KR980006653A - 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 원은 레이저 다이오드의 제조방법이 개시된다. 개시된 본 발명은, 고농도 도핑된 화합물 기판상에 적절히 도핑된 버퍼층, 불순물이 도핑되지 않은 활성층 및 캐리어를 구속시키는 기판과 반대 타입의 불순물이 적절히 도핑된 클래드층과 저항성 접촉을 위한 콘택층을 포함하는 화합물 반도체 기판을 제공하는 단계; 화합물 반도체 기판의 고농도 도핑된 콘택층과 클래드층의 일부분을 역 메사 형태가 되도록 식각하는 단계; 결과물 상부에 보호막을 형성하는 단계; 오믹 금속 패턴 예정 영역에 형성된 보호막을 제거하는 단계; 보호막이 제거된 부위에 오믹 금속 패턴을 형성하는 단계; 전체구조물 전면에 전류 통로용 금속막을 고르게 증착하는 단계; 전류 통로용 금속막 상부에 패드 금속막을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

레이저 다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2g도는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 제조방법을 공정 순서별로 나타낸 단면도.

Claims (7)

  1. 고농도 도핑된 화합물 기판상에 적절히 도핑된 버퍼층, 불순물이 도핑되지 않은 활성층 및 캐리어를 구속시키는 기판과 반대 타입의 불순물이 적절히 도핑된 클래드층과 저항성 접촉을 위한 콘택층을 포함하는 화합물 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 화합물 반도체 기판의 고농도 도핑된 콘택층과 클래드층의 일부분을 역메사 형태가 되도록 식각하는 단계; 결과물 상부에 보호막을 형성하는 단계; 오믹 금속 패턴 예정 영역에 형성된 보호막을 제거하는 단계; 상기 보호막이 제거된 부위에 오믹 금속 패턴을 형성하는 단계; 전체 구조물 전면에 전류 통로용 금속막을 고르게 증착하는 단계; 상기 전류 통로용 금속막 상부에 패드 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전류 통로용 금속막은 일렉트론 빔 증착기에 의하여 증착 방향을 달리하여 이중으로 증착하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전류 통로용 금속막은 일렉트론 빔 증착기에 의하여 증착 방향을 우로 하고, 역메사 구조물 상단 및 우측벽에 제1 전류 통로용 금속막을 증착하는 단계; 상기 결과물에 일렉트론 빔 증착기에 의하여 증착 방향을 좌로 하여, 역메사 구조물 상단 및 좌측벽에 제2 전류 통로용 금속막을 증착하는 단계로 증착되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전류 통로용 금속막은 열증착기에 의하여 결과물 표면에 고르게 증착되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 전류 통로용 금속막은 Ti-Au의 적층막인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 오믹 금속 패턴 예정 영역에 형성된 보호막을 제거하는 단계는, 보호막이 형성된 결과물 상단에 포토레지스트막을 도포하는 단계; 상기 포토레지스트막을 오믹 금속 패턴 예정 영역상의 보호막이 노출되도록 노광 및 현상하는 단계; 상기 노출된 보호막을 제거하는 단계; 및 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 고농도 도핑된 화합물 기판은, n+형 InP 기판이고, 상기 적절히 도핑된 버퍼층은 N형 InP층이고, 상기 불순물이 도핑되지 않은 활성층은 U- InGaAsP 층이고, 상기 도핑된 클래드층은 P형 InP층이고, 상기 고농도 도핑된 콘택층은 P+형 InGaAs층 인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
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