KR940010429A - 반도체 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로 종래에는 전류차단층 형성시 질화실리콘막 또는 산화실리콘막등의 절연막으로 성장방지층을 액상 에피택시 성장법으로 제조하여 반도체 레이저 다이오드 제조시 성장방지층 성장 공정이 필요하여 제조공정이 복잡하며 그 성장방지층 성장시 반도체층과 화학반응하여 소자의 전기적, 광학적 특성을 저하시키는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 감안하여 전류차단층 형성시 성장방지층을 제외하고 캡층위에 전류차단층을 성장시킨후 그 전류차단층 일부를 화학식각으로 식각하여 제조하고 기판을 식각하여 클래드층의 두께를 조절하므로 반도체 레이저 다이오드의 제조공정을 단수화하여 소자의 특성을 개선하며 클래드층의 두께를 조정하여 반도체레이저 다이오드의 모드 절환의로 성능을 향상하는 효과가 있다.

Description

반도체 레이저 다이오드 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도의 (가) 내지 (라)는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 제조공정을 보인 단면도.

Claims (5)

1. 기판(1)을 선택적 식각으로 패턴을 형성하는 단계와, 그 기판(1)에 클래드층(2), 활성층(3), 클래드층(4), 제1램층(5) 및 전류차단층(7)을 성장하는 단계와, 그 전류차단층(7)을 선택적 식각으로 패턴을 형성하는 단계와, 그 전류제한층(7)위에 제2캡층(8)을 형성하는 단계와, 그 제2캡층(8)위와 상기 기판(1)하부에 전극(9)(10)을 형성하는 단계로 제조하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 전류 차단층(7) 식각은 화학식각으로 제조하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 전류차단층(7) 식각은 반도체 선택 성장시 제조가능한 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 기판(1) 식각으로 클래드층(2)의 두께를 조절하며 제조하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
5. 제4항에 있어서, 클래드층(2)의 두께조절로 레이저의 모드 절환이 가능하도록 제조하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.