KR910019298A - 매립형 이종구조(buried heterostructure) 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents
매립형 이종구조(buried heterostructure) 레이저 다이오드 제조방법 Download PDFInfo
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 매립형 이종구조 레이저 다이오드의 구조도, 제 2 도는 이종구조 레이저 다이오드의 구조도, 제 3 도는 CVD 방법으로 형성한 SiO2의 형성 온도 변화에 따른 0.2% 브롬-메탄을 에칭후의 단면도.
Claims (1)
- 기판상에 활성층(3), 클래드층(4), 캡층(5)을 역메사(reverse mesa)형으로 형성하고 그 측면에 전류차단층(9)을 형성한 구조로 된 매립형 이종구조 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 기판상에 활성층(3), 클래드층(4), 캡층(5), 및 InP층(6)으로 성장시킨 웨이퍼의 InP층(6)상에 역메사 에칭 마스크로 사용되는 SiO2층(8)을 350℃이하의 온도에서 형성하는 SiO2층 형성공정과, 상기 SiO2층(8)을 마스크로하여 상기 활성층(3), 클래드층(4), 캡층(5) 및 InP(6)을 역메사형으로 에칭시 기판의 온도를 350℃이하로 하여 일정한 언더컷트(undercut)가 형성되도록 하는 에칭 공정에 의해 재현성있는 역메사 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 매립형 이종구조 레이저 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
KR1019900005909A KR920008891B1 (ko) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 매립형 이종구조(buried heterostructure)레이저 다이오드 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019900005909A KR920008891B1 (ko) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 매립형 이종구조(buried heterostructure)레이저 다이오드 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR910019298A true KR910019298A (ko) | 1991-11-30 |
KR920008891B1 KR920008891B1 (ko) | 1992-10-10 |
Family
ID=19298411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019900005909A KR920008891B1 (ko) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 매립형 이종구조(buried heterostructure)레이저 다이오드 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR920008891B1 (ko) |
-
1990
- 1990-04-26 KR KR1019900005909A patent/KR920008891B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR920008891B1 (ko) | 1992-10-10 |
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