KR930005305A - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 종래의 매립형 반도체 레이저 다이오드의 단면도,

제2도는 이 발명에 따른 매립형 반도체 레이저 다이오드의 단면도,

제3도 (가)∼(다)는 이 발명에 따른 매립형 반도체 레이저 다이오드의 제조공정도이다.

Claims (16)

1. 화합물 반도체 소자인 BH-LD에 있어서, 리지형으로 패턴화된 제1도전형의 반도체기판상에 제1클래드층이 되는 제1도전형의 제1반도체층과, 활성층이 되는 제1도전형의 제2반도체층과, 제2클래드층이 되는 제2도전형의 제3반도체층과, 전류차단층이 되는 제1도전형의 제4반도체층과, 저항성 접촉층이 되는 제2도전형의 제5반도체층과, 상기 제5반도체층으로 부터 제2반도체층의 소정두께가 겹친 제2도전형의 확산영역과, 상기 확산영역을 제외시킨 제5반도체층상에 형성된 Si₃N₄막과 상기 Si₃N₄막과 확산영역의 노출된 표면에 형성된 제2도전형의 전극과, 상기 반도체기판의 후면에 형성된 제1도전형의 전극을 구비하여서 이루어진 매립형 반도체 레이저 다이오드.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고, 제2도전형은 P형인 매립형 반도체 레이저 다이오드.
3. 제1항에 있어서, 상기 반도체기판은 III-V족 화합물로 이루어진 매립형 반도체 레이저 다이오드.
4. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 리지(ridge)형으로 패턴화된 매립형 반도체 레이저 다이오드.
5. 제1항에 있어서, 상기 제3반도체층상에 전류차단층이 추가로 설치되 어 구성된 매립형 반도체 레이저 다이오드.
6. 제1항에 있어서, 상기 확산영역이 제5, 제4 및 제3반도체층의 소정부분에 설치되어 구성된 매립형 반도체 레이저 다이오드.
7. 제1항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드는 리지형 레이저 다이오드로 구성된 매립형 반도체 레이저 다이오드.
8. 화합물 반도체 소자인 BH-LD의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체 기판을 에칭하여 리지형으로 패턴을 형성하는 공정과, 상기 리지형으로 패턴화된 반도체 기판의 전표면에 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5반도체층을 순차적으로 형성하는 공정과 상기 제5반도체층상에 스트라이프 Si₃N₄막을 형성하는 공정과, 상기 제5반도체층의 소정부분에 확산하여 제3반도체층의 소정두께가 겹친 제2도전형의 확산영역을 형성하는 공정과, 상기 Si₃H₄막과 확산영역의 노출된 표면에 제2도전형의 전극의 반도체 기판의 후면에 제1도전형의 전극을 각각 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 매립형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 반도체기판은 III-V족 화합물로 이루어진 매림형 반도제 레이저 다이오드의 제조방법.
10. 제8항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고 제2도전형은 P형으로 이루어진 매립형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
11. 제8항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체 기판은 리소그래피법 또는 화학적 식각법으로 에칭하여 리지형으로 패턴화시킨 매립형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
12. 제8항에 있어서, 상기 반도체 기판의 에칭 깊이는 1.2∼1.5㎛정도로 형성하는 매립형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
13. 제8항에 있어서, 상기 반도체층들은 MOCVD법으로 형성하는 매립형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
14. 제8항에 있어서, 상기 제3반도체층상에 전류차단층을 형성하는 공정이 추가되어 있는 매립형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
15. 제8항에 있어서, 상기 스트라이프 Si₃N₄막은 CVD 또는 스퍼터링법으로 증착하여 형성하는 매립형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
16. 제8항에 있어서, 상기 확산영역은 Zn등의 P형 불순물을 열처리에 따른 불순물 확산에 의해 형성되는 매립형 반도체 레이저 다이오의 제조방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.