KR970077842A - 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

광효율을 높일 수 있도록 그 구조가 개선된 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 이 레이저 다이오드는 n형 기판과, 기판의 상부에 형성되는 n형 버퍼층, 버퍼층의 상부에 형성되는 것으로 그 상, 하부에 각각 p형 클래드층과 n형 클래드층이 마련되어 잇는 활성층과, 활성층의 상부에 형성되며 전류를 차단하는 n형 전류차단층과, 전류차단층을 서로 연결시키는 p형 버퍼층과, 전류차단층의 상부에 형성되며 하부층을 보호하는 p형 캡층을 구비하고, 상기 전류차단층은 상부에 n형의 층으로된 제1전류차단층과 하부에 인장 팽창을 가진 n형 박막층으로된 제2전류차단층으로 구성된다. 이와 같은 레이저 다이오드는 광손실을 크게 줄일 수 있으며, 작은 굴절율로 광전파모드(Light propagating mode)를 제한할 수 있다는 장점이 있다.

Description

레이저 다이오드 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 SBR형 레이저 다이오드의 개략적 단면도.

Claims (6)

  1. n형 기판과, 상기 기판의 상부에 형성되는 n형 버퍼층, 버퍼층의 상부에 형성되는 것으로 그 상, 하부에 각각 p형 클래드층과 n형 클래드층이 마련되어 있으며 레이저를 발진시키는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 형성되며 전류를 차단하는 n형 전류차단층과, 상기 전류차단층을 서로 연결시키는 p형 버퍼층과, 상기 전류차단층의 상부에 형성되며 하부층을 보호하는 p형 캡층을 구비하는 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 전류차단층은, 상부에 n형의 층으로된 제1전류차단층과 하부에 인장 팽창을 가진 n형 박막층으로된 제2전류차단층을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2전류차단층은 갈륨-인듐-인으로 형성되고, 상기 제2전류차단층의 갈륨 성분이 상기 활성층의 갈륨 성분보다 많은 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2전류차단층의 두께가 100Å 이하로 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  4. n형 기판, n형 버퍼층, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 및 p형 버퍼층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 성장된 p형 클래드층 및 p형 버퍼층의 양측부를 리지-메사에칭(Ridge-mesa etching)시키는 단계 ; 상기 에칭된 부분 상면에, 선택 성장에 의해 인장 팽창을 가진 n형 박막층을 적층하는 선택 성장 제1단계, 선택 성장에 의해 상기 제2전류 정지층 위에 n형의 제1전류차단층을 적층하는 선택 성장 제2단계; 및 상기 선택 성장시 사용되었던 마스크(Mask)를 제거한 후, p형 캡층을 성장시키는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 선택 성장 단계에 있어서, 상기 제2전류차단층은 갈륨-인듐-인으로 형성되고, 상기 제2전류차단층의 갈륨 성분이 상기 활성층의 갈륨 성분보다 많게 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2전류차단층의 두께가 100Å 이하로 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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