KR970024409A - 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 레이저 다이오드(Lasser diode) 및 그 제조방법에 관한 것으로서, n형 기판, n형 버퍼층, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, n형 전류정지층, p형 접촉층, 및 p형 캡층을 갖춘 SBR형(Selective Buried Ridge type)레이저 다이오드에 있어서, 상기 n형 전류정지층은, 방출될 레이저보다 에너지 밴드갭(Energy band gap)이 큰 두 물질로서 교대로 적층된 것을 그 특징으로 하여, 광전파 모드(Light propagating mode)를 제한할 수 있을 뿐만 아니라 광손실을 줄일 수 있게 된다.

Description

레이저 다이오드 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 일 실시예에 따른 670 nm(nanometer) 파장용 레이저 다이오드의 개략적 단면도이다,

제3도는 제2도의 p형 클래드층 및 p형 접촉층의 양측부가 리지 - 메사에칭 (Ridge-mesa etching)된 상태의 발췌적 단면도이다.

Claims (10)

1. n형 기판, n형 버퍼층, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, n형 전류정지층, p형 접촉층, 및 p형 캡층을 갖춘 SBR형(Selective Buried Ridge type)레이저 다이오드에 있어서, 상기 n형 전류정지층은, 방출될 레이저보다 에너지 밴드갭(Energy band gap)이 큰 두 물질로서 교대로 적층된 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
2. n형 갈륨 - 비소{n - GaAs(100)} 기판, n형 갈륨 - 비소(n type Ga - As) 버퍼층; n형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {n type (Al_0.7Ga)_0.5In_0.5P} 클래드층; 갈륨 - 인듐 - 인(Undoped Ga-ln - P) 활성층; p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {p type (Al_0.7Ga)_0.5In_0.5P} 클래드층; n형 알루미늄 - 비소 {n type Al - As)층과 n형 알루미늄 - 갈륨 - 비소(n type Al_0.5Ga - As)층이 교대로 적층되어 24층을 형성하는 n형 전류정지층; p형 갈륨 - 인듐 - 인(p type Ga - ln - P) 접촉층; 및 p형 갈륨 - 비소(n type Ga- As) 캡층;을 갖춘 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
3. n형 갈륨 - 비소 {n - GaAs(100)} 기판; n형 갈륨 - 비소(n type Ga - As) 버퍼층; n형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 (n type (Al_0.7Ga)_0.5In_0.5P} 클래드층; 갈륨 - 인듐 - 인(Undoped Ga-In-P) 활성층; p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {p type (Al_0.7Ga)_0.5In_0.5P} 클래드층; n형 갈륨 - 인듐 - 인(n type Ga - In - P)층과 n형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인(n type Ga - In - P)층이 교대로 적층되어 24층을 형성하는 n형 전류정지층; p형 갈륨 - 인듐 - 인(p type Ga - In - P) 접촉층; 및 p형 갈륨 - 비소(n type Ga-As) 캡층;을 갖춘 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
4. 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 n형 전류정지층은, 상기 방출될 레이저에 대하여 브래그 반사(Bragg reflection) 현상이 유발되게 하는 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
5. 제1항 또는 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 n형 전류정지층을 형성하는 각 층의 두께는, 각 층의 굴절율을 n, 방풀 레이저의 파장을 λ라 할 때, λ/4n 인것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
6. n형 기판, n형 버퍼층, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 및 p형 접촉층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 성장된 p형 클래드층 및 p형 접촉층의 양측부를 리지 - 메사에칭(Ridge-mesa etching)시키는 단계; 상기 에칭된 공간에 방출될 레이저보다 에너지 밴드갭(Energy band gap)이 큰 두 물질을 교대로 선택 성장시킴으로써 중첩된 n형 전류정지층을 형성하는 단계; 및 상기 선택 성장기 사용되었던 실리콘 옥사이드(SiO₂)와 마스크(Mask)를 제거한 후, p형 캡층을 성장시키는 단계;를 포함한 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
7. n형 갈륨 - 비소 {n - GaAs(100)} 기판, n형 갈륨 - 비소(n type Ga - As) 버퍼층, n형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {n type (Al_0.7Ga)_0.5In_0.5P) 클래드층, 갈륨 - 인듐 - 인(Undoped Ga-In - P) 활성층, p형 알루미늄 -갈륨 - 인듐 - 인 {p type (Al_0.7Ga)_0.5In_0.5P} 클래드층 및 p형 갈륨 - 인듐-인(p type Ga- In - P) 접촉층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 성장된 p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {p type (Al_0.7Ga)_0.5In_0.5P} 클래드층 및 p형 갈륨 - 인듐 - 인(p type Ga - In - P)접촉층의 양측부를 리지 - 메사에칭 (Rige - mesa etching)시키는 단계; 상기 에칭된 공간에 n형 알루미늄 - 비소(n type Ga - As)층과 n형 알루미늄 - 갈륨 - 비소(n type Al_0.5Ga - As)층을 교대로 선택 성장시킴으로써 중첩된 n형 전류정지층을 형성하는 단계; 및 상기 선택 성장시 사용되었던 실리콘 옥사이드(SiO₂)와 마스크(Mask)를 제거한 후, p형 갈륨 - 비소(n type Ga - As)캡층을 성장시키는 단계;를 포함한 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
8. n형 갈륨 - 비소 {n - GaAs(100)} 기판, n형 갈륨 - 비소(n type Ga - As) 버퍼층, n형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {n type (Al_0.7Ga)_0.5In_0.5P} 클래드층, 갈륨 - 인듐 - 인(Undoped Ga- In - P) 활성층, p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 (p type (Al_0.7Ga)_0.5In_0.5P} 클래드층 및 p형 갈륨 - 인듐 - 인(p type Ga - In - P)접촉층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 성장된 p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {p type (Al_0.7Ga)_0.5In_0.5P} 클래드층 및 p형 갈륨 - 인듐 - 인(p type Ga - In - P)접촉층의 양측부를 리지 - 메사에칭(Ridge-mesa etching)시키는 단계: 상기 에칭된 공간에 n형 갈륨 - 인듐 - 인(n type Ga - In - P)층과 n형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인(n type Ga - In - P)층을 교대로 선택 성장시킴으로써 중첩된 n형 전류정지층을 형성하는 단계; 및 상기 선택성장시 사용되었던 실리콘 옥사이드(SiO₂)와 마스크(Mask)를 제거한 후, p형 갈륨 - 비소(n type Ga - As)캡층을 성장시키는 단계;를 포함한 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
9. 제6항 또는 제7항 또는 제8항에 있어서. 상기 n형 전류정지층은, 상기 방출될 레이저에 대하여 브래그 반사(Bragg reflection) 현상이 유발되게 하는 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
10. 제6항 또는 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 n형 전류정지층을 형성하는 각 층의 두께는, 각 층의 굴절율을 n, 방출 레이저의 파장을 λ라 할 때, λ/4n 인것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.