KR960019881A - 반도체 레이저 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 제조방법에 관한 것으로, 액상성장법의 특성인 액상식각을 이용하여 반도체 레이저의 반도체층 식각 및 재성장을 한공정으로 수행하기 위한 것이다.
본 발명은 기판상에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층상에 유전막을 형성하는 단계, 상기 유전막을 선택적으로 식각하여 상기 반도체층의 소정부분을 노출시키는 단계, 및 상기 기판을 LPE 리액터에 장착시키고 액상식각법에 의해 상기 유전막을 마스크로 하여 상기 노출된 반도체층을 선택적으로 식각하고 연속적으로 상기 식각된 마스크 부분에 LPE에 의해 반도체층을 재성장시키는 단계를 포함하는 반도체 레이저 제조방법을 제공함으로써 LPE 방법의 특성인 역상식각을 이용하여 DH구조를 식각한 후 곧바로 공기에 노출되지 않은 상태에서 재성장이 이루어지도록 함으로써 손쉽게 고신뢰성을 갖는 반도체 레이저를 제작할 수 있도록 한다.

Description

반도체 레이저 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 제1실시예에 의한 레이저 다이오드 제조방법을 도시한 공정순서도,
제7도는 본 발명의 제2실시예에 의한 레이저 다이오드 제조방법을 도시한 공정순서도,
제8도는 본 발명의 제3실시예에 의한 레이저 다이오드 구조도.

Claims (8)

  1. 기판상에 반도체층은 형성하는 단계와, 상기 반도체층상에 유전막을 형성하는 단계, 상기 유전막을 선택적으로 식각하여 상기 반도체층의 소정부분을 노출시키는 단계, 및 상기 기판을 LPE 리액터에 장착시키고 액상식각법에 의해 상기 유전막을 마스크로 하에 상기 노출된 반도체층은 선택적으로 식각하고 연속적으로 상기 식각된 부분에 LPE에 의해 반도체층을 재성장시키는 단계를 포함하는 것은 특징으로 하는 반도체 레이저 제조방법.
  2. 기판상에 n형 클래드층과 활성층 및 p형 클래드층을 차례로 성장시켜 더블헤테로 구조를 형성하는 단계와, 상기 p형 클래드층 상부에 유전막을 형성하는 단계, 상기 유전막을 선택적으로 식각하여 상기 p형 클래드층의 소정부분을 노출시키는 단계, 및 상기 기관을 LPE 리액터예 장착시키고 액상식각법에 의해 상기 노출된 부분의 더블헤테로구조층 기판부위까지 선택적으로 식각하고 연속적으로 상기 식각된 부분에 LPE에 의해 반도체층을 재성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 유전막이 선택적으로 제거되는 부분은 레이저 다이오드의 벽개면에 해당하는 부분임을 특징으로 하는 반도체 레이저 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 유전막이 선택적으로 제거되는 부분은 레이저 다이오드의 활성층을 수평방향으로 전류제한하는 전류제한층이 형성되는 채널부위임을 특징으로 하는 반도체 레이저 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 유전막이 선택적으로 제거되는 부분은 레이저 다이오드의 벽개면과 레이저 다이오드의 활성층을 수평방향으로 전류제한하는 전류제한층이 형성되는 채널부위임을 특징으로 하는 반도체 레이저 제조방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 식각된 부분에 재성장되는 반도체층은 상기 활성층보다 굴절율이 낮고 에너지갭이 큰 물질을 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 제조방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 식각된 부분에 재성장되는 반도체층은 레이저 다이오드의 TM층임을 특징으로 하는 반도체 레이저 제조방법.
  8. 제2항에 있어서, 상기 식각된 부분에 재성장되는 반도체층은 전류제한층인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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