KR930005299A - 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 반도체 레이저 다이오드의 구조도,
제2도의 (A) 내지 (C)는 본 발명 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
Claims (1)
- 제1도전형 GaAs기판(1)위에 제1도전형 AlGaAs클래드층(2), 활성층(3), 제2도전형 AlGaAs클래드층(4) 및 제1도전형 GaAs 전류제어층(5)을 4)을 액상 에피텍셜(LPE)결정 성장 방법으로 성장시킨 후, 상기 제1도전형 GaAs전류제어층(5)의 중앙부위를 일부 남겨놓은 소정의 깊이로 화학적 식각을 통해 V홈을 형성하고, 상기 액상 에피텍셜(LPE)법으로 상기 V홈내에 남아있는 상기 전류제어층(5)의 제1도전형 GaAs를 제거한 후 제2도전형 GaAs금속접촉층을 형성하여 됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910013663A KR940011106B1 (ko) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910013663A KR940011106B1 (ko) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930005299A true KR930005299A (ko) | 1993-03-23 |
| KR940011106B1 KR940011106B1 (ko) | 1994-11-23 |
Family
ID=19318352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910013663A KR940011106B1 (ko) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940011106B1 (ko) |
-
1991
- 1991-08-07 KR KR1019910013663A patent/KR940011106B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940011106B1 (ko) | 1994-11-23 |
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