KR850006267A - 레이저 트라이오우드의 제작방법 - Google Patents
레이저 트라이오우드의 제작방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 단파장 AlGaAs/GaAs헤테로 접합 레이저 다이오우드의 수직단면도.
제 2 도는 종래의 장파장 InGaAsP/InP헤테로 접합 레이저 다이오우드의 수직단면도.
제 3 도는 본 발명에 따른 단파장 AlGaAs/GaAs헤테로 접합 레이저 트라이오우드의 제작공정도.
제 4 도는 본 발명에 따른 장파장 InGaAsP/InP헤테로 접합 레이저 트라이오우드의 제작공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
13, 23 : n형층 14, 24 : SiO2또는 Si3N4층
16a, 26a : 게이트층
Claims (1)
- 레이저 다이오우드의 제정공정에 있어서 n형층(13,23)상에 SiO2또는 Si3N4(14,24)을 형성시키고 상기 SiO2또는 Si3N4층을 사진식각법에 의해 에칭한 부분을 P형 불순물로 그물 또는 막대상의 게이트층(16a, 26a)을 형성시키는 공정에 의해 레이저 트라이오우드를 제공함을 특징으로 하는 레이저 트라이오우드의 제작방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019840000569A KR860000477B1 (ko) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | 레이저 트라이오우드의 제작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019840000569A KR860000477B1 (ko) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | 레이저 트라이오우드의 제작방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR850006267A true KR850006267A (ko) | 1985-10-02 |
| KR860000477B1 KR860000477B1 (ko) | 1986-04-28 |
Family
ID=19232810
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019840000569A KR860000477B1 (ko) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | 레이저 트라이오우드의 제작방법 |
Country Status (1)
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1984
- 1984-02-07 KR KR1019840000569A patent/KR860000477B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR860000477B1 (ko) | 1986-04-28 |
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