KR940008174A

KR940008174A - 반도체 레이저 다이오드의 제조방법

Info

Publication number: KR940008174A
Application number: KR1019920016734A
Authority: KR
Inventors: 안형수; 임진혁; 시상기
Original assignee: 이헌조; 주식회사 금성사
Priority date: 1992-09-15
Filing date: 1992-09-15
Publication date: 1994-04-29
Also published as: KR960010933B1

Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로 제1 Si침투방지막(4)을 먼저 HF로 식각하고 절연막(6)을 BoE로 식각하여 두층의 형태를 그대로 유지할 수 있게 하며, 전류제한층(8)의 모양을 역T자로 형성하여 전류제한층(8)의 에지부분에 존재할 수 있는 잔류물질들을 효과적으로 제거하여 내부 전류 주입홈을형성시 발생되는 표면 결함 문제를 해결하도록 한 것이다.

Description

반도체 레이저 다이오드의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 제1실시예의 공정단면도.

제3도는 본 발명의 제2실시예의 공정단면도.

Claims

제1 도전형 기판(1)위에 더블헤테로 구조층(2)과 양자우물층(3), 제1 Si침투방지막(4)을 차례로 형성하는 제1공정과, 상기 제1 Si침투방지막(4)위에 절연막(6)을 증착하고 일정폭으로 선택적 식각하는 제2공정과, 상기 남겨진 절연막(6)에 전류제한층(8)을 성장시켜 전류 주입홈을 형성하는 제3공정과, 상기 절연막(6)과 제1Si침투방지막(4)을 동시에 제거하는 제4 공정과, 전표면에 제3클래드층(9)과 캡층(10)을 차례로 형성하는 제5 공정을 포함하여서 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
제1항에 있어서, 절연막(6)의 선택적 식각은 BoE를 사용하고, 절연막(6)과 제1 Si 침투방지막(4)의 제거는 HF를 사용함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
제1 도전형 기판(1)위에 더블헤테로 구조층(2)과 양자우물층(3), 제1Si침투방지막(4)을 차례로 형성하는 제1공정과, 상기 제1 Si침투방지막(4)을 선택적 식각하는 제2공정과, 전면에 절연막(6)을 형성하고 잔존하는 제1 Si침투방지막(4)과 같은 폭으로 식각하는 제3 공정과, 상기 식각된 절연막(6)과 제1 Si침투방지막(4)에 전류 제한층(8)을 성장시켜 전류주입홈을 형성하는 제4공정과, 상기 제 1Si침투방지막(4)과 전류제한층(8)을 동시에 제거하여 양자우물층(3)이 드러나게 하는 제5공정과, 전표면에 제3클래드층(9)과 캡층(10)을 차례로 형성하는 제6공정을 포함하여서 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
제3항에 있어서, 상기 제1Si 침투방지막(4)을 먼저 HF로 식각한후 절연막(6)을 BoE로 식각함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
제1 도전형 기판(1)위에 더블헤테로 구조층(2)과 양자우물층(3), 제2 Si침투방지막(5), 제1 Si침투방지막(4)을 차례로 형성하는 제1공정과, 상기 제1 Si침투방지막(4)위에 절연막(6)을 증착하고 일정폭으로 선택적 식각하는 제2 공정과, 포토공정으로 제1 Si침투방지막(4)과 제2 Si침투방지막(5)을 식각하되 제1 Si침투방지막(4)의 폭을 더 짧게 식각하여 역 T자형으로 형성하는 제3공정과, 전류제한층(8)을 성장시키고 상기 제1,2 Si침투방지막(4)(5)을 제거하는 제4공정과, 전표면에 제3클래드층(9)과 캡층(10)을 차례로 형성하는 제5 공정을 포함하여서 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
제5항에 있어서, 제1공정을 실시한후 제1,2Si침투방지막(4)(5)을 단차지게 식각하여 역 T자형으로 형성하고 절연막(6)을 덮어 상기 제1 Si침투방지막(4)의 폭과 같게 식각한 후 제4,5공정을 실시함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
제5항에 있어서, 제1,2 공정실시 후 전류제한층(8)을 성장시키고 절연막(6)과 제1,2 Si침투방지막(4)(5)을 역 T자 모양으로 식각한 후 제5공정을 실시함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
제7항에 있어서, 질화막(6)을 GaAs 단면〈011〉방향으로 형성함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
제1항 내지 제7항중 어느 하나에 있어서, 더블헤테로 구조층(2)은 두께가 0.5㎛ 이상인 버퍼층/제1 클래드층/ 활성층/ 두께가 0.2~0.65㎛인 제2 클래드층으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
제9항에 있어서, 더블헤테로 구조층(2) 대신에 버퍼층/ 제1클래드층/ 제1 그래드층/ 활성층/ 제2그래드층/ 제2클래드층으로 이루어진 GRIN-SCH-SQW를 사용함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.