KR950012940A - 굴절율도파형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 - Google Patents
굴절율도파형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
굴절율 도파형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다. 제1도전형 반도체 기판상에 제1도전형 클래드층, 활성층, 제2도전형 제1클래드층 및 전류제한층을 순차적으로 에피텍시얼 성장시킨 후, 상기 전류 제한층상에 스트라이프상 개구부를 형성하기 위하기 위하여 산화 실리콘으로 구성된 절연막 패턴을 형성한다. 상기 절연막 패턴을 에칭마스크로 사용하여 상기 제1클래드층상에 스트라이프상의 그루브와 상기 전류제한층에 상기 그루브에 대응하는 개구부를 형성한 후, 상기 그루브와 상기 개구부의 일부를 매립하는 제2도전형 제2클래드층 및 상기 개구부의 나머지 깊이를 매립하는 제2도전형 캡층을 에피텍시얼 성장시킨다. 간단한 공정으로 제조할 수 있어 제작이 용이하여 경제적일 뿐 아니라, 레이저 다이오드의 특성의 저하가 없다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 굴절율 도파형 구조의 단파장 반도체 레이저 다이오드의 일예를 나타내며,
제4A도 내지 제4E도는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법의 일예를 나타내기 위한 개략도이다.
Claims (5)
- 제1도전형 GaAs반도체 기판; 상기 기판상에 형성된 제1도전형 클래드층; 상기 제1클래드층상에 형성된 활성층; 상기 활성층상에 형성되고, 중앙 상부에 그루브를 갖는 제2도번형 제1클래드층; 상기 그루브에 대응하는 개구부를 갖고, 상기 제1클래드층상에 형성되어 있는 전류차단층; 상기 글루브와 상기 개구부의 소정 깊이를 매립하는 제2도전형 제2클래드층; 및 상기 제2도전형 제2클레드층상에 형성되어 있고, 상기 개구부의 나머지 깊이를 매립하는 제2도전형 캡층을 포함하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 활성층이 InGaAlP, InGaAsP 및 AlGaAs로 구성된 군에서 선택된 어느 하나로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1도전형 반도체 기판상에 제1도전형 클래드층, 활성층, 제2도전형 제1클래드층 및 전류제한층을 순차적으로 에피텍시얼 성장시키는 공정, 상기 제1클래드층에 스트라이프상의 그루브와 상기 전류제한층에 상기 그루브에 대응하는 개구부를 형성하는 공정; 및 상기 그루브와 상기 개구부의 일부를 매립하는 제2도전형 제2클래드층 및 상기 개구부의 나머지 깊이를 매립하는 제2도전형 캡층을 에피텍시얼 성장시키는 공정을 포함하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제2도전형 제1클래드층의 그루브 및 전류제한층의 개구부를 형성하는 공정은 상기 제2도2형의 제1클래드층상에 상기 그루브 및 개구부 형성 부위를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한 후, 상기 전류 제한층 및 상기 제2도전형 제1클래드층의 일부를 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 전류 제한층 및 상기 제2도전형 제1클래드층을 식각하는 공정은 습식식각, 건식 식각 또는 액상 에피택시얼 성장공정의 용융 식각 방법에 의하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930022960A KR950012940A (ko) | 1993-10-30 | 1993-10-30 | 굴절율도파형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019930022960A KR950012940A (ko) | 1993-10-30 | 1993-10-30 | 굴절율도파형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012940A true KR950012940A (ko) | 1995-05-17 |
Family
ID=66824883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930022960A KR950012940A (ko) | 1993-10-30 | 1993-10-30 | 굴절율도파형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950012940A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970074867A (ko) * | 1996-05-03 | 1997-12-10 | 찰스 펠란느 | 고열전도성 복합물과 그의 제조방법 |
| KR100446615B1 (ko) * | 2001-10-09 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-10-30 KR KR1019930022960A patent/KR950012940A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970074867A (ko) * | 1996-05-03 | 1997-12-10 | 찰스 펠란느 | 고열전도성 복합물과 그의 제조방법 |
| KR100446615B1 (ko) * | 2001-10-09 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
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