KR19990009567A - 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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노민수
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구자홍
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Abstract

수평 방사각이 크고 저전류 발진이 가능한 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, n형 기판상에 n형 클래드층, 활성층, p형 제 1 클래드층, p형 식각정지층, p형 제 2 클래드층, p형 제 1 캡층을 순차적으로 형성하고, p형 제 1 캡층상의 소정영역에 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 마스크로 p형 제 1 캡층 및 p형 제 2 클래드층을 순차적으로 제거하여 p형 식각정지층을 노출시킨다. 그리고 포토레지스트 패턴을 제거한 다음, p형 식각정지층을 포함한 전면에 n형 전류차단층을 형성하고, 남아 있는 p형 제 2 클래드층 상부의 n형 전류차단층과 p형 제 1 캡층 일부만을 제거한다. 이어, n형 전류차단층을 포함한 전면에 p형 제 2 캡층을 형성하고, n형 기판 하부에 n형 전극을, p형 제 2 캡층상에 p형 전극을 형성함으로써, 큰 수평 방사각, 저전류 발진, 긴 수명이 가능한 레이저 다이오드를 제작할 수 있다.

Description

레이저 다이오드 및 그 제조방법
본 발명은 레이저 다이오드에 관한 것으로, 특히 수평 방사각이 크고 저전류 발진이 가능한 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 레이저 다이오드의 레이저 광은 주파수폭이 좁고 지향성이 첨예하기 때문에 광통신, 다중통신, 우주통신과 같은 곳에서 실용화되어 가고 있다. 광통신과 함께 레이저 다이오드의 주요한 응용 분야 중 하나가 광디스크인데, 최근 컴펙트 디스크 플레이어(compact disk player) 및 컴펙트 디스크 재생/기록(compact disk read/write)에서는 큰 수평방사각을 가지면서 저전류 발진이 가능하고 장시간 수명 동작 시험을 통과하는 우수한 특성을 갖는 레이저 다이오드가 요구되고 있다.
첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 레이저 다이오드 및 그 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 1a 내지 1c는 종래 기술인 VSIS(V grooved Substrate Inner Stripe) 구조를 갖는 레이저 다이오드의 제조공정을 보여주는 공정단면도로서, 도 1a에 도시된 바와 같이, 먼저 P형 GaAs 기판(1)상에 N형 GaAs 전류차단층(2)을 성장한 후, 도 1b에 도시된 바와 같이 포토리소그래피(photolithography) 및 식각공정으로 전류차단층(2)의 일부를 제거하여 채널영역을 형성한다.
이어, 도 1c에 도시된 바와 같이, 전류차단층(2)상에 더블헤테로 구조(doublehetero structure)를 갖도록 액상성장법을 이용하여 P형 AlGaAs 클래드(clad)층(3), 활성층(4), N형 AlGaAs 클래드층(5), N형 GaAs 캡층(6)을 순차적으로 성장시켜 레이저 다이오드를 제작한다.
여기서, 채널영역은 활성층(4)으로 전류가 흘러들어 갈 수 있는 통로가 되고, 채널영역 이외의 전류차단층(2)이 남아 있는 부분으로는 전류가 흐르지 못하여 채널 폭 W를 좁게 조절하게 되면 저전류 발진이 가능한 레이저 다이오드를 제작할 수 있다.
즉, VSIS 구조를 이용하여 좋은 특성의 레이저 다이오드를 제작하기 위해서는 전류차단층(2)이 완벽하게 전류를 차단해야 한다.
그러기 위해서는 전류차단층(2)의 두께는 두껍게 형성하고, 전류차단층(2)의 N형 도우핑(doping) 농도는 높게 할수록 전류 차단이 잘되어 좋은 레이저 다이오드를 제작할 수 있다.
이와 같이 전류가 전류차단층(2)을 통과하지 못하는 이유는 다음과 같다.
도 1c와 같이, 액상성장법으로 더블 헤테로구조를 성장하고 나면, 레이저 다이오드는 채널부와 채널부외의 다른 부분이 서로 다른 구조를 갖게 됨을 알 수 있다.
채널부는 정상적인 P-N접합 다이오드 구조를 보여주므로 순방향 전압을 인가할 경우 전류가 흐르게 된다. 하지만 채널부외의 다른 부분은 중간에 전류차단층(2)이 남아 있어 P-N-P-N 사이리스터(thyristor) 구조를 갖게 되므로 순방향 전압을 인가하더라도 전류가 흐를 수 없다. 그러므로 도 1b에 도시된 바와 같이, 채널 폭 W1, W2와 전류차단층(2)의 두께 d는 VSIS 구조의 레이저 다이오드에서 매우 중요한 공정 변수가 된다.
만일 전류 차단을 더 완벽하게 하기 위해 전류차단층(2)의 두께 d를 두껍게 형성하게 되면, 채널 형성시 기판(1)까지 전류차단층(2)을 뚫어야 하기 때문에 채널 폭 W1이 넓어져야 한다. 이렇게 되면 활성층(4)의 넓은 활성 영역을 발진시키게 되므로 레이저 다이오드의 광전특성이 나빠진다.
또한, 완벽한 전류 차단을 위해 N형 도우핑 농도를 높이는 것은 성장 장비 특성상 2∼3×1018/cm3정도로 제한된다. 공정상 적당한 전류차단층(2)의 두께 및 도우핑의 농도는 각각 1.0㎛, 2×1018/cm3이고, 이때의 채널 폭 W1및 W2는 각각 5.0㎛, 2.0㎛ 정도로 한정된다.
그리고, VSIS 구조의 가장 큰 단점은 더블 헤테로구조의 성장을 액상 성장법으로 한다는 것이다. 액상 성장법은 채널위에서 채널외의 평탄한 부분보다 성장률이 커서, 도 1c와 같이 더블 헤테로구조 성장시 모든층이 평평하게 되므로 VSIS 구조를 만들 수 있는 가능성을 제공하지만, 반면에 레이저 다이오드의 특성을 향상시킬 수 있는 양자 우물 구조 등의 얇은층은 성장하기 어려워 레이저 다이오드 특성 향상에는 한계를 갖는다.
또한, 요즘 개발되는 레이저 다이오드의 방사각 조건은 수평 방사각의 경우 약 11.5도 정도가 요구된다. 하지만 수평 방사각을 넓히기 위해서는 채널 폭을 좁혀야 하는데 채널 폭이 한정되어 있어 수평 방사각을 넓히는 것이 어렵다.
도 2a 내지 2d는 종래 기술인 SBR(Selective Buried Ridge) 구조를 갖는 레이저 다이오드의 제조공정을 보여주는 공정단면도로서, 도 2a에 도시된 바와 같이, N형 GaAs 기판(11)위에 더블 헤테로구조를 갖도록 기상성장 장비 중의 하나인 MOCVD(Metal Organic CVD) 장비를 이용하여 N형 AlGaAs 클래드층(12), 활성층(13), P형 AlGaAs 클래드층(14)을 순차적으로 성장시키고 성장된 P형 AlGaAs 클래드층(14)위에 유전막(15)을 증착한다.
여기서, 활성층(13)은 레이저 다이오드의 특성을 향상시키기 위하여 양자 우물 구조를 사용한다.
이어, 도 2b에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 유전막(15)의 일부분만 남도록 제거하여 P형 AlGaAs 클래드층(14)을 노출시킨 후, 식각 공정으로 P형 AlGaAs 클래드층(14)을 소정 깊이로 제거하여 리지(ridge)형태로 만든다.
그리고, 도 2c에 도시된 바와 같이, MOCVD 장비를 이용하여 P형 AlGaAs 클래드층(14)위에 전류차단층(16)을 선택적으로 재성장(Selective Growth)한다.
여기서, 선택 재성장이란 MOCVD 장비의 성장 특성으로 인해 유전막(15)위에는 박막 성장이 되지 않는 것을 말한다.
이어, 도 2d에 도시된 바와 같이, 선택 성장이 끝나면 남아 있는 유전막(15)을 제거하고, MOCVD 장비를 이용하여 P형 AlGaAs 클래드층(14) 및 전류차단층(16)위에 P형 GaAs 캡층(17)을 성장함으로써, 레이저 다이오드를 제작한다.
이러한 구조의 레이저 다이오드는 MOCVD법을 이용하기 때문에 얇은 층을 성장할 수 있어 양자 우물을 활성층(13)으로 사용하는 것이 가능하므로 레이저 다이오드의 특성이 향상된다.
하지만, 도 2b와 같이 리지 형성시 리지 폭 W와 P형 AlGaAs 클래드층(14)의 남은 두께 d의 조절이 쉽지 않다.
즉, 레이저 다이오드의 특성을 좋게 하기 위해서는 P형 AlGaAs 클래드층(14)의 남은 두께 d는 일정하게 유지하면서 리지 폭 W는 좁혀 주어야 하는데, SBR 구조에서는 리지 폭 W를 좁히기 위해서는 식각 시간을 늘려야 한다. 이 식각 시간을 늘리게 되면 P형 AlGaAs 클래드층(14)의 남은 두께 d 또한 얇아지게 되므로 조절이 쉽지 않다. 또한, 리지 폭 W를 줄여야 수평 방사각이 증가하는데, 이를 만족하기도 어려워진다.
그리고 다른 문제로는 도 2b와 같이 리지 식각 후 P형 AlGaAs 클래드층(14)이 공기중에 노출됨으로써 산소와 결합하여 산화되므로 레이저 다이오드의 수명이 단축될 뿐만 아니라, 선택 성장을 하기 위해서는 유전막(15) 증착 공정이 필요하므로 공정이 복잡하다.
종래 기술에 따른 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
VSIS 구조의 레이저 다이오드는 첫째, 전류차단층의 두께와 전류차단층의 도우핑 농도가 제한되고 더블 헤테로구조를 액상 성장하므로 좋은 특성을 갖는 레이저 다이오드 제작에는 한계가 있다. 둘째, 채널 폭이 한정되어 수평 방사각을 넓히기가 어렵다.
SBR 구조의 레이저 다이오드는 첫째, P형 AlGaAs 클래드층의 두께 d를 일정하게 유지하면서 리지 폭을 좁히기가 어려워 좋은 특성의 레이저 다이오드 제작이 어렵고 수평 방사각의 증가에는 한계가 있다. 둘째, P형 AlGaAs 클래드층이 리지 형성시 공기중에 노출되어 레이저 다이오드의 수명이 단축된다. 셋째, 선택 성장을 위해서는 유전막 증착 공정이 필요하므로 공정이 복잡하다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 리지 폭의 조절을 용이하게 하여 수평 방사각이 크고 저전류 발진이 가능한 레이저 다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 공정중에 산화 현상이 발생하지 않도록 하여 수명을 향상시킬 수 있는 레이저 다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 유전막 증착 공정을 배제하여 공정을 단순화할 수 있는 레이저 다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
도 1a 내지 1c - 종래 기술에 따른 VSIS(V grooved Substrate Inner Strip) 구조를 갖는 레이저 다이오드의 제조공정을 보여주는 공정단면도
도 2a 내지 2d - 종래 기술에 따른 SBR(Selective Buried Ridge) 구조를 갖는 레이저 다이오드의 제조공정을 보여주는 공정단면도
도 3a 내지 3l - 본 발명에 따른 레이저 다이오드 제조공정을 보여주는 공정단면도
도 4 - 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 광전 특성 그래프
도 5 - 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 동작시간 : 동작전류의 변화 그래프
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21 : n형 GaAs 기판 22 : n형 GaAs 버퍼층
23 : n형 AlGaAs 클래드층 24 : 활성층
25 : p형 1차 AlGaAs 클래드층 26 : p형 InGaP 식각정지층
27 : p형 2차 AlGaAs 클래드층 28 : p형 1차 GaAs 캡층
29 : 제 1 포토레지스트 30 : n형 GaAs 전류차단층
31 : 제 2 포토레지스트 32 : p형 2차 GaAs 캡층
33 : p형 메탈 전극 34 : n형 메탈 전극
본 발명에 따른 레이저 다이오드 제조방법의 특징은 제 1 도전형 기판상에 제 1 도전형 클래드층, 활성층, 제 2 도전형 제 1 클래드층, 식각정지층, 제 2 도전형 제 2 클래드층, 제 2 도전형 제 1 캡층을 순차적으로 형성하는 스텝과, 제 2 도전형 제 1 캡층상의 소정영역에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 마스크로 제 2 도전형 제 1 캡층 및 제 2 도전형 제 2 클래드층을 순차적으로 제거하여 식각정지층을 노출시키는 스텝과, 포토레지스트 패턴을 제거하고, 식각정지층을 포함한 전면에 전류차단층을 형성하는 스텝과, 남아 있는 제 2 도전형 제 2 클래드층 상부의 전류차단층과 제 2 도전형 제 1 캡층 일부만을 제거하는 스텝과, 전류차단층을 포함한 전면에 제 2 도전형 제 2 캡층을 형성하고, 제 1 도전형 기판 하부에 제 1 전극을, 제 2 도전형 제 2 캡층상에 제 2 전극을 형성하는 스텝으로 이루어지는데 있다.
본 발명에 따른 레이저 다이오드의 특징은 기판상에 순차적으로 형성되는 제 1 클래드층, 활성층, 제 2 클래드층과, 제 2 클래드층상에 형성되는 식각정지층과, 식각정지층상의 소정영역에 형성되는 제 3 클래드층과, 제 3 클래드층의 양측면에 형성되는 전류차단층과, 전류차단층 및 제 3 클래드층상에 형성되는 캡층과, 기판 하부 및 캡층 상부에 형성되는 전극으로 구성되는데 있다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 레이저 다이오드 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 3l은 본 발명에 따른 레이저 다이오드 제조공정을 보여주는 공정단면도로서, 도 3a에 도시된 바와 같이, n형 GaAs 기판(21)상에 MOCVD 장치를 이용하여 n형 GaAs 버퍼층(22), n형 AlGaAs 클래드층(23), 활성층(24), p형 1차 AlGaAs 클래드층(25), p형 InGaP 식각정지층(26), p형 2차 AlGaAs 클래드층(27), p형 1차 GaAs 캡층(28)을 순차적으로 1차 성장시킨다.
여기서, 활성층(24)은 레이저 다이오드의 특성을 향상시키기 위하여 양자 우물 구조를 이용한 SCH(Seperated Confinement Heterostructure) 혹은 GRIN-SCH (Graded Index-SCH) 구조로 형성한다.
또한, 식각정지층(26)으로 사용되는 InGaP은 GaAs에 래티스 매치(lattice match)되는 In0.49Ga0.51P를 사용한다.
식각정지층(26)으로 In0.49Ga0.51P를 사용하는 이유는 디펙트(defect)의 발생이 없고 발진 파장을 흡수하지 않는 에너지 갭을 가지기 때문이다.
그리고, 식각정지층(26)을 형성해야 하는 이유에 대해서는 후술하기로 한다.
이어, 도 3b에 도시된 바와 같이, 성장된 p형 1차 GaAs 캡층(28)상에 제 1 포토레지스트(29)를 형성하고, 도 3c에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피 공정으로 p형 1차 GaAs 캡층(28)의 소정영역에 제 1 포토레지스트(29) 패턴을 형성한다.
그리고, 도 3d에 도시된 바와 같이, 리지(ridge)를 형성하기 위해 제 1 포토레지스트(29) 패턴을 마스크로 p형 1차 GaAs 캡층(28) 및 p형 2차 AlGaAs 클래드층(27)을 순차적으로 제거하여 식각정지층(26)을 노출시킨다.
여기서, 리지 폭 W와 p형 1차 AlGaAs 클래드층(25)의 두께 t는 레이저 다이오드 제작시 중요한 공정 변수가 된다.
즉, W가 좁아질수록 발진하는 활성층(24) 영역이 좁아지게 되어 저전류 발진이 용이해지고 수평 방사각도 커지게 되므로 좋은 레이저 다이오드 특성을 갖게 된다. 그리고, p형 1차 AlGaAs 클래드층(25)의 두께 t는 발진 파장의 모드(mode)를 결정하기 때문에 응용 분야에 따라 적절히 조절하여야 한다.
상기와 같은 이유로 인해 리지 폭 W와 p형 1차 AlGaAs 클래드층(25)의 두께 t를 조절할 수 있는 공정 개발이 요구되는데, 이것이 바로 본 발명에서 식각정지층(26)을 형성하는 이유이다.
즉, 식각정지층(26)을 형성하면, 리지 폭 W를 정확히 조절할 수 있어 저전류 발진이 가능하고 수평 방사각을 크게 만들 수 있으며 또한 p형 1차 AlGaAs 클래드층(25)의 두께 t를 도 3a와 같이 1차 성장시에 조절할 수 있어 다양한 발진 파장 모드를 갖는 레이저 다이오드를 제작할 수 있기 때문이다.
식각정지층(26)의 원리는 어떤 종류의 식각액에 식각이 되는 반도체 물질과 식각이 되지 않는 반도체 물질이 존재한다는 선택적 식각 특성을 이용하는 것으로, 본 발명에서는 암모니아계의 식각액에 GaAs와 AlGaAs는 식각이 되고 InGaP는 식각이 되지 않는 성질을 이용한다.
즉, 도 3d와 같이, 리지를 형성하기 위해 암모니아계 식각액으로 식각을 하면 식각정지층(26) 표면위까지만 식각이 된다. 그리고, 그 이후에는 깊이 방향으로는 식각이 되지 않는 반면에 시간이 지날수록 수평 방향으로만 식각이 일어나 리지 폭 W는 좁아지게 된다. 이러한 특성으로 인해 단지 식각 시간만을 조절하면 원하는 리지 폭 W를 정확히 조절할 수 있다. 또한, p형 1차 AlGaAs 클래드층(25)의 두께 t는 도 3a에서 1차 성장으로 성장된 두께를 그대로 유지할 수 있다. 식각정지층(26)이 없는 일반적인 레이저 다이오드의 경우, p형 1차 AlGaAs 클래드층(25)의 두께 t는 식각에 의해 조절되지만, 본 발명에서는 식각율보다는 MOCVD에 의한 성장율을 이용하므로 더 정밀하게 p형 1차 AlGaAs 클래드층(25)의 두께 t를 조절 할 수 있다. 그리고, 식각후에 노출된 식각정지층(26)의 표면이 Al이 없는 InGaP이므로 공기중의 산소와 결합하는 산화 등의 문제가 발생하지 않아 레이저 다이오드의 수명을 연장시킬 수 있는 장점이 있다.
이어, 도 3e에 도시된 바와 같이, p형 1차 GaAs 캡층(28)상에 남아 있는 제 1 포토레지스트(29)를 제거하고, 도 3f에 도시된 바와 같이, n형 GaAs 전류차단층(30)을 MOCVD 장비를 이용하여 리지를 포함한 전면에 성장한다.
여기서, 전류차단층(30)을 전면에 형성하는 이유는 종래 SBR 구조의 레이저 다이오드에서 필요한 유전막 증착공정을 배제할 수 있어 공정을 단순화할 수 있기 때문이다.
그리고, 도 3g에 도시된 바와 같이, 전류차단층(30)상에 제 2 포토레지스트(31)를 형성하고, 도 3h에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피 공정으로 리지영역의 전류차단층(30)이 노출되도록 제 2 포토레지스트(31) 패턴을 형성한다.
이어, 도 3i에 도시된 바와 같이, 제 2 포토레지스트(31) 패턴을 마스크로 하여 노출된 전류차단층(30)과 전류차단층(30) 아래의 p형 1차 GaAs 캡층(28) 일부분까지 식각한다.
이렇게 형성된 채널은 레이저 다이오드 구동시 전류가 흐를 수 있게 된다.
그리고, 도 3j에 도시된 바와 같이, 전류차단층(30)상에 남아있는 제 2 포토레지스트(31) 패턴을 제거하고, 도 3k에 도시된 바와 같이, MOCVD 장치를 이용하여 전류차단층(30)을 포함한 전면에 p형 2차 GaAs 캡층(32)을 성장한다.
이어, 도 3l에 도시된 바와 같이, p형 2차 GaAs 캡층(32)상에 p형 메탈 전극(33)을 형성하고 기판(21) 하부에 n형 메탈 전극(34)을 형성하여 레이저 다이오드 제작을 완료한다.
이와 같이 제작된 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 구조를 살펴보면, 도 3l에 도시된 바와 같이, n형 GaAs 기판(21)상에 n형 GaAs 버퍼층(22), n형 AlGaAs 클래드층(23), 활성층(24), p형 1차 AlGaAs 클래드층(25), p형 InGaP 식각정지층(26)이 순차적으로 형성되고, p형 InGaP 식각정지층(26)상의 소정영역에 p형 2차 AlGaAs 클래드층(27)이 형성되며, p형 2차 AlGaAs 클래드층(27)의 양측면에 전류차단층(30)이 형성된다. 그리고, 전류차단층(30)을 포함한 전면에 p형 2차 GaAs 캡층(32)이 형성되고, p형 2차 GaAs 캡층(32)상부에는 p형 메탈 전극(33)이 형성되며 기판(21)하부에는 n형 메탈 전극(34)이 형성된 구조로 이루어진다.
도 4는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 광전 특성을 보여주는 그래프로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 레이저 다이오드 구동시 발진개시전류가 20mA대인 낮은 전류 구동이 실현됨을 알 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 동작시간에 따른 동작전류의 변화를 보여주는 그래프로서, 도 5에 도시된 바와 같이, 레이저 다이오드를 광출력 3mW, 70℃로 수명 실험을 해보면, 500시간 수명 실험 이후에도 동작전류의 변화가 거의 없음을 알 수 있다.
본 발명에 따른 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 식각정지층을 도입하여 리지 폭을 용이하게 조절함으로써, 수평 방사각이 크고 저전류 발진이 가능한 레이저 다이오드를 제작할 수 있다.
둘째, 식각정지층이 Al이 포함되지 않은 InGaP로 되어 있으므로 공기중에 노출되어도 산소와 결합하는 산화 등의 문제가 발생하지 않아 레이저 다이오드의 수명을 연장시킬 수 있다.
셋째, 전류차단층을 전면 성장(Total Growth)하므로 선택성장시 필요하게 되는 유전막 증착공정을 배제할 수 있어 공정을 단순화할 수 있다.

Claims (6)

  1. 제 1 도전형 기판상에 제 1 도전형 클래드층, 활성층, 제 2 도전형 제 1 클래드층, 식각정지층, 제 2 도전형 제 2 클래드층, 제 2 도전형 제 1 캡층을 순차적으로 형성하는 스텝;
    상기 제 2 도전형 제 1 캡층상의 소정영역에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 제 2 도전형 제 1 캡층 및 제 2 도전형 제 2 클래드층을 순차적으로 제거하여 상기 식각정지층을 노출시키는 스텝;
    상기 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상기 식각정지층을 포함한 전면에 전류차단층을 형성하는 스텝;
    상기 남아 있는 제 2 도전형 제 2 클래드층 상부의 전류차단층과 제 2 도전형 제 1 캡층 일부만을 제거하는 스텝;
    상기 전류차단층을 포함한 전면에 제 2 도전형 제 2 캡층을 형성하고, 상기 제 1 도전형 기판 하부에 제 1 전극을, 제 2 도전형 제 2 캡층상에 제 2 전극을 형성하는 스텝으로 이루어짐을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 식각정지층은 InGaP로 형성함을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 InGaP는 In0.49Ga0.51P임을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 기판, 캡층, 전류차단층은 GaAs로 형성함을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 클래드층은 AlGaAs로 형성함을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
  6. 기판;
    상기 기판상에 형성되는 제 1 클래드층;
    상기 제 1 클래드층상에 형성되는 활성층;
    상기 활성층상에 형성되는 제 2 클래드층;
    상기 제 2 클래드층상에 형성되는 식각정지층;
    상기 식각정지층상의 소정영역에 형성되는 제 3 클래드층;
    상기 제 3 클래드층의 양측면에 형성되는 전류차단층;
    상기 전류차단층 및 제 3 클래드층상에 형성되는 캡층;
    상기 기판 하부 및 캡층 상부에 형성되는 전극으로 구성됨을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
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