KR930015218A - 반도체 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 다이오드 제조방법 Download PDF

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드(Laser Diode)제조방법에 관한 것으로, 특히 전류차단층 형성시 상부의 P+-InP 층에 포함된 Zn이 하부의 언도프된 InGaAsP 액티브막으로 확산되는 것을 방지하기 위하여 언도프된 InGaAsP 액티브막 상부에 얇은 언도프된 InP막 또는 언도프된 InGaAsP막을 성장시킨 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것이다.

Description

반도체 레이저 다이오드 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C 종래기술에 의해 레이저 다이오드 제조단계를 도시한 단면도,
제2A도 및 제2B도는 본 발명에 제1실시예에 의해 레이저 다이오드 제조단계를 도시한 단면도,
제3도는 본 발명에 제2시예에 의해 레이저 다이오드 제조단계를 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. n+-InP 기판 상부에 n+-InP 완충막, 언도프된 InGaAsP 액티브막, P+-InP막, P+-InGaAsP막을 순차적으로 예정된 두께로 형성하는 단계와, 선택적 식각공정으로 상기 예정된층을 식각하여 P+-InGaAsP막 패턴, P+-InP막 패턴, 측면에는 요홈을 갖는 언도프된 InGaAsP 액티브막 패턴을 형성하여 전체구조가 메사형으로 만드는 단계와, 상기 언도프된 InGaAsP 액티브막 패턴 측면의 요홈에 전류차단층을 형성하는 단계와, 상기 P+-InGaAsP막 패턴을 포함하는 전체 상부구조에 절연층을 형성하고, 절연층의 예정된 부분을 식각하여 금속층을 P+-InGaAsP막 패턴에 오믹콘택하고, 동시에 n+-InP기판 하부에도 금속층을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 있어서, 상기 고온의 전류차단층 형성공정에서 P형 도판트가 하부의 언도프된 InGaAsP 액티브막 패턴으로 확산되는 것을 방지하기 위하여 상기 언도프된 InGaAsP액티브막 상부에 언도프된 InP막을 성장시키고, 그 상부에 P+-InP막 P+-In GaAsP막을 성장시킨 다음, 상기 선택적 식각공정으로 예정된 층을 식각하는 P+-InGaAsP막 페턴, P+-InP막 패턴, 언도프된 Inp막 패턴, 언도프된 InGaAsP 액티브막 패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 레이저 다이오드 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전류차단층 형성공정은 고온 매스 트랜스포트 방법으로 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 레이저 다이오드 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 언도프된 InGaAsP 액티브막 상부에 언도프된 InP막을 형성하는 대신에 1.1㎛ PL파장을 갖는 언도프된 InGaAsP막을 성장시키는 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 레이저 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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