JPH0330391A - 半絶縁基板上の光電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents
半絶縁基板上の光電子デバイス及びその製造方法Info
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- JPH0330391A JPH0330391A JP2146401A JP14640190A JPH0330391A JP H0330391 A JPH0330391 A JP H0330391A JP 2146401 A JP2146401 A JP 2146401A JP 14640190 A JP14640190 A JP 14640190A JP H0330391 A JPH0330391 A JP H0330391A
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-
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半絶縁基板上の光電子デバイス、及びこのよ
うなデバイスを形成する種々の方法に関する。
うなデバイスを形成する種々の方法に関する。
（従来の技術）
現在、光ファイバにより「レーダ信号」のような非常に
高い周波数信号を伝送することが益々注目されている。
高い周波数信号を伝送することが益々注目されている。
従って、Ｘバンド（１２〜１８ＧＩＩｚ ）又はに、バ
ンド（１２〜１８Ｇｌｌｚ ）が達成可能な光電子デバ
イスの開発が大いに要望されていることは明らかである
。現在、埋込ストリップ型レーザを１０Ｇｆｌｚに用い
ることが可能になっている。このようなレーザは、例え
ば２つの閉じ込め層、即ち下層と上層との間に設けられ
た活性材料のストリップにより構成される。各層は異な
る導電型を有し、その全ユニットは半導体基板上に形成
されている。実際において、これらのストリップの周波
数限界は、本質的に活性ストリップのいずれかの側に位
置する浮遊素子、特に活性ストリップのいずれかの側に
位置する２つの閉じ込め層の重畳により形成されたｌ”
Ｎ同質接合による浮遊容量に起因している。
ンド（１２〜１８Ｇｌｌｚ ）が達成可能な光電子デバ
イスの開発が大いに要望されていることは明らかである
。現在、埋込ストリップ型レーザを１０Ｇｆｌｚに用い
ることが可能になっている。このようなレーザは、例え
ば２つの閉じ込め層、即ち下層と上層との間に設けられ
た活性材料のストリップにより構成される。各層は異な
る導電型を有し、その全ユニットは半導体基板上に形成
されている。実際において、これらのストリップの周波
数限界は、本質的に活性ストリップのいずれかの側に位
置する浮遊素子、特に活性ストリップのいずれかの側に
位置する２つの閉じ込め層の重畳により形成されたｌ”
Ｎ同質接合による浮遊容量に起因している。
従って、この発明は、半絶縁基板上に形成された光電子
デバイスの新しい構造を提供することにより、この容量
を大幅に減少させることを目的とする。
デバイスの新しい構造を提供することにより、この容量
を大幅に減少させることを目的とする。
（発明の概要）
従って、この発明の目的は、互いに積み重ねられ、少な
くとも 一半絶縁基板からなる一つの基板と、 −第１型式の導電率を有する一つの下部閉じ込め層と、 一ストリップ状の少なくとも一つの活性層と、−第２型
式の導電率を有する上部閉じ込め層とを備えた型式の半
絶縁基板上の光電子デバイスにおいて、 前記下部閉じ込め層は前記活性層の下を通過して前記半
絶縁基板の一方の側面を覆うと共に、前記活性層に対し
てほぼ垂直なスト・ツブに到達し、前記上部閉じ込め層
は前記活性層の」二を通過（）て前記半絶縁基板の他方
の側面を覆うと共に、前記活性層に対してほぼ垂直なス
トップに到達し、可能な限り小さなＰＮ同質接合（通常
は、１μ１ＩＩ）を残すようにするものである。
くとも 一半絶縁基板からなる一つの基板と、 −第１型式の導電率を有する一つの下部閉じ込め層と、 一ストリップ状の少なくとも一つの活性層と、−第２型
式の導電率を有する上部閉じ込め層とを備えた型式の半
絶縁基板上の光電子デバイスにおいて、 前記下部閉じ込め層は前記活性層の下を通過して前記半
絶縁基板の一方の側面を覆うと共に、前記活性層に対し
てほぼ垂直なスト・ツブに到達し、前記上部閉じ込め層
は前記活性層の」二を通過（）て前記半絶縁基板の他方
の側面を覆うと共に、前記活性層に対してほぼ垂直なス
トップに到達し、可能な限り小さなＰＮ同質接合（通常
は、１μ１ＩＩ）を残すようにするものである。
この型式のデバイスでは、閉じ込めストリップのいずれ
かの側面上のＮ型の閉じ込め層及びＰ型の閉じ込め層を
物理的に分離させている。その結果、２つの層の重なり
により形成され、かつ光電子デバイスの周波数を規制し
ている主要な浮遊素子のうちの一つを形成しているＰＮ
Ｎ同質接合面での減少が顕著となる。
かの側面上のＮ型の閉じ込め層及びＰ型の閉じ込め層を
物理的に分離させている。その結果、２つの層の重なり
により形成され、かつ光電子デバイスの周波数を規制し
ている主要な浮遊素子のうちの一つを形成しているＰＮ
Ｎ同質接合面での減少が顕著となる。
活性ストリップ及び閉じ込め層の構造を効率的に制御す
ることを可能にする一実施例によれば、前記下部閉じ込
め層は、第１の薬品侵食障壁層、固有の閉じ込め層、第
２の薬品侵食障壁層、及び前記層し込め層の材料と同一
の材料からなる層の重畳によって形成される。
ることを可能にする一実施例によれば、前記下部閉じ込
め層は、第１の薬品侵食障壁層、固有の閉じ込め層、第
２の薬品侵食障壁層、及び前記層し込め層の材料と同一
の材料からなる層の重畳によって形成される。
更に簡単な他の実施例によれば、下部閉じ込め層は、薬
品侵食障壁層及び固有の閉じ込め層の重畳により形成さ
れる。
品侵食障壁層及び固有の閉じ込め層の重畳により形成さ
れる。
更に、この発明は、前述のような光電子デバイスを製造
する種々の方法にも関連している。
する種々の方法にも関連している。
その第１の製造方法によれば、光電子デバイスは、下記
のステップ、即ち、 一半絶縁材料からなる基板上に、第１導電型を有する下
部閉じ込め層、少なくとも一つの活性層及び第２導電型
を有する上部閉じ込め層を形成する第１のステップと、 一前記上部閉じ込め層及び前記活性層をエツチングして
少なくとも一つの与えられた幅のス１−リップを形成す
るステップと、 一前記ストリップに対して垂直に前記基板の一方の側面
上の下部閉じ込め層をエツチングするステップと、 一前記基板の全面上に前記上部閉じ込め明の材料と同一
の材料からなる層を形成すると共に、コンタクト層を形
成するステップと、 −前記コンタクト層を金属化するステップと、一前記基
板の他方の側面上、かつ前記ストリップに対してほぼ垂
直に、前記コンタクト層、及び前記上部閉じ込め層と同
一材料からなる前記層をエツチングして、前記活性層に
より覆われていない前記下部閉じ込め層を露出させるス
テップと、−前記下部閉じ込め層上の金属コンタクトを
形成するステップとにより得られる。
のステップ、即ち、 一半絶縁材料からなる基板上に、第１導電型を有する下
部閉じ込め層、少なくとも一つの活性層及び第２導電型
を有する上部閉じ込め層を形成する第１のステップと、 一前記上部閉じ込め層及び前記活性層をエツチングして
少なくとも一つの与えられた幅のス１−リップを形成す
るステップと、 一前記ストリップに対して垂直に前記基板の一方の側面
上の下部閉じ込め層をエツチングするステップと、 一前記基板の全面上に前記上部閉じ込め明の材料と同一
の材料からなる層を形成すると共に、コンタクト層を形
成するステップと、 −前記コンタクト層を金属化するステップと、一前記基
板の他方の側面上、かつ前記ストリップに対してほぼ垂
直に、前記コンタクト層、及び前記上部閉じ込め層と同
一材料からなる前記層をエツチングして、前記活性層に
より覆われていない前記下部閉じ込め層を露出させるス
テップと、−前記下部閉じ込め層上の金属コンタクトを
形成するステップとにより得られる。
更に、この発明は、前記エツチングの深さにわたってよ
り効率的に制御可能にする前記光電子デバイスを形成し
、前記構造の再現性を改善する第２の方法に関する。
り効率的に制御可能にする前記光電子デバイスを形成し
、前記構造の再現性を改善する第２の方法に関する。
前記方法は、下記のステップ、即ち
一半絶縁基板からなる基板上に、第１の薬品侵食障壁層
、第１導電型を有する下部閉じ込め屑、第２の薬品侵食
障壁層、前記下部閉じ込め層の材料と同一材料からなる
層、活性層、及び第２導電型を有する上部閉じ込め層を
形成する第１の形成ステップと、 一前記上部閉じ込め層及び活性層をエツチングして少な
くとも一つの定められた幅のストリップを形成するステ
ップと、 一前記基板の一方の側面上、かつ前記ストリップに対し
て垂直に、一連の選択的な薬品侵食を用いることにより
、前記下部閉じ込め層の材料と同一材料からなる層、前
記第２の薬品侵食障壁層、前記下部閉じ込め層、及び前
記第１の薬品侵食障壁層部をエツチングするステップと
、 一前記基板の全面上にあり、前記上部閉じ込め層の材料
と同一の材料からなる層を形成すると共に、コンタクト
層を形成する第２の形成ステップと、 一前記コンタクト層を金属化するステップと、一前記基
板の他方の側面上、かつ前記ストリップにほぼ垂直に、
前記コンタクト層、及び前記」二部閉じ込め層の材料と
同一の材料からなる前記層をエツチングし、前記金属化
部をイオンによる加工、及び前記層の層に対して一連の
選択的な薬品侵食により、前記活性層により覆われてい
ない前記下部閉じ込め層を露出させるステップと、−前
記下部閉じ込め層上に金属コンタクトを形成するステッ
プとを備えている。
、第１導電型を有する下部閉じ込め屑、第２の薬品侵食
障壁層、前記下部閉じ込め層の材料と同一材料からなる
層、活性層、及び第２導電型を有する上部閉じ込め層を
形成する第１の形成ステップと、 一前記上部閉じ込め層及び活性層をエツチングして少な
くとも一つの定められた幅のストリップを形成するステ
ップと、 一前記基板の一方の側面上、かつ前記ストリップに対し
て垂直に、一連の選択的な薬品侵食を用いることにより
、前記下部閉じ込め層の材料と同一材料からなる層、前
記第２の薬品侵食障壁層、前記下部閉じ込め層、及び前
記第１の薬品侵食障壁層部をエツチングするステップと
、 一前記基板の全面上にあり、前記上部閉じ込め層の材料
と同一の材料からなる層を形成すると共に、コンタクト
層を形成する第２の形成ステップと、 一前記コンタクト層を金属化するステップと、一前記基
板の他方の側面上、かつ前記ストリップにほぼ垂直に、
前記コンタクト層、及び前記」二部閉じ込め層の材料と
同一の材料からなる前記層をエツチングし、前記金属化
部をイオンによる加工、及び前記層の層に対して一連の
選択的な薬品侵食により、前記活性層により覆われてい
ない前記下部閉じ込め層を露出させるステップと、−前
記下部閉じ込め層上に金属コンタクトを形成するステッ
プとを備えている。
更に、この発明は、実施が容易という利点を（ｉｆｉｔ
えた光電子デバイスを製造する第３の方法に関する。こ
の方法は以下のステップ、即ち、−半絶縁材料からなる
基板上に、薬品侵食障壁層、第１導電型を有する下部閉
じ込め層、少なくとも一つの活性層、及び第２導電型を
有する上部閉じ込め層を形成する第１の形成ステップと
、−前記上部閉じ込め層及び活性層をエツチングして少
なくとも一つの定められた幅のストリップを形成すると
共に、前記ストリップの一方の側面に２つの層を保持す
るステップと、 一前記基板の他方の側面上、かつ前記ストリップに対し
て垂直に、一連の選択的な薬品侵食を用いて前記上部閉
じ込め層、及び前記薬品侵食障壁層をエツチングするス
テップと、 一前記基板の全面上に前記上部閉じ込め層の材料と同一
の材料からなる層を形成すると共に、コンタクト層を形
成する第２の形成ステップと、−前記コンタクト層を金
属化するステップと、−前記他方の側面の前記活性スト
リップをエツチングして前記下部閉じ込め層を露出させ
るステップと、 一前記下部閉じ込め層上に金属コンタクトを形成するス
テップと を備えている。
えた光電子デバイスを製造する第３の方法に関する。こ
の方法は以下のステップ、即ち、−半絶縁材料からなる
基板上に、薬品侵食障壁層、第１導電型を有する下部閉
じ込め層、少なくとも一つの活性層、及び第２導電型を
有する上部閉じ込め層を形成する第１の形成ステップと
、−前記上部閉じ込め層及び活性層をエツチングして少
なくとも一つの定められた幅のストリップを形成すると
共に、前記ストリップの一方の側面に２つの層を保持す
るステップと、 一前記基板の他方の側面上、かつ前記ストリップに対し
て垂直に、一連の選択的な薬品侵食を用いて前記上部閉
じ込め層、及び前記薬品侵食障壁層をエツチングするス
テップと、 一前記基板の全面上に前記上部閉じ込め層の材料と同一
の材料からなる層を形成すると共に、コンタクト層を形
成する第２の形成ステップと、−前記コンタクト層を金
属化するステップと、−前記他方の側面の前記活性スト
リップをエツチングして前記下部閉じ込め層を露出させ
るステップと、 一前記下部閉じ込め層上に金属コンタクトを形成するス
テップと を備えている。
例えば、下部閉じ込め層を露出させるエツチングは金属
化部及びコンタクト層をイオンによる加工によってエツ
チングすること、前記上部閉じ込め層の選択的な薬品侵
食、及び前記ストリップを形成しない活性層の選択的な
薬品侵食により形成される。
化部及びコンタクト層をイオンによる加工によってエツ
チングすること、前記上部閉じ込め層の選択的な薬品侵
食、及び前記ストリップを形成しない活性層の選択的な
薬品侵食により形成される。
この発明の他の特徴によれば、前記第２の形成ステップ
は、半絶縁材料からなる層を堆積することと、前記スト
リップの上端に当該層に第２導１道型を有する不純物を
拡散することとを除き、第２導電型を有する半導体材料
からなる層を堆積することにもはや依存しない。
は、半絶縁材料からなる層を堆積することと、前記スト
リップの上端に当該層に第２導１道型を有する不純物を
拡散することとを除き、第２導電型を有する半導体材料
からなる層を堆積することにもはや依存しない。
前記方法において、前記層を形成する前記第１及び第２
のステップは、例えばエピタクシ方法を用いる。
のステップは、例えばエピタクシ方法を用いる。
この発明の他の特徴及び効果は、添付された図面を参照
して以下に示す種々の非限定的な実施例の説明から明ら
かとなる。
して以下に示す種々の非限定的な実施例の説明から明ら
かとなる。
（実施例）
説明を簡単にするために、各図面において同一の参照番
号は同一要素を表わす。更に、この発明による１型式の
光電子デバイスとして、埋込みストリップ・レーザな詳
細に参照してこの発明を説明する。しかし、ＰＮ同質接
合を形成する２つのコンタクト層間に挟まれた活性層を
有する全ての光電子デバイスに適用可能なことは当該技
術分野に習熟する者に明らかである。
号は同一要素を表わす。更に、この発明による１型式の
光電子デバイスとして、埋込みストリップ・レーザな詳
細に参照してこの発明を説明する。しかし、ＰＮ同質接
合を形成する２つのコンタクト層間に挟まれた活性層を
有する全ての光電子デバイスに適用可能なことは当該技
術分野に習熟する者に明らかである。
更に、この発明は、リン舎インジウム（ＩｎＰ）からな
る半絶縁基板、及び材料ＩｎＰ、 ＧａＩｎＡｓＰ又は
ＧａＩｎＡｓ等のような半導体材料を参照して説明され
る。しかし、この発明は他のグループの材料、特に元素
周期律による分類のＩＩＩ族及びＶ族に適用することが
できる。
る半絶縁基板、及び材料ＩｎＰ、 ＧａＩｎＡｓＰ又は
ＧａＩｎＡｓ等のような半導体材料を参照して説明され
る。しかし、この発明は他のグループの材料、特に元素
周期律による分類のＩＩＩ族及びＶ族に適用することが
できる。
同様にして、説明では、当該技術分野に習熟する者にと
って、異なるギャップを有するいくつかの単層により活
性ストリップを形成することにより、量子井戸構造が形
成可能なこと、又は活性層を分散ネットワークの形式か
らなるガイド層により被覆して形成することにより、Ｄ
ＦＢ（分散フィードバック）レーザな得てもよいことは
明らかである。
って、異なるギャップを有するいくつかの単層により活
性ストリップを形成することにより、量子井戸構造が形
成可能なこと、又は活性層を分散ネットワークの形式か
らなるガイド層により被覆して形成することにより、Ｄ
ＦＢ（分散フィードバック）レーザな得てもよいことは
明らかである。
ここで、第１Ａ図〜第１Ｇ図を参照し、この発明による
半絶縁基板上の埋込みストリップ・レーザな形成する第
１の方法を説明する。第１Ａ図に示すように、不純物、
例えば鉄、コバルト又は同様の材料によりドープされた
リン・インジウム（ＩｎＰ）の半絶縁基板１上に第１の
エピタクシを行なう。この第１のエピタクシは、Ｎ型の
ｒｎＰからなる下部閉じ込め層２と、元素周期律による
分類のＩＩＩ族及びＶ族の３元又は４元化合物の中から
選択した半導体材料によって形成した活性層３とからな
る。このエピタクシはＭＯＣＶＤ型の化学的な蒸着、又
は分子ビーム・エピタクシ（ＭＢＥ）方法を用いる公知
の方法により行なわれる。更に、光電子デバイスをＰ型
の下部閉じ込め層及びＮ型の上部閉じ込め層により形成
可能なことも、当該技術分野に習熟する者にとって明ら
かなことである。
半絶縁基板上の埋込みストリップ・レーザな形成する第
１の方法を説明する。第１Ａ図に示すように、不純物、
例えば鉄、コバルト又は同様の材料によりドープされた
リン・インジウム（ＩｎＰ）の半絶縁基板１上に第１の
エピタクシを行なう。この第１のエピタクシは、Ｎ型の
ｒｎＰからなる下部閉じ込め層２と、元素周期律による
分類のＩＩＩ族及びＶ族の３元又は４元化合物の中から
選択した半導体材料によって形成した活性層３とからな
る。このエピタクシはＭＯＣＶＤ型の化学的な蒸着、又
は分子ビーム・エピタクシ（ＭＢＥ）方法を用いる公知
の方法により行なわれる。更に、光電子デバイスをＰ型
の下部閉じ込め層及びＮ型の上部閉じ込め層により形成
可能なことも、当該技術分野に習熟する者にとって明ら
かなことである。
第１Ｂ図に示すように、保護すべき部分上に樹脂ストリ
ップ５を堆積した後、上部閉じ込めＪΔ４及び活性層３
を幅Ｗの活性ストリップとなるようにエツチングする。
ップ５を堆積した後、上部閉じ込めＪΔ４及び活性層３
を幅Ｗの活性ストリップとなるようにエツチングする。
このエツチングは、はぼ上部閉じ込め層４及び活性層３
の厚さに対応した深さまで行なう。使用するエツチング
は公知形式の化学エツチングである。
の厚さに対応した深さまで行なう。使用するエツチング
は公知形式の化学エツチングである。
第１Ｃ図に示すように、基板の半分と、活性層３及び上
部閉じ込め層４から形成されたストリップとを樹脂層６
により覆った後、第２のエツチングを行なう。このエツ
チングは、上部閉じ込め層４及び活性層３からなるスト
リップにほぼ垂直に、半絶縁基板１の左側面上に図示の
製造方法により行なう。このエツチングは主として下部
閉じ込め層２を侵食する。下部閉じ込め層２はその厚さ
にほぼ対応した厚さｅｌに形成されており、半絶縁基板
１を露出させる。次いで、第１Ｄ図に示すように、上部
閉じ込め層７をこのデバイスの幅にわたってエピタクシ
により堆積する。この上部閉じ込め層７はＰ型のリン・
インジウム、即ち上部閉じ込め層４の材料と同一のもの
からなる。上部閉じ込め層７にコンタクト層８を堆積す
る。このコンタクト層８はＧａＩｎＡｓのようなＰ＋型
の三元化合物からなる。このコンタクト層８上に金属層
９を堆積する。金属層９は、例えば第１Ｅ図に示すよう
にプラチナ及び金の二重層により形成される。
部閉じ込め層４から形成されたストリップとを樹脂層６
により覆った後、第２のエツチングを行なう。このエツ
チングは、上部閉じ込め層４及び活性層３からなるスト
リップにほぼ垂直に、半絶縁基板１の左側面上に図示の
製造方法により行なう。このエツチングは主として下部
閉じ込め層２を侵食する。下部閉じ込め層２はその厚さ
にほぼ対応した厚さｅｌに形成されており、半絶縁基板
１を露出させる。次いで、第１Ｄ図に示すように、上部
閉じ込め層７をこのデバイスの幅にわたってエピタクシ
により堆積する。この上部閉じ込め層７はＰ型のリン・
インジウム、即ち上部閉じ込め層４の材料と同一のもの
からなる。上部閉じ込め層７にコンタクト層８を堆積す
る。このコンタクト層８はＧａＩｎＡｓのようなＰ＋型
の三元化合物からなる。このコンタクト層８上に金属層
９を堆積する。金属層９は、例えば第１Ｅ図に示すよう
にプラチナ及び金の二重層により形成される。
次いで、第１Ｆ図に示すように、半絶縁基板１の第１の
側面、即ち図示の実施例において左側に樹脂層１０を堆
積する。この樹脂層１０は、活性層３からなる活性スト
リップを覆うように伸延し、この活性ストリップに対し
てほぼ垂直で終る。まず、イオンによる加工により全て
の金属層９、コンタクト層８、及び上部閉じ込め層７を
エツチングして下部閉じ込め層２を露出させる。次いで
、第１Ｇ図に示すように、この下部閉し込め層２上に抵
抗コンタクトを堆積させる。この抵抗コンタクトは金層
１１からなる。従って、第２図の斜視図に示すように半
絶縁基板１上に埋込みストリップ・レーザな形成するこ
とが可能となる。
側面、即ち図示の実施例において左側に樹脂層１０を堆
積する。この樹脂層１０は、活性層３からなる活性スト
リップを覆うように伸延し、この活性ストリップに対し
てほぼ垂直で終る。まず、イオンによる加工により全て
の金属層９、コンタクト層８、及び上部閉じ込め層７を
エツチングして下部閉じ込め層２を露出させる。次いで
、第１Ｇ図に示すように、この下部閉し込め層２上に抵
抗コンタクトを堆積させる。この抵抗コンタクトは金層
１１からなる。従って、第２図の斜視図に示すように半
絶縁基板１上に埋込みストリップ・レーザな形成するこ
とが可能となる。
この場合に、第１Ｇ図及び第２図に明確に示すように、
下部閉じ込め層２と上部閉じ込め層７との間の接触面か
極めて少なくなる。従って、ＰＮ同質接合、即ちこの同
質接合により形成された浮遊容量も極めて少なくなる。
下部閉じ込め層２と上部閉じ込め層７との間の接触面か
極めて少なくなる。従って、ＰＮ同質接合、即ちこの同
質接合により形成された浮遊容量も極めて少なくなる。
このＰＮ同質接合の寸法な１μＩｎより小さくすること
ができる。
ができる。
従って、この方法を適用することにより、３００μＩＩ
Ｉ以上の長さでもって１０ Ｇ ｉｔ ｚ以上て３ｎｔ
Ｗの電力により動作するレーザな形成することができた
。
Ｉ以上の長さでもって１０ Ｇ ｉｔ ｚ以上て３ｎｔ
Ｗの電力により動作するレーザな形成することができた
。
第３Ａ図及び〜第３Ｂ図を参照し、半絶縁基板上にレー
ザな形成することにより、標準的な化学的なエツチング
で経験される問題を克服するのに用いることができる他
の方法を説明しよう。このようなエツチングは、その深
さと共にこれらの均一性について効率的に制（＆Ｕする
ことは不可能である。
ザな形成することにより、標準的な化学的なエツチング
で経験される問題を克服するのに用いることができる他
の方法を説明しよう。このようなエツチングは、その深
さと共にこれらの均一性について効率的に制（＆Ｕする
ことは不可能である。
第３Ａ図に示すように、新しい方法では、まず、リン・
インジウム（ＩｎＰ）を鉄及びコバルトによりドーピン
グしてなる半絶縁基板２０上にエピタクシによって第１
の薬品侵食障壁層２１を形成する。第１の薬品侵食障壁
層２１の厚さは極めて薄く、例えば１００人程度となる
。この第１の薬品侵食障壁層２１上に、エピタクシによ
り以下のもの、即ちＮ９型のリン・インジウムからなる
下部閉じ込め層２２、極めて薄い、例えば１００人の第
２の薬品侵食障壁層２３、及び下部閉じ込め層と同−即
ちＮ“型の材料の層２４、活性層２５及びＰ型の Ｉｎ
Ｐからなる上部閉じ込め層２６を堆積する。図示の実施
例では、薬品侵食障壁層２１．２３及び活性層２５がＧ
ａＩｎＡｓのような４元化合物からなる。この発明の場
合は、これらの層も三元化合物により形成してもよい。
インジウム（ＩｎＰ）を鉄及びコバルトによりドーピン
グしてなる半絶縁基板２０上にエピタクシによって第１
の薬品侵食障壁層２１を形成する。第１の薬品侵食障壁
層２１の厚さは極めて薄く、例えば１００人程度となる
。この第１の薬品侵食障壁層２１上に、エピタクシによ
り以下のもの、即ちＮ９型のリン・インジウムからなる
下部閉じ込め層２２、極めて薄い、例えば１００人の第
２の薬品侵食障壁層２３、及び下部閉じ込め層と同−即
ちＮ“型の材料の層２４、活性層２５及びＰ型の Ｉｎ
Ｐからなる上部閉じ込め層２６を堆積する。図示の実施
例では、薬品侵食障壁層２１．２３及び活性層２５がＧ
ａＩｎＡｓのような４元化合物からなる。この発明の場
合は、これらの層も三元化合物により形成してもよい。
次いで、第３Ｂ図に示すように、下部閉じ込め層２７を
堆積した後、ＩｎＰ層に続いて４元化合物から形成され
た層を選択的な侵食による溶解方法で上部閉じ込め層２
６及び活性層２５をエツチングすることにより、活性ス
トリップをエツチングし、２つの上部閉じ込め層２６及
び活性層２５の深さに等しい深さで幅Ｗのストリップを
得る。次いで、第３Ｃ図に示すように、半絶縁基板１の
一方の側面、即ち図示の実施例における左側に樹脂層２
８を堆積することにより、活性層２５及び上部閉じ込め
層２６により形成されたストリップを覆う。次いで、第
２のエツチングを半絶縁基板１の右手側に行なうことに
より、半絶縁基板２０を露出させる。このエツチングは
選択的なＩｎＰ及び４元化合物の侵食を得る化学エツチ
ングである。
堆積した後、ＩｎＰ層に続いて４元化合物から形成され
た層を選択的な侵食による溶解方法で上部閉じ込め層２
６及び活性層２５をエツチングすることにより、活性ス
トリップをエツチングし、２つの上部閉じ込め層２６及
び活性層２５の深さに等しい深さで幅Ｗのストリップを
得る。次いで、第３Ｃ図に示すように、半絶縁基板１の
一方の側面、即ち図示の実施例における左側に樹脂層２
８を堆積することにより、活性層２５及び上部閉じ込め
層２６により形成されたストリップを覆う。次いで、第
２のエツチングを半絶縁基板１の右手側に行なうことに
より、半絶縁基板２０を露出させる。このエツチングは
選択的なＩｎＰ及び４元化合物の侵食を得る化学エツチ
ングである。
次いで、第３Ｄ図に示すように、以上のようにして得た
構造上にエピタクシによって層２９及び活性層３０を堆
積させる。層２９は上部閉じ込めＮ２６、即ちＰ型のＩ
ｎＰと同一の材料からなる。
構造上にエピタクシによって層２９及び活性層３０を堆
積させる。層２９は上部閉じ込めＮ２６、即ちＰ型のＩ
ｎＰと同一の材料からなる。
活性層３０はＰ型のＧａＩｎＡｓのような三元化合物に
より形成される。活性層３０はプラチナの層、及び金の
活性層３１を堆積することにより金属化される。次いで
、活性層２５、上部閉じ込め層２６の他の側面、即ち第
３Ｅ図に示す製造方法では、左側にエツチングを行なう
ことにより下部閉じ込め層２２を露出させる。このエツ
チングは、最初に、活性層３１及び３０のイオンによる
加工により、次いで、層２９．２４及び２３のＩｎＰ及
び４元化合物を選択的に侵食する化学エツチングにより
行なう。次いで、下部閉じ込め層２２上にＮ型のコンタ
クト層３２を形成する。従って、この方法によって、Ｐ
Ｎ同質接合の表面を約１μｍｎの値に規制することがで
きる。
より形成される。活性層３０はプラチナの層、及び金の
活性層３１を堆積することにより金属化される。次いで
、活性層２５、上部閉じ込め層２６の他の側面、即ち第
３Ｅ図に示す製造方法では、左側にエツチングを行なう
ことにより下部閉じ込め層２２を露出させる。このエツ
チングは、最初に、活性層３１及び３０のイオンによる
加工により、次いで、層２９．２４及び２３のＩｎＰ及
び４元化合物を選択的に侵食する化学エツチングにより
行なう。次いで、下部閉じ込め層２２上にＮ型のコンタ
クト層３２を形成する。従って、この方法によって、Ｐ
Ｎ同質接合の表面を約１μｍｎの値に規制することがで
きる。
この新しい方法は、エツチングの深さ及びこれらの均質
性について更に効率的に制御することができる。この結
果、更に効率的な構造の再現性が得られる。しかし、こ
の方法は、多数のＭを有する第１のエピタクシを必要と
する。更に、複数のＰ型の層のエツチング・マスクの精
度を正硲に制御することも容易ではない。従って、半絶
縁基板上に埋込みストリップ・レーザな形成する新しい
方法を以下提供し、前記問題のいくつかを部分的に解決
するものである。
性について更に効率的に制御することができる。この結
果、更に効率的な構造の再現性が得られる。しかし、こ
の方法は、多数のＭを有する第１のエピタクシを必要と
する。更に、複数のＰ型の層のエツチング・マスクの精
度を正硲に制御することも容易ではない。従って、半絶
縁基板上に埋込みストリップ・レーザな形成する新しい
方法を以下提供し、前記問題のいくつかを部分的に解決
するものである。
第４Ａ図に示すように、半絶縁基板４０上に以下のもの
、即ち １００人程度の厚さを有する４元化合物の基づ
く薬品侵食障壁層４１と、ＮｏによりドープされたＩｎ
Ｐの下部閉じ込め層４２と、４元化合物に基づく下部閉
じ込め層４３と、及びＰによりドープされたＩｎＰから
形成された上部閉じ込め屑４４とをエピタキシャル成長
させる。第４Ｂ図に示すように、このデバイスの表面の
１７２、即ち、図の左側部分は、２者間で１μｍの幅の
溝４６を残すように、樹脂層４５及び樹脂ストリッブ４
５′により覆われる。
、即ち １００人程度の厚さを有する４元化合物の基づ
く薬品侵食障壁層４１と、ＮｏによりドープされたＩｎ
Ｐの下部閉じ込め層４２と、４元化合物に基づく下部閉
じ込め層４３と、及びＰによりドープされたＩｎＰから
形成された上部閉じ込め屑４４とをエピタキシャル成長
させる。第４Ｂ図に示すように、このデバイスの表面の
１７２、即ち、図の左側部分は、２者間で１μｍの幅の
溝４６を残すように、樹脂層４５及び樹脂ストリッブ４
５′により覆われる。
樹脂を堆積すると、樹脂により保護されていない下部閉
じ込め層４３及び上部閉じ込め層４４は、薬品侵食によ
りエツチングされ、活性ストリップ及び溝４６の先の上
部閉じ込め層４４及び下部閉じ込め層４３の一部分を得
る。この場合に適用したエツチングは、ＩｎＰに続いて
４元化合物を選択的にエツチングするものである。次い
で、第４Ｃ図に示すように、残りの上部閉じ込め層４４
を樹脂層４７により覆い、下部閉じ込め層４３、上部閉
じ込め層４４の他方の側面上で当該ストリ選択的にエツ
チングして半絶縁基板４０を露出させる。次いで、第４
Ｄ図に示すように、エピタクシによりデバイス全体に、
以下のもの即ち上部閉じ込め層４４と同一の材料からな
る層４８（例えばＰ型のＩｎＰ ） 、及びＰ型のＧａ
ＩｎＡｓのような三元化合物からなるコンタクト層４９
を堆積する。第４Ｅ図に示すように、プラチナ及び金の
金属層５０をこのコンタクト層４９上に堆積する。次い
で、他方の側面、即ち、第４Ｅ図の左側面上に、まず金
属層５０及びコンタクト層４９のエツチングをし、次い
で選択的な化学エツチングにより層４８、上部閉じ込め
層４４及び下部閉じ込め層４３をエツチングして下部閉
じ込め層４２を露出させる。この場合に、活性ストリッ
プを形成しない下部閉込め層４３のサブ・エツチングを
行なう。次いで、第４Ｅ図に示すように、下部閉じ込め
層４２上に抵抗コンタクト、例えばＮ型のコンタクト５
１を堆積させる。実際には、４元化合物からなる下部閉
込め層４３のサブエツチングを用いる方法は、ＰＮ同質
接合の幅がエピタクシの再開前に行なったエツチングの
幅により定められるので、アライメントを以前程重要と
しない構造が可能となる。この幅は１μｍより小さくて
もよい。
じ込め層４３及び上部閉じ込め層４４は、薬品侵食によ
りエツチングされ、活性ストリップ及び溝４６の先の上
部閉じ込め層４４及び下部閉じ込め層４３の一部分を得
る。この場合に適用したエツチングは、ＩｎＰに続いて
４元化合物を選択的にエツチングするものである。次い
で、第４Ｃ図に示すように、残りの上部閉じ込め層４４
を樹脂層４７により覆い、下部閉じ込め層４３、上部閉
じ込め層４４の他方の側面上で当該ストリ選択的にエツ
チングして半絶縁基板４０を露出させる。次いで、第４
Ｄ図に示すように、エピタクシによりデバイス全体に、
以下のもの即ち上部閉じ込め層４４と同一の材料からな
る層４８（例えばＰ型のＩｎＰ ） 、及びＰ型のＧａ
ＩｎＡｓのような三元化合物からなるコンタクト層４９
を堆積する。第４Ｅ図に示すように、プラチナ及び金の
金属層５０をこのコンタクト層４９上に堆積する。次い
で、他方の側面、即ち、第４Ｅ図の左側面上に、まず金
属層５０及びコンタクト層４９のエツチングをし、次い
で選択的な化学エツチングにより層４８、上部閉じ込め
層４４及び下部閉じ込め層４３をエツチングして下部閉
じ込め層４２を露出させる。この場合に、活性ストリッ
プを形成しない下部閉込め層４３のサブ・エツチングを
行なう。次いで、第４Ｅ図に示すように、下部閉じ込め
層４２上に抵抗コンタクト、例えばＮ型のコンタクト５
１を堆積させる。実際には、４元化合物からなる下部閉
込め層４３のサブエツチングを用いる方法は、ＰＮ同質
接合の幅がエピタクシの再開前に行なったエツチングの
幅により定められるので、アライメントを以前程重要と
しない構造が可能となる。この幅は１μｍより小さくて
もよい。
ここで、第５図を参照して、半絶縁基板上に埋込みスト
リップ・レーザな形成する他の方法を説明する。この場
合では第３図を参照して説明したものと同一の方法が適
用される。第２のエピタクシ処理中に、Ｐ型のＩｎＰの
層を堆積する代りに、半絶縁層、即ち図示の実施例にお
いて鉄によりドープされたＩｎＰの層を堆積する。次い
で、活性ストリップを形成している活性層６３、上部閉
じ込め層６４の上端に、Ｐ型の拡散、例えば拡散マスク
により亜鉛を拡散する。この拡散は活性層６３上に位置
する上部閉じ込め層６４のレベルまで、第１のエピタク
シ中に行なわれる。この場合に、ＰＮ同質接合は除去さ
れる。漏洩現在又は浮遊容量はもはや存在しない。同様
にして、活性ストリップの両側面及び精度アライメント
上に位置するエツチングの寸法はそれほど重要なもので
はなくなる。従って、第１図及び第３図の方法により、
この層の使用が可能となる。従って、このようにしてレ
ーザは、半絶縁基板６０、薬品侵食障壁層６１、半絶縁
基板６０の一方の側面に伸延する下部閉じ込め層６２、
活性層６３、半絶縁基板６０の他方の側面に伸延し、か
つコンタクト層６７を有する活性ストリップを覆う半絶
縁材料６５の層、不純物拡散領域６６及び下部閉じ込め
層６２上に堆積されたコンタクｌ−６８により形成、さ
れる。
リップ・レーザな形成する他の方法を説明する。この場
合では第３図を参照して説明したものと同一の方法が適
用される。第２のエピタクシ処理中に、Ｐ型のＩｎＰの
層を堆積する代りに、半絶縁層、即ち図示の実施例にお
いて鉄によりドープされたＩｎＰの層を堆積する。次い
で、活性ストリップを形成している活性層６３、上部閉
じ込め層６４の上端に、Ｐ型の拡散、例えば拡散マスク
により亜鉛を拡散する。この拡散は活性層６３上に位置
する上部閉じ込め層６４のレベルまで、第１のエピタク
シ中に行なわれる。この場合に、ＰＮ同質接合は除去さ
れる。漏洩現在又は浮遊容量はもはや存在しない。同様
にして、活性ストリップの両側面及び精度アライメント
上に位置するエツチングの寸法はそれほど重要なもので
はなくなる。従って、第１図及び第３図の方法により、
この層の使用が可能となる。従って、このようにしてレ
ーザは、半絶縁基板６０、薬品侵食障壁層６１、半絶縁
基板６０の一方の側面に伸延する下部閉じ込め層６２、
活性層６３、半絶縁基板６０の他方の側面に伸延し、か
つコンタクト層６７を有する活性ストリップを覆う半絶
縁材料６５の層、不純物拡散領域６６及び下部閉じ込め
層６２上に堆積されたコンタクｌ−６８により形成、さ
れる。
拡散を適用することにより、同一の半絶縁基板上に埋込
ストリップ型のいくつかの光電子デバイスを集積するこ
とが容易となる。独立した制御により２つのレーザを集
積する方法の一実施例を第６図に示す。このデバイスは
、第５図の方法を適用することにより形成される。従っ
て、同一の要素は同一の参照番号を有する。第５図の方
法を適用することにより、Ｐ型のＩｎＰからなる上部閉
じ込め層６４．６４°によってそれぞれ覆われた２つの
活性層６３．６３゛が公知の方法で形成される。この領
域上には、半絶縁材料６５を堆積し、かつエツチングし
た後、２つの不純物拡散領域６６°及び６６を前記デバ
イスの長さにわたって形成する。これらの拡散をコンタ
クト層６７．６７°により覆う。コンタクト層６７とコ
ンタクト／ｉｉ！６７’ との間の接触を防止するため
に、誘電体Ｍ６９をコンタクトＭ６７の一部分上に堆積
する。同一方法を用いて他の光電子デバイスを集積する
ことができることは、当該技術分野に習熟する者に明ら
かなことである。
ストリップ型のいくつかの光電子デバイスを集積するこ
とが容易となる。独立した制御により２つのレーザを集
積する方法の一実施例を第６図に示す。このデバイスは
、第５図の方法を適用することにより形成される。従っ
て、同一の要素は同一の参照番号を有する。第５図の方
法を適用することにより、Ｐ型のＩｎＰからなる上部閉
じ込め層６４．６４°によってそれぞれ覆われた２つの
活性層６３．６３゛が公知の方法で形成される。この領
域上には、半絶縁材料６５を堆積し、かつエツチングし
た後、２つの不純物拡散領域６６°及び６６を前記デバ
イスの長さにわたって形成する。これらの拡散をコンタ
クト層６７．６７°により覆う。コンタクト層６７とコ
ンタクト／ｉｉ！６７’ との間の接触を防止するため
に、誘電体Ｍ６９をコンタクトＭ６７の一部分上に堆積
する。同一方法を用いて他の光電子デバイスを集積する
ことができることは、当該技術分野に習熟する者に明ら
かなことである。
第１Ａ図〜第１Ｇ図はこの発明による第１の製造方法に
より光電子デバイスを形成する異なったステップを示す
図、 第２図はこの発明による第１の製造方法により得た光電
子デバイスの斜視図、 第３Ａ図〜第３Ｅ図はこの発明による他の製造方法の光
電子デバイスを形成する他のステップを示す図、 第４Ａ図〜第４Ｅ図はこの発明による更に他の製造方法
の光電子デバイスを形成する他のステップを示す図、 第５図はこの発明による他の実施例により得た光電子デ
バイスの断面図を表わす図、 第６図はこの発明による光電子デバイスの斜視図である
。 １．２０，４０．６０・・・半絶縁基板、２．２２．２
７．４２．４３，６２．６４・令・下部閉じ込め層、３
．２５．３０，３１．６３・・・活性層、４．５．７．
２６．４４．４６，６４．６４° ・・・上部閉じ込め
層、５．４５゛・・・樹脂ストリップ、８．３２．４９
．６７．６７ ・・・コンタクト層、２０・・・半絶
縁基板、 ２１．２３．４１．６１・・・薬品侵食障壁層、６５・
・・半絶縁材料、 ６６．６６゛ ・・・不純物拡散領域、５１．６８・
・・コンタクト。
より光電子デバイスを形成する異なったステップを示す
図、 第２図はこの発明による第１の製造方法により得た光電
子デバイスの斜視図、 第３Ａ図〜第３Ｅ図はこの発明による他の製造方法の光
電子デバイスを形成する他のステップを示す図、 第４Ａ図〜第４Ｅ図はこの発明による更に他の製造方法
の光電子デバイスを形成する他のステップを示す図、 第５図はこの発明による他の実施例により得た光電子デ
バイスの断面図を表わす図、 第６図はこの発明による光電子デバイスの斜視図である
。 １．２０，４０．６０・・・半絶縁基板、２．２２．２
７．４２．４３，６２．６４・令・下部閉じ込め層、３
．２５．３０，３１．６３・・・活性層、４．５．７．
２６．４４．４６，６４．６４° ・・・上部閉じ込め
層、５．４５゛・・・樹脂ストリップ、８．３２．４９
．６７．６７ ・・・コンタクト層、２０・・・半絶
縁基板、 ２１．２３．４１．６１・・・薬品侵食障壁層、６５・
・・半絶縁材料、 ６６．６６゛ ・・・不純物拡散領域、５１．６８・
・・コンタクト。
Claims (22)
- （１）互いに積み重ねられ、少なくとも −半絶縁基板からなる一つの基板と、 −第１型式の導電率を有する一つの下部閉じ込め層と、 −ストリップ状の少なくとも一つの活性層と、−第２型
式の導電率を有する上部閉じ込め層とを備えた型式の半
絶縁基板上の光電子デバイスにおいて、 前記下部閉じ込め層は前記活性層の下を通過して前記半
絶縁基板の一方の側面を覆うと共に、前記活性層に対し
てほぼ垂直なストップに到達し、前記上部閉じ込め層は
前記活性層の上を通過して前記半絶縁基板の他方の側面
を覆うと共に、前記活性層に対してほぼ垂直なストップ
に到達することを特徴とする光電子デバイス。 - （２）請求項１記載の光電子デバイスにおいて、前記下
部閉じ込め層は第１の薬品侵食障壁層、固有の閉じ込め
層、第２の薬品侵食障壁層、及び前記閉じ込め層の材料
と同一の材料からなる層の重畳によって形成されている
ことを特徴とする光電子デバイス。 - （３）請求項１記載の光電子デバイスにおいて、前記下
部閉じ込め層は薬品侵食障壁層及び固有の閉じ込め層の
重畳により形成されていることを特徴とする光電子デバ
イス。 - （４）請求項２記載の光電子デバイスにおいて、前記薬
品侵食障壁層はＮ＾＋にドーピングした半導体材料から
形成されていることを特徴とする光電子デバイス。 - （５）請求項１記載の光電子デバイスにおいて、前記薬
品侵食障壁層はＮ型にドーピングした半導体材料から形
成され、 前記上部閉じ込め層はＰ型にドーピングした半導体材料
から形成されて いることを特徴とする光電子デバイス。 - （６）請求項１記載の光電子デバイスにおいて、前記下
部閉じ込め層はＰ型にドーピングした半導体材料からな
り、前記上部閉じ込め層はＮ型にドーピングした半導体
材料から形成されて いることを特徴とする光電子デバイス。 - （７）請求項１記載の光電子デバイスにおいて、前記上
部閉じ込め層は前記活性層上の前記下部閉じ込め層のド
ーピングに従ってＰ型又はＮ型にドーピングした領域を
、拡散により形成した半絶縁基板からなることを特徴と
する光電子デバイス。 - （８）請求項１記載の光電子デバイスにおいて、前記活
性層は半導体材料からなることを特徴とする光電子デバ
イス。 - （９）請求項４から８までのいずれか一つに記載の光電
子デバイスにおいて、前記半導体材料は元素周期律によ
る分類のIII族又はＶ族の化合物であることを特徴とす
る光電子デバイス。 - （１０）請求項９記載の光電子デバイスにおいて、前記
下部閉じ込め層及び前記下部閉じ込め層は二元化合物で
あることを特徴とする光電子デバイス。 - （１１）請求項９記載の光電子デバイスにおいて、前記
薬品侵食障壁層は４元化合物又は三元化合物であること
を特徴とする光電子デバイス。 - （１２）請求項９記載の光電子デバイスにおいて、前記
活性層は４元化合物又は三元化合物であることを特徴と
する光電子デバイス。 - （１３）請求項１及び７記載の光電子デバイスにおいて
、前記半絶縁材料は、元素周期律による分類のIII族又
はＶ族の二元化合物であり、鉄及びコバルトのような不
純物によりドーピングされていることを特徴とする光電
子デバイス。 - （１４）請求項１記載の光電子デバイスにおいて、前記
活性層はガイド層により覆われている活性層により形成
され、前記ガイド層は分散したネットワーク状に形成さ
れていることを特徴とする光電子デバイス。 - （１５）請求項１記載の光電子デバイスにおいて、前記
活性層は異なる複数のギャップを有する材料層の積み重
ね荷より形成されていることを特徴とする光電子デバイ
ス。 - （１６）請求項１、５、６のうちのいずれか一つによる
光電子デバイスの製造方法において、 −半絶縁材料からなる基板上に、第１導電型を有する下
部閉じ込め層と、少なくとも一つの活性層と、第２導電
型を有する上部閉じ込め層とを形成する第１の形成ステ
ップと、 −前記上部閉じ込め層及び前記活性層をエッチングして
少なくとも一つの与えられた幅のストリップを形成する
ステップと、 −前記基板の一方の側面上で前記ストリップに対して垂
直に、前記下部閉じ込め層をエッチングするステップと
、 −前記基板の全面上にあり、かつ前記上部閉じ込め層の
材料と同一の材料からなる層を形成すると共に、コンタ
クト層を形成する第２の形成ステップと、 −前記コンタクト層を金属化するステップと、−前記基
板の他方の側面にあり、かつ前記ストリップに対してほ
ぼ垂直に、前記コンタクト層、及び前記上部閉じ込め層
をエッチングして、前記活性層により覆われていない前
記下部閉じ込め層を露出させるステップと、 −前記下部閉じ込め層上に金属コンタクトを形成するス
テップと を備えていることを特徴とする光電子デバイスの製造方
法。 - （１７）請求項２、請求項４から請求項８、及び請求項
８から請求項１５までのいずれか一つに記載の光電子デ
バイスの製造方法において、 −半絶縁基板からなる基板上に、第１の薬品侵食障壁層
、第１導電型を有する下部閉し込め層、第２の薬品侵食
障壁層、前記下部閉じ込め層の材料と同一の材料からな
る層、活性層、及び第２導電型を有する上部閉じ込め層
を形成する第１の形成ステップと、 −前記上部閉じ込め層及び前記活性層をエッチングして
少なくとも一つの定められた幅のストリップを形成する
ステップと、 前記基板の一方の側面上、かつ前記ストリップに垂直に
、下部閉じ込め層の材料と同一の材料からなる層、前記
第２の薬品侵食障壁層の材料、前記下部閉じ込め層及び
前記第１の薬品侵食障壁層を、一連の選択的な薬品侵食
を用いることによってエッチングするステップと、 −前記基板の全面上に前記上部閉じ込め層の材料と同一
の材料からなる層を形成すると共に、コンタクト層を形
成する第２の作成ステップと、−前記コンタクト層を金
属化するステップと、−前記基板の他方の側面上、かつ
前記ストリップに対して垂直に、前記コンタクト層、及
び前記上部閉じ込め層の材料と同一の材料からなる前記
層をエッチングして、金属化された前記コンタクト層を
イオンによる加工により、及び前記他の層に対して一連
の選択的な薬品侵食によりエッチングして前記活性層に
より覆われていない前記下部閉じ込め層を露出させるス
テップと、 −前記下部閉じ込め層上に金属コンタクトを形成するス
テップと を備えていることを特徴とする光電子デバイスの製造方
法。 - （１８）請求項３から請求項６、及び請求項８から請求
項１５まてのいずれか一つに請求項記載の光電子デバイ
スの製造方法において、 −半絶縁基板からなる基板上に、薬品侵食障壁層、第１
導電型を有する下部閉じ込め層、少なくとも一つの活性
層、及び第２導電型を有する上部閉じ込め層を形成する
第１のステップと、 −前記上部閉じ込め層及び活性層をエッチングして少な
くとも一つの定められた幅のストリップを形成すると共
に、前記ストリップの一方の側面上に２つの層を保持す
るステップと、 −前記基板の他方の側面上、かつ前記ストリップに対し
て垂直に、前記上部閉じ込め層、及び前記薬品侵食障壁
層を、一連の選択的な薬品侵食を用いることによってエ
ッチングするステップと、一前記基板の全面上に、前記
上部閉じ込め層の材料と同一の材料からなる層を形成す
ると共に、コンタクト層を形成するステップと、 −前記コンタクト層を金属化するステップと、−前記他
方の側面の前記活性ストリップをエッチングして前記下
部閉じ込め層を露出させるステップと、 −前記下部閉じ込め層上の金属コンタクトを形成するス
テップと を備えていることを特徴とする光電子デバイスの製造方
法。 - （１９）請求項１８記載の光電子デバイスの製造方法に
おいて、 前記下部閉じ込め層を露出させるエッチングは金属化さ
れた前記コンタクト層をイオンによる加工によってエッ
チングすることと、前記上部閉じ込め層の選択的な薬品
侵食と、前記ストリップを形成していない前記活性層の
選択的な薬品侵食とにより形成されることを特徴とする
光電子デバイスの製造方法。 - （２０）請求項１６記載の光電子デバイスの製造方法に
おいて、 前記第２の形成ステップは、半絶縁材料上に層を堆積す
ること、次いで前記ストリップ上の当該層に第２導電型
を有する不純物を拡散させること、及び得られた層上に
前記コンタクト層を堆積することからなることを特徴と
する光電子デバイスの製造方法。 - （２１）請求項１６記載の光電子デバイスの製造方法に
おいて、 複数の前記層を形成する第１及び第２の形成ステップは
エピタクシ方法を用いることを特徴とする光電子デバイ
スの製造方法。 - （２２）請求項２１記載の光電子デバイスの製造方法に
おいて、 エピタクシ方法は化学的な蒸着又は分子ビーム・エピタ
クシ方法であることを特徴とする光電子デバイスの製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8907454A FR2647967B1 (fr) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | Dispositif optoelectronique sur substrat semi-isolant et procede de realisation d'un tel dispositif |
| FR8907454 | 1989-06-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330391A true JPH0330391A (ja) | 1991-02-08 |
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ID=9382413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2146401A Pending JPH0330391A (ja) | 1989-06-06 | 1990-06-06 | 半絶縁基板上の光電子デバイス及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5115283A (ja) |
| EP (1) | EP0402189B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0330391A (ja) |
| DE (1) | DE69004491T2 (ja) |
| FR (1) | FR2647967B1 (ja) |
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| JP2001210811A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-08-03 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
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1989
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-
1990
- 1990-05-15 DE DE90401284T patent/DE69004491T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-15 EP EP90401284A patent/EP0402189B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-30 US US07/530,607 patent/US5115283A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-06 JP JP2146401A patent/JPH0330391A/ja active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5115283A (en) | 1992-05-19 |
| EP0402189B1 (fr) | 1993-11-10 |
| EP0402189A1 (fr) | 1990-12-12 |
| FR2647967A1 (fr) | 1990-12-07 |
| DE69004491D1 (de) | 1993-12-16 |
| DE69004491T2 (de) | 1994-03-10 |
| FR2647967B1 (fr) | 1991-08-16 |
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