KR960002981A - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 EDFA(ER3+doped fiber amplifier)에 사용되는 광 증폭용 980nm파장대의 화합물 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로서,특히 전류 차단층을 인너 스트라이트(inner stripe)형태로 채용한 SBR(Selectively Buried Ridge)구조를 굴절율 도파형 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
즉,본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는 HCI가스에 잘견디는 식각 저지층을 상기 제2상부 크래드층의 바로 저면에 마련하여,HCI가스를 이용한 기상 식각을 행한 후 바로 그(제)자리(in situ)재성장으로 전류 차단층을 선택 성장시킴으로써,식각된 제2상부 크래드층 계면의 A1성분의 산화를 막아 재성장 계면 특성이 좋고,선택적 식각 특성이 좋으며 소자의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.더욱이,A1As 식각 저지층의 사용으로 HCI가스 식각 깊이의 정확한 제어가 가능하며,또 이 식각 저지층은 광 도파에 아무런 영향을 미치지 않으므로 소자 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 1차성장 후의 수직 단면도이다.
제8도는 선택적 HCI 식각 공정 후의 수직 단면도이다.
제9도는 선택적 2차성장 후의 수직 단면도이다.
제10도는 3차성장 후의 수직 단면도이다.
Claims (8)
- 기판과,이 기판 상면에 하부 크래드층,하부 도파층,활성층,상부 도파층 및 상부 크래드층으로 이루어지는 레이저 발진층과,이 레이저 발진층 상면에 전류 차단층,콘택트/캡층이 마련된 반도체 레이저 다이오드에 있어서,상기 상부 크래드층을 제1상부 크래드층과 제2상부 크래드층으로 분리되며,상기 제1상부 크래드층과 제2상부 크래드층의 사이에 식각 저지층이 마련되며,상기 제2상부 크래드층은 상기 제1상부 크래드층보다 좁은폭을 가지는 리지 형상을 가지며,상기 제2상부 크래드층의 양측에는 상기 식각 저지층의 상부 양측에 위치하는 전류차단층이 형성되고,상기 제2상부 크래드층의 정상면에는 콘택층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 기판은 n+-GaAs로,상기 제1하부 크래드층은 n-A1GsAs로,상기 하부 도파층은 undoped-A1GaAs로,상기 하부 도파층은 undoped-GaAs로,상기 활성층은 undoped-InGaAs로,상기 상부 도파층은 undoped-GaAs로,상기 제1상부 크래드층 및 제2상부 크래드층은 p-InGaP로,상기 식각 저지층은 p-AaAs로,상기 콘택트층은 p+-GaAs로,상기 전류 차단층은 n+-GaAs로,상기 캡층은 p+-GaAs로 각각 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 식각 저지층은 실질적으로 200A두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1상부 크래드층의 두께는 0.2-0.25㎛의 범위 내의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 기판 상면에 하부크래드층,하부 도파층,활성층,상부 도파층,제1상부 크래드층,식각 저지층,제2상부크래드층 및 콘택트층을 순차적으로 성장시키는 제1차 성장단계와,상기 제2상부 크래드층 및 상기 콘택트층이 메사형 리지 형태로 상기 식각 저지층 중앙 상면에 형성되도록 그 양쪽을 소정의 폭으로 상기 식각 저지층 상면까지 완전하게 선택적으로 식각하는 식각 단계와,상기 식각된 부분에 전류 차단층을 선택적으로 재성장시키는 제2차 성장 단계와,상기 전류 차단층 및 상기 콘택트층 상면에 캡층을 성장시키는 제3차 성장 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 식각 단계는 기상 식각법을 적용하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 기상 식각법은 HCI 가스와 AsH3가스를 혼합한 혼합 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제5항에 있어서,제2차 성장 단계는 상기 전류 차단층을 상기 기상 식각에 연이어 그(제)자리(in situ)재성장시키는 식각 후 즉시 성장법을 적용하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940015028A KR960002981A (ko) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940015028A KR960002981A (ko) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002981A true KR960002981A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66688850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940015028A KR960002981A (ko) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002981A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100430258B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-05-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 플라즈마 식각을 이용한 레이저 다이오드 공정방법 |
-
1994
- 1994-06-28 KR KR1019940015028A patent/KR960002981A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100430258B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-05-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 플라즈마 식각을 이용한 레이저 다이오드 공정방법 |
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