KR970024408A - 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레이저 다이오드(Laser diode) 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 하부 클래드층, 활성층, 상부 클래드층, 및 상기 상부 글래드층의 양측 상부에 전류정지층을 갖춘 형태의 레이저 다이오드에 있어서, 상기 전류정지층은 상기 상부 클래드층보다 에너지 밴드 갭이 크고, 상기 상부 클래드층은 상기 활성층보다 에너지 밴드 갭이 큰 것을 그 특징으로 하여, 자체적인 캐리어(carrier) 및 레이저 흡수량을 줄임에 따라 레이저 효율을 증진시킬 수 있다.

Description

레이저 다이오드 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 다이오드의 개략적 단면도이다.

Claims (20)

  1. 하부 클래드층, 활성층, 상부 클래드층, 및 상기 상부 클래드층의 양측 상부에 전류정지층을 갖춘 형태의 레이저 다이오드에 있어서, 상기 전류정지층은 상기 상부 클래드층보다 에너지 밴드 갭이 크고, 상기 상부 클래드층은 상기 활성층보다 에너지 밴드 갭이 큰 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전류정지층은 상기 상부 클래드층보다 광굴절율이 적은 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 상부 클래드층은 상기 활성층보다 광 굴절율이 적은 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  4. n형 기판; 상기 n형 기판 위에 성장된 n형 버퍼층; 상기 n형 버퍼층 위에 성장된 n형 클래드층; 상기 n형 클래드층 위에 성장된 활성층; 상기 활성층 위에 성장된 p형 제1클래드층; 상기 p형 제1클래드층 위에 성장된 p형 제1보호층; 상기 p형 제1보호층 양측부 위에 성장된 n형 전류정지층; 상기 n형 전류정지층 위에 성장된 p형 제2보호층; 상기 n형 전류정지층 및 p형 제2보호층의 중앙 공간과 상부에 성장된 p형 제2클래드층; 및 상기 p형 제2클래드층 위에 성장된 p형 캡층;을 갖춘 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  5. 제4항에 있어서, 상기 n형 전류정지층은, 상기 p형 제1클래드층보다 에너지 밴드 갭이 큰 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 p형 제1클래드층은, 상기 활성층보다 에너지 밴드 갭이 큰 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  7. 제4항에 있어서, 상기 n형 전류정지층은, 상기 p형 제1클래드층보다 광 굴절율이 적은 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  8. 제4항 또는 제7항에 있어서, 상기 p형 제1플래드층은, 상기 활성층보다 광 굴절율이 적은 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  9. n형 갈륨 - 비소 {n - GaAs(100)} 기판; 상기 n형 기판 위에 성장된 n형 갈륨 - 비소( n type Ga -As) 버퍼층; 상기 n형 버퍼층 위에 성장된 n형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {n type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 클래드층; 상기 n형 클래드층 위에 성장된 갈륨 - 인듐 - 인(Undoped Ga0.5In0.5P) 활성층; 상기 활성층 위에 성장된 p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 제1클래드층; 상기 p형 제1클래드층 위에 성장된 p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 -인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 제1보호층; 상기 p형 제1보호층 양측부 위에 성장된 n형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 전류정지층; 상기 n형 전류정지층 위에 성장된 p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 제2보호층; 상기 n형 전류정지층 및 p형 제2보호층의 중앙 공간과 상부에 성장된 p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 제2클래드층; 및 상기 p형 제2클래드층 위에 성장된 p형 갈륨 - 비소 {p type Ga - As) 캡층;을 갖춘 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  10. 제9항에 있어서, 상기 n형 전류정지층은, 상기 p형 제1클래드층보다 에너지밴드 갭이 큰 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 p형 제1클래드층은, 상기 활성층보다 에너지 밴드 갭이 큰 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  12. 제9항에 있어서, 상기 n형 전류정지층은, 상기 p형 제1클래드층보다 광 굴절율이 적은 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  13. 제9항 또는 제12항에 있어서, 상기 p형 제1클래드층은 상기 활성층보다 광 굴절율이 적은 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  14. 하부 클래드층, 활성층, 상부 클래드층, 및 상기 상부클래드층의 양측 상부에 전류정지층을 순차적으로 성장시키는 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 전류정지층은 상기 상부 클래드층보다 알루미늄(AI)이 차지하는 비율이 크고, 상기 상부 클래드층은 상기 활성층보다 알루미늄(AI)이 차지하는 비율이 크도록 혼정된 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  15. n형 기판 위에 n형 버퍼층, n형 클래드층, 활성층, p형 제1클래드층, p형 제1보호층, n형 전류정지층, 및 p형 제2보호층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 성장된 n형 전류정지층, 및 p형 제2보호층의 중앙부를 순 - 메사에칭(Positive - mesa etching)시키는 단계; 및 p형 제2클래드층 및 p형 캡층을 성장시키는 단계;를 포함한 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 n형 전류정지층은, 상기 p형 제1클래드층보다 알루미늄(AI)이 차지하는 비율이 크도록 혼정된 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 p형 제1클래드층은, 상기 활성층보다 알루미늄(AI)이 차지하는 비율이 크도록 혼정된 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 활성층은, 알루미늄이 혼정되지 않은 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  19. n형 갈륨 - 비소 { n - GaAs(100)} 기판 위에 n형 갈륨 - 비소(n type Ga - As) 버퍼층, n형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 -인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 클래드층, 갈륨 - 인듐 - 인(Undoped Ga0.5In0.5P) 활성층, p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 제1클래드층, p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 -인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 제1보호층, n형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 -인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 전류정지층, 및 p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 -인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 제2보호층을 순차적으로 성장시키는 단계, 상기 성장된 n형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 -인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 전류정지층, 및 p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 -인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 제2보호층의 중앙부를 순 - 메사 에칭(Positive-mesa etching)시키는 단계, 및 p형 알루미늄 - 갈륨 - 인듐 - 인 {p type (AlXGa1-X)0.5In0.5P} 제2클래드층 및 p형 갈륨 - 비소(n Type Ga - As) 캡층을 성장시키는 단계;를 포함한 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 n형 전류정지층은, 상기 p형 제1클래드층보다 알루미늄(AI)이 차지하는 비율이 크도록 혼정된 것을 그 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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