KR930005300A - 베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents

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KR930005300A
KR930005300A KR1019910013432A KR910013432A KR930005300A KR 930005300 A KR930005300 A KR 930005300A KR 1019910013432 A KR1019910013432 A KR 1019910013432A KR 910013432 A KR910013432 A KR 910013432A KR 930005300 A KR930005300 A KR 930005300A
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KR
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manufacturing
laser diode
gaalo
buried hetero
layer
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KR1019910013432A
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English (en)
Inventor
이규현
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
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내용 없음.

Description

베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 (가)와 (나)는 종래 베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 스트리프 구조도,
제2도의 (가) 내지 (다)는 본 발명 베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 스트리프 제조공정도.

Claims (1)

  1. 제1도전형의 GaAs기판(20)위에 제1도전형의 GaAlO.5As클래드층(21)과 GaAl0.14As활성층(22) 및 GaAlO.5As층(23)을 순차적으로 성장시킨 후 채널부분만 남기고 상기 제1도전형의 GaAlO.5As클래드층(21)이 노출되도록 선택적 에칭을 하고, 이 노출된 부분위에 다시 GaAlO.14As클래드층(24)과 제2도전형의 GaAs층(15)을 순차적으로 성장시켜 이루어짐을 특징으로 하는 베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910013432A 1991-08-02 1991-08-02 베리드 헤테로형 레이저 다이오드의 제조방법 KR930005300A (ko)

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