KR910019298A - 매립형 이종구조(buried heterostructure) 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

매립형 이종구조(buried heterostructure) 레이저 다이오드 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR910019298A
KR910019298A KR1019900005909A KR900005909A KR910019298A KR 910019298 A KR910019298 A KR 910019298A KR 1019900005909 A KR1019900005909 A KR 1019900005909A KR 900005909 A KR900005909 A KR 900005909A KR 910019298 A KR910019298 A KR 910019298A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
laser diode
buried heterostructure
heterostructure laser
inp
Prior art date
Application number
KR1019900005909A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920008891B1 (ko
Inventor
이중기
김상배
김정수
박문호
이용탁
Original Assignee
경상현
재단법인 한국전자통신연구소
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 경상현, 재단법인 한국전자통신연구소 filed Critical 경상현
Priority to KR1019900005909A priority Critical patent/KR920008891B1/ko
Publication of KR910019298A publication Critical patent/KR910019298A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920008891B1 publication Critical patent/KR920008891B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227Buried mesa structure ; Striped active layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

매립형 이종구조(buried heterostructure)레이저 다이오드 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 매립형 이종구조 레이저 다이오드의 구조도, 제 2 도는 이종구조 레이저 다이오드의 구조도, 제 3 도는 CVD 방법으로 형성한 SiO2의 형성 온도 변화에 따른 0.2% 브롬-메탄을 에칭후의 단면도.

Claims (1)

  1. 기판상에 활성층(3), 클래드층(4), 캡층(5)을 역메사(reverse mesa)형으로 형성하고 그 측면에 전류차단층(9)을 형성한 구조로 된 매립형 이종구조 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 기판상에 활성층(3), 클래드층(4), 캡층(5), 및 InP층(6)으로 성장시킨 웨이퍼의 InP층(6)상에 역메사 에칭 마스크로 사용되는 SiO2층(8)을 350℃이하의 온도에서 형성하는 SiO2층 형성공정과, 상기 SiO2층(8)을 마스크로하여 상기 활성층(3), 클래드층(4), 캡층(5) 및 InP(6)을 역메사형으로 에칭시 기판의 온도를 350℃이하로 하여 일정한 언더컷트(undercut)가 형성되도록 하는 에칭 공정에 의해 재현성있는 역메사 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 매립형 이종구조 레이저 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900005909A 1990-04-26 1990-04-26 매립형 이종구조(buried heterostructure)레이저 다이오드 제조방법 KR920008891B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900005909A KR920008891B1 (ko) 1990-04-26 1990-04-26 매립형 이종구조(buried heterostructure)레이저 다이오드 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900005909A KR920008891B1 (ko) 1990-04-26 1990-04-26 매립형 이종구조(buried heterostructure)레이저 다이오드 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910019298A true KR910019298A (ko) 1991-11-30
KR920008891B1 KR920008891B1 (ko) 1992-10-10

Family

ID=19298411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900005909A KR920008891B1 (ko) 1990-04-26 1990-04-26 매립형 이종구조(buried heterostructure)레이저 다이오드 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR920008891B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR920008891B1 (ko) 1992-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5681994A (en) Field effect type semiconductor laser and manufacture thereof
KR910019298A (ko) 매립형 이종구조(buried heterostructure) 레이저 다이오드 제조방법
KR900010945A (ko) 화합물반도체 디바이스의 제조방법과 화합물 반도체 디바이스
JPS5673487A (en) Semiconductor laser and its manufacture
KR920013824A (ko) 레이저 다이오드 제조방법
KR920020801A (ko) 고출력 가시광 반도체 레이저 소자의 제조방법
KR960027098A (ko) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR950010206A (ko) 레이저 다이오드의 제조방법
KR950012940A (ko) 굴절율도파형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법
KR970054976A (ko) 레이저 다이오우드의 제조방법
KR890011151A (ko) 레이저 다이오드의 제조방법
KR970054973A (ko) 레이저 다이오드 제조방법
KR950012930A (ko) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR910010784A (ko) Btrs 레이저 제조방법
KR930003473A (ko) 반도체 레이저의 제조방법
KR930024204A (ko) 반도체 레이저 다이오드 및 제조방법
KR950012882A (ko) 반도체 레이저 어레이 및 이의 제조방법
KR850006267A (ko) 레이저 트라이오우드의 제작방법
KR960002977A (ko) 반도체 레이저다이오드의 제조방법
KR950012944A (ko) 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR960002981A (ko) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR950012852A (ko) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR950012931A (ko) 레이저 다이오드 및 그의 제조방법
KR890015470A (ko) 레이저 다이오드의 개별소자 형성방법
KR960043392A (ko) 갈륨-비소(Ga-As)계 레이저 다이오드(LASER diode) 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19980929

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee