｂを重ね合せたものをこの発明の波長選
択素子の透過帯域Ｉと考えればよいことがわかった。透
過帯域ａのピーク位置は第一及び第二導波路の等価屈折
率差を電気的に変化させると移動する性質を有する。透
過帯域ａのピーク位置を移動させることが可能な波長範
囲は広いが、透過帯域ａの半値幅は広くなる。一方、透
過帯域ｂのピーク位置は第一導波路の等価屈折率を電気
的に変化させると移動する性質を有する。透過帯域ｂの
半値幅は狭いが、透過帯域ｂを移動させることが可能な
波長範囲は狭くなる。透過帯域Ｉはこれら透過帯域ａ及
びｂが一致する波長域であり、透過帯域ａ及び又はｂの
ピーク位置を移動させると透過帯域Ｉのピーク位置が移
動する。透過帯域Ｉのピーク位置がこの発明の波長選択
素子の透過波長となり、透過帯域ａのピーク位置を可変
できる範囲は広いので、この発明の波長選択素子の透過
波長を広い範囲にわたり変化させることことができる。
また透過帯域Ｉの半値幅は透過帯域ｂの半値幅と等しく
従って狭くなる。この発明の波長選択素子の透過波長を
広い範囲にわたり変化させることことができ、しかも透
過帯域Ｉの半値幅は狭いので、チャネル数を大きくする
ことができる。
【図１】この発明の第一実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は第一実施例の光透過特性の説
明に供する図である。
明に供する図である。
【図３】この発明の第二実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
面図である。
【図４】この発明の第三実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
面図である。
【図５】この発明の第四実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
面図である。
【図６】この発明の第五実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
面図である。
【図７】この発明の第六実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
面図である。
【図８】この発明の第七実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
面図である。
【図９】この発明の第八実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
面図である。
【図１０】この発明の第九実施例の構成を概略的に示す
平面図である。
平面図である。
【図１１】この発明の第十実施例の構成を概略的に示す
平面図である。
平面図である。
１０、１６：導波路 １２、１４：光反射部 １８、２０：電極
Claims (2)
- 【請求項１】 方向性結合器を構成する複数の導波路
と、光共振器を構成するため前記導波路に設けた光反射
部と、前記導波路の等価屈折率を可変制御するための電
極とを備え、前記導波路の等価屈折率を異ならせて成る
ことを特徴とする波長選択素子。 - 【請求項２】 前記導波路を活性層とした半導体レーザ
を備えて成ることを特徴とする請求項１に記載の波長選
択素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3288246A JP2731307B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 波長選択素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3288246A JP2731307B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 波長選択素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545681A true JPH0545681A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2731307B2 JP2731307B2 (ja) | 1998-03-25 |
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ID=17727729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3288246A Expired - Fee Related JP2731307B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 波長選択素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2731307B2 (ja) |
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2006330104A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型フィルタおよびそれを用いた半導体レーザ素子 |
| US7437037B2 (en) | 2006-01-23 | 2008-10-14 | Fujitsu Limited | Optical module having gain member and partial reflection section waveguides formed on a substrate |
| JP2010021308A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 波長可変半導体レーザ |
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-
1991
- 1991-08-13 JP JP3288246A patent/JP2731307B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| JP2731307B2 (ja) | 1998-03-25 |
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