JPS6281785A - ｐ型基板半導体レ−ザのｎ電極 - Google Patents
ｐ型基板半導体レ−ザのｎ電極Info
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- JPS6281785A JPS6281785A JP60222595A JP22259585A JPS6281785A JP S6281785 A JPS6281785 A JP S6281785A JP 60222595 A JP60222595 A JP 60222595A JP 22259585 A JP22259585 A JP 22259585A JP S6281785 A JPS6281785 A JP S6281785A
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- Japan
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- electrode
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- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ＩｎＰ、ＧａＡ、ｓ等のｍ−ｖ族半導体レーザでは、通
常基板としてはｎ型が使用されるが、特性の改善のため
ｐ型基板の使用が要求されることがある。
常基板としてはｎ型が使用されるが、特性の改善のため
ｐ型基板の使用が要求されることがある。
この場合のｎ側ストライプ構造の電極形成に際して、絶
縁膜との密着性の改善を図った。
縁膜との密着性の改善を図った。
本発明は、ｐ型基板を用いたｍ−ｖ族半導体レーザのｎ
電極構造に関する。
電極構造に関する。
一般に半導体レーザではエピタキシャル成長層の形成の
容易なｎ型基板が使用される。
容易なｎ型基板が使用される。
然し一方、高出力、高温特性を改善するためｐ基板を使
用したレーザ製作の要望も出ている。
用したレーザ製作の要望も出ている。
この場合、レーザの発光特性及び効率を向上に必要なス
トライプ状のコンタクト面を持つｎ電極を形成すること
が必要で、ｎ電極材料としての使用されるＡｕＧｅと、
絶縁膜としてのＳｉＯ□膜との密着性が悪いので改善が
要望されている。
トライプ状のコンタクト面を持つｎ電極を形成すること
が必要で、ｎ電極材料としての使用されるＡｕＧｅと、
絶縁膜としてのＳｉＯ□膜との密着性が悪いので改善が
要望されている。
１．３〜１．６μｍ帯の光通信用としてｐ型１ｎＰｌ板
を用いた半導体レー°ザの構造を第２図の断面図により
説明する。
を用いた半導体レー°ザの構造を第２図の断面図により
説明する。
図面において、１はｐ−ＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、３はｎＩｎＰクラッド層が積層されて、この
３Ｎでダブル・ヘテロ構造を形成している。
Ｐ活性層、３はｎＩｎＰクラッド層が積層されて、この
３Ｎでダブル・ヘテロ構造を形成している。
上記３層は液相成長法（ＬＰＥ法）で基板上に一様に成
長させた後、メサ形状にエツチングを行う。次いで、電
流狭窄のためのｎ−１ｎＰ層４、ｐ−１ｎＰ層５を埋込
み、更に全面にｎ−１ｎＰ層６、ｎ−１ｎＧａ ＡｓＰ
コンタクト層７を成長させて素子部の形成が完了する。
長させた後、メサ形状にエツチングを行う。次いで、電
流狭窄のためのｎ−１ｎＰ層４、ｐ−１ｎＰ層５を埋込
み、更に全面にｎ−１ｎＰ層６、ｎ−１ｎＧａ ＡｓＰ
コンタクト層７を成長させて素子部の形成が完了する。
上記素子の上下、即ちｐ型基板側にｐ電極１ｏ、ｎ−Ｉ
ｎＧａ ＡｓＰコンタクト層７に全面にｎ電極を設ける
と、レーザ発振に寄与しない無効電流分が大で効率が悪
く、高周波特性も低下する。
ｎＧａ ＡｓＰコンタクト層７に全面にｎ電極を設ける
と、レーザ発振に寄与しない無効電流分が大で効率が悪
く、高周波特性も低下する。
そのため、通常ストライプ状の開口部を持つ絶縁膜とし
て５ｉｎ２膜８を積層して、その上にｎ電極９を形成す
る。
て５ｉｎ２膜８を積層して、その上にｎ電極９を形成す
る。
この場合、ｎ電極材料としては、専らｎ型ｍ−Ｖ族化合
物とのコンタクト特性の良好なるＡｕＧｅを蒸着するこ
とによりｎ電極９を形成する。
物とのコンタクト特性の良好なるＡｕＧｅを蒸着するこ
とによりｎ電極９を形成する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記に述べた、ｎ電極としてＡｕＧｅ層をＳ ｉ Ｏｚ
膜上にも形成する方法では、ＡｕＧｅ層とＳ ｉ Ｏ，
１１７Ｊとの密着性が悪く不良が発生する、−とである
。
膜上にも形成する方法では、ＡｕＧｅ層とＳ ｉ Ｏ，
１１７Ｊとの密着性が悪く不良が発生する、−とである
。
電極の剥離、コンタクト不良等の故障要因を除去した電
極構造が要望される。
極構造が要望される。
上記問題点は、ｐ型基板を用いｊ； ＩＩＩ Ｖ族半
可体レーザのｎ電極構造として、ＡｕＧｅ層にで８１０
□膜のストライプ状開口部が埋込まれ、該Ｓ ｉ Ｑ
。
可体レーザのｎ電極構造として、ＡｕＧｅ層にで８１０
□膜のストライプ状開口部が埋込まれ、該Ｓ ｉ Ｑ
。
Ｉ模及びＡｕＧｅ層の上にＴｉ、Ｉ”ｔ、ΔＵが順次積
層された構造よりなる本発明のＩｉ電極構造Ｑ、’−よ
っ′７解決される。
層された構造よりなる本発明のＩｉ電極構造Ｑ、’−よ
っ′７解決される。
レーザ素子側のコンタクト層のストライプ開口部にはｎ
層とのコンタクト特性の良好なるＡｕＧｅをそのまま使
用し、Ａ ｕ Ｇ ｅ層及びＳ ｉ Ｏ２膜のＴｂこは
密着性の良好なるＴｉを先ず積層し、更にバリアー金属
としてＰｔｉを介してＡｕ鍍金層が形成される。
層とのコンタクト特性の良好なるＡｕＧｅをそのまま使
用し、Ａ ｕ Ｇ ｅ層及びＳ ｉ Ｏ２膜のＴｂこは
密着性の良好なるＴｉを先ず積層し、更にバリアー金属
としてＰｔｉを介してＡｕ鍍金層が形成される。
これにより、コンタクト特性と５ｉＣｈ膜との密着性の
両者に優れたｎ電極を得ることが出来る。
両者に優れたｎ電極を得ることが出来る。
本発明による一実施例を図面により更に詳しく説明する
。本発明ではｎ電極構造を問題としているので、レーザ
の素子部構造は従来の技術の項で説明せるｐ型ＩｎＰ基
板を用いた第２図構造をそのまま用いる。
。本発明ではｎ電極構造を問題としているので、レーザ
の素子部構造は従来の技術の項で説明せるｐ型ＩｎＰ基
板を用いた第２図構造をそのまま用いる。
ｎ−ＴｎＧａＡｓＰコンタクト層７に５ｉＯｚ膜の気相
成長を行い、パターンニングによりストライプ状のＳｉ
０ｇ膜を除去する。
成長を行い、パターンニングによりストライプ状のＳｉ
０ｇ膜を除去する。
次いで、ＡｕＧｅ層１２全１２蒸着法でストライプ開口
部１１を埋め込んで、はぼＳ ｉ Ｏｚ膜表面と平坦化
を行う。
部１１を埋め込んで、はぼＳ ｉ Ｏｚ膜表面と平坦化
を行う。
次いで、Ｔｉ１３を蒸着し、その上に更にＰｔ１４を蒸
着行う。最後にＡ、ｕ１５を鍍金により厚く積層するこ
とによりｎ電極が完成する。
着行う。最後にＡ、ｕ１５を鍍金により厚く積層するこ
とによりｎ電極が完成する。
このｎ電極形成時に、Ｔｉ、Ｐｔの蒸着をｐ電極側にも
同時に行い、更にＡｕ鍍金を加えてｐ電極１０を形成す
ることが出来る。
同時に行い、更にＡｕ鍍金を加えてｐ電極１０を形成す
ることが出来る。
以上に説明せるごとく、本発明のｐ基板便用■−Ｖ族の
半導体レーザのｎ電極構造を適用するごとにより、スト
ライプを形成せる５ｉＯｚｌ模との密着性の良好なるｎ
電極を形成することが可能となった。
半導体レーザのｎ電極構造を適用するごとにより、スト
ライプを形成せる５ｉＯｚｌ模との密着性の良好なるｎ
電極を形成することが可能となった。
第１図は本発明にかかわるｐ基板半導体１ノ−ザのｎ電
極構造を説明する断面図、 第２図は従来の技術によるｎ電極構造を説明する断面図
、 を示す。 図面において、 １はｐ−１ｎＰ基板、 ２はＩｎＧａＡｓＰ活性層、 ３はｎ−ＩｎＰｎワク９フ５、 ４．６はｎ−１ｎＰ層、 ５はｐ−１ｎＰ層、 ７はｎ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層、８はＳｉＯ□膜
、 ９はｎ電極、 １０はｎ電極、 １１はストライプ開口部、 １２はＡｕＧｅ層、 １３はＴｉ。 １４ばＰＬｌ １５はＡｕ。 をそれぞれ示す。 、ｔＬｔ％跣明７ｆ１図 第 １ 図 従来っ蔚句１・よ５ｒ＋劉１酊Ｉα明も折面１第２ｍ
極構造を説明する断面図、 第２図は従来の技術によるｎ電極構造を説明する断面図
、 を示す。 図面において、 １はｐ−１ｎＰ基板、 ２はＩｎＧａＡｓＰ活性層、 ３はｎ−ＩｎＰｎワク９フ５、 ４．６はｎ−１ｎＰ層、 ５はｐ−１ｎＰ層、 ７はｎ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層、８はＳｉＯ□膜
、 ９はｎ電極、 １０はｎ電極、 １１はストライプ開口部、 １２はＡｕＧｅ層、 １３はＴｉ。 １４ばＰＬｌ １５はＡｕ。 をそれぞれ示す。 、ｔＬｔ％跣明７ｆ１図 第 １ 図 従来っ蔚句１・よ５ｒ＋劉１酊Ｉα明も折面１第２ｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 III−Ｖ族半導体レーザの電極構造として、 ＡｕＧｅ層（１２）にてＳｉＯ＿２膜（８）のストライ
プ状開口部（１１）が埋込まれ、 該ＳｉＯ＿２膜（８）及びＡｕＧｅ層（１２）の上にＴ
ｉ（１３），Ｐｔ（１４），Ａｕ（１５）が順次積層さ
れた構造よりなることを特徴とするｐ型基板半導体レー
ザのｎ電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222595A JPS6281785A (ja) | 1985-10-05 | 1985-10-05 | ｐ型基板半導体レ−ザのｎ電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222595A JPS6281785A (ja) | 1985-10-05 | 1985-10-05 | ｐ型基板半導体レ−ザのｎ電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281785A true JPS6281785A (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=16784931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222595A Pending JPS6281785A (ja) | 1985-10-05 | 1985-10-05 | ｐ型基板半導体レ−ザのｎ電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281785A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04225280A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-14 | Nikko Kyodo Co Ltd | オーミック電極の形成方法 |
| KR20200106218A (ko) * | 2018-02-02 | 2020-09-11 | 웨스팅하우스 일렉트릭 컴퍼니 엘엘씨 | 핵 연료 고장 방지 방법 |
| JP2020155477A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58206185A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-01 | Sharp Corp | 半導体レ−ザの電極構造 |
| JPS59165473A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
-
1985
- 1985-10-05 JP JP60222595A patent/JPS6281785A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58206185A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-01 | Sharp Corp | 半導体レ−ザの電極構造 |
| JPS59165473A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04225280A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-14 | Nikko Kyodo Co Ltd | オーミック電極の形成方法 |
| KR20200106218A (ko) * | 2018-02-02 | 2020-09-11 | 웨스팅하우스 일렉트릭 컴퍼니 엘엘씨 | 핵 연료 고장 방지 방법 |
| JP2020155477A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
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