KR880009424A - 레이저 다이오우드 어레이 제조방법 - Google Patents
레이저 다이오우드 어레이 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR880009424A KR880009424A KR870000346A KR870000346A KR880009424A KR 880009424 A KR880009424 A KR 880009424A KR 870000346 A KR870000346 A KR 870000346A KR 870000346 A KR870000346 A KR 870000346A KR 880009424 A KR880009424 A KR 880009424A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etching
- insulating film
- laser diode
- layer
- type
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 (A)도는 본 발명의 LD 어레이 단면도.
제 2 (B)도는 본 발명의 LD 어레이소자의 상세도.
제 3 (A)-(E)도는 LD 어레이 제조공정을 구체화한 공정 개략도.
Claims (2)
- 레이저 다이오우드 어레이의 제조방법에 있어서, GaAs 반도체기판(1) 전면표면에 P형 AlGaAs층 (12), n형 AlGaAs층(13) 과 n형 GaAs층(14)을 차례로 에피택셜 성장시키는 제 1 공정과, 각 레이저 다이오우드 소자를 분리시키기 위해 에피택셜층을 에칭하는 제 2 공정과, 상기 제 2 공정에서 표면안정화를 위한 절연막 (15)을 전표면에 성장시키는 제 3 공정과, 상기 제 1 공정의 활성층 상부에 스트라이프형의 오믹전극 (16)을 형성하기 위해 스트라이프형으로 절연막을 에칭하고 금속(16)과 활성층(14)을 오믹접촉시키는 제 4 공정과, 상기 제 4 공정의 오믹전극(16) 상부에 n형 전극(17)을 형성하고 GaAs 반도체기판(11)의 후면에 P형 전극(18)을 증착시키는 제 5 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 레이저 다이오우드 어레이 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 제 4 공정이 절연막 상부전면에 포토레지스트를 도포하는 제 1 공정과, 스트라이프형 오믹전극 형성부위(16)를 노광하고 현상하는 제 2 공정과, 노출된 절연막을 에칭하는 제 3 공정과, 상기 공정후에 크롬과 금을 차례로 증착시키는 제 4 공정과, 아세톤으로 남아있는 포토레지스트를 제거하는 제 5 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 레이저 다이오우드 어레이 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870000346A KR880009424A (ko) | 1987-01-17 | 1987-01-17 | 레이저 다이오우드 어레이 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870000346A KR880009424A (ko) | 1987-01-17 | 1987-01-17 | 레이저 다이오우드 어레이 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880009424A true KR880009424A (ko) | 1988-09-15 |
Family
ID=68392373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR870000346A KR880009424A (ko) | 1987-01-17 | 1987-01-17 | 레이저 다이오우드 어레이 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR880009424A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428253B1 (ko) * | 2001-10-11 | 2004-04-28 | (주)옵토웨이 | 표면 방출형 반도체 레이저 어레이 및 그의 제조방법 |
-
1987
- 1987-01-17 KR KR870000346A patent/KR880009424A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428253B1 (ko) * | 2001-10-11 | 2004-04-28 | (주)옵토웨이 | 표면 방출형 반도체 레이저 어레이 및 그의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR980006653A (ko) | 레이저 다이오드 제조방법 | |
| KR880009424A (ko) | 레이저 다이오우드 어레이 제조방법 | |
| KR960003001A (ko) | 수직 공동 표면 방출 레이저(vcsel) 및 수직 공동 표면 방출 레이저(vcsel)용 패턴화 미러의 제조 방법 | |
| JPS62128586A (ja) | 光電子集積回路の製造方法 | |
| KR890004446A (ko) | 선택적 에피택셜 성장을 이용한 광소자 어레이의 제조방법 | |
| KR880008479A (ko) | 반도체레이저장치의 제조방법 | |
| JPS59202676A (ja) | プレ−ナ型発光素子 | |
| KR960019881A (ko) | 반도체 레이저 제조방법 | |
| KR960026252A (ko) | 오믹전극을 가지는 반도체장치와 제법 | |
| JPH04504187A (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR920013831A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPS6459981A (en) | Manufacture of semiconductor laser | |
| JPS57172790A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS57136385A (en) | Manufacture of semiconductor laser | |
| JPS622479B2 (ko) | ||
| KR940012726A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 | |
| KR890011151A (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| GB2038079A (en) | A semiconductor laser | |
| KR960006170A (ko) | 반도체 레이저 및 그 제조방법 | |
| JPS6453489A (en) | Planar electrode type semiconductor element | |
| KR930005305A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR960002977A (ko) | 반도체 레이저다이오드의 제조방법 | |
| JPH02253683A (ja) | ＡｌＧａＡｓレーザ | |
| JPS6476782A (en) | Semiconductor light-emitting diode | |
| KR950012852A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |