KR100287206B1 - 반도체레이저소자및그제조방법 - Google Patents

반도체레이저소자및그제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100287206B1
KR100287206B1 KR1019930021462A KR930021462A KR100287206B1 KR 100287206 B1 KR100287206 B1 KR 100287206B1 KR 1019930021462 A KR1019930021462 A KR 1019930021462A KR 930021462 A KR930021462 A KR 930021462A KR 100287206 B1 KR100287206 B1 KR 100287206B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
upper clad
clad layer
substrate
semiconductor laser
Prior art date
Application number
KR1019930021462A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950012876A (ko
Inventor
김택
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019930021462A priority Critical patent/KR100287206B1/ko
Publication of KR950012876A publication Critical patent/KR950012876A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100287206B1 publication Critical patent/KR100287206B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3202—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
    • H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

1차의 에피택시 공정에 의해 벤트 웨이브 가이드형 광도파를 하는 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법이 개시된다.
중앙상부에 평탄한 저면부와 경사부를 갖는 오목부 형상의 채날 스트라이프가 형성된 기판사에 상기 오목부 형상을 유지하면서 순차적으로 하부 클래드층, 활성층 및 상부 클래드층이 형성되어 있다. 상기 상부 클래트층의 오목부 내에는 캡층이 충전되어 있으며, 상기 캡층 및 노출된 상부 클래드층상에 상기 상부 클래드층과의 접촉면에서 쇼트키 장벽을 형성하는 금속전극층이 형성되어 있다. 기본 모우드 발진이 유리하며, 비점수차 거리가 작아 소자의 효율, 신뢰성 및 생산성이 향상된다.

Description

반도체 레이저 소자 및 그 제조방법
제1도는 종래의 굴절률 도파형 레이저 다이오드를 나타내는 단면도.
제2도는 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드의 일례를 나타내는 단면도.
제3도의 (a)-(c)는 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드의 제조방법의 일례를 나타내는 단면도.
제4도는 본 발명의 일례에 다른 반도체 레이저 다이오드의 활성층의 에너지 밴드 다이아그램.
본 발명은 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 광통신용 장치인 EDFA(Er+3Doped Fiber Amplifier)의 펌핑용 광원으로 주로 사용되는 반도체 레이저 소자 및 그에 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 물질의 열평형상태에서는 유도방출 보다도 에너지준위가 높은 상태로의 광자의 흡수가 많이 일어나지만, 일정한 방법에 의해 자연방출이 흡수를 상회하는 부(負)온도상태로 가져갈 수 있다.
레이저는 이러한 부온도상태를 이용하여 광의 발진, 증폭을 일으키는 것으로서, 가간섭성(可干涉性), 단광성(單光性), 지향성 및 고강도를 특징으로 하며, 헬륨-네온(He-Ne) 레이저나, 아르곤(Ar) 레이저와 같은 기체 레이저와 YAG레이저나 루비 레이저와 같은 고체 레이저로부터, 소형이며 고주파에서 바이어스 전류를 변호함으로써 변조가 용이한 반도체 레이저에 이르는 다양한 종류가 있다.
그 중에서도 특히 반도체 레이저 다이오드는, P-N접합을 기본으로 하여 양자 전자(Quantum Electron)의 개념을 포함하는 반도체 소자로서, 반도체 물질로 구성된 박막, 즉 활성층에 전류를 주입하여 인위적으로 전자-정공 재결합을 유도함으로써 재결합에 따르는 감소 에너지에 해당하는 빛을 발진하게 하는 것을 그 원리로 하고 있다. 상기와 같은 특성 대문에 컴팩트 디스크 플레이어(CDP)나 광학 메모리, 고속 레이져 프린터등의 정보처리기기 및 광통신용기기로서, 기존의 헬륨-네온등의 기체 레이저등을 대체하여 그 응용범위를 넓혀가고 있다.
특히 반도체 레이저 소자가 전술한 EDFA등의 관통신용 장치의 광원으로 이용되기 위해서는 안정된 기본 모우드의 발진과 비점수차 거리가 작아야 하며, 이는 굴절률 도파형 구조의 소자에 의해 가능해진다.
제1도는 AlGaInP계의 반도체 물질을 사용한 종래의 SBR(Selectively Buriedl Ridge) 구조의 굴절률 도파형 반도체 레이저 다이오드를 나타내는 단면도이다.
제1도를 참조하면 n+GaAs 기판(1)상에 n GaAs 버퍼층(2)을 개재하여 N형 AlGaInP 하부 클래드층(3)이 형성되어 있으며, 상기 하부 클래드층(3) 상에 GaInP 활성층(4)이 얇게 형성되어 있다. 상기 활성층(4) 상에는 그 중앙부에 스트라이프상의 릿지(ridge)가 형성되어 있는 p형 AlGaInP 상부 클래드층(5)이 형성되어 있다. 상기 릿지 구조의 측벽과 접하면서 상기 상부 클래드층(5) 상으로 n+GaAs 전류차단층(7)이 형성되어 있다. 상기 릿지의 상부면에는 p형 GaInP 통전용이층(6)이 형성되어 있으며, 상기 릿지 구조의 통전용이층(6)과 전류차단층(7) 위로 p+GaAs 캡층(8)이 형성되어 있다. 또한 상기 캡층(8)은 p형 금속전극(9)과 연결되며, n형 기판(1)은 n형 금속전극(10)과 연결되어 다이오드 구조가 완성된다.
상기 SBR 구조의 레이저 다이오드를 제조하는 과정을 살펴보면 다음과 같다.
우선, 상기 n형 기판(1)상에 n형 버퍼층(2), 하부 크래드층(3), 활성층(4), 상부 클래드층(5), 통전용이층(6)을 1차 결정성장에 의해 순차적으로 형성한다.
이어서, 상기 통전용이층(6)상의 전면에 산화실리콘(SiO2) 층을 형성한 후, 통상적인 사진식각기술에 의해 릿지 스트라이프 형성을 위한 산화실리콘 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 산화실리콘 패턴을 식각마스크로 사용하여, 상기 통전용이층(6)과 상부 클래드층(5)의 일부를 식각하여 상기 상부 클래드층(5)의 중앙부에 릿지 스트라이프를 형성한다.
이어서, 상기 릿지 주변부의 상부 클래드층(5)상으로 선택적 재성장에 의하여 전류차단층(7)을 형성한다. 이어서, 상기 산화실리콘 패턴을 제거한 후, 상기 캡층(8)을 결정성장에 의해 형성한다.
이어서 통사의 방법에 의해 상기 캡층(8)상에 p형 금속전극(9)을 증착하여 형성하고, n형 기판(1)에는 n형 금속전극(10)을 증착하여 연결한다.
상기 종래 기술에서는 전류차단층(7) 형성을 위한 재성장시 공기중에 노출된 기판이 산화되기 때문에 재성장되는 층의 결정질이 저하된다.
또한, 상기 종래 구조에서는 기판의 표면에서 릿지 스트라이프에 의한 단차가 발생하여 다이 본딩(die bonding)이 어렵게 된다.
또한, 상기 종래 반도체 레이저 소자의 구조에서는 릿지 상에 오믹 금속 증착을 위하여, 상기 릿지 형성을 위한 식각마스크로 사용되었던 산화실리콘 패턴 또는 산화알루미늄막등의 절연막에 개구부를 형성하는 경우, 개구부 형성부위를 정확히 얼라인하는 것이 매우 어렵고, 개구부 면적이 너무 작아 접촉저항이 커져 전기적 특성이 저하된다. 또한 그에 따라 발생되는 열에 의해 소자의 효율 및 신뢰도가 감소한다.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 벤트웨이브가이드(bent wave guide)형의 광도파 구조를 갖는 기본 모우드 발진에 유리한 반도체 레이저 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한 본 발명은 쇼트키 장벽(Schottky Barrier)에 의해 전류의 흐름이 차단되어 전류의 집속효율이 향상된 반도체 레이저 소자를 제공하는 데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 1차 에피택시 공정에 의해 본 발명의 반도체 레이저 소자를 제조하는 적합한 방법을 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 반도체 레이저 소자는,
중앙상부에 평탄한 저면부와 경사부를 갖는 오목부 형상의 채널 스트라이프가 형성된 기판;
상기 기판상에 상기 오목부 형상을 유자하면서 순차적으로 형성된 하부 클래드층, 활성층 및 상부 클래드층으로 이루어진 레이저 발진 구조물;
상기 상부 클래드층의 오목부 내에 충전된 오믹접촉을 위한 캡층; 및
상기 캡층 및 노출된 상부 클래드층상에 형성되고, 상기 상부 클래드층과의 접촉면에서 쇼트키 장벽을 형성하는 금속전극층을 구비하여 이루어지는 것에 그 특징이 있다.
또한 상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 반도체 레이저 소자의 제조방법은,
기판의 중앙상부에 평탄한 저면부와 경사부를 갖는 오목부 형상의 채날 스트라이프를 형성하는 단계;
상기 기판상에 하부 클래드층, 활성층, 상부 클래드층 및 오믹접촉을 위한 캡층을 상기 오목부 형상이 유지되도록 순차적으로 형성하는 단계;
상기 상부 클래드층의 오목부 내에만 충전되도록 상기 캡층의 일부를 식각하여 상기 오목부 이외의 상부 클래드층을 노출시키는 단계; 및
상기 캡층 및 노출된 상부 클래드층상에 상기 상부 클래드층과의 접촉면에서 쇼트키 장벽을 형성하는 금속전극층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것에 그 특징이 있다.
본 발명의 구체적 유형으로서, 상기 오목부의 형상을 유지하면서 후속되는 층들을 형성하는 것은 기상성장법에 의한 에피택시 공정으로 하는 것이 바람직하다. 또한 상기 캡층을 식각하는 단계에서 상기 상부 클래드 층과 상기 상부 클래드층의 오목부 내에 충전되는 캡층은 서로 평탄면을 이루도록 하는 것이 단차 특성상 바람직하다.
본 발명의 구조에서는 상기 금속전극층과 캡층 간에는 오믹 접촉(ohmic contact)이 되어 전류가 흐르는 반면에, 금속전극층과 상부 클래드층 가네는 쇼트키 장벽이 형성되어 전류의 흐름이 차단되어 전류가 채널 부위만으로 흐르며, 또한 오목부의 경사부의 영향으로 경사부상에 형성되는 활성층의 에너지 밴드 갭이 평탄한 저면부상으로 형성되는 활성층에서 보다 크기때문에 전류의 제한(confinement)이 잘 되어 소자의 효율이 향상된다. 또한 상기 구조는 벤트 웨이브가이드형의 광도파를 수행하기 때문에 기본 모우드 발진에 유리하며, 비점수차 거리가 매우 작다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명을 구체적으로 설명한다.
제2도는 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드의 일례를 나타내는 단면도로서, InGaP/InGalP 계의 반도체 화합물에 적용한 예를 기준으로 하여 보다 구체적으로 살펴본다.
즉, n형 GaAs 기판(11)의 중앙상부에 평탄한 저면부와 경사부를갖는 오목부 형상의 채널 스트라이프가 형성되어 있으며, 상기 기판(11)상으로 상기 오목부 형상을 유지하면서 순차적으로 n형 InGaAlP 하부 클래드층(12), InGaAs 활성층(13) 및 p형 InGaAlP 상부 클래드층(14)으로 이루어진 이중 헤테로(double hetero) 구조의 레이저 발진 구조물이 형성되어 있다.
상기 상부 클래드층(15)의 오목부 내에는 p형 GaAs 캡층(15)이 상기 채널 스트라이프 이외의 노출된 상부 클래드층(14)과 평탄하게 충전되어 있으며, 상기 캡층(15) 및 노출된 상부 클래드층(14)상에는 상기 상부 클래드층(15)과의 접촉면에서 쇼트키 장벽을 형성하는 p형 금속전극층(16)이 형성되어 있다. 또한 상기 n형 기판(11)에는 n형 금속전극층(17)이 형성되어 소자 구조를 완성한다.
상기 본발명의 레이저 다이오드는 소위 쇼트키 장벽을 전류 차단 수단으로서 이용한다. 금속과 외인성 반도체에 의해 형성된 접합은 정류성이거나 또는 비정류성인데, 전자는 본 발명에서 전류 차단을 위한 장벽으로 이용하고 있는 쇼트키 접합이고, 후자는 '오믹접촉'이다. 금속과 n형 반도체가 쇼트키 접합을 만들면, 접합을 통하여 금속층에서 반도체측으로 흘러드는 전자에 대한 장벽은 금속의 일함수와 반도체의 전자친화력의 차에 의해 결정된다.
한편 금속과 p형 반도체로 접합을 만들 경우에는 정공의 흐름이 중심이 되므로 쇼트키 장벽은 금속의 페르미 준위와 반도체측의 진공준위와 가전자대 상단의 에너지와의 차로 만들어 진다. 미드룰(Mead's Rule)에 의하면 p형 반도체의 경우, 쇼트키 장벽의 높이는 1/3Eg에 해당하므로 에너지 밴드 갭이 큰 반도체 일수록 쇼트키 장벽의 높이가 증가한다.
따라서, 본 발명에서는 상기 금속전극층(16)과 상부 클래드층(14)간에 상기와 같은 쇼트키 장벽의 높이를 충분히 크게 하기 위하여 상기 InGaAlP 상부 클래드층(14) 외에 보다 에너지 밴드 갭이 큰 반도체 재료를 사용할 수도 있다.
한편, 상기 활성층(13)은 단일층으로 형성할수도 있으나, 활성층과 크래드층 간의 에너지 밴드갭 차이가 크지 않아, 활성층에 주입된 캐리어가 쉽게 크래드층으로 유출되어(overflow) 소자의 구동전류값이 높아지고, 고온에서의 발진이 어렵게 되는 단점이 있기 때문에 활성층에 다중 양자우물(MultiQuantum Well;MQW) 구조를 도입하거나, 다중 양자 장벽(MultiQuantum Barrier; MQB) 구조를 도입하는 기술들이 알려져 왔으며, 이들 구조에서는 이종장벽(hetero-barrier)의 높이가 증가하여 상기와 같은 문제점들이 개선되게 된다.
제4도는 본 발명의 일례에 따른 GRINSCH(Graded Index Separated Confinement Heterostructure)형 다중 양자우물 구조의 에너지 다이아그램이다. 즉 상기 에너지 다이아그램이 나타나는 반도체 레이져 다이오드를 구조적으로 살펴보면, n형 InGaAlP 하부 클래드층(12)과 p형 InGaAlP 상부 클래드층(14)과이 사이에 활성층(13)이 형성되어 있다. 상기 활성층(13)은 복수의 InGaAs 다중 양자우물층과 이들 각 다중 양자우물층의 사이에는 GaAs 다중 양자장벽층이 교대로 형성되어 이루어진다. 또한 상기 양자우물층과 하무 클래드층(12) 사이와 양자우물층과 상부 클래드층(14)의 사이에 광(및 캐리어) 제한층으로서, GRINSCH(Graded Index Separated Confinement Heterostructure) 층이 형성되어 있다.
본 발명에서 상기 양자장벽층은 GaAs 외에도 AlGaAs나 InGaAlP등으로 형성할 수도 있다.
이하에서는 제3도의 (a)-(c)를 참조하여 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드의 제조방법의 일례를 설명한다. 상기 제2도와 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
제3도의 (a)는 기판(11)의 중앙상부에 평탄한 저면부와 경사부를 갖는 오목부 형상의채널 스트라이프를 형성하는 단계를 나타낸다.
제3도의 (b)는 상기 기판(11)상에 하부 클래드층(12), 활성층(13), 상부 클래드층(14) 및 오믹접촉을 위한 캡층(15)을 상기 오목부 형상이 유지되도록 순차적으로 형성하는 단계를 나타낸다. 즉, 기상성장법, 예를 들어 유기금속 기상성장법(MOCVD법), 분자선 에피택시법(MBE법)등의 1차 에피택시 공정에 의해 수행하여 상기 오목부 형상이 계속 유지되도록 한다.
제3도의 (c)는 상기 상부 클래드층(14)의 오목부 내에만 충전되도록 상기 캡층(15)의 일부를 식각하여 상기 오목부 이외의 상부 클래드층을 노출시키는 단계를 나타낸다. 이때 통상의 사진식각공정과 습식식각공정을 통하여 상기 노출된 상부 클래드층(14)과 충전된 캡층(15)이 서로 평탄하게 유지되도록 하는 것이 단차 특성이 우수할 뿐만아니라 후속되는 다이본딩이 양호하게 이루어질 수 있다. 이는 활성중에서 발생되는 열을 신속하게 방출하는 데 있어서도 유리하게 작용한다.
이어서, 상기 캡층(15) 및 노출된 상부 클래드층(14)상에 상기 상부 클래드층(14)과의 접촉면에서 쇼트키 장벽을 형성할 수 있는 p형 불순물이 주입된 금속전극층(16)을 증착하고, 상기 n형 기판(11)에는 n형 금속전극층(17)을 증착하면 상기 제2도에 도시된 바와 같은 반도체 레이저 다이오드 구조가 완성된다.
이상의 실시예에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 레이저 소자의 구조에서 상기 p형 금속전극(16)과 캡층(15)간에는 오믹 접촉이 되어 전류가 흐르는 반면에, p형 금속전극층(16)과 상부 클래드층(14) 간에는 쇼트키 장벽이 형성되어 전류의 흐름이 차단되어 전류가 U자형 채널 스트라이프 부위만으로 흐르고, 또한 오목부의 경사부의 영향으로 경사부상에 형성되는 활성층의 에너지 밴드 갭이 평탄한 저면부상으로 형성되는 활성층에서 보다 크기 때문에 전류의 제한(confinement)이 잘되어 전류의 집속 효율이 향상된다.
또한 상기 본 발명의 구조는 벤트 웨이브가이드형의 광도파를 수행하기 때문에 기본 모우드 발전에 유리하며, 비점수차거리(Astigmatism)가 1㎛ 이내로 매우 작아져 응용기기의 광원으로 사용되기에 적합하다.
또한 본 발명에 의하면, 1차 에피택시만으로 소자의 제작이 완료되기 때문에 소자의 효율과 신뢰성이 향상되고 생산성도 향상된다. 또한 쇼트키 장벽을 이용하여 전류차단을 하므로 종래와 같은 복잡한 사진식각공정이 배제된다.
본 발명은 상기 실시예에 국한되지 않으며, 예를 들어 InGaP/InGaAlP, GaAs/AlGaAs계 등에 모두 적용할 수 있듯이 이후 청구되는 특허청구버무이의 기술적 요지가 미치는 범위 내에서 많은 변형, 재료변환등이 가능함은 당업자에게는 용이한 일일 것이다.

Claims (6)

  1. 중앙상부에 평탄한 저면부와 경사부를 갖는 오목부 형상의 채널 스트라이프가 형성된 기판;
    상기 기판상에 상기 오목부 형상을 유지하면서 순차적으로 형성된 하부 클래드층, 활성층 및 상부 클래드층으로 이루어진 레이저 발진 구조물;
    상기 상부 클래드층의 오목부 내에 충전된 오믹접촉을 위한 캡층; 및
    상기 캡층 및 노출된 상부 클래드층상에 형성되고, 상기 상부 클래드층과의 접촉면에서 쇼트키 장벽을 형성하는 금속전극층을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성층/크래드층의 재료는 InGaAs/InGaAlP, InGaP/InGaAlP 및 GaAs/AlGaAs계로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것임을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 활성층은 다중 양자우물 구조로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 상부 클래드층과 상기 상부 클래드층의 오목부 내에 충전되는 캡층은 서로 평탄면을 이루도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  5. 기판의 중앙상부에 평탄한 저면부와 경사부를 갖는 오목부 형상의 채널 스트라이프를 형성하는 단계;
    상기 기판상에 하부 클래드층, 활성층, 상부 클래드층 및 오믹접촉을 위한 캡층을 상기 오목부 형상이 유지되도록 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 상부 클래드층의 오목부 내에만 충전되도록 상기 캡층의 일부를 식각하여 상기 오목부 이외의 상부 클래드층을 노출시키는 단계; 및
    상기 캡층 및 노출된 상부 클래드층상에 상기 상부 클래드층과의 접촉면에서 쇼트키 장벽을 형성하는 금속전극층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기판상에 하부 클래드중, 활성층, 상부 클래드층 및 캡층을 순차적으로 형성하는 단계는 기상성장법에 의한 1차의 에피택시 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.
KR1019930021462A 1993-10-15 1993-10-15 반도체레이저소자및그제조방법 KR100287206B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930021462A KR100287206B1 (ko) 1993-10-15 1993-10-15 반도체레이저소자및그제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930021462A KR100287206B1 (ko) 1993-10-15 1993-10-15 반도체레이저소자및그제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950012876A KR950012876A (ko) 1995-05-17
KR100287206B1 true KR100287206B1 (ko) 2001-09-17

Family

ID=37514965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930021462A KR100287206B1 (ko) 1993-10-15 1993-10-15 반도체레이저소자및그제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100287206B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0567836A (ja) * 1991-09-06 1993-03-19 Sharp Corp ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0567836A (ja) * 1991-09-06 1993-03-19 Sharp Corp ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR950012876A (ko) 1995-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4964135A (en) Semiconductor laser
KR100375275B1 (ko) 다층반도체구조체및그제조방법
JP2686306B2 (ja) 半導体レーザ装置とその製造方法
EP0915542B1 (en) Semiconductor laser having improved current blocking layers and method of forming the same
US5173913A (en) Semiconductor laser
US5518954A (en) Method for fabricating a semiconductor laser
EP0284684B1 (en) Inverted channel substrate planar semiconductor laser
KR100287206B1 (ko) 반도체레이저소자및그제조방법
KR100287207B1 (ko) 반도체레이저소자및그제조방법
KR100546572B1 (ko) 레이저 다이오드 제조방법
KR100363240B1 (ko) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
JP2865160B2 (ja) 半導体レーザの製造方法
KR100259006B1 (ko) 반도체 레이저소자의 제조방법
KR100263934B1 (ko) 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법
Yoshikawa et al. A novel technology for formation of a narrow active layer in buried heterostructure lasers by single-step MOCVD
KR100287205B1 (ko) 반도체레이저소자및그의제조방법
KR19990009567A (ko) 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR100289728B1 (ko) 반도체레이저소자및그제조방법
KR100278632B1 (ko) 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR100261243B1 (ko) 레이저 다이오드 및 그의 제조방법
KR100289730B1 (ko) 반도체레이저소자의제조방법
KR100261248B1 (ko) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
JPH02125488A (ja) 半導体レーザ装置
KR100287202B1 (ko) 반도체레이저소자및그제조방법
KR100265801B1 (ko) 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100114

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee