JPS613491A - レ−ザダイオ−ドおよびその製造方法 - Google Patents
レ−ザダイオ−ドおよびその製造方法Info
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- JPS613491A JPS613491A JP12435584A JP12435584A JPS613491A JP S613491 A JPS613491 A JP S613491A JP 12435584 A JP12435584 A JP 12435584A JP 12435584 A JP12435584 A JP 12435584A JP S613491 A JPS613491 A JP S613491A
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- JP
- Japan
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- layer
- substrate
- cladding layer
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- photoresist
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、レーザダイオードおよびその製造方法に関す
る。
る。
（ロ）従来技術
一般に、ダブルへテロ接合構造のレーザダイオードは、
種々提案されている。ここでは第３図を例に説明し、そ
の問題点を指摘する。
種々提案されている。ここでは第３図を例に説明し、そ
の問題点を指摘する。
第３図は従来例のレーザダイオードを略示した説明図で
ある。
ある。
同図に才凡）で、１ば半導体基板であり、この表面には
下部クラッド層２、活性層３、上部りラット層４からな
るダブルへテロ接合構造が形成されこいる。この上部り
ラッｌ′層４の表面の中央部にばストライブ状の〔１１
結晶からなる光閉し込め層６を形成している。この光閉
し込め層６の上部にはオーミックコンタクトをとるため
のコンタクｌ−１７４７が’４１％されている。この光
閉し込めハづ６を除く前記上部クランド層４の表面には
、シリコン酸化膜５が被着されていて、この上部に多結
晶絶縁層６“が形成されている。前記光閉し込め層６の
表面に表電極８が蒸着されている。
下部クラッド層２、活性層３、上部りラット層４からな
るダブルへテロ接合構造が形成されこいる。この上部り
ラッｌ′層４の表面の中央部にばストライブ状の〔１１
結晶からなる光閉し込め層６を形成している。この光閉
し込め層６の上部にはオーミックコンタクトをとるため
のコンタクｌ−１７４７が’４１％されている。この光
閉し込めハづ６を除く前記上部クランド層４の表面には
、シリコン酸化膜５が被着されていて、この上部に多結
晶絶縁層６“が形成されている。前記光閉し込め層６の
表面に表電極８が蒸着されている。
上述したような構造のＬメーザダイオード１の製造方法
を以下筒用に説明する。
を以下筒用に説明する。
■ 基板１の表面に、下部クラッド層２、活性層３、上
部クラッド層４を二回目の分子線エピタキシャル成長法
（以下ＭＢＥと呼ぶ）でもって連続して成長させる。
部クラッド層４を二回目の分子線エピタキシャル成長法
（以下ＭＢＥと呼ぶ）でもって連続して成長させる。
、■ 前記上部クラッド層４の表面にシリコン酸化膜５
を形成する。次にホトレジストを塗布した後、−光閉し
込め層６を形成する部分に相当する前記ホトレジストを
除去する。これをマスクとして前記シリコン酸化膜５を
パターニングする。
を形成する。次にホトレジストを塗布した後、−光閉し
込め層６を形成する部分に相当する前記ホトレジストを
除去する。これをマスクとして前記シリコン酸化膜５を
パターニングする。
■ Ｐ型ドーパントとして例えはＢｅ、Ｎ型ドー゛パン
トとして例えばＳｎを使用して、二回目のＭＢＥを行う
。ごのとき、前記シリコン酸化膜５の表面には、多結晶
絶縁層６“が、シリコン酸化ｎψ５のない部分の表面に
は、単結晶の光閉じ込め層６がそれぞれ形成されること
となる。尚、コンタクト層７も光閉じ込め層６の表面に
成長される。
トとして例えばＳｎを使用して、二回目のＭＢＥを行う
。ごのとき、前記シリコン酸化膜５の表面には、多結晶
絶縁層６“が、シリコン酸化ｎψ５のない部分の表面に
は、単結晶の光閉じ込め層６がそれぞれ形成されること
となる。尚、コンタクト層７も光閉じ込め層６の表面に
成長される。
■ 電極祠料を蒸着することにより表電極８を形成する
。次に図示しない裏電極が形成される。
。次に図示しない裏電極が形成される。
しかして、上述したような従来方法によれは、各層の成
長はＭＢＥを二部に分けて行う必要があり、しかもこの
−回目と二回目のＭ’Ｂ Ｅが行゛われろ間にシリ」ン
酸化股５の形成を行う必要がある。。
長はＭＢＥを二部に分けて行う必要があり、しかもこの
−回目と二回目のＭ’Ｂ Ｅが行゛われろ間にシリ」ン
酸化股５の形成を行う必要がある。。
そのノ、め、に稈１′ｉ業が非常に煩わしいと共に、そ
の製造■寺間ｔ、、冒−′間がかかるという問題を７４
しる。
の製造■寺間ｔ、、冒−′間がかかるという問題を７４
しる。
（ハ）目的
第一の発明は、低電流で発振さ−Ｕると共に、発光能率
の向−ヒを図るレーザダイオードを提供することを目的
としている。
の向−ヒを図るレーザダイオードを提供することを目的
としている。
第二の発明は、製造工程の簡略化および製造時間の短縮
を可能とするレーザダイオードの製造方法を提供するこ
とを目的としている。
を可能とするレーザダイオードの製造方法を提供するこ
とを目的としている。
（ニ）構成
第一の発明ムこ係るレーザダイオードは、断面が台形状
の突脈を形成した半導体基板と、前記突脈を除いた基板
の表面に被着された遮蔽層と、前記突脈の平坦面の」二
部に積層された単結晶からなる第一の下部クラッド層と
活性層と上部クラッド層と、前記遮蔽層の上部に形成さ
れる絶縁性の多結晶層と、前記突脈の傾斜面の上部に形
成される高抵抗の第二の下部クラッド層とを具備したこ
とを特徴としている。
の突脈を形成した半導体基板と、前記突脈を除いた基板
の表面に被着された遮蔽層と、前記突脈の平坦面の」二
部に積層された単結晶からなる第一の下部クラッド層と
活性層と上部クラッド層と、前記遮蔽層の上部に形成さ
れる絶縁性の多結晶層と、前記突脈の傾斜面の上部に形
成される高抵抗の第二の下部クラッド層とを具備したこ
とを特徴としている。
第二の発明に係るレーザダイオードの製造方法は、半導
体基板の表面に形成されたストライプ状のホトレジスト
をマスクとして前記基板を工・ノチングすることにより
、断面が台形状の突脈を形成する工程と、前記ホトレジ
ストを残したままの基板に遮蔽層を形成して、しかる後
、前記ホトレジストおよびこのホトレジスト表面の遮蔽
層をリフトオフすることにより、前記突脈を除く基板の
表面に遮蔽層を形成する工程と、この基板の表面に分子
線エピタキシャル成長法（ＭＢ’Ｅ）でもって各層を連
続して成長させることにより、前記突脈の平坦面上部に
は単結晶からなる第一の下部クラッド層と活性層と上部
クラッド層を、また前記突脈の傾斜面上部には高抵抗の
第二の下部クラッド層を、さらに前記遮蔽層の上部には
絶縁性の多結晶層をそれぞれ形成させる工程とを具（ｊ
ｉｉｉ Ｌ／たことを特徴としＣいる。
体基板の表面に形成されたストライプ状のホトレジスト
をマスクとして前記基板を工・ノチングすることにより
、断面が台形状の突脈を形成する工程と、前記ホトレジ
ストを残したままの基板に遮蔽層を形成して、しかる後
、前記ホトレジストおよびこのホトレジスト表面の遮蔽
層をリフトオフすることにより、前記突脈を除く基板の
表面に遮蔽層を形成する工程と、この基板の表面に分子
線エピタキシャル成長法（ＭＢ’Ｅ）でもって各層を連
続して成長させることにより、前記突脈の平坦面上部に
は単結晶からなる第一の下部クラッド層と活性層と上部
クラッド層を、また前記突脈の傾斜面上部には高抵抗の
第二の下部クラッド層を、さらに前記遮蔽層の上部には
絶縁性の多結晶層をそれぞれ形成させる工程とを具（ｊ
ｉｉｉ Ｌ／たことを特徴としＣいる。
（ホ）実施例
第二辺溌泗−
第１図は第一の発明に係るレーザダイオードの一実施例
を示した説明図である。
を示した説明図である。
１はストライプ構造のダブルへテロ接合からなるレーザ
ダイオードであコ。
ダイオードであコ。
１０は、断面が台形状め突脈１１を形成したＮ型ＧａＡ
ｓからなる半導体基板である。
ｓからなる半導体基板である。
２０は、例えばＳｉ、 ＳｉＯ２、ＳｉＮ ４等からな
る遮蔽層であり、前記突脈１１を除く基板１０の表面に
形成されている。
る遮蔽層であり、前記突脈１１を除く基板１０の表面に
形成されている。
しかして、前記突脈１１の平坦面上部には、例えばＮ型
ＡｌＧａＡｓからなる第一の下部クラッド層３０と、Ｐ
型ＡｌＧａＡｓからなる活性Ｎ３１と、Ｐ型へ１ＧａＡ
ｓからなる上部クラッド層３２とがＭＢＥ装置でもって
積層されている。また、前記遮蔽層２０の上部には絶縁
性の多結晶層３０ａが形成されている。さらに、前記突
脈１１の１頃斜面上部には、比較的高抵抗の第一の］・
部クラッドＪ５３０ｂを形成している。
ＡｌＧａＡｓからなる第一の下部クラッド層３０と、Ｐ
型ＡｌＧａＡｓからなる活性Ｎ３１と、Ｐ型へ１ＧａＡ
ｓからなる上部クラッド層３２とがＭＢＥ装置でもって
積層されている。また、前記遮蔽層２０の上部には絶縁
性の多結晶層３０ａが形成されている。さらに、前記突
脈１１の１頃斜面上部には、比較的高抵抗の第一の］・
部クラッドＪ５３０ｂを形成している。
４０．４１は例えばＴｉおよびＡｕ、Ａｕ−Ｇｅ等から
なるＰ型電極、Ｎ型電極である。
なるＰ型電極、Ｎ型電極である。
しかして、上述したレーザダイオード１に順方向電圧を
印加すると、電流はトラップの少ない上部クラッド層３
２から基板１０に向かって流れる。このとき、図示Ａの
範囲以外の活性層３１と第二の下部クラッド層３０ｂに
は電流が流れないため、」一部クラッド層３２からの電
流は図示Ａの範囲内の活性層３１を通り、第一の下部ク
ラッド層３０へと流れる。
印加すると、電流はトラップの少ない上部クラッド層３
２から基板１０に向かって流れる。このとき、図示Ａの
範囲以外の活性層３１と第二の下部クラッド層３０ｂに
は電流が流れないため、」一部クラッド層３２からの電
流は図示Ａの範囲内の活性層３１を通り、第一の下部ク
ラッド層３０へと流れる。
従って、第１図に示すＡの範囲内の活性層３１および第
一の下部クラッド層３０のみを電流が通過する。
一の下部クラッド層３０のみを電流が通過する。
従って、活性層３１（図示Ａの範囲内）にのみ電子およ
び正孔が注入されるため、この狭い活性層３１で効率よ
く再結合する。
び正孔が注入されるため、この狭い活性層３１で効率よ
く再結合する。
第二Ω光■
第２図は第二の発明に係るレーザダイオードの製造方法
の一実施例を示す説明図である。尚、第１図と同一部分
は同一符合で示している。
の一実施例を示す説明図である。尚、第１図と同一部分
は同一符合で示している。
（ａｌ Ｎ型ＧａＡｓ基板１０（方位１００）の表面
にホトレジスト５０を塗布して、基板１０の中央部にス
トラ・イブパターンを残すように前記ホトレジスト５０
をパターニングする。しかる後、前記ホトレジスト５０
をマスクとして基板１０をメサエッチングすることによ
り、断面が台形状の突脈１１を形成する。尚１、前記ホ
トレジスト５０を残したままにしておく。
にホトレジスト５０を塗布して、基板１０の中央部にス
トラ・イブパターンを残すように前記ホトレジスト５０
をパターニングする。しかる後、前記ホトレジスト５０
をマスクとして基板１０をメサエッチングすることによ
り、断面が台形状の突脈１１を形成する。尚１、前記ホ
トレジスト５０を残したままにしておく。
（ｂｌ 前記基板１０に例えば５１％ ５１０２ 、
ＳｔＮ ４等の被着材料を蒸着させる。次に前記残余の
ホトレジスト５０およびこの」二部に形成された被着材
料をリフトオフして除去することにより、突脈１１を除
く基板１０の表面に遮蔽層２０が形成される。
ＳｔＮ ４等の被着材料を蒸着させる。次に前記残余の
ホトレジスト５０およびこの」二部に形成された被着材
料をリフトオフして除去することにより、突脈１１を除
く基板１０の表面に遮蔽層２０が形成される。
ｆｃｌ 前記基板１０にＮ型ドーノタントとして例え
ばＳｉを、Ｐ型ドーパンＩ〜として例えばＢｅをそれぞ
れイ貼用してＭＢＩＥ装置でもってＮ型へ］×Ｇａ１−
ｘＡｓ （八１組成社。は０．３〜０．７程度）、Ｐ型
ＡＩ Ｙ Ｇａｐ−ｙＡｓ（八１組成比Ｙはｘ Ｏ，
３程度）、Ｐ型へ１ｙＧａｌ−ｙＡｓ（ＡＩ組成社Ｙは
０．３〜０６７程度）を連続して成長してそれぞれ積層
させる。但し、前記遮蔽層２０の上部に積層された各層
は絶縁性の多結晶層３０ａになるという特性を備えてい
る。さらに前記突脈１１の平坦面上部は、活性領域（第
一の下部クラッド層３０、活性層３Ｊ、上部クラッド層
３２）が形成される。しかし、前記突脈１１の傾斜面上
部に成長されたＮ型ＧａＡＩＡＳは、Ｑ；＋結晶である
が比較的高抵抗の第一°、の下部りこンノド層３０ｂが
形成されるという特性を備えている。
ばＳｉを、Ｐ型ドーパンＩ〜として例えばＢｅをそれぞ
れイ貼用してＭＢＩＥ装置でもってＮ型へ］×Ｇａ１−
ｘＡｓ （八１組成社。は０．３〜０．７程度）、Ｐ型
ＡＩ Ｙ Ｇａｐ−ｙＡｓ（八１組成比Ｙはｘ Ｏ，
３程度）、Ｐ型へ１ｙＧａｌ−ｙＡｓ（ＡＩ組成社Ｙは
０．３〜０６７程度）を連続して成長してそれぞれ積層
させる。但し、前記遮蔽層２０の上部に積層された各層
は絶縁性の多結晶層３０ａになるという特性を備えてい
る。さらに前記突脈１１の平坦面上部は、活性領域（第
一の下部クラッド層３０、活性層３Ｊ、上部クラッド層
３２）が形成される。しかし、前記突脈１１の傾斜面上
部に成長されたＮ型ＧａＡＩＡＳは、Ｑ；＋結晶である
が比較的高抵抗の第一°、の下部りこンノド層３０ｂが
形成されるという特性を備えている。
ｆｄ） 前記基板１０の表面にＴｉおよびＡｕを蒸着
させてＰ型電極４０を形成する。次にＡｕ−Ｇｅを蒸着
させてＮ型電極４１を形成する。
させてＰ型電極４０を形成する。次にＡｕ−Ｇｅを蒸着
させてＮ型電極４１を形成する。
尚、上述した第一および第二の発明の実施例において、
活性領域の表面にオーミックコンタクトをとるためのキ
ャップ層を形成させるほうが望ましい。
活性領域の表面にオーミックコンタクトをとるためのキ
ャップ層を形成させるほうが望ましい。
（へ）効果
第一の発明によれば、基板に形成された突脈の平坦面上
部に積層された各Ｎ（活性領域）に電流を集中させるこ
とができるので、この部分のみに電流を流せばよい。そ
の結果、低電流でもって発振動作をさせることができる
。さらに、活性領域と絶縁性の多結晶層との間に高抵抗
の第二の１′一部クラッド層を介在させることで、前記
活性領域と絶縁性の多結晶層とが直接接することを防止
している。その結果、発光能率を向上させることができ
る。
部に積層された各Ｎ（活性領域）に電流を集中させるこ
とができるので、この部分のみに電流を流せばよい。そ
の結果、低電流でもって発振動作をさせることができる
。さらに、活性領域と絶縁性の多結晶層との間に高抵抗
の第二の１′一部クラッド層を介在させることで、前記
活性領域と絶縁性の多結晶層とが直接接することを防止
している。その結果、発光能率を向上させることができ
る。
第二の発明によれば、−回のマスクプロセスと、遮蔽層
の形成プロセスと、−回のＭＢＥプロセスとによっ−ζ
レーザダイオードを製造することができる。その結果、
従来方法に比べて製造工程を簡略することができ、しか
もその製造時間を短縮することができる。
の形成プロセスと、−回のＭＢＥプロセスとによっ−ζ
レーザダイオードを製造することができる。その結果、
従来方法に比べて製造工程を簡略することができ、しか
もその製造時間を短縮することができる。
第１図は第一・の発明に係るレーザダイオードの一実施
例を示した説明図、第２図は第二の発明に係るレーザダ
イオードの製造方法の一実施例を示す説明図、第３図は
従来例のレーザダイオードを略示した説明図である。 １・・・１．／−ザダイオード、ＩＯ・・・半導体基板
、１１・・・突脈、２０・・・遮蔽層、３０・・・第一
の−Ｆ部クりソ１層、３０ｄ ・・、・多結晶層、３
０ｂ・・・第二の下部クラッド園、３１・・・活性層、
３２・ ・ ・上１部クラッド層。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第１図 第２図 〕 第３図
例を示した説明図、第２図は第二の発明に係るレーザダ
イオードの製造方法の一実施例を示す説明図、第３図は
従来例のレーザダイオードを略示した説明図である。 １・・・１．／−ザダイオード、ＩＯ・・・半導体基板
、１１・・・突脈、２０・・・遮蔽層、３０・・・第一
の−Ｆ部クりソ１層、３０ｄ ・・、・多結晶層、３
０ｂ・・・第二の下部クラッド園、３１・・・活性層、
３２・ ・ ・上１部クラッド層。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第１図 第２図 〕 第３図
Claims (2)
- （１）断面が台形状の突脈を形成した半導体基板と、 前記突脈を除いた基板の表面に被着された遮蔽層と、 前記突脈の平坦面の上部に積層された単結晶からなる第
一の下部クラッド層と活性層と上部クラッド層と、 前記遮蔽層の上部に形成される絶縁性の多結晶層と、 前記突脈の傾斜面の上部に形成される高抵抗の第二の下
部クラッド層とを具備したことを特徴とするレーザダイ
オード。 - （２）半導体基板の表面に形成されたストライプ状のホ
トレジストをマスクとして前記基板をエッチングするこ
とにより、断面が台形状の突脈を形成する工程と、 前記ホトレジストを残したままの基板に遮蔽層を形成し
て、しかる後、前記ホトレジストおよびこのホトレジス
ト表面の遮蔽層をリフトオフすることにより、前記突脈
を除く基板の表面に遮蔽層を形成する工程と、 この基板の表面に分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ
）でもって各層を連続して成長させることにより、前記
突脈の平坦面上部には単結晶からなる第一の下部クラッ
ド層と活性層と上部クラッド層を、また前記突脈の傾斜
面上部には高抵抗の第二の下部クラッド層を、さらに前
記遮蔽層の上部には絶縁性の多結晶層をそれぞれ形成さ
せる工程とを具備したことを特徴とするレーザダイオー
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12435584A JPS613491A (ja) | 1984-06-16 | 1984-06-16 | レ−ザダイオ−ドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12435584A JPS613491A (ja) | 1984-06-16 | 1984-06-16 | レ−ザダイオ−ドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613491A true JPS613491A (ja) | 1986-01-09 |
| JPH0137866B2 JPH0137866B2 (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=14883335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12435584A Granted JPS613491A (ja) | 1984-06-16 | 1984-06-16 | レ−ザダイオ−ドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS613491A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100446615B1 (ko) * | 2001-10-09 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
-
1984
- 1984-06-16 JP JP12435584A patent/JPS613491A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100446615B1 (ko) * | 2001-10-09 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| US6901097B2 (en) | 2001-10-09 | 2005-05-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor laser diode and method for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0137866B2 (ja) | 1989-08-09 |
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