JP3242963B2 - レーザダイオード・導波路モノリシック集積デバイス - Google Patents

レーザダイオード・導波路モノリシック集積デバイス

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    • H01S5/227Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2275Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はレーザダイオード・導
波路モノリシック集積デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】レーザダイオードとこれに結合された受
動導波路とのモノリシック集積デバイスは従来導電性基
板上だけに加工されている。その際給電のために用いら
れる電極は基板の下面上に被覆されている。「エレクト
ロニクス レターズ(Electronics Letters )」第26
巻、第933〜934ページ(1990年)には、平ら
な表面を備える半絶縁性基板上のレーザダイオードが記
載されている。この場合には帯状の活性層が、デバイス
の表面からp形に拡散された領域を介して接触されp形
にドープされた層と、n形にドープされた半導体材料を
介して側面から電流を送り込むことができるn形にドー
プされた層との間に配置されている。この側面のn形に
ドープされた半導体材料は平らなデバイスの表面上で活
性帯の側面に接触させられる。
【0003】「エレクトロニクス レターズ(Electron
ics Letters )」第26巻、第458〜459ページ
(1990年)には半絶縁性基板上のレーザダイオード
が記載され、この場合には活性帯がn形にドープされた
InP層上に縁に沿って延びている。この活性帯の側面
にはn形電極がこのInP層上に設けられている。活性
帯の上方にかつInP層により覆われていない表面上に
は、p形にドープされた接触層がこの上に設けられたp
形電極と共に成長させられている。
【0004】「アイイーイー会報(IEE Proceedings
)」第137巻、第39〜42ページ(1990年)
には半絶縁性基板上のレーザダイオードが記載され、こ
の場合には活性帯がInPから成りn形にドープされた
層上に設けられ、活性帯は上から及び側面からp形にド
ープされたInP層中に埋め込まれている。その上には
強くp形にドープされた接触層が、またその上にはp形
電極が設けられる。下側のn形にドープされたInP層
は側面にn形電極を備える。類似の構造が「アイイーイ
ー会報(IEE Proceedings )」第136巻、第76〜8
2ページ(1989年)に記載されている。
【0005】「エレクトロニクス レターズ(Electron
ics Letters )」第24巻、第467〜468ページ
(1988年)及び「ジャーナル オブ ライトウエー
ブ テクノロジー(Journal of Lightwave Technology
)」第LT−4巻、第908〜912ページ(198
6年)には、半絶縁性基板上に集積された電界効果トラ
ンジスタを備えるレーザダイオードが記載されている。
【0006】「アイイーイー会報(IEE Proceedings
)」第137巻、第69〜73ページ(1990年)
には同調可能なDFBレーザが記載され、この場合には
活性層及び同調層が垂直に配置され、両層への給電は両
層の間に設けられた中央の層及び側面に存在する半導体
材料を介して行われる。電極は側面の半導体材料上の3
層の帯状層上と、帯状の活性領域の上方の組成の異なる
接触層上と、導電性基板の下面上とに配置されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、半
絶縁性基板上のレーザダイオード・導波路モノリシック
集積デバイスを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】この課題は、受動導波路
層がレーザダイオードの帯状活性層と結合され、この活
性層の基板と反対側には第1の導電形にドープされ中央
の接触層を上に被覆された帯状の上側クラッド層が設け
られ、活性層の基板に向かう側には逆の第2の導電形に
ドープされ基板の主面に平行な二つの主面と二つの長側
面と二つの短側面とにより画成された帯状の中間層が設
けられ、下側クラッド層が設けられ、下側クラッド層は
レーザダイオードの領域では中間層の両長側面に隣接し
かつ中間層の少なくとも一方の側で第2の導電形にドー
プされ、下側クラッド層上には横の接触層が被覆され、
中央の接触層上には中央の電極が被覆され、側面の接触
層上には側面の電極が被覆されることを特徴とするレー
ザダイオード・導波路モノリシック集積デバイスにより
解決される。
【0009】
【作用効果】この発明に基づき半絶縁性基板上のレーザ
ダイオードを備えた導波路の集積は、レーザダイオード
の活性領域が電極への電気的接続をデバイスの表面上に
形成しドープされたクラッド層により両側を囲まれるこ
とにより行われる。逆の導電形にドープされた半導体材
料がリッジの形の上側クラッド層として活性層の上方に
かつこれに沿って設けられる。上側クラッド層により形
成されるこのリッジの脚部は活性層より大して幅広くな
い。リッジ上には別の電極の金属化層が被覆され、幅の
狭い帯を経てボンド面へ導かれる。このボンド面は受動
部すなわち光導波路が設けられている個所上に配置され
ている。この発明に基づく構造の特に有利な実施態様に
よれば、レーザダイオード中でのレーザ光の光学的フィ
ードバックが分布帰還形格子により行われる。この分布
帰還形格子は活性層の上方又は下方に設けることができ
る。この発明に基づくレーザダイオード・導波路集積デ
バイスはすべての公知のエピタキシー法により加工でき
る。従来の気相法すなわち有機金属気相エピタキシー又
はガスソース分子線エピタキシーが特に適している。
【0010】
【実施例】次にこの発明に基づくレーザダイオード・導
波路モノリシック集積デバイスの複数の実施例の加工段
階を示す図面により、この発明を詳細に説明する。
【0011】図1は、基板1上にバッファ層2並びにそ
の上に帯状に重なり合って配置された導波路層3、中間
層4、活性層5、格子層6及びその上に設けられた上側
クラッド層7のリッジを示し、上側クラッド層7上には
中央の電極9を備える中央の接触層8が被覆されてい
る。この中央の電極9は側面でボンド面13と電気的に
結合されている。活性層5を含む帯の側面には下側クラ
ッド層10がバッファ層2上に被覆されている。下側ク
ラッド層10上にはその上に設けられた電極12を備え
る接触層11が側面に設けられている。上側クラッド層
7及び下側クラッド層10の材料は相互に逆性にドープ
されている。能動領域Aには導波路を備える受動領域P
が続く。この受動領域P中では上側クラッド層7が中央
のリッジの側面にも成長させられている。下側クラッド
層10は受動領域P中で帯状導波路(図1の導波路層3
の延長部)の上にも設けられている。
【0012】次に図1では完全には見えない構造を埋め
込みヘテロ接合形導波路層の例に対して工程図により説
明する。図2は長手方向断面で半絶縁性基板1、その上
に成長させられ省略することもできるバッファ層20、
その上に成長させられた中間層40、活性層50及び保
護層51を示す。バッファ層20又は基板1の成長表面
と次の導波路層30との間の境界には能動領域に格子1
4が設けられる。基板1は例えばInP:Feとし、バッファ
層20はInP とすることができる。バッファ層20はド
ープされないか又は例えばn形にドープすることができ
る。格子は局部的に制限して加工しなければならない。
なぜならば格子はレーザダイオードの活性領域において
だけ必要であり、もし受動領域にあれば放射損失を招く
からである。導波路層30はドープされないか又は例え
ばn- にドープされて例えば1.3μmの波長のInGaAs
P である。中間層40は例えばn+ 形にドープされて例
えばInP:Snである。活性層50はドープされず例えば波
長1.55μmのInGaAsPである。保護層51は例えば
p形にドープされInP:Znである。
【0013】図3に示す別の構成によれば、格子15が
活性層50の上に配置される。格子層60としての一番
上の層は図2の保護層51より大きい屈折率を有する材
料から成る。この格子層60は例えば波長1.15μm
のInGaAsP とすることができる。この格子層60中には
分布帰還形格子が全面にエッチング加工されている。以
下では引き続いての加工段階及び構造変形例を上に配置
された格子を備える図3によるこの変形例に対して説明
する。なぜならばこの変形例は製造技術的に比較的簡単
な課題の解決策だからである。
【0014】次に受動領域で導波路層30が露出させら
れ、このことは従来のホトリソグラフィ及び選択性ウエ
ットエッチングにより行うことができる。その際導波路
層30はエッチング中止層として働く。能動領域中の埋
め込みヘテロ接合形リッジが図4に横断面図で示されて
いる。加工の際に帯状のマスク16(例えばSiO2)が格
子層60の表面上に被覆される。このマスク16は下に
向かってバッファ層2までの又はバッファ層の無い場合
には基板1までの層配列のエッチングのために用いられ
る。続いてこのマスク16は受動領域で除去される。格
子層6中の格子上にはマスクが差し当たり存在したまま
である。
【0015】次のエピタキシー段階ではレーザリッジの
側面が下側クラッド層10(例えばn形にドープされた
InP:Zn)により覆われる。この下側クラッド層は受動領
域では導波路層3上にも成長させられる。能動領域では
酸化物から成るマスク16が下側クラッド層10の半導
体材料による成長を阻止する。図5はこの下側クラッド
層10及び第1の接触層17(例えばn+ 形にドープさ
れたInGaAs:Si )の成長の後の層構造を示し、接触層1
7は後に被覆しようとする金属化層との接触を改善す
る。基板1上には側面を部分的にエッチング除去された
バッファ層2が存在し、またリッジには導波路層3、中
間層4、活性層5、格子層6及び酸化物から成る帯状の
マスク16が存在する。図5の切断線VI−VIによる長手
方向断面が図6に示されている。受動領域には導波路層
3上に直接下側クラッド層10が、またその上に第1の
接触層17が設けられている。図6の切断線VII −VII
による受動領域の横断面図が図7に示されている。基板
1上にはここでは側面を強くエッチング除去されたバッ
ファ層2が、またその上には導波路層3の中央のリッジ
が受動光導波路として示されている。下側クラッド層1
0は全面に設けられ、従ってこのリッジ上にも成長させ
られている。その上には第1の接触層17が設けられ
る。
【0016】第1の接触層17は続いて受動領域及びマ
スク16の両側の二つの狭い帯の中で除去される。その
後にマスク16が除去される。図8に示すように最後の
エピタキシー段階では(例えばp形にドープされたInP:
Znから成る)上側クラッド層18が全面に被覆される。
この上側クラッド層18はその屈折率において格子層6
と異なっていなければならない。なぜならば上側クラッ
ド層18は格子の上に成長し従って屈折率の周期的変化
に寄与するからである。上側クラッド層18上には第2
の接触層19(例えばp+ 形にドープされたInGaAs:Zn
)が被覆され、第2の接触層19はその上に被覆され
る金属化層の接触の改善に役立つ。この第2の接触層1
9は続いて受動領域で除去される。図8の切断線IX−IX
による長手方向断面は図9に示されている。上側クラッ
ド層18は能動領域では格子層6上にまた受動領域では
下側クラッド層10上に被覆されている。能動領域では
上側クラッド層18上に第2の接触層19が設けられ
る。
【0017】そして第2の接触層19が活性層5の帯の
上方で活性帯5より若干幅の広い帯となるようにパター
ン形成される。第2の接触層19のうちの残っている中
央の接触層8及びその側面が酸化物により覆われる。続
いてこの酸化物及び上側クラッド層18が選択法により
側面の接触層11上までエッチング除去される。その後
に活性層5の帯の上方には、側面の接触層11の部分の
間隙より若干幅が広くかつ上側クラッド層7上に被覆さ
れた中央の接触層8の帯より若干幅が広い上側クラッド
層7のリッジが残っている。
【0018】側面の接触層11が同様に帯形にエッチン
グされ、その際上側クラッド層7の側面の下方の接触層
部分がエッチング除去されるので、上側クラッド層7と
側面の接触層11の残っている部分との間には下側クラ
ッド層10の表面が幅の狭い帯の形で露出する。全表面
が誘電体21(絶縁性酸化物)により覆われ、誘電体2
1は中央の接触層8及び側面の接触層11の帯の上では
同様に除去される。続いて電極金属化層が蒸着され、電
極金属化層は最後のホトリソグラフィ段階で適当な形に
形成されるので、中央の電極9が中央の接触層8上に加
工され、また接触層8から電気的に絶縁されて側面の電
極12が側面の接触層11上に加工される。中央の電極
9はこの実施例ではp形電極であり、(2部分から成
る)側面の接触層11上の(2部分から成る)電極12
はn形電極である。図10はこの実施例の完成した能動
領域を通る横断面を示す。
【0019】次に埋め込まれたリッジ導波路を備える別
の実施例を説明する。この実施例は図2又は図3に示す
構造を出発点とする。しかし導波路層30はここではエ
ッチング中止層の機能を有するにすぎない。従って導波
路層30は前の実施例より薄くすることができる。受動
領域では層配列が導波路層30を含めて除去される。続
いてバッファ層20又はバッファ層が無い場合には基板
1の表面が露出されている受動領域では、ドープされて
いない導波路層22(例えば波長1.05μmのInGaAs
P )がエピタキシアル成長させられる。その際能動領域
はエピタキシアル成長をそこでは阻止する酸化物(Si
O2)により覆われている。導波路層22が成長させられ
た後に、導波路層22も酸化物により覆われ、酸化物が
全長にわたって細い帯となるようにパターン形成され
る。この酸化物帯は導波路のリッジのエッチングのため
のマスク16として働く。同時にこの帯は次の段階でエ
ッチングされるレーザリッジを画成する。図11は、マ
スク16と全面に及ぶ活性層50上の帯状にエッチング
された格子層6とを備えた能動領域の横断面図を示す。
切断線XII −XII による長手方向断面は図12に示され
ている。導波路層22が導波路3(エッチング中止
層)、中間層4、活性層5及び格子層6から成る層配列
に続く。受動領域の切断線XIII−XIIIによる横断面図が
図13に示されている。受動領域では導波路層22中に
マスク16によりリッジ(リッジ導波路)がエッチング
される。このリッジのエッチングの後にマスク16が受
動領域で除去される。受動領域では別のマスク23(酸
化物例えばAl2O3 )が被覆される。この別のマスク23
の材料は第1のマスク16の材料に対して選択的にエッ
チングできなければならない。別のマスク23はレーザ
リッジのエッチングの際に導波路リッジを保護する。当
該構造は図14及び図15に示されている。図14の切
断線XV−XVによる受動領域の横断面図が図15に、全面
に被覆された別のマスク23と共に示されている。図1
4の切断線IV−IVによる能動領域の横断面図は前の実施
例の図4に等しい。
【0020】別のマスク23が除去され、下側クラッド
層10及び第1の接触層17がエピタキシアル成長させ
られる。その際レーザリッジ上に残っているマスク16
がレーザリッジ上でのこの層のエピタキシアル成長を阻
止する。図16は第1の実施例の図6に相応する長手方
向断面を示す。切断線IV−IVによる能動領域の横断面図
はここでも第1の実施例の図4に等しい。切断線XVII−
XVIIによる受動領域の横断面図が図17に示されてい
る。図17では、内部にエッチング加工されたリッジを
備える導波路層22上に全面に、下側クラッド層10及
びその上に第1の接触層17が成長させられる。第1の
実施例におけるように、第1の接触層17が受動領域及
びマスク16の両側の幅の狭い帯の中で除去される。そ
の後マスク16が同様に除去される。上側クラッド層1
8及び第2の接触層19が全面に成長させられる。続い
てこれらの層が第1の実施例におけると同様に、上側ク
ラッド層7、中央の接触層8及び側面の接触層11が生
じるまでエッチバックされる。誘電体21、中央の電極
9及び側面の電極12が第1の実施例と同様に被覆され
る。能動領域は第1の実施例に比べて異なっていない
が、他方受動領域ではこの第2の実施例の場合に導波路
が導波路層3の延長としてではなくリッジ導波路として
導波路層22中に形成されている。
【0021】この発明に基づくレーザダイオード・導波
路集積デバイス中には、従来技術として最後に述べた文
献「アイイーイー会報(IEE Proceedings )」第137
巻、第69〜73ページに記載のTTG−DFBレーザ
ダイオードを組み込むこともできる。このレーザダイオ
ードは活性層の上又は下に電子的に制御可能な導波路を
有する。次にこの同調層が活性層の下に設けられ受動導
波路としてレーザ領域の外部にすなわち受動領域中に延
びるような実施例の加工を説明する。従ってこの実施例
の加工は多くの点で第1の実施例の加工に似ている。例
えば第2の実施例のリッジ導波路のような別の導波路形
を、同様にこのTTG−DFBレーザダイオードと共に
この発明に基づく集積デバイスとなるように集積するこ
ともできる。リッジ導波路の場合には加工法のために第
2の実施例に相応する変更を行うべきである。
【0022】次にTTG−DFBレーザダイオードと第
1の実施例の導波路との集積デバイスを別の実施例とし
て説明する。同調層への電流供給のために補助的なドー
ピングが必要である。このドーピングは残りの層配列の
成長前に、基板1上に成長させられたバッファ層又はバ
ッファ層20が成長させられていない場合には直接に基
板1の中へ行われるのが有利である。ドーピングの記号
は上側クラッド層の記号と同一であり、この実施例では
p形である。そして同調層としての導波路層30、中間
層40、活性層50及び格子層60が成長させられる。
図18ではこの層配列が横断面図で示され、ドープされ
た領域24が破線で示されている。ドーパントの注入又
は拡散は局部的に制限され、すなわちドープされた領域
24はレーザ帯により占められる領域の下方かつこの領
域の一方の側に存在する。他方の側はドープされないま
まである。図19は格子層60中に加工された格子15
を備える長手方向断面を示す。ドープされた領域24は
能動領域に制限されている。
【0023】第1の実施例と同様に受動領域では格子層
60、活性層50及び中間層40が除去され、層配列が
能動領域では図4に横断面図で示されたレーザリッジと
なるようにエッチバックされ、その際ここでもマスク1
6が用いられる。そして下側クラッド層10が図5及び
図6と同様に成長させられる。第1の接触層はこの実施
例では三つの部分の層配列から成るのが有利である。第
1の部分接触層25はこの実施例ではn形に弱くドープ
されている。別の組成(例えばInP:Zn)の第2の部分接
触層26がその上に続き、そして強くドープされた第3
の部分接触層27が更に続く。第1及び第3の部分接触
層25、27は同一の材料から成ることができるが、し
かしこれらの材料は引用文献に記載のように(第1の部
分接触層25は例えばn形のInGaAsP 、第2の部分接触
層26はn形のInP 、第3の部分接触層27はn+ 形の
InGaAs)異なるものとすることができる。図20は基板
1、バッファ層2、ドープされた領域24、同調層とし
ての導波路層3、中間層4、活性層5、格子層6、マス
ク16、下側クラッド層10及び三つの部分接触層2
5、26、27を備えるレーザダイオードの領域の横断
面図を示す。図21は長手方向断面図を示し、図22は
受動領域の横断面図を示す。
【0024】マスク16が除去され帯状領域上の第1の
接触層が能動領域でエッチバックされる。加えるにドー
プされた領域24の側で第2及び第3の部分接触層2
6、27の部分が除去されるので、この領域には第1の
部分接触層25の当該部分だけが残っている。そして図
23に示すように上側クラッド層18及び第2の接触層
19が成長させられる。図24はこの加工段階後の長手
方向断面図を示す。図25は受動領域の横断面図を示
す。
【0025】上側クラッド層7が帯となるように第1の
実施例と同様に掘り下げエッチングされた後に、側面の
接触層11、29の表面が露出する。ドープされた領域
24の上に存在する側ではこの側面の接触層11が第1
の部分接触層25の当該部分だけから成る。他方の側で
は側面の接触層29が三つの層部分25、26、27か
ら集成されている。ドープされた領域24上の側面の接
触層11の部分及びその下に存在する下側クラッド層1
0の部分は、ドーパントの注入又は拡散により逆性にド
ープされるので、半導体材料がその下のドープされた領
域24と同一の導電性を有する。側面の接触層11上に
電極12が被覆される。この側面の電極12を経て3層
の接触層29の側では電流を中間層4を経て活性層5及
び導波路層3の制御のために供給することができる。活
性層5のための第2の電極が中央の電極9として中央の
接触層8上に設けられる。同調層としての導波路層3の
ための第2の電極が側面の電極12の別の部分により第
2のドープされた領域28上の側面の接触層11上に形
成される。電流供給は図26に横断面図で示したよう
に、この第2のドープされた領域28を経て下側クラッ
ド層10及びバッファ層2の当初に加工されたドープ領
域24へ行われる。そのほかの構造は図1に示す実施例
に等しい。
【0026】この発明に基づくレーザダイオード・導波
路集積デバイスは半絶縁性基板上でのレーザダイオード
と導波路とのモノリシック集積を可能にし、その際レー
ザダイオードに対して種々の構造例えば同調可能なレー
ザダイオードが採用される。電極のボンド面はこのレー
ザダイオード・導波路集積デバイスの表面上に設けら
れ、この発明に基づく構造は容易に加工可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に基づくレーザダイオード・導波路集
積デバイスの一実施例の斜視図である。
【図2】図1に示すデバイスの初期工程段階における長
手方向断面図である。
【図3】図2に示すデバイスの変形例の長手方向断面図
である。
【図4】図3に示すデバイスの次の工程段階における能
動領域の横断面図である。
【図5】図4に示すデバイスの次の工程段階における同
様の断面図である。
【図6】図5に示すデバイスの切断線VI−VIによる断面
図である。
【図7】図6に示すデバイスの切断線VII −VII による
断面図である。
【図8】図5に示すデバイスの次の工程段階における同
様の断面図である。
【図9】図8に示すデバイスの切断線IX−IXによる断面
図である。
【図10】図8に示すデバイスの完成段階における同様
の断面図である。
【図11】この発明に基づくデバイスの別の実施例の初
期工程段階における能動領域の横断面図である。
【図12】図11に示すデバイスの切断線XII −XII に
よる断面図である。
【図13】図12に示すデバイスの切断線XIII−XIIIに
よる断面図である。
【図14】図12に示すデバイスの次の工程段階におけ
る同様の断面図である。
【図15】図14に示すデバイスの切断線XV−XVによる
断面図である。
【図16】図14に示すデバイスの次の工程段階におけ
る同様の断面図である。
【図17】図16に示すデバイスの切断線XVII−XVIIに
よる断面図である。
【図18】この発明に基づくデバイスの更に別の実施例
の初期工程段階における能動領域の横断面図である。
【図19】図18に示すデバイスの次の加工段階におけ
る長手方向断面図である。
【図20】図19に示すデバイスの次の加工段階におけ
る能動領域の横断面図である。
【図21】図20に示すデバイスの長手方向断面図であ
る。
【図22】図21に示すデバイスの切断線XXII−XXIIに
よる断面図である。
【図23】図20に示すデバイスの次の加工段階におけ
る同様の断面図である。
【図24】図23に示すデバイスの切断線XXIV−XXIVに
よる断面図である。
【図25】図24に示すデバイスの切断線XXV −XXV に
よる断面図である。
【図26】図23に示すデバイスの完成段階における同
様の断面図である。
【符号の説明】
1 基板 3 導波路層(又は同調層) 4 中間層 5 活性層 6 格子層 7 上側クラッド層 8、11 接触層 9、12 電極 10 下側クラッド層 24 領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−116188(JP,A) 特開 昭57−12579(JP,A) 特開 昭61−89692(JP,A) Electronics Lette rs Vol.26,No.13(1990) p.933−934 IEE Proceedings V ol.137,Pt.J,No.1(1990) p69−73 Applied Physics L etters Vol.54,No.2 (1989)p.114−116 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 5/00 - 5/50 G02B 6/12 H01L 27/15 JICSTファイル(JOIS)

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 成長させられた主面を備える半絶縁性基
    板(1)上のレーザダイオード・導波路モノリシック集
    積デバイスにおいて、レーザダイオードの帯状活性層
    (5)が、レーザ光を内部で発生する能動領域を形成
    し、能動領域の内部にそして能動領域の外部では受動領
    域の内部に配置された受動導波路層(3)が能動領域か
    ら受動領域にレーザ光を導くためにレーザダイオードの
    帯状活性層(5)と結合され、この活性層(5)の基板
    (1)と反対側には第1の導電形にドープされ中央の接
    触層(8)を上に被覆された帯状の上側クラッド層
    (7)が設けられ、活性層(5)の基板(1)に向かう
    側には逆の第2の導電形にドープされ基板(1)の主面
    に平行な二つの主面と二つの長側面と二つの短側面とに
    より画成された帯状の中間層(4)が設けられ、下側ク
    ラッド層(10)が設けられ、下側クラッド層はレーザ
    ダイオードの領域では中間層(4)の両長側面に隣接し
    かつ中間層(4)の少なくとも一方の側で第2の導電形
    にドープされ、下側クラッド層(10)上には側面の接
    触層(11)が被覆され、中央の接触層(8)上には中
    央の電極(9)が被覆され、側面の接触層(11)上に
    は電極(12)が被覆されることを特徴とするレーザダ
    イオード・導波路モノリシック集積デバイス。
  2. 【請求項2】 レーザ光の光学的フィードバックのため
    に分布帰還形格子が設けられ、この格子が上側クラッド
    層(7)と活性層(5)との間に配置された格子層
    (6)中に形成されていることを特徴とする請求項1記
    載のデバイス。
  3. 【請求項3】 レーザ光の光学的フィードバックのため
    に分布帰還形格子が中間層(4)と基板(1)との間に
    設けられていることを特徴とする請求項1記載のデバイ
    ス。
  4. 【請求項4】 下側クラッド層(10)が中間層(4)
    の一方の側で第1の導電形にドープされ、中間層(4)
    の基板(1)に向かう面上に同調層としての導波路層
    (3)が設けられ、第1の導電形にドープされた領域
    (24)が設けられ、この領域が同調層としての導波路
    (3)の基板(1)に向かう主面に隣接しかつ下側ク
    ラッド層(10)の第1の導電形にドープされた部分と
    結合され、側面の接触層(11)がその一方の部分を下
    側クラッド層(10)の第1の導電形にドープされた部
    分上に有し、またこれと分離された他方の部分を下側ク
    ラッド層(10)の第2の導電形にドープされた部分上
    に有し、側面の接触層(11)のこれらの分離された両
    部分がそれぞれ別個の側面電極(12)を備えることを
    特徴とする請求項1ないし3の一つに記載のデバイス。
  5. 【請求項5】 下側クラッド層(10)の相異なる導電
    形にドープされた部分上に被覆された側面の接触層(1
    1)の両部分が、少なくともそれぞれ当該側面電極(1
    2)を備える一番上の層部分中で相互に異なる材料組成
    を有することを特徴とする請求項4記載のデバイス。
  6. 【請求項6】 第1の導電形がp形であり、第2の導電
    形がn形であり、少なくとも中央接触層(8)の中央電
    極(9)に隣接する層部分がp+導電形にドープされ、
    少なくとも下側クラッド層(10)のn導電形にドープ
    された部分のために設けられた側面の電極(12)に隣
    接する側面の接触層(11)の層部分がn+導電形にド
    ープされていることを特徴とする請求項1ないし5の一
    つに記載のデバイス。
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