KR950012882A - 반도체 레이저 어레이 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 레이저 어레이 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 p+-GaAs 기판(11)를 릿지 형태로 에칭시키는 단계; n-AlGaAs 블로킹층(12) 및 p-AlGaAs 굴절율 조절층(13)을 LPE법에 의해 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 두층(12,13)의 소정부를 패터닝시키는 단계; 및 d) p-AlGaAs 클래드층(14), GaAs 활성층(15) 및 n-AlGaAs 클래드층(16)을 LPE법에 의해 차례로 성장시키는 단계로 이루어진 역굴절율 도파형 어레이 구조의 제조방법 및 이러한 구조의 반도체 레이저 어레이 구조에 관한 것이며, 이로써 저 전류밀도에서도 레이저 발진이 가능하게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 레이저 어레이의 단면도이다.
Claims (2)
- a) p+- GaAs 기판(11)를 릿지 형태로 에칭시키는 단계; b) n-AlGaAs 블로킹층(12) 및 p-AlGaAs 굴절율 조절층(13)을 LPE법에 의해 순차적으로 성장시키는 단계; c) 상기 두층(12,13)의 소정부를 패터닝시키는 단계; 및 d) p-AlGaAs 클래드층(14), GaAs 활성층(15) 및 n-AlGaAs 클래드층(16)을 LPE법에 의해 차례로 성장시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 어레이의 제조방법.
- 릿지 형태로 에칭된 p+- GaAs 기판(11)과, LPE법에 의해 상기 기판(11)위에 성장되어 소정부가 패터닝된 n-AlGaAs 블로킹층(12) 및 n-AlGaAs 굴절율 조절층(13)과, 상기 n-AlGaAs 굴절율 조절층(13)위에 LPE법에 의해 순차적으로 형성된 p-AlGaAs 클래드층(14), GaAs 활성층(15) 및 n-AlGaAs 클래드층(16)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 어레이.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930021641A KR950012882A (ko) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | 반도체 레이저 어레이 및 이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930021641A KR950012882A (ko) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | 반도체 레이저 어레이 및 이의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012882A true KR950012882A (ko) | 1995-05-17 |
Family
ID=66825104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930021641A KR950012882A (ko) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | 반도체 레이저 어레이 및 이의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950012882A (ko) |
-
1993
- 1993-10-18 KR KR1019930021641A patent/KR950012882A/ko not_active Application Discontinuation
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