KR930005300A - 베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents
베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 (가)와 (나)는 종래 베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 스트리프 구조도,
제2도의 (가) 내지 (다)는 본 발명 베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 스트리프 제조공정도.
Claims (1)
- 제1도전형의 GaAs기판(20)위에 제1도전형의 GaAlO.5As클래드층(21)과 GaAl0.14As활성층(22) 및 GaAlO.5As층(23)을 순차적으로 성장시킨 후 채널부분만 남기고 상기 제1도전형의 GaAlO.5As클래드층(21)이 노출되도록 선택적 에칭을 하고, 이 노출된 부분위에 다시 GaAlO.14As클래드층(24)과 제2도전형의 GaAs층(15)을 순차적으로 성장시켜 이루어짐을 특징으로 하는 베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910013432A KR930005300A (ko) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910013432A KR930005300A (ko) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930005300A true KR930005300A (ko) | 1993-03-23 |
Family
ID=67310250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910013432A KR930005300A (ko) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR930005300A (ko) |
-
1991
- 1991-08-02 KR KR1019910013432A patent/KR930005300A/ko not_active Application Discontinuation
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