KR890015470A - 레이저 다이오드의 개별소자 형성방법 - Google Patents
레이저 다이오드의 개별소자 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명 레이저 다이오드의 사시도, 제 3 도의 (가)~(라)는 본 발명 레이저 다이오드의 제조공정도.
Claims (1)
- 반도체 기판(11) 상에 LPE법에 의한 VSIS구조의 에피택셜층(12)을 형성하고 각 개별소자의 거울면에 해당되는 면을 산화막 또는 포토레지스트를 마스크로 하여 RIBE법에 의해 에칭하며, 기판(11) 및 거울면에 PSG 또는 SiO2또는 Si3N4등의 보호막(13)을 PECVD법에 의하여 증착하고, 전극(14) 및 공통전극 (15)을 형성한 후 에칭된 부분을 따라 스크라이빙을 하여 절단함을 특징으로 한 레이저 다이오드의 개별소자 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880002635A KR900006922B1 (ko) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | 레이저 다이오드의 개별소자 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880002635A KR900006922B1 (ko) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | 레이저 다이오드의 개별소자 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890015470A true KR890015470A (ko) | 1989-10-30 |
| KR900006922B1 KR900006922B1 (ko) | 1990-09-24 |
Family
ID=19272810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880002635A KR900006922B1 (ko) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | 레이저 다이오드의 개별소자 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900006922B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437181B1 (ko) * | 2002-04-29 | 2004-06-23 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
-
1988
- 1988-03-12 KR KR1019880002635A patent/KR900006922B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437181B1 (ko) * | 2002-04-29 | 2004-06-23 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900006922B1 (ko) | 1990-09-24 |
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