KR940012723A - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래 반도체 레이저 다이오드 제조시는 채널부분을 형성하기 위해 전류 차단층을 두께차를 두어 식각하였으나 이때 식각비 제어가 어려우며 활성층의 수평,수직 폭차가 커서 레이저 다이오드 빔 형태가 원형이 되지 못하고 타원형이 되는 비점수차가 커 반도체 레이저의 성능을 저하시키는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 감안하여 이중이종접합시 성장방지층을 이용한 선택적 성장으로 제조하며 제조시 식각제어의 곤란함을 제거하고 활성층의 수평, 수직폭의 비를 줄여 원형빔을 생성할수 있어 비점수차를 줄이고 실제도파로 현상을 단일 모드 발진을 잘유도하여 반도체 레이저 다이오드의 성능을 향상하는 효과가 있다.

Description

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도의 (가) 내지 (마)는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 제조 공정을 보인 사시도 및 단면도.

Claims (4)

1. 기판(1) 하부에 전극(10)이 형성되고, 그 기판(1) 상부 중심부에 클래드층(4), 활성층(5), 클래드층(6) 및 산화방지층(9)이 형성되며, 상기 기판(1) 가장자리에 전류제한층(3)이 형성되고, 그 전류차단층(3)과 상기 산화방지층(9)위에 클래드층(6′)와 캡층(7) 및 전극(11)이 구비된 반도체 레이저다이오드.
2. 기판(1)위에 전류 제한층(3)과 성장방지층(8)을 형성하는 공정과, 그 성장방지층(8)과 전류차단층(3)을 선택적 식각으로 기판(1)을 노출시키는 공정과, 그 기판(1)위에 클래드층(4), 활성층(5), 클래드층(6) 및 산화방지층(9)을 형성하는 공정과, 상기 성장 방지층(8)을 제거하는 공정과, 상기 산화방지층(9)과 전류차단층(3)위에 클래드층(6′)과 캡층(7)을 형성하는 공정과, 그 캡층(7)과 상기 기판(1) 상하부에 전극(11)(10)을 각기 형성하는 공정으로 제조하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
3. 제2항에 있어서, 성장방지층(8)은 질화실리콘(Si₃N₄)으로 제조하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 성장방지층(8)을 선택성장시 마스크로 사용하여 제조하는 반도체레이저 다이오드 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.