KR100446615B1 - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 반도체 레이저 다이오드는 기판 상의 양측에 형성된 마스크와 마스크 사이의 기판 상에 형성된 광발생층과 마스크 상에 형성된 차단층을 구비한다. 광발생층과 차단층은 단일 성장과정에 의하여 동시에 형성되며, 차단층은 광발생층 내의 측방향 전류 및 광을 구속하는 역할을 한다. 따라서, 반도체 레이저 다이오드의 제조공정을 단순화시킬 수 있으며, 레이저 발진을 위한 임계전류를 낮출 수 있다.

Description

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법{Semiconductor laser diode and method for fabricating the same}
본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 선택적 성장 기술을 이용하여 측방향으로의 전기 광학적 구속효과를 극대화시킨 매립형 헤테로구조(BH; Buried Heterostructure)의 질화물 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 레이저 다이오드는 비교적 소형이면서 레이저 발진을 위한 임계 전류(threshold current)가 일반 레이저 장치에 비해 작다는 점 등의 특징 때문에 통신 분야나 광 디스크가 사용되는 플레이어에서 고속 데이터 전송이나 고속 데이터 기록 및 판독을 위한 소자로 널리 사용되고 있다.
특히, 질화물 반도체 레이저 다이오드는 녹색에서 자외선 영역의 파장을 이용가능하게 함으로써, 고 밀도의 광정보 저장 및 재생, 고해상(high-resolution) 레이저 프린터, 프로젝션 TV 등 광범위한 분야에 응용되고 있다.
이처럼 반도체 레이저 다이오드의 적용분야가 넓고 다양해짐에 따라 임계전류가 낮은 고효율의 반도체 레이저 다이오드가 등장하고 있는데, 그 대표적인 것이 리지형 반도체 레이저 다이오드와 매립형 헤테로 구조의 반도체 레이저 다이오드이다.
도 1은 일반적인 리지형 반도체 레이저 다이오드의 단면도로서, 레이저 발진을 위한 임계전류를 줄이면서 모드의 안정을 도모하기 위해 리지부를 구비하는 반도체 레이저 다이오드를 보여준다.
도 1을 참조하면, 리지형 반도체 레이저 다이오드는 기판(11)위에 n형 클래드층(13), n형 도파층(15), 활성층(17), p형 도파층(19), p형 클래드층(21)이 순차적으로 적층되는 구조를 가진다. n형 및 p형 클래드층(13)(21)의 굴절률은 n형 및 p형 도파층(15)(19)의 굴절률보다 낮고, n형 및 p형 도파층(15)(19)의 굴절률은 활성층(17)의 굴절률보다 낮다. p형 클래층(21)은 상부 가운데 부분에서 돌출된 리지부(21a)를 가진다. 이와 같은 p형 클래드층(21)의 리지부(21a)는 주입되는 전류를 제한하여 활성층(17)에서의 레이저 발진을 위한 공진 영역을 제한하는 역할을 한다. p형 클래드층(21)의 리지부(21a)의 상면에는 캡층(25)이 적층된다. 상기 리지부(21a)를 제외한 p형 클래드층(21)의 상면은 전류제한층(23)으로 덮여 있으며, 상기 캡층(25)의 상면은 전류 통로가 되는 가운데 부분을 제외하고 전류제한층(23)으로 덮여 있다. 한편, p형 전극(27)이 캡층(25) 상면의 가운데 부분 및 p형 클래드층(21)의 상면에 형성되어 있으며, n형 전극(29)은 기판(11)하면에 형성되어 있다.
이러한 리지형 반도체 레이저 다이오드는 기판(11)상에 n형 클래드층(13), n형 도파층(15), 활성층(17), p형 도파층(19), p형 클래드층(21), 캡층(25)을 순차적으로 적층 성장시키고, 소정의 식각(etching) 공정을 통하여 리지 구조를 형성시킨 후, 전류제한층(23) 등을 재성장(regrowth)시키는 방법에 의하여 제조된다.
리지형 반도체 레이저 다이오드는 리지 구조로 인하여 주입되는 전류가 제한됨에 따라 공진 폭이 제한되므로, 기존의 비리지 구조에 비해 광 모드가 어느 정도 개선되고, 레이저 발진을 위한 임계전류가 낮아지는 이점이 있다.
다음으로, 도 2는 매립형 헤테로 구조의 반도체 레이저 다이오드의 개략적인 단면을 보여준다.
도 2를 참조하면, 메사(mesa)구조를 가지는 n형 화합물 반도체층(31)의 상면에는 활성층(33)이 형성되어 있고, 상기 활성층(33)을 포함한 메사 구조의 양 측면에는 전류 및 광을 구속하기 위한 p형 및 n형 전류차단층(35)(37)이 형성되어 있다. 상기 활성층(33) 및 전류차단층(35)(37)의 상부에는 p형 화합물 반도체층(39)이 형성되어 있다. 한편, p형 전극(41)은 p형 화합물 반도체층(39)의 상면에 형성되며, n형 전극(43)은 n형 화합물 반도체층(31)의 하면에 형성된다.
이러한 매립형 헤테로 구조의 반도체 레이저 다이오드는 n형 화합물 반도체층(31) 상에 활성층(33)을 액상 결정 성장(LPE: Liquid Phase Epitaxy) 또는 금속 유기 화학 증착(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 등에 의하여 성장시키고, 소정의 식각 공정을 통하여 메사 구조를 형성시킨 후, 전류차단층(35)(37) 및 p형 화합물 반도체층(39)을 재성장시키는 방법에 의하여 제조된다.
매립형 헤테로구조의 반도체 레이저 다이오드는, 활성층(33)의 상하좌우가 n형 및 p형 화합물 반도체층(31)(39) 과 전류차단층(35)(37)으로 둘러싸임으로써 작은 임계전류 및 안정된 발진 횡모드 특성을 갖는다는 장점이 있어, 리지형 반도체 레이저 다이오드보다 우수한 성능을 가지는 것으로 알려져 있다.
그러나 질화물 반도체 레이저 다이오드는 다른 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 레이저 다이오드와는 달리, 매립형 헤테로 구조 성장을 위한 식각 및 재성장 등의 공정이 용이하지 않아 지금까지도 기본적인 리지 구조에 의존하고 있는 실정이다.
이는 질화물 반도체가 녹색에서 자외선 영역의 파장을 이용가능하게 하는 반면, 복합재료를 구성할 때 다른 입자와의 격자상수 불일치, 높은 녹는점, 재료의 경도(hardness) 등의 문제가 있어 레이저 다이오드의 구조성장 시 재성장 등의 변화를 주기 어려우며, 습식 식각(wet etching) 등 가공에 어려운 점이 있기 때문이다.
그러나, 현재의 리지형 질화물 반도체 레이저 다이오드는 식각의 모양 및 깊이 등에 따른 광 모드 특성의 불안정, 약한 굴절률 도파(weak index-guide)에 의한 임계전류의 증가, 식각면의 노출에 의한 장기간 신뢰성(long-term reliability)의 약화 등의 문제점을 가지고 있다. 따라서 고 밀도 광 기록재생 등에서 요구되는 낮은 임계전류 및 고 출력 레이저 다이오드의 제작을 위해서는 매립형 헤테로구조와 같은 개선된 구조의 질화물 반도체 레이저 다이오드의 개발이 요구된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 마스크를 이용한 선택적 성장 기술과 Ⅲ/Ⅴ족의 화합물질의 혼합 비율(ratio) 및 성장온도 제어에 의해 마스크 위에 차단층을 성장시키는 기술을 융합하여, 전류 및 광 구속효과를 극대화한 고효율의 매립형 헤테로 구조의 질화물 반도체 레이저 다이오드를 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 일반적인 리지형 반도체 레이저 다이오드의 단면도.
도 2는 매립형 헤테로 구조의 반도체 레이저 다이오드의 개략적인 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면도.
도 4a 내지 도 4d는 도 3의 반도체 레이저 다이오드의 제조 공정도.
도 5는 마스크 사이의 기판 상에서 메사 구조 성장 메커니즘을 보여주는 도면.
도 6은 마스크 상에 poly-AlGaN층이 형성되는 것을 보여주는 도면.
〈도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명〉
100... 기판 102... 제 1 화합물 반도체층
104... 제 1 클래드층 106... 제 1 도파층
108... 활성층 110... 제 2 도파층
111... 제 2 클래드층 112... 제 2 화합물 반도체 층
114... 마스크 116... 차단층
118... 전류제한층 120... 제 2 전극
122... 제 1 전극
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는,기판과; 상기 기판 상의 양측에 각각 형성된 마스크와; 상기 마스크 사이의 상기 기판 상에 형성된 광발생층과; 상기 마스크 상에 각각 형성되어 상기 광발생층 내의 측방향 전류 및 광을 구속하는 차단층과; 상기 기판의 하면 및 상기 광발생층의 상면에 각각 형성된 제 1 및 제 2 전극을; 구비한다.
상기 광발생층은, 상기 기판 상에 순차적으로 형성된 제 1 클래드층, 활성층 및 제 2 클래드층을 구비하는 것이 바람직하며, 상기 제 1 클래층과 상기 활성층 사이에 형성된 제 1 도파층 및 상기 제 2 클래드층과 상기 활성층 사이에 형성된 제 2 도파층을 더 구비하는 것이 바람직하다.
상기 광발생층은 질화물계 화합물 반도체층으로서, GaN계 화합물 반도체층인 것이 바람직하다. 상기 마스크는 SiO2마스크이며, 상기 차단층은 poly-AlGaN층 또는 a-AlGaN층 인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 2 전극과 상기 광발생층 사이에는 전류제한층을 더 구비하며, 상기 전류제한층은 폴리이미드층인 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조방법은,
기판 상의 양측에 각각 마스크를 형성하는 단계와; 상기 마스크 사이의 상기 기판 상 및 상기 마스크 상에 각각 광발생층 및 차단층을 동시에 형성하는 단계와; 상기 기판의 하면 및 상기 광발생층의 상면에 각각 제 1 및 제 2 전극을 형성하는 단계를; 포함한다.
상기 광발생층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 제 1 클래드층, 활성층 및 제 2 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하며, 상기제 1 클래드층과 상기 활성층 사이에 제 1 도파층을 형성하는 단계 및 상기 제 2 클래드층과 상기 활성층 사이에 제 2 도파층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 전극을 형성하기에 앞서, 상기 광발생층 상에 상기 제 2 전극으로부터 흐르는 전류를 제한하는 전류제한층을 형성하는 것이 바람직하며, 상기 전류제한층은 폴리이미드로 형성하는 하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면을 나타낸 도면이다. 도 3을 참조하면, 기판(100) 상의 양측에 각각 마스크(114)가 형성되어 있다. 기판(100)은 갈륨 나이트라이드나 그 계열의 물질을 성장 시킬 수 있는 기판으로 형성하는 것이 바람직하다. 따라서, 기판(100)은 GaN층 기판 이나 사파이어 기판인 것이 바람직하다. 상기 마스크(114)는 SiO2로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 마스크(114) 사이의 기판(100) 상에는 제 1 화합물 반도체층(102), 제 1 클래드층(104), 제 1 도파층(106), 활성층(108), 제 2 도파층(110), 제 2 클래드층(111) 및 제 2 화합물 반도체층(112)이 순차적으로 적층되어 메사(mesa)형태의 광발생층을 형성한다. 제 1 및 제 2 화합물 반도체층(102)(112)은 GaN계열의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층으로서, 각각 n-GaN층 및 p-GaN층으로 구성되며, 제 1 및 제 2 클래드층(104)(111)은 각각 n-AlGaN/GaN층 및 p-AlGaN/GaN층으로 되어 있다. 레이저 발진을 안내하는 제 1 및 제 2 도파층(106)(110)은 상기 클래드층(104)(111)의 굴절률보다 높은 굴절률을 가지는 화합물 반도체층으로서,각각 n-GaN층 및 p-GaN층으로 되어 있다. 한편, 레이저 발진을 일으키는 활성층(108)은 상기 도파층(106)(110)의 굴절률보다 높은 굴절률을 가지는 화합물 반도체층으로서, GaN층 또는 InGaN층으로 되어 있다.
한편, 메사 구조를 가지는 광발생층의 양측에는 차단층(116)이 형성되어 있다. 차단층(116)은 상기 활성층(108)의 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지는 절연체층으로, SiO2마스크(114) 상에서 성장 형성된다. 상기 차단층(116)은 SiO2마스크(114) 상의 성장조건에 따라 다결정 AlGaN(이하, poly-AlGaN)층 또는 비정질 AlGaN(이하, a-AlGaN)층이 될 수 있다.
상기 제 2 화합물 반도체층(112) 및 차단층(116)의 상면에는 전류가 통과하는 제 2 화합물 반도체층(112) 상의 가운데 영역을 제외하고는 전류제한층(118)으로 덮어 있다. 전류제한층(118)은 광발생층을 흐르는 전류를 제한하여 임계전류를 낮추어 주는 역할을 하는 것으로서, 폴리이미드(polyimide)층으로 되어 있다.
제 2 화합물 반도체층(112)의 전류통과 영역 및 전류제한층(118)의 상면에는 p형 전극인 제 2 전극(120)이 형성되며, 기판(100)의 하면에는 n형 전극인 제 1 전극(122)이 형성되어 있다.
상기와 같은 구조를 가지는 반도체 레이저 다이오드에서, SiO2마스크(114) 상에 성장 형성된 차단층(116)은 활성층(108)보다 낮은 굴절률을 가지는 절연체층이므로, 활성층(108) 내의 측방향 레이저 광을 구속하는 동시에, 제 2 전극(120) 뿐만아니라 기판(100) 하면에 형성된 제 1 전극(122)으로부터 광발생층으로 흐르는 전류도 차단하는 역할을 하게 된다. 또한, 상기 차단층(116)은 수평방향으로는 이웃하는 반도체 레이저 다이오드 소자와 전기적으로 격리시키는 역할을 하게 된다.
도 4a 내지 도 4d는 도 3의 반도체 레이저 다이오드의 제조공정을 보여준다.도면을 참조하면, 먼저 기판(GaN 기판 또는 사파이어 기판)(100) 상의 양측에 마스크(SiO2마스크)(114)를 형성한다(도 4a).
다음으로, 마스크(114) 사이의 기판(100) 상 및 마스크(114) 상에 각각 광발생층 및 차단층(116)을 MOCVD 공정 등에 의하여 동시에 에피택셜(epitaxial) 성장시킨다(도 4b). 마스크(114) 사이의 기판(100) 상에 형성되는 광발생층은 GaN계 화합물 반도체층으로서, 기판(100) 상에 순차적으로 적층 형성되는 제 1 화합물 반도체층(n-GaN층)(102), 제 1 클래드층(n-AlGaN/GaN층)(104), 제 1 도파층(n-GaN층)(106), 활성층(GaN층 또는 InGaN층)(108), 제 2 도파층(p-GaN층)(110), 제 2 클래드층(p-AlGaN/GaN층)(111) 및 제 2 화합물 반도체층(p-GaN층)(112)을 구비한다. 상기 광발생층은 마스크(114) 사이의 기판(100) 상에서 메사 형태의 단결정으로 형성되며, 도 5에서는 상기 광발생층이 질소 분위기에서 SiO2마스크(114) 사이에서 메사 구조로 성장되는 것을 보여내고 있다.
마스크(114) 상에서 수직방향으로 형성되는 차단층(116)은 절연체인 poly-AlGaN층 이나 a-AlGaN층이 바람직하며, 이는 광발생층 내의 측방향 전류 및 광을 구속하는 역할을 하게된다. 원칙적으로는, 상기 SiO2마스크(114) 상에는 성장핵이 존재하지 않아 수직방향으로 결정성장이 어렵다. 그러나, Ⅴ/Ⅲ족의 비율을 높이고, 성장온도를 낮추게 되면, SiO2마스크(114) 상에는 Al과 Ga 입자가 남게된다. 따라서 이때 남아있는 Al과 Ga 입자를 성장 핵으로 해서 이차원적으로 AlGaN가 성장하여 다결정인 poly-AlGaN층이나 비정질인 a-AlGaN층을 형성하게 된다. 도 6은 높은 Ⅴ/Ⅲ족의 비율 또는 낮은 성장온도 등의 조건에서 성장핵이 존재하지 않는 절연체(SiO2마스크) 상에서도 poly-AlGaN이 형성되는 것을 나타내고 있다.
상기와 같이, 광발생층과 차단층(116)을 동시에 형성하는 공정은 SiO2마스크(114)를 이용한 선택적 성장기술과 Ⅴ/Ⅲ족의 비율 및 성장온도 제어에 의한 SiO2마스크(114) 상의 poly-AlGaN 또는 a-AlGaN의 성장기술에 의하여 이루어진다. 따라서, 양질의 반도체 레이저 다이오드를 제작하기 위해서는, SiO2마스크(114) 상에 절연체인 poly-AlGaN 또는 a-AlGaN이 형성되면서 기판(100) 상의 마스크(114) 사이의 영역에서는 양질의 단결정이 형성되는 조건, 즉 최적의 Ⅴ/Ⅲ족의 비율 및 성장온도를 결정하는 것이 중요하다.
다음으로, 상기 광발생층 및 차단층(116) 상면에 전류제한층(118)을 형성한다(도 4c). 상기 전류제한층(118)은 광발생층 및 차단층(116)의 상면에 폴리이미드를 코팅(coating)한 후, 현상 또는 O2에싱(ashing) 등의 방법에 의하여 광발생층의 상부에 전류통로를 마련함으로써 도 4c와 같은 형태로 형성된다.
마지막으로, 전류 통로가 형성된 광발생층의 상부에 p형 전극인 제 2 전극(120)을 형성하고, 기판(100)의 하면에 n형 전극인 제 1 전극(122)을 형성하게된다(도 4d).
이상과 같이 제조되는 매립형 헤테로구조의 반도체 레이저 다이오드는 단일 성장에 의해 광발생층 및 차단층을 형성함으로써, 리지형 구조 성장을 위한 화학적 이온 빔 식각(CAIBE:Chemically Assisted Ion Beam Etching) 등의 건식 식각(dry etching)공정이나 종래 매립형 구조 성장을 위한 식각 및 재성장 등의 공정이 불필요하게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 매립형 헤테로 구조의 반도체 레이저 다이오드는 바이어스(bias) 인가 시 활성층 내에서의 광 구속효과를 증대시킬 수 있으며, 또한 2중으로 전류를 구속함으로써 활성층 밖으로 누설되는 전류를 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, SiO2마스크 상에 형성된 차단층(poly-AlGaN 층 또는 a-AlGaN 층)에 의해 이웃하는 소자간의 전기적인 격리 효과도 얻을 수 있다.
한편, 본 발명은 SiO2마스크를 이용하여 기판 및 SiO2마스크 상에 각각 광발생층과 차단층을 단일 성장에 의하여 동시에 성장시킴으로써 제조공정을 단순화할 수 있으므로, 결국 비용 절감 및 수율 향상을 꾀할 수 있게 된다. 또한, 다른 반도체 레이저 다이오드의 제조에 사용되는 식각 및 재성장 등의 공정이 필요없게 되며, 기존의 성장 방법을 그대로 사용하여 제조할 수 있다.
따라서 안정된 광모드, 낮은 임계전류 및 높은 출력을 갖는 고효율의 매립형 헤테로 구조의 반도체 레이저 다이오드를 구현할 수 있다.

Claims (19)

  1. 기판과;
    상기 기판 상의 양측에 각각 형성된 마스크와;
    상기 마스크 사이의 상기 기판 상에 형성된 광발생층과;
    상기 마스크 상에 각각 형성되어 상기 광발생층 내의 측방향 전류 및 광을 구속하는 차단층과;
    상기 기판의 하면 및 상기 광발생층의 상면에 각각 형성된 제 1 및 제 2 전극을; 구비하며,
    상기 광발생층은 질화물계 화합물 반도체층인 GaN계 화합물 반도체층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광발생층은, 상기 기판 상에 순차적으로 형성된 제 1 클래드층, 활성층 및 제 2 클래드층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 광발생층은, 상기 제 1 클래드층과 상기 활성층 사이에 형성된 제 1 도파층과, 상기 제 2 클래드층과 상기 활성층 사이에 형성된 제 2 도파층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크는 SiO2마스크인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 차단층은 poly-AlGaN층 또는 a-AlGaN층인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 차단층은 poly-AlGaN층 또는 a-AlGaN층인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 전극과 상기 광발생층 사이에 전류제한층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 전류제한층은 폴리이미드층인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  11. 기판 상의 양측에 각각 마스크를 형성하는 단계와;
    상기 마스크 사이의 상기 기판 상 및 상기 마스크 상에 각각 광발생층 및 차단층을 동시에 형성하는 단계와;
    상기 기판의 하면 및 상기 광발생층의 상면에 각각 제 1 및 제 2 전극을 형성하는 단계를; 포함하며,
    상기 광발생층은 질화물계 화합물 반도체층인 GaN계 화합물 반도체층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 광발생층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 제 1 클래드층, 활성층 및 제 2 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 클래드층과 상기 활성층 사이에 제 1 도파층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 클래드층과 상기 활성층 사이에 제 2 도파층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  15. 삭제
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 마스크는 SiO2로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 차단층은 poly-AlGaN 또는 a-AlGaN으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 전극을 형성하기에 앞서, 상기 광발생층 상에 상기 제 2 전극으로부터 흐르는 전류를 제한하는 전류제한층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 전류제한층은 폴리이미드로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
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